JP6289880B2 - Thin film forming method and thin film forming apparatus - Google Patents

Thin film forming method and thin film forming apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP6289880B2
JP6289880B2 JP2013243430A JP2013243430A JP6289880B2 JP 6289880 B2 JP6289880 B2 JP 6289880B2 JP 2013243430 A JP2013243430 A JP 2013243430A JP 2013243430 A JP2013243430 A JP 2013243430A JP 6289880 B2 JP6289880 B2 JP 6289880B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film material
landed
substrate
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013243430A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015100747A (en
Inventor
裕司 岡本
裕司 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP2013243430A priority Critical patent/JP6289880B2/en
Publication of JP2015100747A publication Critical patent/JP2015100747A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6289880B2 publication Critical patent/JP6289880B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Ink Jet (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

本発明は、液滴化された薄膜材料を、基板の表面のうち薄膜を形成すべき領域に向けて吐出して、薄膜を形成する薄膜形成方法及び薄膜形成装置に関する。   The present invention relates to a thin film forming method and a thin film forming apparatus for forming a thin film by discharging a thin film material formed into droplets toward a region where a thin film is to be formed on a surface of a substrate.

ノズルヘッド(インクジェットヘッド)から液状の薄膜材料を吐出して、基板の表面に薄膜を形成する技術が知られている(例えば、特許文献1)。薄膜材料には、光硬化性樹脂(例えば、紫外線硬化性樹脂)が用いられる。基板に付着した薄膜材料に硬化用の光を照射することにより、薄膜材料を硬化させて薄膜を形成する。   A technique for forming a thin film on the surface of a substrate by discharging a liquid thin film material from a nozzle head (inkjet head) is known (for example, Patent Document 1). As the thin film material, a photocurable resin (for example, an ultraviolet curable resin) is used. By irradiating the thin film material attached to the substrate with light for curing, the thin film material is cured to form a thin film.

特許文献2に開示された方法では、まず、薄膜を形成すべき領域の縁に、液滴化された薄膜材料を着弾させることにより、エッジパターンを形成する。エッジパターンを形成した後、薄膜を形成すべき領域の内側に薄膜材料を着弾させることにより、薄膜を形成すべき領域を液状の薄膜材料で覆う。その後、液状の薄膜材料に硬化用の光を照射することにより、薄膜材料を硬化させる。   In the method disclosed in Patent Document 2, first, an edge pattern is formed by landing a thin film material formed into droplets on the edge of a region where a thin film is to be formed. After forming the edge pattern, the thin film material is landed inside the region where the thin film is to be formed, thereby covering the region where the thin film is to be formed with the liquid thin film material. Thereafter, the thin film material is cured by irradiating the liquid thin film material with light for curing.

エッジパターンが、液状の薄膜材料の流動を堰き止める。薄膜を形成すべき領域の内側においては、基板表面に着弾した薄膜材料が横方向に連続して、表面が平坦な液状の被膜が形成される。表面が平坦になった後、薄膜材料が硬化されるため、表面の平坦な薄膜を形成することができる。   The edge pattern blocks the flow of the liquid thin film material. Inside the region where the thin film is to be formed, the thin film material that has landed on the substrate surface continues in the lateral direction, and a liquid film having a flat surface is formed. Since the thin film material is cured after the surface becomes flat, a thin film with a flat surface can be formed.

特許第3544543号公報Japanese Patent No. 3544543 国際公開第2013/011775号International Publication No. 2013/011775

エッジパターンを形成するときに、エッジパターンの太さに対応して、エッジパターンの幅方向に関して複数の地点に薄膜材料が着弾する。本願発明者の評価実験によると、薄膜の端面が傾斜し、その傾斜角が場所によって異なる現象が確認された。本発明の目的は、薄膜の端面の傾斜を大きくし、場所による傾斜角のばらつきを少なくすることが可能な薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することである。   When the edge pattern is formed, the thin film material lands at a plurality of points in the width direction of the edge pattern corresponding to the thickness of the edge pattern. According to the evaluation experiment of the present inventor, it was confirmed that the end face of the thin film was inclined and the inclination angle thereof varied depending on the location. An object of the present invention is to provide a thin film forming method and a thin film forming apparatus capable of increasing the inclination of the end face of the thin film and reducing the variation in the inclination angle depending on the location.

本発明の一観点によると、
基板の表面の薄膜形成領域の縁に、薄膜材料を液滴化して着弾させるとともに、着弾し
た前記薄膜材料を硬化させることにより、前記薄膜形成領域の縁に沿うエッジパターンを
形成する工程と、
前記エッジパターンを形成した後、前記エッジパターンから、前記薄膜形成領域の内部
に向かって広がる前記薄膜形成領域の縁よりも内側の額縁領域に、前記薄膜材料を着弾さ
せるとともに、着弾した前記薄膜材料を硬化させることにより、土手パターンを形成する
工程と、
前記土手パターンを形成した後、前記土手パターンよりも内側に、前記薄膜材料を着弾
させて、前記土手パターンよりも内側の領域を、液状の前記薄膜材料で覆う工程と、
前記土手パターンよりも内側の液状の前記薄膜材料を硬化させる工程と
を有し、
前記薄膜形成領域の形状は、二次元方向に配列した複数のピクセルからなる画像データ
によって定義されており、
前記エッジパターンを形成する工程において、一つの前記ピクセルの連続にて形成され
前記薄膜形成領域の縁に前記薄膜材料の液滴を着弾させる薄膜形成方法が提供される。

According to one aspect of the invention,
Forming an edge pattern along the edge of the thin film formation region by making the thin film material droplets and landing on the edge of the thin film formation region on the surface of the substrate, and curing the landed thin film material;
After the edge pattern is formed, the thin film material is landed on the frame area inside the edge of the thin film forming area extending from the edge pattern toward the inside of the thin film forming area, and the thin film material that has landed A step of forming a bank pattern by curing
After forming the bank pattern, landing the thin film material on the inner side of the bank pattern, and covering a region on the inner side of the bank pattern with the liquid thin film material;
Curing the liquid thin film material inside the bank pattern,
The shape of the thin film formation region is defined by image data consisting of a plurality of pixels arranged in a two-dimensional direction,
In the step of forming the edge pattern, the edge pattern is formed by one continuous pixel.
Thin film forming method to land the droplets before Symbol thin film material on the edge of the film forming region is provided that.

