JP6326170B2 - 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法 - Google Patents
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Landscapes
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Description
以下、実施形態に係る露光描画装置について添付図面を用いて詳細に説明する。本実施形態では、本発明を、被露光基板(後述する被露光基板C)に光ビームを露光して回路パターン、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターン等の描画パターンを描画する露光描画装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、被露光基板としては、プリント配線基板、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板等の平板基板が例示される。また、本実施形態に係る露光描画装置では、露光描画の対象とする被露光基板が矩形状の形状を呈したものとされている。
このように、本実施形態に係る露光描画装置10では、上記ずれ量の最大値を上記物理量として用いるが、これに限定されず、当該ずれ量の各々の平均値、または当該ずれ量の各々の積算値を上記物理量として用いても良い。また、上記最大値、上記平均値、上記積算値の複数の組み合わせを上記物理量として用いても良い。
次に、図12を参照して、本実施形態に係る露光描画装置10の作用を説明する。なお、図12は、操作装置44の入力部を介して実行指示が入力された際に露光描画装置10のシステム制御部40によって実行される露光制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。当該プログラムは、システム制御部40に上記ROMの所定領域に予め記憶されている。
以下、本発明の第2実施形態に係る露光描画装置10について説明する。
12 ステージ
22 露光部
22a 露光ヘッド
34 撮影部
40 システム制御部
40A HDD
62 対象画像
C 被露光基板
M、M1乃至M4 基準マーク
Claims (14)
- 被露光基板の対象領域の4隅に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記被露光基板に描画する、電子配線を示す回路パターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに基づくオフセット量、伸縮倍率、及び回転量を用いて、前記被露光基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出部と、
前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部と、
前記第2の位置を基準として前記被露光基板に前記描画パターンを描画する場合で、かつ、前記低減部で低減された補正量が、前記描画パターンにおけるランドの内部に導通ビアが収まるものとして定められた第1の補正量より大きい場合、当該第1の補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、
を備えた描画装置。 - 被露光基板の対象領域の4隅に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記被露光基板に描画する、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに基づくオフセット量、伸縮倍率、及び回転量を用いて、前記被露光基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出部と、
前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部と、
前記第2の位置を基準として前記被露光基板に前記描画パターンを描画する場合で、かつ、前記低減部で低減された補正量が、前記開口穴が部品と接合するための導体パッドの内部に納まるものとして定められた第2の補正量より大きい場合、当該第2の補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、
を備えた描画装置。 - 前記導出部は、前記物理量として、前記複数の基準マークの各々毎の前記第1の位置及び前記第2の位置のずれ量の最大値、前記ずれ量の各々の平均値、及び前記ずれ量の各々の積算値の少なくとも1つを導出する
請求項1又は2記載の描画装置。 - 前記導出部は、前記物理量として、前記第1の位置に基づいて得られる前記複数の基準マークの相互間の距離と、対応する前記第2の位置に基づいて得られる前記複数の基準マークの相互間の距離との差分の最大値、前記差分の各々の平均値、及び前記差分の各々の積算値の少なくとも1つを導出する
請求項1又は2記載の描画装置。 - 前記低減部は、前記導出部で導出された補正量の各々に、前記物理量が大きくなるほど小さい1未満の正の値を乗算すること、前記物理量が大きくなるほど大きい1を超える値で除算すること、及び前記物理量が大きくなるほど大きくかつ当該補正量より小さい正の値を減算することの少なくとも1つを行うことにより、前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する
請求項1乃至4の何れか1項記載の描画装置。 - 前記導出部は、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれ量から、前記被露光基板の平行移動によるずれ、回転によるずれ、及び伸縮によるずれの少なくとも1つを減算したずれ量に基づいて前記補正量を導出する
請求項1乃至5の何れか1項記載の描画装置。 - 前記物理量及び前記補正量の低減率が各々対応付けられた低減情報の入力を受け付ける受付部を更に備え、
