JP6288560B2 - 情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラム - Google Patents

Description

本発明は、NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置及び当該NAND型のフラッシュメモリの交換を支援する方法並びにプログラムに関する。

近年、HDD（Hard Disk Drive）よりも消費電力が少なく、高速に読み出し／書き込みができる記憶媒体として、SSD（Solid State Drive）やeMMC（embedded MultiMediaCard）といったNAND型のフラッシュ（以下、NANDフラッシュメモリと呼ぶ。）が普及しつつある。このNANDフラッシュメモリには、一般的に予備領域（ブロック）が予め用意されている。これはNANDフラッシュメモリが時間経過によりビットエラー（書込エラー・保持エラー・リードディスターブ）が増える事の対応策としてエラー訂正機能を搭載しておき、ある一定の閾値を超えるエラーが発生したブロックは、予備領域（ブロック）と置き換えることで製品寿命を保証するためである。

また、この予備領域が枯渇するとリードオンリー状態となり、書き込みができなくなる事も一般的に知られている。これは製造プロセス・ルールの微細化やMLC（Multi Level Cell）/TLC（Three Level Cell）などの技術的進歩により、コスト低減／容量アップの恩恵が得られる反面、エラー自体は発生しやすくなる傾向である事を意味している。そのため、エラー訂正機能も強力なものが搭載される傾向にある。

このようなNANDフラッシュメモリに関する技術として、例えば、下記特許文献１には、ユーザデータメモリセルの集合の中に分散配置されたテストメモリセルの集合を、前記ユーザデータメモリセルに使用される読み込み閾値電圧よりも高い分解能の、選択された読み込み閾値電圧を使って逐次的に読み込むことにより、劣化情報を取得する方法が開示されている。

また、下記特許文献２には、各フラッシュメモリ媒体グループ内の各ディスクに対する前記測定したフラッシュメモリ残存寿命、該各フラッシュメモリ媒体グループの前記構成、及び該各フラッシュメモリ媒体グループに対する書き込みＩ／Ｏタイプのシーケンシャル対ランダムの前記比率に基づいて該各フラッシュメモリ媒体グループの残存寿命を計算してフラッシュメモリ媒体の信頼性を評価する方法が開示されている。

また、下記特許文献３には、ブート時にフラッシュメモリの各論理ブロックからデータを読み出し、読み出されたデータを該読み出されたデータが読み出された論理ブロックと同一の論理ブロックに書き戻す論理ブロック再書き込みステップと、論理ブロック書き込みによる書き込みの際に読み出し時とは異なった物理ブロックにデータを書き戻す物理ブロック変更ステップとを備えるフラッシュメモリドライブ装置の制御方法が開示されている。

また、下記特許文献４には、不良ブロックをスペアブロックによって代替する度にカード管理情報を書き換え、その書き換え結果に基づいて代替可能なスペアブロックが残っているか否かを検出し、代替可能なスペアブロックが無くなったことを検出したとき、代替不能による前記フラッシュメモリ装置の不良化を招く前に前記フラッシュメモリ装置の延命のための手続きを行うフラッシュメモリの交換支援方法が開示されている。

また、下記特許文献５には、第１のセル及び第２のセルを持つカラムを有するフラッシュメモリアレイ中の過消去セルを、まず第１のセルが過消去されているかどうかを確認して、過消去されていれば第１のセルにプログラミングパルスを印加し、第２のセルが過消去されているかどうかを確認して、過消去されていれば第２のセルにプログラミングパルスを印加し、一方のセルが過消去されていた場合はプログラミングパルス電圧をインクリメントする操作を、カラム上のどのセルも過消去されていないと確認されるまで繰り返すことにより修復する過消去セルの修復方法が開示されている。

特開２０１２−１３３８７５号公報 特開２０１０−２４４５２１号公報 特開２００８−１７１２４６号公報 特開平０９−１９８８８４号公報 特開平０６−２９０５９６号公報

NANDフラッシュメモリを搭載する情報処理装置においては、書き込み／読み出しを行う、もしくは何もしない（電源をＯＮにしない）のいずれの場合も、NANDフラッシュメモリにデータを保持するという観点から好ましくない状況となる。