本発明の他の観点によると、
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に対向し、前記基板の表面に、光硬化性の薄膜材料の液
滴を吐出する複数のノズル孔を有するノズルヘッドと、
前記基板に付着した前記薄膜材料に硬化用の光を照射する光源と、
前記ノズルヘッド及び前記光源に対して前記基板を相対的に移動させる移動機構と、
二次元方向に配列した複数のピクセルのうち前記薄膜材料の液滴を着弾させるべき塗布
ピクセルを特定することにより、前記基板の表面に、薄膜形成領域を定義する画像データ
を記憶しており、前記画像データに基づいて、前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御
する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
一つの前記ピクセルの連続にて形成される前記薄膜形成領域の縁に前記薄膜材料が着弾
し、前記基板に付着した前記薄膜材料が硬化されてエッジパターンが形成され、
前記エッジパターンが形成された後、前記エッジパターンから、前記薄膜形成領域の内
部に向かって広がる前記薄膜形成領域の縁よりも内側の額縁領域に、前記薄膜材料が着弾
し、着弾した前記薄膜材料が硬化することによって土手パターンが形成され、
前記土手パターンが形成された後、前記土手パターンよりも内側に、前記薄膜材料が着
弾し、前記土手パターンよりも内側の領域が液状の前記薄膜材料で覆われ、前記土手パタ
ーンよりも内側の領域の液状の前記薄膜材料が硬化するように、前記ノズルヘッド及び前
記移動機構を制御する薄膜形成装置が提供される。
According to another aspect of the invention,
A stage for holding a substrate;
A nozzle head having a plurality of nozzle holes facing the substrate held on the stage and discharging droplets of a photocurable thin film material on the surface of the substrate;
A light source for irradiating the thin film material attached to the substrate with light for curing;
A moving mechanism for moving the substrate relative to the nozzle head and the light source;
Image data defining a thin film formation region is stored on the surface of the substrate by specifying a coating pixel on which a droplet of the thin film material is to be landed among a plurality of pixels arranged in a two-dimensional direction, A control device for controlling the nozzle head and the moving mechanism based on image data;
The controller is
One landed before Symbol thin film material the edges of the thin film forming region formed by a succession of said pixels, said thin film material is hardened edge pattern deposited are formed on the substrate,
After the edge pattern is formed, the thin film material has landed on the frame area inside the edge of the thin film forming area extending from the edge pattern toward the inside of the thin film forming area, and the thin film material that has landed The bank pattern is formed by hardening
After the bank pattern is formed, the thin film material lands on the inner side of the bank pattern, and the inner area of the bank pattern is covered with the liquid thin film material, and the inner area of the bank pattern. There is provided a thin film forming apparatus for controlling the nozzle head and the moving mechanism so that the liquid thin film material is cured.

薄膜形成領域の縁に沿って一列に並んでいるピクセルに薄膜材料を着弾させて、予めエッジパターンを形成しておくことにより、薄膜の端面の傾斜角のばらつきを少なくすることができる。さらに、端面の傾斜が緩やかになることを抑制することができる。   By causing the thin film material to land on the pixels arranged in a line along the edge of the thin film formation region and forming an edge pattern in advance, the variation in the inclination angle of the end face of the thin film can be reduced. Furthermore, it can suppress that the inclination of an end surface becomes gentle.

図1は、実施例による薄膜形成装置の概略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view of a thin film forming apparatus according to an embodiment. 図2Aは、実施例による薄膜形成装置のノズルユニットの斜視図であり、図2Bは、ノズルユニットの底面図である。FIG. 2A is a perspective view of a nozzle unit of the thin film forming apparatus according to the embodiment, and FIG. 2B is a bottom view of the nozzle unit. 図3は、実施例による薄膜形成装置のステージ及びノズルユニットの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the stage and the nozzle unit of the thin film forming apparatus according to the embodiment. 図4は、基板に形成すべき薄膜の平面形状の一例を示す基板の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a substrate showing an example of a planar shape of a thin film to be formed on the substrate. 図5Aは、薄膜形成領域の形状を定義するビットマップ形式の画像データの一部を示す図であり、図5Bは、参考例による方法でエッジパターンを形成するときの薄膜材料の塗布ピクセルを示す図である。FIG. 5A is a diagram showing a part of image data in a bitmap format that defines the shape of a thin film formation region, and FIG. 5B shows a pixel applied with a thin film material when an edge pattern is formed by a method according to a reference example. FIG. 図6A〜図6Gは、参考例による薄膜形成方法で薄膜を形成するときの各工程における基板の断面図である。6A to 6G are cross-sectional views of the substrate in each step when a thin film is formed by the thin film forming method according to the reference example. 図7Aは、実施例による薄膜形成方法でエッジパターンが形成された基板の平面図であり、図7Bは、エッジパターン及び薄膜が形成された基板の平面図である。FIG. 7A is a plan view of a substrate on which an edge pattern is formed by the thin film forming method according to the embodiment, and FIG. 7B is a plan view of the substrate on which the edge pattern and the thin film are formed. 図8、実施例による薄膜形成方法でエッジパターンを形成するときの塗布ピクセルを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a coating pixel when an edge pattern is formed by the thin film forming method according to the embodiment. 図9A〜図9Fは、実施例による薄膜形成方法で薄膜を形成するときの各工程における基板の断面図である。9A to 9F are cross-sectional views of the substrate in each process when a thin film is formed by the thin film forming method according to the embodiment. 図10Aは、他の実施例による薄膜形成方法でエッジパターン及び土手パターンが形成された基板の平面図であり、図7Bは、エッジパターン、土手パターン及び薄膜が形成された基板の平面図である。10A is a plan view of a substrate on which an edge pattern and a bank pattern are formed by a thin film forming method according to another embodiment, and FIG. 7B is a plan view of the substrate on which an edge pattern, a bank pattern, and a thin film are formed. . 図11A〜図11Dは、図10A〜図10Bに示した実施例による薄膜形成方法で薄膜を形成するときの各工程における基板の断面図である。11A to 11D are cross-sectional views of the substrate in each step when a thin film is formed by the thin film forming method according to the embodiment shown in FIGS. 10A to 10B.

図1に、実施例による薄膜形成装置の概略正面図を示す。基台20の上に移動機構21
を介してステージ22が支持されている。x軸及びy軸が水平方向を向き、z軸が鉛直上方を向くxyz直交座標系を定義する。移動機構21は、制御装置50により制御されて、ステージ22をx方向及びy方向に移動させる。なお、移動機構21が、z軸に平行な方向を回転中心としてステージ22の回転方向の姿勢を変化させる機能を有してもよい。
In FIG. 1, the schematic front view of the thin film forming apparatus by an Example is shown. A moving mechanism 21 on the base 20
The stage 22 is supported via An xyz orthogonal coordinate system is defined in which the x-axis and the y-axis are directed horizontally and the z-axis is directed vertically upward. The moving mechanism 21 is controlled by the control device 50 to move the stage 22 in the x direction and the y direction. The moving mechanism 21 may have a function of changing the posture of the stage 22 in the rotation direction with the direction parallel to the z-axis as the rotation center.

ステージ22の上面(保持面)に、薄膜を形成すべき基板60が保持される。基板60は、例えば真空チャックによりステージ22に固定される。ステージ22の上方にノズルユニット30が、昇降可能に支持されている。ノズルユニット30は、複数のノズルヘッドを含む。ノズルヘッドは、基板60に対向する複数のノズル孔を有する。各ノズル孔から、基板60の表面に向かって光硬化性(例えば紫外線硬化性)の薄膜材料が液滴化されて吐出される。薄膜材料の吐出は、制御装置50によって制御される。   A substrate 60 on which a thin film is to be formed is held on the upper surface (holding surface) of the stage 22. The substrate 60 is fixed to the stage 22 by, for example, a vacuum chuck. A nozzle unit 30 is supported above the stage 22 so as to be movable up and down. The nozzle unit 30 includes a plurality of nozzle heads. The nozzle head has a plurality of nozzle holes facing the substrate 60. From each nozzle hole, a photocurable (for example, ultraviolet curable) thin film material is formed into droplets and discharged toward the surface of the substrate 60. The discharge of the thin film material is controlled by the control device 50.