前記低減部は、前記受付部で受け付けられた低減情報において前記導出部で導出された前記物理量に対応付けられた低減率を用いて、前記導出部で導出された補正量を低減する
請求項1乃至6の何れか1項記載の描画装置。 - 請求項1乃至7の何れか1項記載の描画装置と、
前記描画装置の前記補正部で補正された座標データに基づいて前記被露光基板に前記描画パターンを露光して描画する露光部と、
を備えた露光描画装置。 - 前記被露光基板に複数の層の描画パターンを積層させて描画する場合に、前記取得部、前記導出部、前記低減部、前記補正部、及び前記露光部を制御し、前記複数の層の各々毎に、前記取得部による取得、前記導出部による導出、前記低減部による低減、前記補正部による補正、及び前記露光部による露光の各々を行う制御部を更に備えた
請求項8記載の露光描画装置。 - 前記被露光基板の歪みの大きさとして許容される上限である前記物理量の最大許容量を示す許容量情報を記憶する記憶部を更に備え、
前記制御部は、前記導出部で導出された前記物理量が前記許容量情報によって示される最大許容量より大きい場合、前記被露光基板に対する前記露光部による露光を禁止する
請求項9記載の露光描画装置。 - コンピュータを、
被露光基板の対象領域の4隅に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記被露光基板に描画する、電子配線を示す回路パターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに基づくオフセット量、伸縮倍率、及び回転量を用いて、前記被露光基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出部と、
前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部と、
前記第2の位置を基準として前記被露光基板に前記描画パターンを描画する場合で、かつ、前記低減部で低減された補正量が、前記描画パターンにおけるランドの内部に導通ビアが収まるものとして定められた第1の補正量より大きい場合、当該第1の補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、
として機能させるためのプログラム。 - コンピュータを、
被露光基板の対象領域の4隅に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記被露光基板に描画する、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得部と、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに基づくオフセット量、伸縮倍率、及び回転量を用いて、前記被露光基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出部と、
前記導出部で導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減部と、
前記第2の位置を基準として前記被露光基板に前記描画パターンを描画する場合で、かつ、前記低減部で低減された補正量が、前記開口穴が部品と接合するための導体パッドの内部に納まるものとして定められた第2の補正量より大きい場合、当該第2の補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正部と、
として機能させるためのプログラム。 - 被露光基板の対象領域の4隅に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記被露光基板に描画する、電子配線を示す回路パターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得ステップと、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに基づくオフセット量、伸縮倍率、及び回転量を用いて、前記被露光基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出ステップと、
前記導出ステップで導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減ステップと、
前記第2の位置を基準として前記被露光基板に前記描画パターンを描画する場合で、かつ、前記低減ステップで低減された補正量が、前記描画パターンにおけるランドの内部に導通ビアが収まるものとして定められた第1の補正量より大きい場合、当該第1の補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正ステップと、
を備えた描画方法。 - 被露光基板の対象領域の4隅に設けられた複数の基準マークの設計上の位置である第1の位置を示す座標データ、前記第1の位置を基準として定められた前記被露光基板に描画する、ソルダーレジスト層の部品実装用の開口穴を示すソルダーレジストパターンである描画パターンを示す座標データ、及び前記複数の基準マークの各々の実際の位置である第2の位置を示す座標データを取得する取得ステップと、
前記第1の位置及び前記第2の位置に基づいて前記被露光基板の歪みの大きさを示す物理量を導出し、かつ前記複数の基準マークの各々毎に、前記第1の位置及び前記第2の位置のずれに基づくオフセット量、伸縮倍率、及び回転量を用いて、前記被露光基板の歪みに応じて前記描画パターンを補正するための補正量を導出する導出ステップと、
前記導出ステップで導出された補正量の各々から、前記物理量が大きくなるほど多い量を低減する低減ステップと、
前記第2の位置を基準として前記被露光基板に前記描画パターンを描画する場合で、かつ、前記低減ステップで低減された補正量が、前記開口穴が部品と接合するための導体パッドの内部に納まるものとして定められた第2の補正量より大きい場合、当該第2の補正量に基づいて前記描画パターンを示す座標データを補正する補正ステップと、
を備えた描画方法。
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