すなわち、書き込みが多くなると、NANDフラッシュメモリ自体の書き込み回数の制限（詳細は後述する。）により書き込みエラーが発生する可能性がある。また、読み出しが多くなると、読み出しのための電圧印加によりデータ保持性能が低下し、そのうち読み出しエラー（いわゆる読み出しディスターブ）が発生する可能性がある。また、何もしない場合は、NANDフラッシュメモリを構成するMOS（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタの電荷の保持力が低下し、読み出しエラーが発生する可能性がある。これらの場合、エラーが発生したブロックと予備領域との置き換えが行われるため、予備領域が枯渇してリードオンリー状態になる。

そして、予備領域が枯渇してリードオンリー状態となる事象が発生すると、データリテンション（詳細は後述する。）を延ばすためのウェアレベリングができなくなる事により、書き込み／読み出し性能が低下したり、データが壊れて復旧できなくなる確率が高くなったりする。この問題はNANDフラッシュメモリの本質的な問題であり、特許文献１〜５に開示された延命処理を行ったとしても、リードオンリー状態となる事象の発生を防止することはできない。

特に、MFP（Multi Function Peripheral）のような複雑な構造の機器の場合、通電している状態でこのような状態になると、SC（サービスマンコール）エラーが発生し、主電源のOFF/ONができず、起動できないといった事が想定される。また、MFPのように、装置製造後、倉庫などで長期間保管される機器の場合、出荷検査の際には問題がなくても、着荷時に起動エラーなどのトラブルが発生したり、出荷調整時の値が不正値となる事で印字不良や読み取りエラーといったトラブルが発生したりする。

従って、リードオンリー状態になった場合、若しくはリードオンリー状態になると予測される場合には早急にデバイスを交換する必要が生じるが、従来のNANDフラッシュメモリは一体的な構造であるため、NANDフラッシュメモリの一部のブロックがリードオンリー状態になったとしても、エラーが発生していない部分やコントローラの部分も含めてNANDフラッシュメモリ全体を交換しなければならず、資源を無駄に消費してしまう。また、NANDフラッシュメモリ全体を交換すると、移し替えるデータ量が多くなるため交換作業に時間がかかる。

また、交換に際して、秘密情報の漏洩を防ぐためにNANDフラッシュメモリに記憶されているデータを確実に消去する必要があるが、NANDフラッシュメモリはHDDのように何度か上書きすればデータが消去されるものではない。従って、データを確実に消去するためには物理的に破壊する必要があるが、一体的な構造のNANDフラッシュメモリでは物理的な破壊が容易ではなく、エラーが発生していない部分やコントローラの部分が破壊されずに残ってしまうと、秘密情報が漏洩してしまう危険性がある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、記憶媒体としてNANDフラッシュメモリを使用する情報処理装置において、NANDフラッシュメモリの交換が必要な状態になった場合に、交換が必要な部分のみを簡便に交換することができる情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラムを提供することにある。

また、本発明の他の目的は、NANDフラッシュメモリの交換に際して、交換するNANDフラッシュメモリに保存されたデータの漏洩を確実に防止することができる情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラムを提供することにある。

本発明の一側面は、NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置において、前記フラッシュメモリは、データを格納する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体を少なくとも１つ備え、前記フラッシュメモリを制御する制御部は、前記複数のフラッシュメモリ本体の内のいずれかのフラッシュメモリ本体が予め定めた所定の状態になったか否かを判定するフラッシュメモリ状態判定部と、前記いずれかのフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定された場合に、前記第１のフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行う通知部と、を備え、前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱できない第２のフラッシュメモリ本体を含み、前記第１のフラッシュメモリ本体は、前記第２のフラッシュメモリ本体のエラー発生ブロックと置き換えるための予備領域として使用されるものであり、前記フラッシュメモリ状態判定部は、前記第２のフラッシュメモリ本体の前記エラー発生ブロックの数を算出し、前記算出したブロックの数が、前記第１のフラッシュメモリ本体の前記予備領域のサイズに対して所定の割合を超えた場合に、前記第２のフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定することを特徴とする。

