JP6298363B2

JP6298363B2 - Wiring board

Info

Publication number: JP6298363B2
Application number: JP2014114811A
Authority: JP
Inventors: 前原　信治; 信治前原
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2014-06-03
Filing date: 2014-06-03
Publication date: 2018-03-20
Anticipated expiration: 2034-06-03
Also published as: JP2015230902A

Description

本発明は、セラミックからなる基板本体の表面に電気的に独立し且つ表面にメッキ膜が被覆された表面導体部を備えた配線基板に関する。 The present invention relates to a wiring board provided with a surface conductor portion which is electrically independent on the surface of a substrate body made of ceramic and whose surface is coated with a plating film.

通常、セラミックからなる基板本体の表面や該表面に開口するキャビティの底面に、電気的に独立した封止用メタライズ層あるいはダミー用のパッドを備えた配線基板においては、前記封止用メタライズ層やパッドの表面にも金属メッキ膜を被覆する必要がある。そのため、焼成された上記基板本体の側面において、メッキ用電極棒と接触させて導通するため、上記パッドを含む複数の導体部と導通する電極用メタライズ層を予め該側面に形成しておき、電解メッキ後に前記電極用メタライズ層の全部あるいは一部を除去する方法が行われている。
例えば、セラミックからなる絶縁基体の側面に形成した接続用メタライズ層を、所望のメタライズ層などの表面に電解メッキを施した後、上記接続用メタライズ層を一定の面積以上が残るように研磨して除去することにより、上記絶縁基体にクラックや欠けなどが発生する事態を有効に防止した半導体素子収納用パッケージの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 Usually, in a wiring board provided with an electrically independent metallization layer for sealing or a dummy pad on the surface of a substrate body made of ceramic or the bottom surface of a cavity opened on the surface, the metallization layer for sealing or It is necessary to coat the surface of the pad with a metal plating film. For this reason, on the side surface of the baked substrate main body, in order to be brought into contact with the plating electrode rod, the electrode metallization layer is formed in advance on the side surface to be electrically connected to the plurality of conductor parts including the pad. A method of removing all or part of the electrode metallization layer after plating is performed.
For example, after a connection metallization layer formed on the side surface of an insulating base made of ceramic is subjected to electrolytic plating on the surface of a desired metallization layer or the like, the connection metallization layer is polished so that a certain area or more remains. There has been proposed a method for manufacturing a package for housing a semiconductor element that effectively prevents the occurrence of cracks, chips, etc. in the insulating substrate by removing (see, for example, Patent Document 1).

しかし、前記半導体素子収納用パッケージの製造方法のように、セラミックからなる絶縁基体の側面に形成した接続用メタライズ層を選択的に研磨により除去する場合でも、除去すべき上記接続用メタライズ層の一部を含む絶縁基体の側面を、該絶縁基体の表面および裏面と平行な横（外周）方向、あるいは前記表面および裏面と直交する厚み方向に沿って、上記側面を構成するセラミック部分を含めて帯状に広く研磨することが必要になる。その結果、上記セラミック部分を含む研磨工程の所要時間が増大し且つコスト高に招来する、という問題点があった。
更に、電解メッキ後においては、絶縁基体の側面に露出する複数のメッキ用配線同士の仇を電気的に絶縁するため、互いに一定距離以上離しておく必要がある。そのため、前記のように比較的面積の大きな接続用メタライズ層を選択的に研磨により除去する方法では、隣接するメッキ用配線同士間の絶縁を確保することが著しく困難になる、という問題点もあった。 However, even when the connection metallization layer formed on the side surface of the insulating base made of ceramic is selectively removed by polishing as in the method for manufacturing a package for housing a semiconductor element, one of the connection metallization layers to be removed should be removed. The side surface of the insulating substrate including the portion is strip-shaped including the ceramic portion constituting the side surface along the lateral (peripheral) direction parallel to the front and back surfaces of the insulating substrate or the thickness direction orthogonal to the front and back surfaces. It is necessary to polish it widely. As a result, there is a problem in that the time required for the polishing step including the ceramic portion increases and the cost increases.
Furthermore, after electrolytic plating, it is necessary to keep a certain distance or more away from each other in order to electrically insulate the ridges of the plurality of plating wires exposed on the side surfaces of the insulating base. Therefore, the method of selectively removing the metallization layer having a relatively large area by polishing as described above has a problem that it is extremely difficult to ensure insulation between adjacent plating wires. It was.

特開２００３−１６８７５４号公報（第１〜７頁、図１〜５）JP 2003-168754 A (pages 1-7, FIGS. 1-5)

本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、セラミックからなる基板本体の表面に電気的に独立し且つ表層にメッキ膜が被覆された表面導体部と、該表面導体部や他の導体部に導通する複数のメッキ用配線とを備え、該メッキ用配線同士間の絶縁を容易に確保でき、且つ電解メッキ時に用いた電極用メタライズ層を少ない研磨量により除去された配線基板を提供する、ことを課題とする。 The present invention solves the problems described in the background art, and includes a surface conductor portion that is electrically independent on the surface of a substrate body made of ceramic and whose surface layer is coated with a plating film, and the surface conductor portion and other conductors. Provided is a wiring board that includes a plurality of plating wirings that are electrically connected to a portion, can easily secure insulation between the plating wirings, and has an electrode metallization layer removed during electrolytic plating removed with a small amount of polishing. , That is the subject.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

本発明は、セラミックからなる基板本体の側面に、該側面における厚み方向の中間位置から裏面側に向かって幅が広くなる凹部を設け、該凹部の内壁面に前記表面導体部に導通するメッキ用配線を含む複数のメッキ用配線の一端面を互いに離して露出させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、セラミックからなり、平面視が矩形状の表面および裏面と、これらの間に位置する四辺の側面とを有する基板本体と、該基板本体の表面に形成された単数または複数の表面導体部と、前記基板本体の表面、裏面、および側面の少なくとも一つに形成された複数の外部接続端子と、上記基板本体の何れかの側面における表面と裏面との中間位置から裏面にかけて形成され、且つ前記中間位置から裏面に向かって幅が広くなる凹部と、上記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線と、を含む配線基板であって、上記表面導体部と少なくとも１個の上記メッキ用配線とは、電気的に接続されており、該表面導体部と上記外部接続端子とは、電気的に互いに独立している、ことを特徴とする。 In the present invention, a side surface of a substrate body made of ceramic is provided with a concave portion whose width increases from an intermediate position in the thickness direction on the side surface toward the back surface side, and is connected to the surface conductor portion on the inner wall surface of the concave portion. It was conceived to expose one end surfaces of a plurality of plating wirings including wirings apart from each other.
That is, the wiring board according to the present invention (Claim 1) is made of ceramic and has a front and back surfaces that are rectangular in plan view, and a substrate body having four side surfaces positioned therebetween, and a surface of the substrate body. One or a plurality of surface conductor portions formed on the substrate body, a plurality of external connection terminals formed on at least one of the surface, the back surface, and the side surface of the substrate body, and the surface and the back surface on any side surface of the substrate body Including a recess that is formed from an intermediate position to the back surface and that increases in width from the intermediate position toward the back surface, and a plurality of plating wirings that have one end surfaces exposed away from each other on the inner wall surface of the recess. A substrate, wherein the surface conductor portion and at least one of the plating wires are electrically connected, and the surface conductor portion and the external connection terminal are electrically independent from each other; Special To.