図1では、基台20に対してノズルユニット30を静止させ、基板60を移動させる例を示したが、その逆に、基台20に対して基板60を静止させ、ノズルユニット30を移動させてもよい。このように、基板60とノズルユニット30との一方を他方に対して相対的に移動させる構成とすればよい。   FIG. 1 shows an example in which the nozzle unit 30 is stationary with respect to the base 20 and the substrate 60 is moved. Conversely, the substrate 60 is stationary with respect to the base 20 and the nozzle unit 30 is moved. May be. In this way, one of the substrate 60 and the nozzle unit 30 may be moved relative to the other.

図2Aに、ノズルユニット30の斜視図を示す。ベースプレート31に、複数、例えば2個のノズルヘッド32が、y方向に並んで取り付けられている。ノズルヘッド32の各々は、x方向に並んだ複数のノズル孔33を有する。y方向に隣り合う2つのノズルヘッド32の間、及び両端のノズルヘッド32よりもさらに外側に、それぞれ硬化用光源40が取り付けられている。硬化用光源40は、基板60(図1)に付着した薄膜材料に硬化用の光(例えば紫外光)を照射する。   FIG. 2A shows a perspective view of the nozzle unit 30. A plurality of, for example, two nozzle heads 32 are attached to the base plate 31 side by side in the y direction. Each of the nozzle heads 32 has a plurality of nozzle holes 33 arranged in the x direction. Curing light sources 40 are respectively attached between two nozzle heads 32 adjacent in the y direction and further outside the nozzle heads 32 at both ends. The curing light source 40 irradiates the thin film material attached to the substrate 60 (FIG. 1) with curing light (for example, ultraviolet light).

図2Bに、ノズルユニット30の底面図を示す。2つのノズルヘッド32がy方向に並んで配置されている。2つのノズルヘッド32の間、及び最も外側のノズルヘッド32よりもさらに外側に、それぞれ硬化用光源40が配置されている。ノズルヘッド32の各々のノズル孔33は、x方向に千鳥配列している。1つのノズルヘッド32に着目すると、一例として、x方向に関してノズル孔33が300dpiに相当するピッチで配置されている。一方のノズルヘッド32は、他方のノズルヘッド32に対して、ノズルピッチの半分だけx方向にずれて配置されている。このため、2つのノズルヘッド32のノズル孔33は、全体として、x方向に関して600dpiに相当するピッチで配置される。   FIG. 2B shows a bottom view of the nozzle unit 30. Two nozzle heads 32 are arranged side by side in the y direction. A curing light source 40 is disposed between the two nozzle heads 32 and further outside the outermost nozzle head 32. The nozzle holes 33 of the nozzle head 32 are staggered in the x direction. Focusing on one nozzle head 32, as an example, nozzle holes 33 are arranged at a pitch corresponding to 300 dpi in the x direction. One nozzle head 32 is arranged with respect to the other nozzle head 32 so as to be shifted in the x direction by half the nozzle pitch. For this reason, the nozzle holes 33 of the two nozzle heads 32 as a whole are arranged at a pitch corresponding to 600 dpi in the x direction.

図3に、ステージ22、基板60、及びノズルユニット30の平面図を示す。ステージ22の保持面に基板60が保持されている。基板60の上方にノズルユニット30が支持されている。ノズルユニット30に、ノズルヘッド32及び硬化用光源40が取り付けられている。移動機構21が、制御装置50から制御されることにより、ステージ22をx方向及びy方向に移動させる。制御装置50は、ノズルヘッド32からの薄膜材料の吐出を制御する。   FIG. 3 shows a plan view of the stage 22, the substrate 60, and the nozzle unit 30. The substrate 60 is held on the holding surface of the stage 22. The nozzle unit 30 is supported above the substrate 60. A nozzle head 32 and a curing light source 40 are attached to the nozzle unit 30. The moving mechanism 21 is controlled by the control device 50 to move the stage 22 in the x direction and the y direction. The control device 50 controls the discharge of the thin film material from the nozzle head 32.

基板60をy方向に移動させながら、ノズル孔33(図2B)から薄膜材料を液滴化して吐出することにより、x方向に関して600dpiの解像度で、薄膜材料を基板60に着弾させることができる。基板60に付着した薄膜材料は、基板60の移動方向の下流側に位置する硬化用光源40から放射された光により硬化される。基板60をy方向に移動させながら、ノズル孔33から薄膜材料を液滴化して吐出する処理を、「走査」ということとする。基板60を、600dpiに相当する間隔の1/4だけx方向にずらして4回の走査を行うことにより、x方向に関して2400dpiの解像度で、薄膜材料を基板60に着弾させることができる。4回の走査において、片方向走査を行ってもよいし、往復走査を行ってもよい。   By moving the substrate 60 in the y direction and discharging the thin film material from the nozzle holes 33 (FIG. 2B), the thin film material can be landed on the substrate 60 with a resolution of 600 dpi in the x direction. The thin film material adhering to the substrate 60 is cured by the light emitted from the curing light source 40 located on the downstream side in the moving direction of the substrate 60. The process of making the thin film material into droplets from the nozzle holes 33 and ejecting them while moving the substrate 60 in the y direction is referred to as “scanning”. The thin film material can be landed on the substrate 60 with a resolution of 2400 dpi in the x direction by shifting the substrate 60 in the x direction by ¼ of an interval corresponding to 600 dpi. In the four scans, a unidirectional scan or a reciprocal scan may be performed.

4回の走査によって薄膜材料を塗布することができる領域を、1つの経路(パス)ということとする。1つの経路のx方向の幅が、基板60のx方向の寸法より狭い場合、基板60の表面を複数の経路に区分することにより、基板60の全域に薄膜材料を塗布することができる。   A region where the thin film material can be applied by four scans is referred to as one path. When the width of one path in the x direction is narrower than the dimension of the substrate 60 in the x direction, the thin film material can be applied to the entire area of the substrate 60 by dividing the surface of the substrate 60 into a plurality of paths.

薄膜に要求される解像度が600dpiである場合には、1回の走査で1つの経路の処理を完了することができる。また、2400dpiに相当するノズルピッチを有するノズルユニット30を用いると、1回の走査で1つの経路の処理を完了することができる。   When the resolution required for the thin film is 600 dpi, processing of one path can be completed by one scan. Further, when the nozzle unit 30 having a nozzle pitch corresponding to 2400 dpi is used, the processing of one path can be completed by one scan.

