JP6308895B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Landscapes
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Description
11a 表面
11b 裏面
11c 外周
13 デバイス領域
15 外周余剰領域
17 分割予定ライン(ストリート)
19 マイクロマシンデバイス
19a 可動部
19b 固定部
21 レジスト膜
21a 開口
23 レジスト膜
25 支持部
25a 凹部
27 連結部
27a 貫通穴
31 ダイシングテープ
33 フレーム
35 デバイスチップ
B 被覆領域
C 露出領域
2 プラズマエッチング装置
4 処理空間
6 真空チャンバ
6a 側壁
6b 底壁
6c 上壁
8 開口
10 ゲート
12 開閉機構
14 排気口
16 排気装置
18 下部電極
20 上部電極
22 保持部
24 支持部
26 開口
28 軸受け
30 高周波電源
32 テーブル
34 流路
36 吸引源
38 冷却流路
40 冷媒導入路
42 循環装置
44 冷媒排出路
46 ガス噴出部
48 支持部
50 開口
52 軸受け
56 昇降機構
58 支持アーム
60 噴出口
62 流路
64 ガス供給源
72 エキスパンド装置
74 支持構造
76 拡張ドラム
78 フレーム支持テーブル
80 クランプ
82 昇降機構
84 シリンダケース
86 ピストンロッド
Claims (2)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に、可動部と該可動部に接続された固定部とを有するマイクロマシンデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
該マイクロマシンデバイスの該固定部に対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で被覆して、該可動部に対応するウェーハの裏面側を露出させるとともに、該分割予定ラインに対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で間欠的に被覆して、レジスト膜で被覆された被覆領域と、ウェーハの裏面が露出した該マイクロマシンデバイスの一辺より短い露出領域と、を該分割予定ラインに沿って交互に設けるレジスト膜被覆工程と、
該レジスト膜被覆工程が実施されたウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施し、ウェーハの該可動部に対応する裏面側に該可動部に達する凹部を形成するとともに、該分割予定ラインに沿って該露出領域に対応する貫通穴を形成するエッチング工程と、
該エッチング工程の後にウェーハに対して所定の追加工を行う追加工工程と、
該追加工工程の前または後に該レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
該レジスト膜除去工程と該追加工工程とが実施された後、ウェーハの裏面側を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウェーハ支持工程と、
該ダイシングテープを拡張することによりウェーハに外力を加えて該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該分割予定ラインに対応する該被覆領域のレジスト膜は、該固定部に対応するウェーハの裏面側を被覆するレジスト膜よりも薄く形成され、該エッチング工程後のウェーハの該被覆領域に対応する部分の厚さは、該固定部に対応する部分の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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