これによれば、前記表面導体部は、記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線のうちの１個と電気的に接続されていると共に、かかる表面導体部は、前記複数の外部接続端子の何れとも電気的に接続されていない。例えば、上記表面導体部が基板本体の表面に開口するキャビティの開口部に沿って形成された平面視が枠形状の封止用メタライズ層である場合、予め、前記凹部が形成される前の平坦な側面に配置された電極用メタライズ層を介して、電解メッキをその表面に施され、同時に上記と同じ電極用メタライズ層を介して電解メッキを別の表面導体部の表面に施された後、上記電極用メタライズ層を含む上記側面の裏面側を研磨などで除去して凹部を形成することで、該凹部の内壁面に一端面が露出する複数のメッキ用配線同士間を電気的独立したものとされる。そのため、使用時には、電流が流れない表面導体部を含む複数の導体部の表面に確実に金属メッキ膜が被覆された配線基板となっている。更に、同じ凹部の内壁面において露出する複数のメッキ用配線（一端面）の間隔を、ある程度以上の距離になるよう設定することで、上記メッキ用配線同士間の短絡を確実に予防できる。
しかも、前記凹部は、基板本体における何れかの側面の厚み方向における任意の中間位置から該側面の裏面側に向かって幅が広くなるように形成されているので、製造時における工数および研磨時間を低減でき且つ低コスト化にも繋がる。
加えて、前記凹部は、基板本体の表面には露出しないので、該表面の面積を減らすことなく、種々の導体部を所望の位置に容易に配置することができる。 According to this, the surface conductor portion is electrically connected to one of the plurality of plating wirings whose one end surfaces are exposed away from each other on the inner wall surface of the recess, and the surface conductor portion is , And are not electrically connected to any of the plurality of external connection terminals. For example, when the surface conductor portion is a frame-shaped sealing metallization layer formed along the opening of the cavity that opens on the surface of the substrate body, the flat surface before the recess is formed in advance. Electrolytic plating is applied to the surface through the electrode metallization layer disposed on the side surface, and at the same time, electrolytic plating is applied to the surface of another surface conductor portion through the same electrode metallization layer as described above, By removing the back side of the side surface including the electrode metallization layer by polishing or the like to form a recess, the plurality of plating wires whose one end faces are exposed on the inner wall surface of the recess are electrically independent. It is said. Therefore, in use, the wiring board is such that the surface of the plurality of conductor portions including the surface conductor portion through which no current flows is reliably coated with the metal plating film. Further, by setting the interval between the plurality of plating wires (one end surface) exposed on the inner wall surface of the same recess so as to be a certain distance or more, a short circuit between the plating wires can be reliably prevented.
In addition, since the recess is formed so as to increase in width from an arbitrary intermediate position in the thickness direction of any side surface of the substrate body toward the back side of the side surface, man-hours and polishing time during manufacturing can be reduced. It can be reduced and the cost can be reduced.
In addition, since the concave portion is not exposed on the surface of the substrate body, various conductor portions can be easily arranged at desired positions without reducing the surface area.

尚、前記セラミックは、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックである。
また、前記表面導体部は、例えば、次述するように、電気的に独立した封止用メタライズ層、あるいは電気的に独立したダミー用のパッドなどの導体である。
更に、前記表面導体部、メッキ用配線、および外部接続端子には、前記セラミックが高温焼成セラミックの場合には、例えば、ＷまたはＭｏなどが適用され、前記セラミックが低温焼成セラミックの場合には、例えば、ＡｇまたはＣｕなどが適用される。
また、前記基板本体の表面には、該表面の中央側に開口するキャビティの底面あるいは該底面側に位置する段部も含まれる。かかる形態の場合、前記封止用メタライズ層は、上記キャビティの開口部を囲む上記表面に形成されている。
更に、前記基板本体の側面に形成される複数の外部端子には、かかる外部端子ごとの表面にリードの一端部が個別に接合されている。該側面と前記凹部が形成される側面とは、互いに異なる側面であるほか、同じ側面に併設しても良い。 The ceramic is a high-temperature fired ceramic such as alumina, mullite, or aluminum nitride, or a low-temperature fired ceramic such as glass-ceramic.
Further, the surface conductor portion is a conductor such as an electrically independent metallization layer for sealing or an electrically independent dummy pad as described below.
Further, when the ceramic is a high-temperature fired ceramic, for example, W or Mo is applied to the surface conductor portion, the plating wiring, and the external connection terminal, and when the ceramic is a low-temperature fired ceramic, For example, Ag or Cu is applied.
In addition, the surface of the substrate body includes a bottom surface of a cavity opened on the center side of the surface or a step portion positioned on the bottom surface side. In this form, the sealing metallization layer is formed on the surface surrounding the opening of the cavity.
Furthermore, one end of a lead is individually joined to the surface of each of the external terminals formed on the side surface of the substrate body. The side surface and the side surface on which the recess is formed are different from each other and may be provided on the same side surface.

また、前記側面における中間位置とは、該側面の厚み方向における前記表面と裏面との中央付近だけではなく、表面と裏面との間における任意の位置である。
更に、前記凹部は、側面視で、前記基板本体の表面側に凸の円弧形状（半円形状、半長円形状、半楕円状）、台形状、あるいは二等辺三角形状の断面形状を呈し、底面視で、前記基板本体の側面から裏面に向かって凸の円弧形状、台形状、あるいは二等辺三角形状を呈する。
また、前記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線は、前記基板本体を構成するべく積層された複数のセラミック層間を含む側面に予め形成されていた単一のメッキ用電極に一端部が個別に接続されており、各メッキ用配線を介して、前記封止用メタライズ層やダミー用のパッドの表面に所定の電解金属（Ｎｉ、Ａｕ）メッキを施した後、上記メッキ用電極を含む上記側面の裏面側を、例えば、マイクログラインダを用いたり、レーザ照射による研削または研磨によって除去することで、形成される前記凹部の内壁面に配設されている。
加えて、前記基板本体の表面の周辺部あるいは側面に形成された複数の外部接続端子には、該接続端子ごとにリードの先端部が個別に接合されていても良い。 The intermediate position on the side surface is not only near the center between the front surface and the back surface in the thickness direction of the side surface, but also an arbitrary position between the front surface and the back surface.
Furthermore, the concave portion has a convex arcuate shape (semicircular shape, semielliptical shape, semielliptical shape), a trapezoidal shape, or an isosceles triangular cross-sectional shape on the surface side of the substrate body in a side view, As viewed from the bottom, it has a convex arc shape, trapezoidal shape, or isosceles triangle shape from the side surface of the substrate body toward the back surface.
Further, the plurality of plating wirings whose one end surfaces are exposed to be separated from each other on the inner wall surface of the recess are a single plating formed in advance on a side surface including a plurality of ceramic layers laminated to constitute the substrate body. One end is individually connected to the electrode for electrode, and after applying predetermined electrolytic metal (Ni, Au) plating on the surface of the metallization layer for sealing or the pad for dummy via each plating wiring, The back side of the side surface including the plating electrode is disposed on the inner wall surface of the recess formed by, for example, using a micro grinder, or grinding or polishing by laser irradiation.
In addition, the lead end portions of the leads may be individually joined to the plurality of external connection terminals formed on the peripheral portion or the side surface of the surface of the substrate body.

また、本発明には、前記表面導体部は、封止用メタライズ層、あるいは電気的に独立したパッドである、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記基板本体の表面に開口するキャビティの開口部に沿って形成された且つ使用時には電流が流れない封止用メタライズ層や、複数のパッドのうち、使用時には電流が流れない部品を実装するために用いられるダミー用のパッド、あるいは位置合わせマーク用のパッドの表面にも、例えば、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を２層にして確実に被覆されている配線基板となっている。
尚、前記パッドは、前記基板本体の表面、あるいは上記キャビティの底面あるいは段部に形成され、隣接する導通用のパッドと共に、全体として１つのパターンを構成するもの、あるいは配線基板の位置決め用のアライメントマークである。 Further, the present invention includes a wiring board (Claim 2) in which the surface conductor portion is a sealing metallization layer or an electrically independent pad.
According to this, the sealing metallized layer formed along the opening of the cavity opened on the surface of the substrate body and in which current does not flow during use, or a component in which current does not flow during use among a plurality of pads For example, the surface of the dummy pad or the alignment mark pad used for mounting the substrate is a wiring substrate that is reliably covered with two layers of Ni plating film and Au plating film, for example. .
The pads are formed on the surface of the substrate body, or the bottom surface or step of the cavity, and form a pattern as a whole with adjacent conductive pads, or alignment for positioning the wiring board. Mark.