図4に、基板60に形成すべき薄膜の平面形状の一例を示す。基板60の表面に、薄膜を形成すべき領域(薄膜形成領域)61が画定されている。図4では、薄膜形成領域61にハッチングが付されている。図4に示した例では、1つの薄膜形成領域61が、内部に円形や長方形の開口62を含む。他の薄膜形成領域61は円形や正方形である。基板60は、ビルドアップ基板のコア基板に相当し、薄膜は、層間絶縁膜に相当する。   FIG. 4 shows an example of the planar shape of the thin film to be formed on the substrate 60. A region (thin film formation region) 61 in which a thin film is to be formed is defined on the surface of the substrate 60. In FIG. 4, the thin film formation region 61 is hatched. In the example shown in FIG. 4, one thin film formation region 61 includes a circular or rectangular opening 62 inside. The other thin film formation region 61 is circular or square. The substrate 60 corresponds to a core substrate of a build-up substrate, and the thin film corresponds to an interlayer insulating film.

図5Aに、薄膜形成領域61の形状を定義するビットマップ形式の画像データの一部を示す。この画像データは、制御装置50(図1)に記憶されている。複数のピクセル63がx方向及びy方向の二次元方向に、行列状に配置されている。ビットマップを構成するピクセル63は、2400dpiの解像度になるように定義されている。薄膜材料を着弾させるべきピクセル(以下、「塗布ピクセル63A」という。)を特定することにより、薄膜形成領域61の形状が定義される。図5Aでは、塗布ピクセル63Aにハッチングが付されている。開口62と少なくとも部分的に重なるピクセル63には、薄膜材料を着弾させない。以下、薄膜材料を着弾させないピクセルを「非塗布ピクセル63B」という。   FIG. 5A shows part of image data in a bitmap format that defines the shape of the thin film formation region 61. This image data is stored in the control device 50 (FIG. 1). A plurality of pixels 63 are arranged in a matrix in the two-dimensional direction of the x direction and the y direction. The pixels 63 constituting the bitmap are defined to have a resolution of 2400 dpi. The shape of the thin film formation region 61 is defined by specifying a pixel on which the thin film material is to be landed (hereinafter referred to as “application pixel 63A”). In FIG. 5A, the application pixel 63A is hatched. The thin film material is not landed on the pixel 63 that at least partially overlaps the opening 62. Hereinafter, the pixel on which the thin film material does not land is referred to as “non-application pixel 63B”.

図5B、及び図6A〜図6Gを参照して、参考例による薄膜形成方法について説明する。参考例では、まず、薄膜形成領域61の縁に沿うエッジパターンを形成する。その後、薄膜形成領域61の内部に薄膜材料を塗布する。   A thin film forming method according to a reference example will be described with reference to FIGS. 5B and 6A to 6G. In the reference example, first, an edge pattern along the edge of the thin film formation region 61 is formed. Thereafter, a thin film material is applied to the inside of the thin film formation region 61.

図5Bに、薄膜形成領域61を定義する塗布ピクセル63Aのうち、エッジパターンを形成するときに薄膜材料を着弾させるべき塗布ピクセル63Cを定義する画像データを示す。塗布ピクセル63Cにハッチングが付されている。エッジパターンを形成するための塗布ピクセル63Cは、薄膜形成領域61の縁に沿って並んでいる。エッジパターンの幅方向には、塗布ピクセル63Cが複数個、例えば約3個配置されている。   FIG. 5B shows image data defining a coating pixel 63C on which a thin film material is to be landed when forming an edge pattern among the coating pixels 63A defining the thin film formation region 61. The application pixel 63C is hatched. The application pixels 63 </ b> C for forming the edge pattern are arranged along the edge of the thin film formation region 61. In the width direction of the edge pattern, a plurality of, for example, about three coating pixels 63C are arranged.

図6A〜図6Eに、参考例による薄膜形成方法によって薄膜を形成するときの各工程における基板の断面図を示す。図6A〜図6Eは、図5Bの一点鎖線6−6の位置における断面図に相当する。図6A〜図6Gでは、基板60をy軸の正の向き(図6A〜図6Gの右方向)に移動させながら、薄膜材料の塗布が行われる。   6A to 6E are cross-sectional views of the substrate in each step when a thin film is formed by the thin film forming method according to the reference example. 6A to 6E correspond to cross-sectional views taken along a dashed-dotted line 6-6 in FIG. 5B. 6A to 6G, the thin film material is applied while moving the substrate 60 in the positive y-axis direction (the right direction in FIGS. 6A to 6G).

図6Aに示すように、基板60上の塗布ピクセル63Cに薄膜材料65を着弾させる。着弾した薄膜材料65は、横方向に広がり、着弾した塗布ピクセル63Cの周囲のいくつかのピクセルを覆う。図6Bに、隣接する塗布ピクセル63Cに薄膜材料65を着弾させた状態を示す。図6Aに示した工程で着弾した薄膜材料65が、その周囲のピクセルまで広がっているため、図6Bの段階では、すでに塗布されている薄膜材料65と部分的に重なる位置に、新たな薄膜材料66が着弾する。既に付着している薄膜材料65の上面は、中心から外方に向かって低くなるように傾斜している。このため、既に付着している薄膜材料65の上に着弾した薄膜材料66は、その下の薄膜材料65の上面の傾斜に沿って、低い方(図6Bにおいて左方向)に流れる。図6Bでは、すでに付着している薄膜材料65と、新たに付着した薄膜材料66との境界を明示しているが、実際には液体同士が混ざり合い、両者の境界は判別不能である。   As shown in FIG. 6A, the thin film material 65 is landed on the application pixel 63 </ b> C on the substrate 60. The landed thin film material 65 spreads in the lateral direction and covers several pixels around the landed application pixel 63C. FIG. 6B shows a state in which the thin film material 65 is landed on the adjacent application pixel 63C. Since the thin film material 65 landed in the process shown in FIG. 6A has spread to the surrounding pixels, in the stage of FIG. 6B, a new thin film material is placed at a position partially overlapping with the thin film material 65 already applied. 66 will land. The upper surface of the thin film material 65 already attached is inclined so as to become lower from the center toward the outside. For this reason, the thin film material 66 that has landed on the thin film material 65 that has already adhered flows downward (to the left in FIG. 6B) along the inclination of the upper surface of the thin film material 65 below. In FIG. 6B, the boundary between the thin film material 65 that has already adhered and the thin film material 66 that has newly adhered is clearly shown, but in reality, the liquids are mixed and the boundary between the two cannot be distinguished.

図6Cに、さらに隣接する塗布ピクセル63Cに薄膜材料65を着弾させた状態を示す。図6Cの段階で着弾した薄膜材料67も、図の左方向に流れる。   FIG. 6C shows a state in which the thin film material 65 is landed on the adjacent application pixel 63C. The thin film material 67 landed at the stage of FIG. 6C also flows in the left direction of the figure.

図6Dに示すように、薄膜材料65、66、67が硬化用光源40(図3)の下方を通過するとき、薄膜材料65、66、67に硬化用の光70が照射される。これにより、薄膜材料65、66、67が硬化されて、エッジパターン71が形成される。   As shown in FIG. 6D, when the thin film materials 65, 66, 67 pass below the curing light source 40 (FIG. 3), the thin film materials 65, 66, 67 are irradiated with curing light 70. Thereby, the thin film materials 65, 66, and 67 are cured, and the edge pattern 71 is formed.