本発明の一側面は、NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置におけるフラッシュメモリの交換支援方法であって、前記フラッシュメモリは、データを記憶する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体を少なくとも１つ備え、前記情報処理装置は、前記複数のフラッシュメモリ本体の内のいずれかのフラッシュメモリ本体が予め定めた所定の状態になったか否かを判定するフラッシュメモリ状態判定処理と、前記いずれかのフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定した場合に、前記第１のフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行う通知処理と、を実行し、前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱できない第２のフラッシュメモリ本体を含み、前記第１のフラッシュメモリ本体は、前記第２のフラッシュメモリ本体のエラー発生ブロックと置き換えるための予備領域として使用されるものであり、前記フラッシュメモリ状態判定処理では、前記第２のフラッシュメモリ本体の前記エラー発生ブロックの数を算出し、前記算出したブロックの数が、前記第１のフラッシュメモリ本体の前記予備領域のサイズに対して所定の割合を超えた場合に、前記第２のフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定することを特徴とする。

本発明の一側面は、NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置で動作するフラッシュメモリ交換支援プログラムであって、前記フラッシュメモリは、データを記憶する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体を少なくとも１つ備え、前記情報処理装置に、前記複数のフラッシュメモリ本体の内のいずれかのフラッシュメモリ本体が予め定めた所定の状態になったか否かを判定するフラッシュメモリ状態判定処理、前記いずれかのフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定された場合に、前記第１のフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行う通知処理、を実行させ、前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱できない第２のフラッシュメモリ本体を含み、前記第１のフラッシュメモリ本体は、前記第２のフラッシュメモリ本体のエラー発生ブロックと置き換えるための予備領域として使用されるものであり、前記フラッシュメモリ状態判定処理では、前記第２のフラッシュメモリ本体の前記エラー発生ブロックの数を算出し、前記算出したブロックの数が、前記第１のフラッシュメモリ本体の前記予備領域のサイズに対して所定の割合を超えた場合に、前記第２のフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定することを特徴とする。

本発明の情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラムによれば、記憶媒体としてNANDフラッシュメモリを使用する情報処理装置において、NANDフラッシュメモリの交換が必要な状態になった場合に、交換が必要な部分のみを簡便に交換することができる。また、NANDフラッシュメモリに保存されたデータの漏洩を確実に防止することができる。

その理由は、NANDフラッシュメモリを、複数のNANDフラッシュメモリ本体と複数のNANDフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み／読み出しを行うコントローラとで構成し、複数のNANDフラッシュメモリ本体の内の少なくとも１つを交換可能な構造とするからである。そして、情報処理装置に、各々のNANDフラッシュメモリ本体の状態を判定する判定部と、当該判定部によりいずれかのNANDフラッシュメモリ本体の交換が必要と判定された場合に、交換可能なNANDフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行う警告部と、を設けるからである。

本発明の第１の実施例に係る情報処理装置（画像形成装置）の構成を示すブロック図である。 本発明の第１の実施例に係るNANDフラッシュメモリの構成例を示すブロック図である。 本発明の第１の実施例に係る情報処理装置（画像形成装置）の制御部の構成を示すブロック図である。 本発明の第１の実施例に係るNANDフラッシュメモリの交換方法を模式的に示す図である。 本発明の第１の実施例に係る情報処理装置（画像形成装置）の制御部の動作を示すフローチャート図である。 本発明の第２の実施例に係るNANDフラッシュメモリの構成例を示すブロック図である。 本発明の第３の実施例に係るNANDフラッシュメモリのウェアレベリング制御を説明する図である。 本発明の第４の実施例に係るNANDフラッシュメモリに保存するデータ種別を示すテーブルである。