更に、本発明には、複数の前記メッキ用配線のうち、少なくとも１個は、前記外部接続端子の少なくとも一部と電気的に接続されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、複数の前記メッキ用配線のうち、前記表面導体部と電気的に接続されたメッキ用配線を除いた少なくとも１個は、前記複数の外部接続端子の一部または全部と電気的に接続されているので、かかる複数の外部接続端子の表面にも、上記表面導体部の表面と同じ金属メッキ膜を確実に被覆された配線基板となっている。
また、本発明には、前記凹部における側面の開口縁と前記裏面とが成す側面視の交叉角度は、鈍角である、配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、記凹部における側面の開口縁と前記裏面とが成す側面視の交叉角度が９０度超の鈍角を成しているので、かかる交叉部付近におけるセラミック部分が、外離などの衝撃によって不用意に欠ける事態を抑制することができる。 Furthermore, the present invention includes a wiring board (Claim 3) in which at least one of the plurality of plating wirings is electrically connected to at least a part of the external connection terminals.
According to this, at least one of the plurality of plating wirings, excluding the plating wiring electrically connected to the surface conductor portion, is electrically connected to some or all of the plurality of external connection terminals. Therefore, the surface of the plurality of external connection terminals is also a wiring board that is reliably coated with the same metal plating film as the surface of the surface conductor portion.
Further, the present invention includes a wiring board (Claim 4) in which the crossing angle in a side view formed by the opening edge of the side surface in the recess and the back surface is an obtuse angle.
According to this, since the crossing angle of the side view formed by the opening edge of the side surface in the concave portion and the back surface forms an obtuse angle of more than 90 degrees, the ceramic portion in the vicinity of the crossing portion is subjected to impact such as separation. The situation which is not carelessly lacked can be suppressed.

加えて、本発明には、前記基板本体は、複数のセラミック層を積層してなり、前記凹部の内壁面に露出する３個以上のメッキ用配線の一端面は、隣接する何れかのセラミック層間から基板本体の側面側に露出すると共に、該側面の中間位置のセラミック層間から裏面側のセラミック層間に向かって次第に多くなるように併設されている、配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記基板本体の何れかの側面における表面と裏面との中間位置から裏面にかけて形成され、且つ該中間位置から裏面に向かって幅が広くなる凹部の内壁面において、かかる内壁面に露出する３個以上のメッキ用配線の一端面は、隣接する何れかのセラミック層間から基板本体の側面側に露出し、且つ該側面の中間位置のセラミック層間から裏面側のセラミック層間に向かって次第に多くなるように互いに間隔を置いて併設されている。その結果、隣接する複数のメッキ用配線同士の間における不用意な短絡を容易に防ぐことができる。 In addition, according to the present invention, the substrate body is formed by laminating a plurality of ceramic layers, and one or more end surfaces of the three or more plating wirings exposed on the inner wall surface of the recess are adjacent to any ceramic layer. And a wiring board (claim 5) that is exposed to the side surface side of the substrate main body and is provided so as to gradually increase from the ceramic layer at the intermediate position of the side surface toward the ceramic layer on the back surface side.
According to this, in the inner wall surface of the recess formed from the intermediate position between the front surface and the back surface of any one of the side surfaces of the substrate main body to the back surface, and the width increases from the intermediate position toward the back surface, One or more exposed end faces of the three or more plating wirings are exposed to the side surface of the substrate body from any of the adjacent ceramic layers, and gradually from the ceramic layer at an intermediate position of the side surface toward the ceramic layer on the back surface side. It is installed side by side so as to increase. As a result, an inadvertent short circuit between a plurality of adjacent plating wires can be easily prevented.

尚、前記メッキ用配線が３個の場合、前記凹部の内壁面に露出する該メッキ用配線の一端面は、前記側面の中間位置側に１個が且つ裏面側に２個が配設され、４個の場合には、中間位置側：１個→裏面側：３個の順、５個の場合には、中間位置側から裏面側に向かって順次１個→２個→２個の順、６個の場合には、中間位置側から裏面側に向かって順次１個→２個→３個の順番のように、前記複数のセラミック層間ごとに配設される。これらの場合、全てのメッキ用配線の一端面は、全体として、例えば、市松模様、あるいは鱗（うろこ）模様を呈することで、互いの間における短絡を比較的狭い凹部内において確実に防ぐことが可能となる。 When there are three plating wires, one end surface of the plating wire exposed on the inner wall surface of the recess is disposed on the intermediate position side of the side surface and two on the back surface side. In the case of four, the intermediate position side: 1 → back side: in the order of 3, in the case of 5, in the order of 1 → 2 → 2 in order from the intermediate position side to the back side, In the case of six, it is arranged for each of the plurality of ceramic layers in the order of 1 → 2 → 3 in order from the intermediate position side to the back surface side. In these cases, one end surface of all the wirings for plating, for example, exhibits a checkered pattern or a scale pattern as a whole, so that a short circuit between each other can be reliably prevented in a relatively narrow recess. It becomes possible.

本発明による一形態の配線基板を示す平面図。The top view which shows the wiring board of one form by this invention. 図１中のＸ１−Ｘ１線と、Ｘ２−Ｘ２線との矢視に沿った部分垂直断面図。FIG. 2 is a partial vertical cross-sectional view taken along arrows X1-X1 and X2-X2 in FIG. 1. 図１中の矢印Ｙの視覚に沿った側面付近を示す斜視図。The perspective view which shows the side surface vicinity along the vision of the arrow Y in FIG. 上記凹部が形成された基板本体の側面を示す側面図。The side view which shows the side surface of the board | substrate body in which the said recessed part was formed. メッキ用配線の異なる形態の配置を示す上記同様の側面の拡大図。The enlarged view of the side surface similar to the above which shows arrangement | positioning of the form from which the wiring for plating differs. （Ａ）は凹部を形成する前の側面付近を示す斜視図、（Ｂ）は該側面の幅方向における中央部の垂直断面図。(A) is a perspective view which shows the side surface vicinity before forming a recessed part, (B) is a vertical sectional view of the center part in the width direction of this side surface. （Ａ）は凹部が形成された後の側面付近を示す斜視図、（Ｂ）は該側面の幅方向における中央部の垂直断面図。(A) is a perspective view which shows the side surface vicinity after a recessed part was formed, (B) is a vertical sectional view of the center part in the width direction of this side surface. 本発明による異なる形態の配線基板を示す斜視図。The perspective view which shows the wiring board of a different form by this invention. 図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。FIG. 9 is a vertical sectional view taken along the line ZZ in FIG. 8. 上記配線基板における異なる基板本体を示す垂直断面図。The vertical sectional view which shows the different board | substrate body in the said wiring board.

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中のＸ１−Ｘ１線，Ｘ２−Ｘ２線の矢視に沿った部分垂直断面図、図３は、図１中の矢印Ｙの視覚に沿った凹部１１が形成された側面５付近を示す斜視図である。
上記配線基板１ａは、図１〜図３に示すように、全体が箱形状の基板本体２ａと、該表面３のほぼ全面に形成された封止用メタライズ層（表面導体部）１０と、上記基板本体２ａにおいて対向する長辺である一対の側面５に形成された複数の外部接続端子１７と、上記基板本体２ａにて対向する短辺である一対の側面５に対称に形成された一対の凹部１１と、該凹部１１ごとの内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線１２，１４とを備えている。 Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.
FIG. 1 is a plan view showing a wiring board 1a according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial vertical sectional view taken along arrows X1-X1 and X2-X2 in FIG. 1, and FIG. It is a perspective view which shows the side surface 5 vicinity in which the recessed part 11 along the vision of the arrow Y in FIG. 1 was formed.
As shown in FIGS. 1 to 3, the wiring board 1 a includes a box-shaped board body 2 a as a whole, a sealing metallization layer (surface conductor part) 10 formed on almost the entire surface 3, A plurality of external connection terminals 17 formed on a pair of side surfaces 5 which are long sides facing each other in the substrate body 2a and a pair of symmetrically formed on a pair of side surfaces 5 which are short sides facing each other on the substrate body 2a. A recess 11 and a plurality of plating wires 12 and 14 whose one end faces are exposed apart from each other are provided on the inner wall surface of each recess 11.