薄膜材料の着弾と、硬化とを繰り返すことにより、図6Eに示すように、図6Dに示したエッジパターン71から見て開口62の反対側にもエッジパターン71が形成される。1回の走査では、塗布ピクセルのうち600dpiで分布する一部の塗布ピクセル63Cにのみ薄膜材料が着弾する。4回の走査を行うことにより、2400dpiに相当するすべての塗布ピクセル63Cに薄膜材料が着弾する。これにより、エッジパターン71が完成する。   By repeating the landing and curing of the thin film material, as shown in FIG. 6E, the edge pattern 71 is also formed on the opposite side of the opening 62 as viewed from the edge pattern 71 shown in FIG. 6D. In one scan, the thin film material lands only on some of the application pixels 63C distributed at 600 dpi among the application pixels. By performing the scan four times, the thin film material lands on all the application pixels 63C corresponding to 2400 dpi. Thereby, the edge pattern 71 is completed.

図6Fに示すように、薄膜形成領域61の内部のピクセルに、薄膜材料を着弾させる。このときには、硬化用の光を照射しない。これにより、薄膜形成領域61の内部が、液状の薄膜材料68で覆われる。エッジパターン71が、薄膜材料の流出を堰き止める。   As shown in FIG. 6F, the thin film material is landed on the pixels inside the thin film formation region 61. At this time, no curing light is irradiated. Thereby, the inside of the thin film formation region 61 is covered with the liquid thin film material 68. The edge pattern 71 blocks the outflow of the thin film material.

図6Gに示すように、液状の薄膜材料68に硬化用の光72を照射する。これにより、薄膜材料68(図6F)が硬化し、エッジパターン71(図6F)を含む薄膜69が形成される。図6Gにおいて、薄膜69の左側の縁(基板60の移動方向の下流側を向く縁)の傾斜角θ1が、右側の縁(基板60の移動方向の上流側を向く縁)の傾斜角θ2より大きい。これは、図6B及び図6Cに示した工程で、薄膜材料66、67が、図の左方向に流れることにより、左側の斜面の傾斜が緩やかになるためである。   As shown in FIG. 6G, the liquid thin film material 68 is irradiated with curing light 72. Thereby, the thin film material 68 (FIG. 6F) is hardened, and the thin film 69 including the edge pattern 71 (FIG. 6F) is formed. In FIG. 6G, the inclination angle θ1 of the left edge of the thin film 69 (the edge facing the downstream side in the movement direction of the substrate 60) is greater than the inclination angle θ2 of the right edge (the edge facing the upstream side in the movement direction of the substrate 60). large. This is because, in the process shown in FIGS. 6B and 6C, the thin film materials 66 and 67 flow in the left direction in the drawing, so that the slope of the left slope becomes gentle.

上述のように、図6A〜図6Gに示した参考例では、薄膜69の縁の傾斜角にばらつきが発生する。また、基板60の移動方向の上流側を向く端面の傾斜が緩やかになってしまう。以下に説明する実施例では、薄膜69の縁の傾斜角のばらつきを少なくするとともに、端面の傾斜が緩やかになってしまうことを防止することができる。   As described above, in the reference examples shown in FIGS. 6A to 6G, the inclination angle of the edge of the thin film 69 varies. Further, the inclination of the end surface facing the upstream side in the moving direction of the substrate 60 becomes gentle. In the embodiment described below, it is possible to reduce the variation in the inclination angle of the edge of the thin film 69 and to prevent the end surface from being gently inclined.

次に、図7A〜図9Fを参照して、実施例による薄膜形成方法について説明する。図7A及び図7Bは、基板60の平面図を示す。薄膜形成領域61は、図4に示したものと同一である。図8は、薄膜形成領域61の縁に沿うエッジパターンの形状を定義する画像データを示し、図9A〜図9Fは、実施例による薄膜形成方法の各工程における基板の断面図を示す。図9A〜図9Fは、図7A〜図7B、図8の一点鎖線9−9における断面を表している。   Next, with reference to FIGS. 7A to 9F, the thin film forming method according to the embodiment will be described. 7A and 7B are plan views of the substrate 60. FIG. The thin film formation region 61 is the same as that shown in FIG. FIG. 8 shows image data defining the shape of the edge pattern along the edge of the thin film formation region 61, and FIGS. 9A to 9F show cross-sectional views of the substrate in each step of the thin film formation method according to the embodiment. 9A to 9F show cross sections taken along one-dot chain line 9-9 of FIGS. 7A to 7B and FIG.

図7Aに示すように、薄膜形成領域61の縁に沿って、エッジパターン75を形成する。図8に、エッジパターン75を形成するときの塗布ピクセル63Dを示す。図8において、塗布ピクセル63Dにハッチングが付されている。エッジパターン75を形成するときの塗布ピクセル63Dは、薄膜形成領域61の縁に沿って一列に並んでいる。薄膜形成領域61(図7A)を定義する塗布ピクセル63A(図5A)のうち、非塗布ピクセル63B(図5A)と線で接しているピクセルが、エッジパターン75を形成するときの塗布ピクセル63Dとして抽出される。非塗布ピクセル63Bと頂点のみで接している塗布ピクセル63A、及び非塗布ピクセル63Bと接していない塗布ピクセル63Aは、エッジパターン75を形成するときの塗布ピクセル63Dとして抽出されない。   As shown in FIG. 7A, an edge pattern 75 is formed along the edge of the thin film formation region 61. FIG. 8 shows the application pixel 63D when the edge pattern 75 is formed. In FIG. 8, the application pixel 63D is hatched. The application pixels 63 </ b> D when forming the edge pattern 75 are arranged in a line along the edge of the thin film formation region 61. Of the application pixels 63A (FIG. 5A) that define the thin film formation region 61 (FIG. 7A), pixels that are in line contact with the non-application pixels 63B (FIG. 5A) are applied pixels 63D when the edge pattern 75 is formed. Extracted. The application pixel 63A that is in contact with the non-application pixel 63B only at the apex and the application pixel 63A that is not in contact with the non-application pixel 63B are not extracted as the application pixel 63D when the edge pattern 75 is formed.

図9Aから図9Dまでの工程により、エッジパターン75が形成される。まず、図9Aに示すように、1回目の走査により、塗布ピクセル63Dに、薄膜材料74を着弾させる
。図9Bに示すように、基板60に付着した薄膜材料74(図9A)が硬化用光源40(図3)の下方を通過するとき、硬化用の光73が照射され、薄膜材料74が硬化される。硬化された薄膜材料は、エッジパターン75の一部を構成する。
The edge pattern 75 is formed by the steps from FIG. 9A to FIG. 9D. First, as shown in FIG. 9A, the thin film material 74 is landed on the application pixel 63D by the first scanning. As shown in FIG. 9B, when the thin film material 74 (FIG. 9A) attached to the substrate 60 passes below the curing light source 40 (FIG. 3), the curing light 73 is irradiated and the thin film material 74 is cured. The The cured thin film material forms part of the edge pattern 75.