フラッシュメモリは、一般に、ゲート電極が２層構造となったMOSトランジスタ（セル）からなり、１バイト単位で書き込み／読み出し、消去、書き換えが可能な（すなわち、ソース線とビット線が個々のセルに繋がっている）NOR型と、複数ビットでの書き込み／読み出し、消去、書き換えが可能な（すなわち、複数のセルがソース線とビット線の間に直列に接続された）NAND型と、がある。いずれの場合も、浮遊ゲートとシリコン基板の間に高電界を加えることによって、電子がゲート絶縁膜をトンネリングして浮遊ゲートに注入され、これによってMOSトランジスタがオフ状態からオン状態に変わるゲート電圧（しきい電圧）が変化することを利用して情報を記憶する。

そのため、フラッシュメモリへのデータの書き込み回数が多くなると、電子のトンネリングによってゲート絶縁膜が劣化し、浮遊ゲートに注入した電子がシリコン基板に逃げやすくなり、データ保持期間（データリテンション）が短くなる。特に、NANDフラッシュメモリでは、ブロック内の一部のセルに対する書き込みでもブロック単位で書き込みを行うため、書き込み回数が実質的に増加してゲート絶縁膜の劣化が進行し、データ保持期間が短くなる。更に、近年の半導体製造プロセス・ルールの微細化により、フラッシュメモリの最大書き込み回数（エンデュランス）やデータ保持時間が更に減少する傾向にある。

このような背景から、通常は、フラッシュメモリへのデータの書き込みに際し、同一のブロックに対してデータの書き込みが集中しないようにするウェアレベリングを行っているが、ウェアレベリングを行ったとしても、書き込み／読み出しの回数が多くなると書き込みエラーや読み出しエラーが発生する。また、何もしない（電源をＯＮにしない）場合も、MOSトランジスタの電荷の保持力が低下することにより読み出しエラーが発生する。このようなエラーがある一定の閾値を超えて発生した場合、NANDフラッシュメモリに搭載されたエラー訂正機能により、エラーが発生したブロックは予備領域と置き換えられるが、置き換えが頻繁に起こって予備領域が枯渇した場合にはリードオンリー状態になり、NANDフラッシュメモリの交換が必要になる。

その際、従来のNANDフラッシュメモリは一体的な構造であるため、NANDフラッシュメモリ全体を交換しなければならず、資源を無駄に消費してしまう。また、装置から取り出したNANDフラッシュメモリから必要なデータを取り出し、そのデータを新たなNANDフラッシュメモリに書き込んだ後に装置に取り付けなければならず、交換作業に時間がかかる。

また、交換に際して、NANDフラッシュメモリに記憶されているデータを確実に消去する必要があるが、NANDフラッシュメモリはHDDのように上書きによってデータを消去ではないため、物理的に破壊しなければならず、一体的な構造のNANDフラッシュメモリでは物理的な破壊が容易ではない。また、破壊されなかった部分が残ってしまうと、秘密情報が漏洩してしまう危険性がある。

この問題はNANDフラッシュメモリを記憶媒体として使用する任意の情報処理装置において生じるが、特に、MFPのような複雑な構造の機器の場合、ユーザ自身でNANDフラッシュメモリを交換するのは容易ではなく、サービスマンに交換を依頼するため、サービスマンが簡便かつ確実にNANDフラッシュメモリを交換できる方法の提案が求められている。また、MFPのようにコストの削減が求められる機器において、資源の無駄な消費を抑えることができる方法の提案が求められている。

そこで、本発明の一実施の形態では、NANDフラッシュメモリを複数のNANDフラッシュメモリ本体と複数のNANDフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うコントローラとで構成し、複数のNANDフラッシュメモリ本体の内の少なくとも１つのNANDフラッシュメモリ本体を交換可能な構造とする。そして、エラーが発生したブロックと置き換えるための予備領域が枯渇することを予め予測し、予測結果に基づいて警告を行うことでNANDフラッシュメモリ本体の交換をユーザに促す。その後、サービスマンなどが、交換対象のNANDフラッシュメモリ本体に保存されているデータを待避させた後、交換対象のNANDフラッシュメモリ本体を取り外し、新たなNANDフラッシュメモリ本体を装着してデータの移行を行い、取り外したNANDフラッシュメモリ本体を物理的に破壊する。これにより、NANDフラッシュメモリ全体の寿命（データ保持期間）の確保と、安全な廃棄を両立させる。なお、取り外したNANDフラッシュメモリ本体を物理的に破壊するのに代えて、取り外したNANDフラッシュメモリ本体に対し、記憶されたデータを消去するデータ消去処理（Secure Erase）を行うこともできる。