前記基板本体２ａは、後述するように複数のセラミック層を一体に積層してなり、平面視の外形が矩形（長方形）状の表面３および裏面４と、これらの間に位置し且つ一対ずつの長辺および短辺である四辺の側面５とを有している。尚、隣接する側面５，５間のコーナこどには、凹んで湾曲した側面５ｒが位置している。
前記基板本体２ａの表面３には、平面視で矩形（長方形）状のキャビティ６ａが開口し、該キャビティ６ａの開口部を囲むように、前記封止用メタライズ層１０が平面視で矩形枠状にして形成されている。尚、追って、該キャビティ６ａ内に半導体素子などの電子部品（図示せず）が実装された際には、当該キャビティ６ａ内を封止するため、上記封止用メタライズ層１０の上に四辺を接触して載置される金属蓋（図示せず）がシーム溶接などにより接合される。
また、上記キャビティ６ａは、平面視が矩形状の底面７と、該底面７の四辺から表面３側に立設した四辺の内面８とからなり、前記底面７には、追って実装される電子部品における複数の電極と個別に電気的に接続される複数の素子実装用パッド９が形成されている。尚、かかる素子実装用パッド９の一部には、本発明の表面導体部であるダミー用のパッド９ａが含まれている。 The substrate body 2a is formed by integrally laminating a plurality of ceramic layers, as will be described later, and has a front surface 3 and a back surface 4 having a rectangular (rectangular) outer shape in plan view, and a pair of each. It has four side surfaces 5 which are a long side and a short side. The corner child between the adjacent side surfaces 5 and 5 is provided with a concave and curved side surface 5r.
A rectangular (rectangular) cavity 6a is opened on the surface 3 of the substrate body 2a in plan view, and the sealing metallized layer 10 is rectangular frame-shaped in plan view so as to surround the opening of the cavity 6a. Is formed. When an electronic component (not shown) such as a semiconductor element is mounted in the cavity 6a, four sides are placed on the sealing metallization layer 10 in order to seal the cavity 6a. A metal lid (not shown) placed in contact is joined by seam welding or the like.
The cavity 6a includes a bottom surface 7 having a rectangular shape in plan view and an inner surface 8 having four sides erected from the four sides of the bottom surface 7 to the surface 3 side. A plurality of element mounting pads 9 that are individually electrically connected to the plurality of electrodes are formed. A part of the element mounting pad 9 includes a dummy pad 9a which is a surface conductor portion of the present invention.

更に、図２，図３に示すように、前記封止用メタライズ層１０は、基板本体２ａの側面５とキャビティ６ａの内面８との間に位置する縦長の側壁内を垂直に延びたビア導体１３を介して、該ビア導体１３の下端と他端部が接続し且つ前記凹部１１の内壁面１１ｆのうち、比較的表面３側に一端面が露出するメッキ用配線１２と、電気的に接続されている。
一方、前記複数の素子実装用パッド９のうち、短辺の側面５側に位置する一対の素子実装用パッド（表面導体部）９ａは、使用時には電気的に独立するダミー用のパッドであり、キャビティ６ａの底面７から垂下するビア導体１５を介して、該ビア導体１５の下端と他端部が接続し且つ前記凹部１１の内壁面のうち、比較的裏面４側に一端面が露出するメッキ用配線１４の一方と電気的に接続されている。
尚、他方のメッキ用配線１４は、図示しない内部配線（配線層およびビア導体）を介して、前記ダミー用のパッド９ａ以外の素子実装用パッド９や、前記複数の外部接続端子１７の少なくとも一部と電気的に接続されている。
また、図１，図３に示すように、前記複数の外部接続端子１７の表面には、リード１８の上端部が個別に接合され、かかる複数のリード１８の下端側は、図示しない水平姿勢で単一の外枠部によって互い接続されている。 Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the sealing metallization layer 10 is a via conductor extending vertically in a vertically long side wall located between the side surface 5 of the substrate body 2a and the inner surface 8 of the cavity 6a. The via conductor 13 is connected to the lower end and the other end of the via conductor 13 and is electrically connected to the plating wiring 12 whose one end surface is relatively exposed on the surface 3 side of the inner wall surface 11f of the recess 11. Has been.
On the other hand, of the plurality of element mounting pads 9, a pair of element mounting pads (surface conductor portions) 9a located on the side 5 of the short side are dummy pads that are electrically independent when in use, Plating in which the lower end and the other end of the via conductor 15 are connected via a via conductor 15 that hangs down from the bottom surface 7 of the cavity 6a, and one end surface is exposed relatively to the back surface 4 side of the inner wall surface of the recess 11. It is electrically connected to one of the wirings 14 for use.
The other plating wiring 14 is connected to at least one of the element mounting pads 9 other than the dummy pads 9a and the plurality of external connection terminals 17 via internal wiring (wiring layer and via conductor) (not shown). It is electrically connected to the part.
As shown in FIGS. 1 and 3, the upper ends of the leads 18 are individually joined to the surfaces of the plurality of external connection terminals 17, and the lower ends of the leads 18 are in a horizontal posture (not shown). They are connected to each other by a single outer frame.

前記凹部１１は、図１〜図３に示すように、基板本体２ａの短辺の側面５ごとにおける前記表面３と裏面４との中間位置から該裏面４にかけて幅が広がるように形成され、前記キャビティ６ａ側に凸で且つほぼ４分の１状の球体を呈する湾曲面からなる内壁面１１ｆには、比較的表面３側のメッキ用配線１２の一端面と、比較的裏面４側で且つ左右一対のメッキ用配線１４の一端面とが露出している。
図４の前記短辺の側面５で例示するように、前記基板本体２ａは、複数のセラミック層（セラミック）ｃ１〜ｃ５を積層してなる。該側面５に位置する凹部１１の内壁面１１ｆにおいて、比較的裏面４側で且つ左右一対のメッキ用配線１４同士の間隔ａと、該一対のメッキ用配線１４と比較的表面３側のメッキ用配線１２との間隔ｂとは、互いにほぼ同じとされ且つこれらのメッキ用配線１２，１４同士が互いに短絡しない距離以上に設定されている。そのため、合計３個の上記メッキ用配線１２，１４は、側面視で、全体として正三角形状の角部ごとに中心部が個別に位置するように配置されている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the recess 11 is formed so that the width increases from an intermediate position between the front surface 3 and the back surface 4 to the back surface 4 for each side surface 5 of the short side of the substrate body 2 a. An inner wall surface 11f made of a curved surface that protrudes toward the cavity 6a and has a substantially quarter-shaped sphere has one end surface of the plating wiring 12 on the relatively front surface 3 side, and on the relatively back surface 4 side and left and right sides. One end surfaces of the pair of plating wires 14 are exposed.
As exemplified by the short side surface 5 of FIG. 4, the substrate body 2a is formed by laminating a plurality of ceramic layers (ceramics) c1 to c5. On the inner wall surface 11f of the recess 11 located on the side surface 5, the distance a between the pair of left and right plating wires 14 on the relatively back surface 4 side, and the plating surface on the relatively surface 3 side with the pair of plating wires 14 The interval b with the wiring 12 is substantially the same as each other, and is set to be equal to or longer than the distance at which the plating wirings 12 and 14 are not short-circuited with each other. Therefore, a total of three of the above-described plating wires 12 and 14 are arranged so that the central portion is individually positioned for each corner portion of the equilateral triangle as a whole in a side view.

また、図４に示すように、上記凹部１１における側面５の開口部と、前記裏面４との交叉角度θ１は、９０度超の鈍角とされている。その結果、凹部１１における側面５の開口部と裏面４との交叉部付近のセラミックが局部ないし部分的に不用意に欠ける事態（所謂チッピング）を未然に防ぐことが可能である。
尚、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５がアルミナなどの高温焼成セラミックからなる場合、前記素子実装パッド９，９ａ、表面導体部の封止用メタライズ層１０、メッキ用配線１２，１４、ビア導体１３，１５、外部接続端子１７などは、ＷまたはＭｏあるいはこれらの一方をベースとする合金からなる。一方、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５がガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる場合、上記素子実装パッド９，９ａや封止用メタライズ層１０などの導体は、ＣｕまたはＡｇあるいはこれらの一方をベースとする合金からなるものとされる。
また、前記リード１８は、コバール、４２アロイ、あるいは１９４合金などからなり、前記外枠部を含めて単一のリードフレーム（図示せず）を構成している。 As shown in FIG. 4, the crossing angle θ1 between the opening of the side surface 5 in the recess 11 and the back surface 4 is an obtuse angle exceeding 90 degrees. As a result, it is possible to prevent a situation (so-called chipping) in which the ceramic in the vicinity of the intersection of the opening of the side surface 5 and the back surface 4 in the concave portion 11 is locally or partially inadvertently missing.
When the ceramic layers c1 to c5 are made of a high-temperature fired ceramic such as alumina, the element mounting pads 9, 9a, the surface conductor metallizing layer 10 for sealing, the plating wires 12, 14, and the via conductors 13, 15 are used. The external connection terminals 17 and the like are made of W, Mo, or an alloy based on one of them. On the other hand, when the ceramic layers c1 to c5 are made of a low-temperature fired ceramic such as glass-ceramic, the conductors such as the element mounting pads 9 and 9a and the sealing metallized layer 10 are based on Cu or Ag or one of them. It is supposed to be made of an alloy.
The lead 18 is made of Kovar, 42 alloy, 194 alloy or the like, and constitutes a single lead frame (not shown) including the outer frame portion.