図9Cに示すように、1回目の走査を継続し、他の塗布ピクセル63Dに、薄膜材料74を着弾させる。図9Cでは、図9Bの工程で形成されたエッジパターン75から見て、開口62の反対側の塗布ピクセル63Dに薄膜材料74が着弾した状態が示されている。図9Dに示すように、薄膜材料74(図9C)に硬化用の光79が照射されることにより、薄膜材料74が硬化される。硬化された薄膜材料は、エッジパターン75の一部を構成する。   As shown in FIG. 9C, the first scan is continued, and the thin film material 74 is landed on the other application pixel 63D. FIG. 9C shows a state in which the thin film material 74 has landed on the application pixel 63D on the side opposite to the opening 62 when viewed from the edge pattern 75 formed in the step of FIG. 9B. As shown in FIG. 9D, the thin film material 74 is cured by irradiating the thin film material 74 (FIG. 9C) with the curing light 79. The cured thin film material forms part of the edge pattern 75.

図8において、塗布ピクセル63Dに付された数字「1」〜「4」は、当該塗布ピクセル63Dが、それぞれ1回目〜4回目の走査で薄膜材料が着弾する塗布ピクセル63Dであることを意味する。各走査において、塗布ピクセル63Dに薄膜材料を着弾させるとともに、着弾した薄膜材料を硬化させる。1回の走査では、x方向に関して3列おきに選択されたピクセル列に含まれる塗布ピクセル63Dに薄膜材料が着弾する。4回の走査を行うことにより、隈なくピクセル列が選択され、エッジパターン75が完成する。   In FIG. 8, numerals “1” to “4” given to the application pixels 63D mean that the application pixels 63D are application pixels 63D on which the thin film material has landed in the first to fourth scans, respectively. . In each scan, the thin film material is landed on the application pixel 63D and the landed thin film material is cured. In one scan, the thin film material lands on the application pixel 63D included in the pixel column selected every three columns in the x direction. By performing the scan four times, the pixel rows are selected without any defects, and the edge pattern 75 is completed.

図7Bに示すように、薄膜形成領域61の内部に薄膜材料を塗布し、硬化させることにより、薄膜76を形成する。図9E及び図9Fの工程により、薄膜76が形成される。   As shown in FIG. 7B, a thin film 76 is formed by applying a thin film material inside the thin film formation region 61 and curing it. The thin film 76 is formed by the processes of FIGS. 9E and 9F.

図9Eに示すように、薄膜形成領域61の内部の塗布ピクセル63Aに薄膜材料74を着弾させながら、既に着弾している薄膜材料74を硬化させる。ここで、「内部の塗布ピクセル63A」とは、薄膜形成領域61を定義する塗布ピクセル63A(図5A)のうち、エッジパターン75(図9A〜図9D)の形成時に薄膜材料74の着弾対象となった塗布ピクセル63D(図8)以外のピクセルを意味する。4回の走査を行うことにより、図7B及び図9Fに示すように、薄膜形成領域61の内部の塗布ピクセル63Aに着弾して硬化した薄膜76、及びエッジパターン75を含む薄膜77が形成される。   As shown in FIG. 9E, while the thin film material 74 is landed on the application pixel 63A in the thin film formation region 61, the already landed thin film material 74 is cured. Here, the “internal coating pixel 63A” means that the coating material 63A (FIG. 5A) that defines the thin film formation region 61 is the target of landing of the thin film material 74 when the edge pattern 75 (FIGS. 9A to 9D) is formed. This means a pixel other than the applied pixel 63D (FIG. 8). By performing the scan four times, as shown in FIGS. 7B and 9F, a thin film 76 that has landed and hardened on the application pixel 63A inside the thin film formation region 61 and a thin film 77 including an edge pattern 75 are formed. .

図6A〜図6Gの参考例と、図9A〜図9Fの実施例とを比較しながら、実施例の効果について説明する。実施例においては、図9A及び図9Cに示したように、薄膜形成領域61の縁を画定する塗布ピクセル63D(最も外側のピクセル)に薄膜材料74が着弾するとき、当該塗布ピクセル63Dよりも内側のピクセルには薄膜材料が着弾していない。このため、図6Bに示したように、新たに着弾した薄膜材料66が、既に着弾している薄膜材料65の上面の傾斜に起因して、薄膜形成領域61の外側に向かって流れ出すことがない。このため、図9Fに示した薄膜77の端面の傾斜角のばらつきを少なくすることができる。さらに、傾斜が緩やかになってしまうことを防止することができる。   The effects of the embodiment will be described by comparing the reference example of FIGS. 6A to 6G with the embodiment of FIGS. 9A to 9F. In the embodiment, as shown in FIGS. 9A and 9C, when the thin film material 74 lands on the application pixel 63D (outermost pixel) that defines the edge of the thin film formation region 61, the inner side of the application pixel 63D is reached. No thin film material has landed on these pixels. For this reason, as shown in FIG. 6B, the newly landed thin film material 66 does not flow toward the outside of the thin film formation region 61 due to the inclination of the upper surface of the already landed thin film material 65. . For this reason, the variation in the inclination angle of the end face of the thin film 77 shown in FIG. 9F can be reduced. Furthermore, it is possible to prevent the inclination from becoming gentle.

次に、図10A〜図11Dを参照して、他の実施例について説明する。図10A及び図10Bは、この実施例による薄膜形成方法の各工程における基板60の平面図を示し、図11A〜図11Dは、薄膜を形成するまでの各工程における基板の断面図を示す。図11A〜図11Dは、図10A及び図10Bの一点鎖線11−11における断面を表している。この実施例においても、図9Aから図9Dまでの工程を実行することにより、エッジパターン75が形成される。   Next, another embodiment will be described with reference to FIGS. 10A to 11D. 10A and 10B are plan views of the substrate 60 in each step of the thin film forming method according to this embodiment, and FIGS. 11A to 11D are cross-sectional views of the substrate in each step until the thin film is formed. 11A to 11D each show a cross section taken along one-dot chain line 11-11 of FIGS. 10A and 10B. Also in this embodiment, the edge pattern 75 is formed by executing the steps from FIG. 9A to FIG. 9D.

図10Aに示すように、基板60の表面に、エッジパターン75から、薄膜形成領域61の内側に向かって広がる額縁領域78が画定されている。この額縁領域78に薄膜材料を着弾させるとともに、着弾した薄膜材料を硬化させることにより、土手パターン80を形成する。   As shown in FIG. 10A, a frame region 78 that extends from the edge pattern 75 toward the inside of the thin film formation region 61 is defined on the surface of the substrate 60. A bank pattern 80 is formed by landing a thin film material on the frame region 78 and curing the landed thin film material.