また、倉庫に長時間放置される装置の場合は、装置を動作させるためのプログラムを交換可能なNANDフラッシュメモリ本体に格納し、装置の設置時にプログラムを格納したNANDフラッシュメモリ本体の取り付けを行う。これにより、着荷時に起動エラーなどのトラブルが発生したり、印字不良や読み取りエラーといったトラブルが発生したりすることを未然に防止することができる。

また、交換可能なNANDフラッシュメモリ本体は、データ保持期間が相対的に短くなったら交換すればよいため、交換可能なNANDフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度を相対的に高くしたり、頻繁に書き換えが行われるデータを交換可能なNANDフラッシュメモリ本体に保存したりする。これにより、NANDフラッシュメモリ全体の寿命を延ばすことができる。

上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係る情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラムについて、図１乃至図５を参照して説明する。図１は、本実施例の情報処理装置の構成を示すブロック図であり、図２は、NANDフラッシュメモリの構成例を示すブロック図、図３は、情報処理装置の制御部の構成を示すブロック図である。また、図４は、本実施例のNANDフラッシュメモリの交換方法を模式的に示す図であり、図５は、本実施例の情報処理装置の動作を示すフローチャート図である。

本実施例の情報処理装置は、例えば、MFPなどの画像形成装置であり、画像形成装置は、図１に示すように、メインコントローラ１００、画像読取部１２０、画像処理部１３０、画像形成部１４０、操作表示部１５０等で構成される。

メインコントローラ１００は、RAM（Random Access Memory）１０１、ROM（Read Only Memory）１０２、CPU（Central Processing Unit）１０３、NANDフラッシュメモリ１０４等によって構成される。

CPU１０３とROM１０２とRAM１０１とで制御部が構成され、制御部は、操作表示部１５０からのユーザの操作を受け付け、画像読取部１２０、画像処理部１３０、画像形成部１４０、操作表示部１５０に対して所定の制御を実行する。また、NANDフラッシュメモリ１０４に対してデータの書き込み／読み出しの指示を行うと共に、NANDフラッシュメモリ１０４の使用状態を監視し、使用状態の判定結果に基づいて交換を促す警告を行うなどの制御（詳細は後述する。）を行う。

図２に示すように、NANDフラッシュメモリ１０４は、データを格納する複数のNANDフラッシュメモリ本体（図では４つ）と、複数のNANDフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うNANDフラッシュメモリコントローラ１０５と、で構成される。上記NANDフラッシュメモリ本体は、NANDフラッシュメモリコントローラ１０５から着脱可能に構成され、エラー訂正のための予備領域として使用されるNANDフラッシュメモリ（着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７と呼ぶ。）を含む。また、NANDフラッシュメモリ本体は、必要に応じて、NANDフラッシュメモリコントローラ１０５と一体的に構成（すなわち、着脱できないように構成）されるNANDフラッシュメモリ（固定NANDフラッシュメモリ本体１０６と呼ぶ。）を含む。なお、図２では、複数のNANDフラッシュメモリ本体が、２つの固定NANDフラッシュメモリ本体１０６と２つの着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７とで構成される場合を示しているが、複数のNANDフラッシュメモリ本体の内の少なくとも１つ（全部を含む。）が着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７であればよい。

また、NANDフラッシュメモリコントローラ１０５から着脱可能な構造とは、例えば、NANDフラッシュメモリ１０４に設けたソケットなどに端子を嵌め込む構造であり、半田付けにより取り外し／取り付けが可能な構造は含まない。また、複数のNANDフラッシュメモリ本体は、同じ記憶容量を有するものとしてもよいし、各々のNANDフラッシュメモリ本体が異なる記憶容量を有していてもよい。また、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６と着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７は同じ記録構造としてもよいし、異なる記録構造（SLC/MLC/TLCなど）としてもよい。例えば、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６は交換しないことから、信頼性が相対的に高いSLCとし、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７は交換可能なことから、信頼性が相対的に低いMLC/TLCとすることができる。