図５は、前記図４と同様の前記側面５の拡大側面図であり、かかる側面５に形成された凹部１１の内壁面１１ｆには、比較的表面３側に１個のメッキ用配線１２が露出し、比較的中程の左右一対のメッキ用配線１４が互いに間隔ａを離れて露出すると共に、比較的裏面４側に３個のメッキ用配線１６が互いに間隔ａを離れて露出している。更に、凹部１１の内壁面１１ｆにおける前記表面３と裏面４との厚み方向において、メッキ用配線１２，１４間、およびメッキ用配線１４，１６間は、上記間隔ａとほぼ同じ間隔ｂを置いて互いに離れて露出している。
即ち、合計６個のメッキ用配線１２，１４，１６は、側面視における全体として、ほぼ市松模様あるいは鱗模様を呈するように配設され、互いの間に上記間隔ａ，ｂを絶縁可能な距離に設定しているため、互いに短絡しにくくなっている。
尚、比較的裏面４側に一端面が露出するメッキ用配線１６は、前記ダミー用のパッド９ａ以外の素子実装用パッド９や、複数の前記外部接続端子１７の少なくとも一部と適宜電気的に接続されている。
また、図５中の上記凹部１１における側面５の開口部と、前記裏面４との交叉角度θ２も、９０度超の鈍角とされている。 FIG. 5 is an enlarged side view of the side surface 5 similar to FIG. 4, and the inner wall surface 11 f of the recess 11 formed on the side surface 5 has one plating wiring 12 relatively on the surface 3 side. A pair of left and right plating wires 14 that are relatively middle are exposed at a distance a apart from each other, and three plating wirings 16 are exposed at a relatively back surface 4 side at a distance a. . Further, in the thickness direction between the front surface 3 and the back surface 4 of the inner wall surface 11f of the recess 11, the space between the plating wires 12 and 14 and the space between the plating wires 14 and 16 are set at the same interval b as the interval a. They are exposed away from each other.
That is, a total of six plating wirings 12, 14, and 16 are arranged so as to exhibit a checkerboard pattern or a scale pattern as a whole in a side view, and the distances a and b can be insulated from each other. Therefore, it is difficult to short-circuit each other.
It should be noted that the plating wiring 16 having one end surface exposed relatively to the back surface 4 side is appropriately electrically connected to the element mounting pads 9 other than the dummy pads 9a and at least a part of the plurality of external connection terminals 17. It is connected.
Further, the crossing angle θ2 between the opening of the side surface 5 in the recess 11 in FIG. 5 and the back surface 4 is also an obtuse angle exceeding 90 degrees.

以上のような配線基板１ａは、以下のようにして製造された。
予め、アルミナ粉末などを含む５枚のセラミックグリーンシートを制作し、各グリーンシートごとの適所に孔明け加工を施し、キャビティ６ａ用の開口孔と比較的小径の貫通孔を形成し、該貫通孔ごとにＷ粉末などを含む導電性ペーストを充填してビア導体１３，１５を形成した。次に、各グリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して所定パターンを有する未焼成の素子実装用パッド９，９ａ、封止用メタライズ層１０、メッキ用配線１２，１４（１６）を形成した。次いで、上記５枚のグリーンシートを所定の順序で積層および圧着した後、所定の温度帯で焼成した。
その結果、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５を積層してなり、矩形枠状の表面３のほぼ全面に封止用メタライズ層１０が形成され、該表面３に開口するキャビティ６の底面７に複数の素子実装用パッド９，９ａが形成され、対向する一対の短辺の側面５の裏面４側ごとにメッキ用配線１２，１４（１６）の一端面が個別に露出している基板本体２ａを有するセラミック積層体を得た。 The wiring board 1a as described above was manufactured as follows.
Five ceramic green sheets containing alumina powder or the like are produced in advance, and drilling is performed at appropriate positions for each green sheet to form an opening hole for the cavity 6a and a through hole having a relatively small diameter. Via conductors 13 and 15 were formed by filling a conductive paste containing W powder or the like every time. Next, on the at least one of the front and back surfaces of each green sheet, the same conductive paste as described above is screen-printed to form unfired element mounting pads 9 and 9a having a predetermined pattern, sealing metallization layer 10, and plating. Wirings 12 and 14 (16) were formed. Next, the five green sheets were laminated and pressure-bonded in a predetermined order, and then fired at a predetermined temperature range.
As a result, the ceramic layers c1 to c5 are laminated, and the sealing metallized layer 10 is formed on almost the entire surface of the rectangular frame-shaped surface 3, and a plurality of elements are formed on the bottom surface 7 of the cavity 6 opening on the surface 3. A ceramic having a substrate body 2a in which mounting pads 9 and 9a are formed, and one end surfaces of the plating wirings 12 and 14 (16) are individually exposed on the back surface 4 side of a pair of opposing short side surfaces 5 A laminate was obtained.

更に、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板本体２ａにおける一対の短辺の側面５ごとにおいて、一端面が個別に露出するメッキ用配線１２，１４（１６）を含む領域に前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、側面視が矩形状の電極用メタライズ層１９を形成した。該メタライズ層１９には、メッキ用配線１２，１４（１６）の一端部がぞれそれ個別に接続されている。
引き続いて、基板本体２ａにおける一対の長辺の側面５ごとに、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、複数の外部接続端子１７を形成すると共に、これらを含むセラミック積層体を加熱炉に挿入して、上記メタライズ層１９および外部接続端子１７を硬化処理した。
次に、上記電極用メタライズ層１９や、複数の外部接続端子１７ごとに接合されたリード１８の下端側を接続する外枠部に対し、図示しないメッキ用電極ピンを個別に接触させた状態で、当該セラミック積層体を電解Ｎｉメッキ槽および電解Ａｕメッキ槽に順次浸漬した。その結果、前記素子実装用パッド９，９ａ、封止用メタライズ層１０、および外部接続端子１７の表面（露出面）にＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜が所要の厚みで順次被覆された。尚、上記外部接続端子１７の場合は、予め単独でＮｉメッキ膜のみを被覆した後、前記リード１８の上端部を個別にロウ付けにより接合した後、該リード１８を含む外部接続端子１７の表面に対し、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆した。 Further, as shown in FIGS. 6 (A) and 6 (B), in each of the pair of short side surfaces 5 in the substrate main body 2a, in an area including the plating wirings 12 and 14 (16) in which one end surfaces are individually exposed. The same conductive paste as described above was screen-printed to form an electrode metallization layer 19 having a rectangular side view. One end portions of the plating wirings 12 and 14 (16) are individually connected to the metallized layer 19 respectively.
Subsequently, the same conductive paste as described above is screen-printed on each of the pair of long side surfaces 5 in the substrate body 2a to form a plurality of external connection terminals 17, and the ceramic laminate including these is used in a heating furnace. The metallized layer 19 and the external connection terminal 17 were cured by being inserted.
Next, with the electrode metallization layer 19 and the outer frame part connecting the lower ends of the leads 18 joined to each of the plurality of external connection terminals 17, plating electrode pins (not shown) are in contact with each other. The ceramic laminate was sequentially immersed in an electrolytic Ni plating tank and an electrolytic Au plating tank. As a result, the Ni mounting film and the Au plating film were sequentially coated with the required thickness on the surfaces (exposed surfaces) of the element mounting pads 9, 9a, the sealing metallization layer 10, and the external connection terminals 17. In the case of the external connection terminal 17, the surface of the external connection terminal 17 including the lead 18 is coated with the Ni plating film alone in advance, and the upper ends of the leads 18 are individually joined by brazing. On the other hand, a Ni plating film and an Au plating film were coated.