図11A〜図11Bに、土手パターン80を形成するまでの各工程における基板60の断面図を示す。図11Aに示すように、基板60の表面の、塗布ピクセル63D(図8)に薄膜材料を着弾させ、硬化させることにより、エッジパターン75を形成する。図11Bに示すように、額縁領域78の塗布ピクセル63Aに薄膜材料を着弾させるとともに、着弾した薄膜材料を硬化させることにより、土手パターン80を形成する。額縁領域78は、エッジパターン75を形成するときの塗布ピクセル63Dに連続し、薄膜形成領域61の内側に位置する一部の塗布ピクセル63Aで構成される。額縁領域78の幅は、ピクセルピッチとほぼ等しくてもよいし、ピクセルピッチより広くてもよい。土手パターン80は、エッジパターン75を形成した後、エッジパターン75の形成と同様の走査を行うことにより形成される。   11A to 11B are cross-sectional views of the substrate 60 in each process until the bank pattern 80 is formed. As shown in FIG. 11A, an edge pattern 75 is formed by landing a thin film material on the application pixel 63D (FIG. 8) on the surface of the substrate 60 and curing it. As shown in FIG. 11B, the bank pattern 80 is formed by landing the thin film material on the application pixel 63A in the frame region 78 and curing the landed thin film material. The frame region 78 is continuous with the application pixel 63D when the edge pattern 75 is formed, and includes a part of the application pixel 63A located inside the thin film formation region 61. The width of the frame region 78 may be approximately equal to the pixel pitch or may be wider than the pixel pitch. The bank pattern 80 is formed by performing the same scanning as the formation of the edge pattern 75 after the edge pattern 75 is formed.

図10Bに示すように、土手パターン80(図10A)に囲まれた領域に、薄膜82を形成する。図11C〜図11Dに、薄膜82を形成する各工程における基板60の断面図を示す。図11Cに示すように、土手パターン80よりも内側の塗布ピクセル63Aに薄膜材料を着弾させる。これにより、薄膜形成領域61の内部が、液状の薄膜材料81で覆われる。図11Dに示すように、液状の薄膜材料81(図11C)を硬化させる。これにより、エッジパターン75及び土手パターン80を含む薄膜82が形成される。   As shown in FIG. 10B, a thin film 82 is formed in a region surrounded by the bank pattern 80 (FIG. 10A). 11C to 11D are cross-sectional views of the substrate 60 in each process of forming the thin film 82. FIG. As shown in FIG. 11C, the thin film material is landed on the application pixel 63 </ b> A inside the bank pattern 80. Thereby, the inside of the thin film formation region 61 is covered with the liquid thin film material 81. As shown in FIG. 11D, the liquid thin film material 81 (FIG. 11C) is cured. Thereby, the thin film 82 including the edge pattern 75 and the bank pattern 80 is formed.

図10A〜図11Dに示した実施例においても、図7A〜図9Fに示した実施例と同様に、図11Dに示した薄膜82の端面の傾斜角のばらつきを少なくすることができる。さらに、傾斜が緩やかになってしまうことを抑制することができる。この実施例では、土手パターン80がエッジパターン75より高くなる。図11Cに示したように、薄膜形成領域61を液状の薄膜材料81で覆ったとき、土手パターン80が液状の薄膜材料81の流出を堰き止める。薄膜形成領域61の全域が液状の薄膜材料81で覆われた後に、薄膜材料81を硬化させるため、平坦な表面を持つ薄膜82を形成することができる。   Also in the embodiment shown in FIGS. 10A to 11D, as in the embodiment shown in FIGS. 7A to 9F, the variation in the inclination angle of the end face of the thin film 82 shown in FIG. 11D can be reduced. Furthermore, it can suppress that inclination becomes gentle. In this embodiment, the bank pattern 80 is higher than the edge pattern 75. As shown in FIG. 11C, when the thin film forming region 61 is covered with the liquid thin film material 81, the bank pattern 80 blocks the outflow of the liquid thin film material 81. Since the thin film material 81 is cured after the entire thin film forming region 61 is covered with the liquid thin film material 81, the thin film 82 having a flat surface can be formed.

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

20 基台
21 移動機構
22 ステージ
30 ノズルユニット
31 ベースプレート
32 ノズルヘッド
33 ノズル孔
40 硬化用光源
50 制御装置
60 基板
61 薄膜形成領域
62 開口
63 ピクセル
63A、63C、63D 塗布ピクセル
63B 非塗布ピクセル
65、66、67、68 薄膜材料
69 薄膜
70 硬化用の光
71 エッジパターン
72、73 硬化用の光
74 薄膜材料
75 エッジパターン
76、77 薄膜
78 額縁領域
79 硬化用の光
80 土手パターン
81 液状の薄膜材料
82 薄膜
θ1、θ2 傾斜角
20 Base 21 Moving mechanism 22 Stage 30 Nozzle unit 31 Base plate 32 Nozzle head 33 Nozzle hole 40 Curing light source 50 Controller 60 Substrate 61 Thin film formation region 62 Opening 63 Pixel 63A, 63C, 63D Coating pixel 63B Non-coating pixel 65, 66 , 67, 68 Thin film material 69 Thin film 70 Curing light 71 Edge pattern 72, 73 Curing light 74 Thin film material 75 Edge pattern 76, 77 Thin film 78 Frame region 79 Curing light 80 Bank pattern 81 Liquid thin film material 82 Thin film θ1, θ2 Tilt angle

Claims (4)

