JP6319668B2 - 電圧検出回路 - Google Patents
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Description
同じ参照符号を付し、説明は繰り返さない。
図1に、第1実施形態の電圧検出回路1の機能構成例を示す。本実施形態の電圧検出回路1は、第1PMOSトランジスタ10と、第2PMOSトランジスタ20とを具備する。
図4に、第2実施形態の電圧検出回路2の機能構成例を示す。本実施形態の電圧検出回路2は、電圧検出回路1の構成に、第1多段ダイオード30、第1マルチプレクサ40、及びインバータ50の構成を付加したものである。電圧検出回路2は、反転閾値電圧VSのばらつきを調整できるようにしたものである。
図8に、第3実施形態の電圧検出回路3の機能構成例を示す。本実施形態の電圧検出回路3は、電圧検出回路2のインバータ50を、2入力否定論理積ゲート(以降NAND)70と第2コア部分60とに置き替えたものであり、電圧検出回路の出力信号が不定になることを防止したものである。
図11に、第4実施形態の電圧検出回路5の機能構成例を示す。本実施形態の電圧検出回路5は、電圧検出回路3(図8)を低消費電力化したものである。
図14に、第5実施形態の電圧検出回路6の機能構成例を示す。本実施形態の電圧検出回路5は、反転閾値電圧VSの調整精度を向上させたものである。
7 :コア部分
10 :第1PMOSトランジスタ
20 :第2PMOSトランジスタ
30 :第1多段ダイオード
40 :第1マルチプレクサ
50 :インバータ
60 :第2コア部分
70 :NAND
80 :AND
90 :基準電圧部
100 :コンパレータ
110 :第2多段ダイオード
120 :第2マルチプレクサ
Claims (5)
- ソース電極とゲート電極とバックゲート電極とが出力端子に接続され、ドレイン電極が接地電極に接続される第1PMOSトランジスタと、
ソース電極とバックゲート電極とが電圧入力端子に接続され、ドレイン電極が前記出力端子に接続され、ゲート電極が接地電極に接続される第2PMOSトランジスタとを具備し、
前記第2PMOSトランジスタの閾値電圧は、前記第1PMOSトランジスタの閾値電圧よりも大きいことを特徴とする電圧検出回路。 - 請求項1に記載した電圧検出回路において、
前記電圧入力端子と接地電極との間に直列に接続されるダイオード接続された複数のMOSトランジスタで構成される第1多段ダイオードと、
前記第1多段ダイオードの各々の分圧電圧を選択する第1マルチプレクサとを具備し、
前記第2MOSトランジスタのソース電極が接続される電圧入力端子が、前記第1マルチプレクサの出力端子であることを特徴とする電圧検出回路。 - 請求項2に記載した電圧検出回路において、
論理積ゲートと、
ソース電極とゲート電極とバックゲート電極とが前記論理積ゲートの一方の入力端子に接続され、ドレイン電極が接地電極に接続される第3PMOSトランジスタと、
ソース電極とバックゲート電極とが前記電圧入力端子に接続され、ドレイン電極が前記論理積ゲートの一方のゲートに接続され、ゲート電極が接地電極に接続される第4PMOSトランジスタとを具備し、
前記論理積ゲートの他方のゲートに前記第1PMOSトランジスタのドレイン電極と前記第2PMOSトランジスタのソース電極とが接続され、当該論理積ゲートの一方のゲートを構成する並列に接続されたPMOSトランジスタの閾値電圧が、当該論理積ゲートの並列に接続された他のPMOSトランジスタの閾値電圧よりも低いことを特徴とする電圧検出回路。 - 請求項1に記載した電圧検出回路において、
前記電圧入力端子と接地電極との間に直列に接続されるダイオード接続された複数のPMOSトランジスタで構成される第1多段ダイオードと、
前記第1多段ダイオードの各々の分圧電圧を選択する第1マルチプレクサと、
前記電圧入力端子と接地電極との間の電圧から基準電圧を生成する基準電圧部と、
前記第1マルチプレクサの出力する前記分圧電圧と前記基準電圧とを比較するコンパレータと、
論理積ゲートと、
ソース電極とゲート電極とバックゲート電極とが前記論理積ゲートの一方の入力端子に接続され、ドレイン電極が接地電極に接続される第3PMOSトランジスタと、
ソース電極とバックゲート電極とが前記電圧入力端子に接続され、ドレイン電極が前記論理積ゲートの一方のゲートに接続され、ゲート電極が前記接地電極に接続される第4PMOSトランジスタとを具備し、
前記論理積ゲートの一方のゲートに前記コンパレータの出力が接続され他方のゲートに前記前記第3PMOSトランジスタのソース電極が接続され、当該論理積ゲートの他方のゲートを構成する並列に接続されたPMOSトランジスタの閾値電圧が、当該論理積ゲートの並列に接続された他のPMOSトランジスタの閾値電圧よりも低いことを特徴とする電圧検出回路。 - 請求項4に記載した電圧検出回路において、
前記基準電圧部の出力と接地電極との間に直列に接続されるダイオード接続された複数のPMOSトランジスタで構成される第2多段ダイオードと、
前記第2多段ダイオードの各々の分圧電圧を選択する第2マルチプレクサとを具備し、
前記第2マルチプレクサの出力が前記コンパレータに接続されることを特徴とする電圧検出回路。
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