その後、前記電極用メタライズ層１９を含む各短辺の側面５における裏面４側の領域に対し、軸方向が該側面５と裏面４との間に跨がるようにマイクログラインダよる研磨作業を、当該電極用メタライズ層１９が除去されるまで行った。
その結果、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、短辺の各側面５における水平方向の中央部付近で、且つ側面視において裏面４側から表面３側に向かって円弧形状に盛り上がり、且つ該裏面４の中央側に円弧形状に進入する凹部１１が形成されると共に、その内壁面１１ｆにメッキ用配線１２，１４（１６）の一端面が露出している前記配線基板１ａを得ることができた。
尚、前記研磨工程は、炭酸ガスなどの各種のレーザ光を照射して行われるレーザ加工により行っても良い。
また、以上の各工程は、多数個取りの形態により行っても良く、その場合、基板保体２ａにおいて隣接する長辺と短辺と側面５，５間ごとには、湾曲した前記側面５ｒが形成される。 Thereafter, for the region on the back surface 4 side in the side surface 5 of each short side including the electrode metallization layer 19, a polishing operation by a micro grinder so that the axial direction spans between the side surface 5 and the back surface 4, This was performed until the electrode metallization layer 19 was removed.
As a result, as shown in FIGS. 7 (A) and 7 (B), it swells in an arc shape in the vicinity of the horizontal center of each side surface 5 on the short side and from the back surface 4 side to the front surface 3 side in a side view. In addition, the concave portion 11 that enters the arc shape is formed in the center side of the back surface 4, and the wiring substrate 1 a in which one end face of the plating wirings 12 and 14 (16) is exposed on the inner wall surface 11 f is obtained. I was able to.
In addition, you may perform the said grinding | polishing process by the laser processing performed by irradiating various laser beams, such as a carbon dioxide gas.
Each of the above steps may be performed in a multi-cavity form. In that case, the curved side surface 5r is provided between the adjacent long side, short side, and side surfaces 5 and 5 in the substrate carrier 2a. It is formed.

前記のような配線基板１ａによれば、表面導体部である前記素子実装用パッド９ａや封止用メタライズ層１０は、前記凹部１１の内壁面１１ｆに一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線１２，１４（１６）のうちの１個と電気的に接続されており、且つダミー用のパッド９ａや封止用メタライズ層１０は、前記複数の外部接続端子１７の何れとも電気的に接続されていない。
即ち、上記封止用メタライズ層１０は、予め、前記凹部１１が形成される前の平坦な側面５に配置された電極用メタライズ層１９を介して、電解ＮｉおよびＡｕメッキをその表面に施され、同時に同じ電極用メタライズ層１９を介して電解ＮｉおよびＡｕメッキを前記素子実装用パッド９，９ａの表面に施された後、上記電極用メタライズ層１９を含む上記側面５の裏面４側を少ない研磨量により除去して凹部１１を形成することで、該凹部１１の内壁面１１ｆに複数のメッキ用配線１２，１４（１６）の一端面が互いに離れて露出し、且つかかる複数のメッキ用配線１２，１４（１６）同士間は、電気的独立したものとされている。
そのため、使用時には、電流が流れない前記封止用メタライズ層１０や一部の素子実装用パッド（ダミー用のパッド）９ａの表面にも確実にＮｉおよびＡｕメッキ膜が被覆された配線基板１ａとなっている。 According to the wiring substrate 1a as described above, the element mounting pad 9a and the sealing metallized layer 10 which are surface conductor portions are a plurality of platings whose one end surfaces are exposed apart from each other on the inner wall surface 11f of the recess 11. One of the wirings 12 and 14 (16) for electrical connection, and the dummy pad 9a and the sealing metallization layer 10 are electrically connected to any of the plurality of external connection terminals 17. Not connected.
That is, the sealing metallized layer 10 is subjected to electrolytic Ni and Au plating on the surface in advance through the electrode metallized layer 19 disposed on the flat side surface 5 before the recess 11 is formed. At the same time, after electrolytic Ni and Au plating are applied to the surface of the element mounting pads 9 and 9a through the same electrode metallization layer 19, the back surface 4 side of the side surface 5 including the electrode metallization layer 19 is reduced. By removing the polishing amount to form the recess 11, one end surfaces of the plurality of plating wirings 12 and 14 (16) are exposed away from each other on the inner wall surface 11 f of the recess 11, and the plurality of plating wirings are provided. 12, 14 (16) is electrically independent.
For this reason, when used, the wiring substrate 1a in which the surfaces of the sealing metallized layer 10 and a part of the element mounting pads (dummy pads) 9a, in which no current flows, are reliably coated with Ni and Au plating films, It has become.

更に、同じ凹部１１の内壁面１１ｆにおいて露出する複数のメッキ用配線（一端面）１２，１４（１６）同士の間隔ａ，ｂを、ある程度以上の距離になるよう設定することで、上記メッキ用配線１２，１４（１６）間の短絡を確実に防止できる。
加えて、前記凹部１１は、基板本体２における短辺の側面５の厚み方向における任意の中間位置から該側面５の裏面４側に向かって幅が広くなるように形成されているので、製造時における工数、研磨量、および研磨時間を低減でき且つ低コスト化にも繋がる。しかも、前記凹部１１は、基板本体２の表面３には露出せず、側面５の中間位置から裏面４側にかけて形成され、該側面５に隣接する上記表面３の周辺部が除去されないので、該表面３に形成される各種の導体や、隣接する側面５同士間のコーナ部の表面３と裏面４との間に形成される凹部形導体を当初の形態で確実に配設することができる。 Furthermore, by setting the distances a and b between the plurality of plating wirings (one end surfaces) 12 and 14 (16) exposed on the inner wall surface 11f of the same recess 11 so as to be a certain distance or more, A short circuit between the wirings 12 and 14 (16) can be reliably prevented.
In addition, the concave portion 11 is formed so that the width increases from an arbitrary intermediate position in the thickness direction of the side surface 5 of the short side in the substrate body 2 toward the back surface 4 side of the side surface 5. The number of steps, polishing amount, and polishing time can be reduced and the cost can be reduced. Moreover, the concave portion 11 is not exposed on the front surface 3 of the substrate body 2 and is formed from the intermediate position of the side surface 5 to the back surface 4 side, and the peripheral portion of the front surface 3 adjacent to the side surface 5 is not removed. Various conductors formed on the front surface 3 and recessed conductors formed between the front surface 3 and the back surface 4 of the corner portion between the adjacent side surfaces 5 can be reliably disposed in the initial form.

従って、使用時には、電流が流れない前記封止用メタライズ層１０やダミー用のパッド９ａの表面導体部の表面にも確実に金属（ＮｉおよびＡｕ）メッキ膜が被覆された配線基板１ａを提供することができる。
尚、前記凹部１１は、前記四辺の側面５の何れか１箇所にのみ形成しても良い。このうち、長辺の側面５に形成する場合には、該側面５に形成される複数の外部接続端子１７同士の間に形成しても良い。
また、前記複数の素子実装用パッド９の上方には、追って半導体素子などの電子部品が実装され、その後、前記封止用メタライズ層１０の上に四辺が載置されるコバール製などの金属板がシーム溶接（抵抗溶接）などよって接合される。
更に、複数の前記外部接続端子１７は、基板本体２ａの裏面４に形成されていても良い。 Therefore, in use, the wiring substrate 1a is provided in which the metal (Ni and Au) plating film is reliably coated on the surface of the surface conductor portion of the sealing metallized layer 10 and the dummy pad 9a where current does not flow. be able to.
The concave portion 11 may be formed only at any one of the side surfaces 5 of the four sides. Among these, when forming on the long side surface 5, it may be formed between the plurality of external connection terminals 17 formed on the side surface 5.
Further, a metal plate made of Kovar or the like on which electronic parts such as semiconductor elements are mounted later on the plurality of element mounting pads 9 and then four sides are placed on the metallization layer 10 for sealing. Are joined by seam welding (resistance welding) or the like.
Further, the plurality of external connection terminals 17 may be formed on the back surface 4 of the substrate body 2a.