基板の表面の薄膜形成領域の縁に、薄膜材料を液滴化して着弾させるとともに、着弾し
た前記薄膜材料を硬化させることにより、前記薄膜形成領域の縁に沿うエッジパターンを
形成する工程と、
前記エッジパターンを形成した後、前記エッジパターンから、前記薄膜形成領域の内部
に向かって広がる前記薄膜形成領域の縁よりも内側の額縁領域に、前記薄膜材料を着弾さ
せるとともに、着弾した前記薄膜材料を硬化させることにより、土手パターンを形成する
工程と、
前記土手パターンを形成した後、前記土手パターンよりも内側に、前記薄膜材料を着弾
させて、前記土手パターンよりも内側の領域を、液状の前記薄膜材料で覆う工程と、
前記土手パターンよりも内側の液状の前記薄膜材料を硬化させる工程と
を有し、
前記薄膜形成領域の形状は、二次元方向に配列した複数のピクセルからなる画像データ
によって定義されており、
前記エッジパターンを形成する工程において、一つの前記ピクセルの連続にて形成され
前記薄膜形成領域の縁に前記薄膜材料の液滴を着弾させる薄膜形成方法。
Forming an edge pattern along the edge of the thin film formation region by making the thin film material droplets and landing on the edge of the thin film formation region on the surface of the substrate, and curing the landed thin film material;
After the edge pattern is formed, the thin film material is landed on the frame area inside the edge of the thin film forming area extending from the edge pattern toward the inside of the thin film forming area, and the thin film material that has landed A step of forming a bank pattern by curing
After forming the bank pattern, landing the thin film material on the inner side of the bank pattern, and covering a region on the inner side of the bank pattern with the liquid thin film material;
Curing the liquid thin film material inside the bank pattern,
The shape of the thin film formation region is defined by image data consisting of a plurality of pixels arranged in a two-dimensional direction,
In the step of forming the edge pattern, the edge pattern is formed by one continuous pixel.
Thin film forming method to land the droplets before Symbol thin film material on the edge of the thin film forming region that.
前記画像データは、前記薄膜材料を着弾させるべき塗布ピクセルと、着弾させない非塗
布ピクセルとで構成され、
前記エッジパターンを形成する工程において、前記塗布ピクセルのうち、前記非塗布ピ
クセルと線で接する前記塗布ピクセルに前記薄膜材料を着弾させ、前記非塗布ピクセルと
接していないか、頂点のみで接している前記塗布ピクセルには前記薄膜材料を着弾させな
い請求項1に記載の薄膜形成方法。
The image data is composed of application pixels on which the thin film material is to be landed and non-application pixels on which the thin film material is not landed,
In the step of forming the edge pattern, the thin film material is landed on the application pixel that is in line contact with the non-application pixel among the application pixels, and is not in contact with the non-application pixel or is in contact with only the vertex. The thin film forming method according to claim 1, wherein the thin film material is not landed on the application pixel.
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に対向し、前記基板の表面に、光硬化性の薄膜材料の液
滴を吐出する複数のノズル孔を有するノズルヘッドと、
前記基板に付着した前記薄膜材料に硬化用の光を照射する光源と、
前記ノズルヘッド及び前記光源に対して前記基板を相対的に移動させる移動機構と、
二次元方向に配列した複数のピクセルのうち前記薄膜材料の液滴を着弾させるべき塗布
ピクセルを特定することにより、前記基板の表面に、薄膜形成領域を定義する画像データ
を記憶しており、前記画像データに基づいて、前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御
する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
一つの前記ピクセルの連続にて形成される前記薄膜形成領域の縁に前記薄膜材料が着弾
し、前記基板に付着した前記薄膜材料が硬化されてエッジパターンが形成され、
前記エッジパターンが形成された後、前記エッジパターンから、前記薄膜形成領域の内
部に向かって広がる前記薄膜形成領域の縁よりも内側の額縁領域に、前記薄膜材料が着弾
し、着弾した前記薄膜材料が硬化することによって土手パターンが形成され、
前記土手パターンが形成された後、前記土手パターンよりも内側に、前記薄膜材料が着
弾し、前記土手パターンよりも内側の領域が液状の前記薄膜材料で覆われ、前記土手パタ
ーンよりも内側の領域の液状の前記薄膜材料が硬化するように、前記ノズルヘッド及び前
記移動機構を制御する薄膜形成装置。
A stage for holding a substrate;
A nozzle head having a plurality of nozzle holes facing the substrate held on the stage and discharging droplets of a photocurable thin film material on the surface of the substrate;
A light source for irradiating the thin film material attached to the substrate with light for curing;
A moving mechanism for moving the substrate relative to the nozzle head and the light source;
Image data defining a thin film formation region is stored on the surface of the substrate by specifying a coating pixel on which a droplet of the thin film material is to be landed among a plurality of pixels arranged in a two-dimensional direction, A control device for controlling the nozzle head and the moving mechanism based on image data;
The controller is
One landed before Symbol thin film material the edges of the thin film forming region formed by a succession of said pixels, said thin film material is hardened edge pattern deposited are formed on the substrate,
After the edge pattern is formed, the thin film material has landed on the frame area inside the edge of the thin film forming area extending from the edge pattern toward the inside of the thin film forming area, and the thin film material that has landed The bank pattern is formed by hardening
After the bank pattern is formed, the thin film material lands on the inner side of the bank pattern, and the inner area of the bank pattern is covered with the liquid thin film material, and the inner area of the bank pattern. A thin film forming apparatus for controlling the nozzle head and the moving mechanism so that the liquid thin film material is cured.
前記制御装置は、前記エッジパターンを形成するときに、前記塗布ピクセルのうち、前
記薄膜材料を着弾させない非塗布ピクセルと線で接する前記塗布ピクセルに前記薄膜材料
が着弾し、前記非塗布ピクセルと接していないか、頂点のみで接している前記塗布ピクセ
ルには前記薄膜材料が着弾しないように前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御する請
求項3に記載の薄膜形成装置。
When the edge pattern is formed, the control device lands the thin film material on the coated pixel that is in line contact with the non-coated pixel that does not land the thin film material, and contacts the non-coated pixel. 4. The thin film forming apparatus according to claim 3, wherein the nozzle head and the moving mechanism are controlled so that the thin film material does not land on the application pixel that is not touching or only touching the apex.
JP2013243430A 2013-11-26 2013-11-26 Thin film forming method and thin film forming apparatus Active JP6289880B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013243430A JP6289880B2 (en) 2013-11-26 2013-11-26 Thin film forming method and thin film forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013243430A JP6289880B2 (en) 2013-11-26 2013-11-26 Thin film forming method and thin film forming apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015100747A JP2015100747A (en) 2015-06-04
JP6289880B2 true JP6289880B2 (en) 2018-03-07

Family

ID=53376946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013243430A Active JP6289880B2 (en) 2013-11-26 2013-11-26 Thin film forming method and thin film forming apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6289880B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6925749B2 (en) * 2018-01-30 2021-08-25 住友重機械工業株式会社 Membrane forming method and film forming apparatus
JP7122663B2 (en) * 2018-04-18 2022-08-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 PRINTING METHOD, PRINTING APPARATUS, EL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI221427B (en) * 2003-10-07 2004-10-01 Ind Tech Res Inst Micro-dispensing film forming apparatus with vibration-induced method
JP2012143729A (en) * 2011-01-14 2012-08-02 Hitachi High-Technologies Corp Print coating method
CN103688602B (en) * 2011-07-08 2016-10-26 住友重机械工业株式会社 Manufacture of substrates and apparatus for manufacturing substrate
WO2013011775A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-24 住友重機械工業株式会社 Thin film forming method and thin film forming apparatus
WO2013015093A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 住友重機械工業株式会社 Substrate production device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015100747A (en) 2015-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6472308B2 (en) Three-dimensional object modeling method and three-dimensional printer
US10293554B2 (en) Three-dimensional object forming device and three-dimensional object forming method
JP6968505B2 (en) Ink application device and ink application method
US11260593B2 (en) Shaping device and shaping method
JP6786310B2 (en) Modeling equipment and modeling method
KR102563456B1 (en) Film forming method and Film forming apparatus
JP5638137B2 (en) Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus
JP6289880B2 (en) Thin film forming method and thin film forming apparatus
JP6085578B2 (en) Film forming method and film forming apparatus
JP6274832B2 (en) Thin film forming method and thin film forming apparatus
KR102529026B1 (en) Film forming apparatus and film forming method
JP6952243B2 (en) Printing method and printing equipment
KR102012236B1 (en) Method of manufacturing three dimensional shapes using laser and metal powder
JP2014104385A (en) Substrate manufacturing method and apparatus
TWI771005B (en) Ink coating device, its control device, and ink coating method
KR20150130836A (en) Ink-jet marking method and ink-jet marking system
JP7195357B2 (en) Inkjet printing method and inkjet printing apparatus
JP2012161920A (en) Recording method
JP2014099520A (en) Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus
JP2014100636A (en) Method for manufacturing substrate, and device for manufacturing substrate
JP2021079359A (en) Ink coating controller and ink coating method
JP2014067984A (en) Substrate manufacturing method and thin film deposition apparatus
JP2011147926A (en) Method of drawing line, and inkjet image-drawing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20160401

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160401

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170117

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170314

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20170523

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20170523

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170822

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171121

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20171130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6289880

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150