図８は、異なる形態の配線基板１ｂを示す斜視図、図９は、図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記配線基板１ｂは、図８，図９に示すように、全体が平板状を呈する基板本体２ｂと、該基板本体２ｂにおける平面視が正方形（矩形）状の表面３の中央側に形成された複数の素子実装用パッド９，９ｂと、該表面３の周辺部に沿って形成された複数の外部接続端子２０，２０ｂと、基板本体２ｂにおける表面３と裏面４との間に位置する四辺の側面５のうち、図８で手前側の辺と右辺との隣接する側面５ごとに形成された２つの凹部１１と、該凹部１１ごとの内壁面に一端面が個別に露出する前記同様のメッキ用配線１２，１４と、基板本体２ｂの裏面４形成された複数の外部接続端子２４と、を備えている。
前記基板本体２ｂの表面３における中央側に位置し、且つ平面視で縦横に３個ずつ合計９個の上記素子実装用パッド９，９ｂのうち、図８で手前側の辺と右辺との中央には、使用時には電流が流れないダミー用のパッド（表面導体部）９ｂが位置している。また、図８で基板本体２ｂにおける手前の側面５と右辺の側面５との中程には、上記同様のダミー用の端子（表面導体部）２０ｂが個別に１個ずつ位置している。 FIG. 8 is a perspective view showing a wiring board 1b of a different form, and FIG. 9 is a vertical cross-sectional view taken along the line ZZ in FIG.
As shown in FIGS. 8 and 9, the wiring board 1 b is formed on the central side of a substrate body 2 b that has a flat plate shape as a whole and a surface 3 that is square (rectangular) in plan view in the board body 2 b. A plurality of element mounting pads 9, 9b, a plurality of external connection terminals 20, 20b formed along the periphery of the front surface 3, and four sides located between the front surface 3 and the back surface 4 of the substrate body 2b Of the side surfaces 5, two concave portions 11 formed for each side surface 5 adjacent to the front side and the right side in FIG. 8, and the same plating as described above with one end surface exposed individually on the inner wall surface of each concave portion 11. Wirings 12 and 14 and a plurality of external connection terminals 24 formed on the back surface 4 of the substrate body 2b.
Among the nine element mounting pads 9 and 9b, which are located on the center side of the surface 3 of the substrate body 2b and are three in a vertical and horizontal direction in plan view, the center between the front side and the right side in FIG. There is a dummy pad (surface conductor portion) 9b through which no current flows during use. Further, in FIG. 8, in the middle between the front side surface 5 and the right side surface 5 of the substrate body 2b, the same dummy terminals (surface conductor portions) 20b are located one by one.

また、前記凹部１１の内壁面１１ｆには、前記同様のメッキ用配線１２，１４の一端面が、側面視でほぼ三角形の各角部ごとに位置するように露出している。
更に、図９で例示するように、基板本体２ｂは、前記同様のセラミック層（セラミック）ｃ１〜ｃ５を一体に積層してなり、該セラミック層ｃ１〜ｃ５間ごとには、所定パターンの配線層２２がそれぞれ形成され、該配線層２２同士の間、最上層の配線層２２と前記素子実装パッド９または外部接続端子２０との間は、セラミック層ｃ２〜ｃ５を個別に貫通する何れかのビア導体２３を介して、電気的に接続されている。更に、基板本体２ｂの裏面４には、複数の外部接続端子２４が形成され、該外部接続端子２４は、セラミック層ｃ１を貫通するビア導体２３を介して、最下層の配線層２２と電気的に接続されている。
尚、前記外部接続端子２０，２０ｂ，２４、配線層２２、ビア導体２３も、前記同様にして、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、あるいはＡｇなどの何れかよりなる。 Further, the end surfaces of the same plating wirings 12 and 14 are exposed on the inner wall surface 11f of the recess 11 so as to be positioned at each corner of the triangle in a side view.
Further, as illustrated in FIG. 9, the substrate body 2b is formed by integrally laminating the same ceramic layers (ceramics) c1 to c5 as described above, and a wiring layer having a predetermined pattern is provided between the ceramic layers c1 to c5. 22 is formed, and between the wiring layers 22 and between the uppermost wiring layer 22 and the element mounting pad 9 or the external connection terminal 20, any via that individually penetrates the ceramic layers c2 to c5. The conductors 23 are electrically connected. Further, a plurality of external connection terminals 24 are formed on the back surface 4 of the substrate body 2b. The external connection terminals 24 are electrically connected to the lowermost wiring layer 22 via via conductors 23 that penetrate the ceramic layer c1. It is connected to the.
The external connection terminals 20, 20b, 24, the wiring layer 22, and the via conductor 23 are also made of any of W, Mo, Cu, Ag, and the like in the same manner as described above.

図９に示すように、凹部１１の内壁面１１ｆにおける表面３側に一端面が露出するメッキ用配線１２は、セラミック層ｃ２，ｃ３間に延びた該メッキ用配線１２の他端部に接続するビア導体１３を介して、前記外部接続端子２０のうち、ダミーの端子（一部）２０ｂと電気的に接続されている。また、上記凹部１１の内壁面１１ｆにおける裏面４側に一端面が露出するメッキ用配線１４のうち、一方のメッキ用配線１４は、セラミック層ｃ１，ｃ２間に延びた該メッキ用配線１４の他端部に接続するビア導体１５を介して、前記ダミーの素子実装用パッド９ｂと電気的に接続されている。更に、他方のメッキ用配線１４は、何れかの前記配線層２２およびビア導体２３を介して、前記外部接続端子２０の何れか（一部）と電気的に接続されている。
尚、前記素子実装用パッド９，９ｂの上方には、追って半導体素子などの電子部品２６が実装される。該電子部品２６の上面側に位置する複数の電極（図示せず）は、前記外部接続端子２０とボンディングワイヤ（図示せず）を介して個別に導通可能とされる。あるいは、上記外部接続端子２０の表面には、水平姿勢とされた前記同様のリードの先端部を個別に接合しても良い。 As shown in FIG. 9, the plating wire 12 having one end surface exposed on the surface 3 side of the inner wall surface 11f of the recess 11 is connected to the other end portion of the plating wire 12 extending between the ceramic layers c2 and c3. Among the external connection terminals 20, the dummy connection (part) 20 b is electrically connected via the via conductor 13. Of the plating wires 14 whose one end surface is exposed on the back surface 4 side of the inner wall surface 11f of the recess 11, one plating wire 14 is the other of the plating wires 14 extending between the ceramic layers c1 and c2. It is electrically connected to the dummy element mounting pad 9b through a via conductor 15 connected to the end. Further, the other plating wiring 14 is electrically connected to any (part) of the external connection terminals 20 via any of the wiring layers 22 and via conductors 23.
An electronic component 26 such as a semiconductor element is mounted above the element mounting pads 9 and 9b. A plurality of electrodes (not shown) located on the upper surface side of the electronic component 26 can be individually conducted through the external connection terminals 20 and bonding wires (not shown). Alternatively, the tip of the lead having the horizontal orientation may be individually joined to the surface of the external connection terminal 20.

図１０は、前記配線基板１ｂにおける異なる基板本体２ｃを示す垂直断面図である。かかる基板本体２ｃは、図１０に示すように、前記同様のセラミック層ｃ１〜ｃ５を積層してなり、その表面３の中央側には、平面視が矩形（正方形）状の底面７および四辺の内面８を有し、且つセラミック層ｃ４，ｃ５を貫通するキャビティ６ｃが開口している。該キャビティ６ｃの底面７には、平面視で縦横に３個ずつ合計９個の上記素子実装用パッド９，９ｂが前記同様のパターンにして形成されている。
尚、何れかの上記側面５に位置する凹部１１の内壁面１１ｆには、前記同様のメッキ用配線１２，１４の一端面が露出し、これらの他端部は、前記同様にしてダミーの外部接続端子２０ｂ、ダミーの素子実装用パッド９ｂ、あるいは外部接続端子２０の何れかに、ビア導体１３，１５、あるいは配線層２２およびビア導体２３の何れかを介して、電気的に接続されている。
また、前記キャビティ６ｃの開口部に沿った基板本体２ｃの表面３に、平面視が正方形状である封止用メタライズ層（１０）を更に形成しても良い。 FIG. 10 is a vertical sectional view showing a different board body 2c in the wiring board 1b. As shown in FIG. 10, the substrate body 2c is formed by laminating the same ceramic layers c1 to c5 as described above, and the bottom surface 7 and four sides of the surface 3 are rectangular (square) when viewed from the center. A cavity 6c having an inner surface 8 and penetrating the ceramic layers c4 and c5 is opened. On the bottom surface 7 of the cavity 6c, a total of nine element mounting pads 9 and 9b are formed in the same pattern as described above, three by three in the vertical and horizontal directions in plan view.
Note that one end surfaces of the same plating wirings 12 and 14 are exposed on the inner wall surface 11f of the concave portion 11 located on any one of the side surfaces 5, and the other end portions of the recesses 11 are formed on the dummy external surface in the same manner as described above. The connection terminal 20b, the dummy element mounting pad 9b, or the external connection terminal 20 is electrically connected via the via conductors 13 and 15 or the wiring layer 22 and the via conductor 23. .
Further, a sealing metallization layer (10) having a square shape in plan view may be further formed on the surface 3 of the substrate body 2c along the opening of the cavity 6c.

以上のような基板本体２ｂ，２ｃ、凹部１１、メッキ用配線１２，１６、表面導体部のダミー素子実装用パッド９ｂおよびダミーの外部接続端子２０ｂ、外部接続端子２０，２４などを備えた配線基板１ｂによっても、前記配線基板１ａと同様な効果を奏することが可能である。
尚、前記凹部１１は、基板本体２ｂ，２ｃにおける１つの側面５のみ、対向する一通の側面５ごと、あるいは３辺の側面５ごとに形成しても良い。
また、前記凹部１１の内壁面１１ｆには、前記図５で示したように、表面３側から裏面４側にかけてメッキ用配線１２，１４，１６の一端面を、前期同様の市松（鱗）模様にして露出させていても良い。 Substrate main body 2b, 2c, concave portion 11, plating wirings 12, 16, wiring board provided with dummy element mounting pads 9b on the surface conductor portion, dummy external connection terminals 20b, external connection terminals 20, 24, etc. The effect similar to that of the wiring board 1a can be obtained by 1b.
The concave portion 11 may be formed on only one side surface 5 of the substrate bodies 2b and 2c, for each side surface 5 facing each other, or for each side surface 5 on three sides.
Further, on the inner wall surface 11f of the concave portion 11, as shown in FIG. 5, one end surfaces of the plating wirings 12, 14, and 16 from the front surface 3 side to the back surface 4 side are the same checkerboard (scale) pattern as in the previous period. It may be exposed.

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記凹部１１は、基板本体２ａ〜２ｃの同じ側面５において、２つ以上を併設されていても良い。
また、前記凹部１１の内壁面１１ｆは、全体が約４分の１の球体形状に限らず、全体が半蒲鉾形状で且つ横方向の両側に変形三角錐を対称連設した形態、全体が三角柱状であり且つ横方向の両側に変形三角錐を対称連設した形態、あるいは、全体が約４分の１の楕円体または約４分の１の円柱体で且つ両側に約８分の１程度の球体を対称連設した形態としても良い。
更に、前記凹部１１は、マイクログラインダなどによる研磨加工と、レーザ照射によるレーザ加工とを併用して形成しても良い。
加えて、前記配線基板１ａの基板本体２ａにおける表面３および裏面４を平面視で正方形状とし、且つ前記キャビティ６ａの底面７も相似形の正方形状としも良いし、あるいは、前記配線基板１ｂの基板本体２ｂにおける表面３および裏面４を平面視で長方形状とし、且つ前記キャビティ６ａの底面７も相似形の長方形状としても良い。 The present invention is not limited to the embodiments described above.
For example, two or more recesses 11 may be provided on the same side surface 5 of the substrate bodies 2a to 2c.
Further, the inner wall surface 11f of the recess 11 is not limited to a sphere shape of about a quarter as a whole, but the whole is a semi-cylindrical shape, and a form in which deformed triangular pyramids are arranged symmetrically on both sides in the lateral direction, and the whole is a triangle. Form that is columnar and symmetrically arranged with deformed triangular pyramids on both sides in the horizontal direction, or an overall ellipsoid of about 1/4 or about 1/4 of a cylinder and about 1/8 on both sides It is good also as a form which symmetrically arranged the spherical body of.
Further, the concave portion 11 may be formed by using both a polishing process using a micro grinder or the like and a laser process using laser irradiation.
In addition, the front surface 3 and the back surface 4 of the substrate body 2a of the wiring substrate 1a may be square in plan view, and the bottom surface 7 of the cavity 6a may be similar to a square shape, or the wiring substrate 1b The front surface 3 and the back surface 4 of the substrate body 2b may have a rectangular shape in plan view, and the bottom surface 7 of the cavity 6a may have a similar rectangular shape.

本発明によれば、セラミックからなる基板本体の表面に電気的に独立し且つ表層にメッキ膜が被覆された表面導体部と、該表面導体部や他の導体部に導通する複数のメッキ用配線とを備え、該メッキ用配線同士の絶縁を容易に確保でき、且つ電解メッキ時に用いた電極用メタライズ層を少ない研磨量により除去された配線基板を確実に提供できる。 According to the present invention, a surface conductor portion that is electrically independent on the surface of a substrate body made of ceramic and whose surface layer is coated with a plating film, and a plurality of plating wirings that conduct to the surface conductor portion and other conductor portions Thus, it is possible to easily ensure insulation between the plating wirings, and to reliably provide a wiring board in which the electrode metallization layer used during electrolytic plating is removed with a small amount of polishing.

１ａ，１ｂ…………配線基板
２ａ〜２ｃ…………基板本体
３……………………表面
４……………………裏面
５……………………側面
９ａ，９ｂ…………ダミー用のパッド（表面導体部）
１０…………………封止用メタライズ層（表面導体部）
１１…………………凹部
１１ｆ………………内壁面
１２，１４，１６…メッキ用配線
１７，２０，２４…外部接続端子
２０ｂ………………ダミーの端子（表面導体部）
ｃ１〜ｃ５…………セラミック層（セラミック）
θ１，θ２…………交叉角度 1a, 1b ………… Wiring boards 2a ～ 2c ………… Board body 3 …………………… Front side 4 …………………… Back side 5 …………………… Side surface 9a, 9b …… Dummy pad (surface conductor)
10: Metallizing layer for sealing (surface conductor)
11 ............... Recess 11f ............ Inner wall surface 12, 14, 16 ... Plating wiring 17, 20, 24 ... External connection terminal 20b ......... Dummy terminal (surface conductor) )
c1 to c5 ............ Ceramic layer (ceramic)
θ1, θ2 ………… Cross angle

Claims

セラミックからなり、平面視が矩形状の表面および裏面と、これらの間に位置する四辺の側面とを有する基板本体と、
上記基板本体の表面に形成された単数または複数の表面導体部と、
上記基板本体の表面、裏面、および側面の少なくとも一つに形成された複数の外部接続端子と、
上記基板本体の何れかの側面における表面と裏面との中間位置から裏面にかけて形成され、且つ前記中間位置から裏面に向かって幅が広くなる凹部と、
上記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線と、を含む配線基板であって、
上記表面導体部と少なくとも１個の上記メッキ用配線とは、電気的に接続されており、該表面導体部と上記外部接続端子とは、電気的に互いに独立している、
ことを特徴とする配線基板。 A substrate body made of ceramic and having a front surface and a rear surface that are rectangular in a plan view, and four side surfaces located between them,
One or more surface conductors formed on the surface of the substrate body;
A plurality of external connection terminals formed on at least one of the front surface, the back surface, and the side surface of the substrate body;
A concave portion that is formed from an intermediate position between the front surface and the back surface on any side surface of the substrate body to the back surface, and has a width that increases from the intermediate position toward the back surface;
A wiring substrate including a plurality of plating wirings, one end surfaces of which are exposed apart from each other on the inner wall surface of the recess,
The surface conductor portion and at least one of the plating wires are electrically connected, and the surface conductor portion and the external connection terminal are electrically independent from each other.
A wiring board characterized by that.

前記表面導体部は、封止用メタライズ層、あるいは電気的に独立したパッドである、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 The surface conductor is a metallization layer for sealing, or an electrically independent pad.
The wiring board according to claim 1.

複数の前記メッキ用配線のうち、少なくとも１個は、前記外部接続端子の少なくとも一部と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。 At least one of the plurality of plating wirings is electrically connected to at least a part of the external connection terminal.
The wiring board according to claim 1 or 2, wherein

前記凹部における側面の開口縁と前記裏面とが成す側面視の交叉角度は、鈍角である、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。 The crossing angle of the side view formed by the opening edge of the side surface in the recess and the back surface is an obtuse angle.
The wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein

前記基板本体は、複数のセラミック層を積層してなり、前記凹部の内壁面に露出する３個以上のメッキ用配線の一端面は、隣接する何れかのセラミック層間から基板本体の側面側に露出すると共に、該側面の中間位置のセラミック層間から裏面側のセラミック層間に向かって次第に多くなるように併設されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。 The substrate body is formed by laminating a plurality of ceramic layers, and one end surfaces of the three or more plating wirings exposed on the inner wall surface of the recess are exposed from one of adjacent ceramic layers to the side surface side of the substrate body. In addition, it is provided side by side so as to gradually increase from the ceramic layer at the intermediate position of the side surface toward the ceramic layer on the back surface side,
The wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the wiring board is provided.