上記構成のNANDフラッシュメモリ１０４を制御する制御部は、図３に示すように、書き込み制御部１０８、フラッシュメモリ状態判定部１０９、通知部１１０などとしても機能する。

書き込み制御部１０８は、NANDフラッシュメモリ１０４のNANDフラッシュメモリコントローラ１０５に対してデータの書き込み／読み出しを指示する。

フラッシュメモリ状態判定部１０９は、NANDフラッシュメモリ本体の経時的な使用状態（NANDフラッシュメモリ本体へのデータの書き込み／読み出しの頻度、使用時間など）を監視し、いずれかのNANDフラッシュメモリ本体が予め定めた所定の状態になったか否かを判定する。この所定の状態とは、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の寿命が短くなり予備領域として使用できなくなる状態と、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６のエラー発生ブロックが多くなり着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の予備領域では足りなくなる状態とが考えられる。

前者に関しては、フラッシュメモリ状態判定部１０９は、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の残り寿命を算出し、算出した残り寿命が着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の寿命に対して所定の割合未満となった場合（すなわち、予備領域として使用できなくなると予測される場合）に、所定の状態になったと判定する。例えば、寿命がデータ書き込み回数に依存している場合は、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７へのデータ書き込み回数を積算し、積算したデータ書き込み回数が着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の最大書き込み回数に対して所定の割合を超えた場合に、所定の状態になったと判定する。また、寿命がデータ保持期間に依存している場合は、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の使用時間を積算し、積算した使用時間が着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７のデータ保持期間に対して所定の割合を超えた場合に、所定の状態になったと判定する。また、NANDフラッシュメモリコントローラ１０５が、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の使用状況に関する情報をレポートとして出力する機能を備える場合は、フラッシュメモリ状態判定部１０９は、NANDフラッシュメモリコントローラ１０５から出力されるレポートの情報を基づいて、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７が所定の状態になったか否かを判定する。

後者に関しては、フラッシュメモリ状態判定部１０９は、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６のエラー発生ブロック数を算出し、算出したブロック数が着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の予備領域のサイズに対して所定の割合を超えた場合（すなわち、予備領域が枯渇すると予測される場合）に、所定の状態になったと判定する。例えば、エラー発生ブロック数がデータ書き込み回数に依存している場合は、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６へのデータ書き込み回数を積算し、積算したデータ書き込み回数が固定NANDフラッシュメモリ本体１０６の最大書き込み回数に対して所定の割合を超えた場合に、所定の状態になったと判定する。また、エラー発生ブロック数がデータ保持期間に依存している場合は、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６の使用時間を積算し、積算した使用時間が固定NANDフラッシュメモリ本体１０６のデータ保持期間に対して所定の割合を超えた場合に、所定の状態になったと判定する。また、NANDフラッシュメモリコントローラ１０５が、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６の使用状況に関する情報をレポートとして出力する機能を備える場合は、フラッシュメモリ状態判定部１０９は、NANDフラッシュメモリコントローラ１０５から出力されるレポートの情報を基づいて、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６が所定の状態になったか否かを判定する。

なお、上記では、データ書き込み回数とNANDフラッシュメモリ本体の最大書き込み回数とを比較する場合と、使用時間とNANDフラッシュメモリ本体のデータ保持期間とを比較する場合を例示したが、双方を比較して所定の状態になったか否かを判定することもできる。

通知部１１０は、フラッシュメモリ状態判定部１０９によりNANDフラッシュメモリ本体が所定の状態になった（予備領域が枯渇すると予測される状態になった）と判定された場合に、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の交換を促す旨の情報を、操作表示部１５０の画面に表示させたり、画像形成装置に予め設けたスピーカから出力させたり、画像形成装置に予め設けたランプを点滅させたりすることによって、ユーザに通知する。

なお、上記書き込み制御部１０８、フラッシュメモリ状態判定部１０９、通知部１１０はハードウェアとして構成してもよいし、制御部を、書き込み制御部１０８、フラッシュメモリ状態判定部１０９、通知部１１０の少なくとも１つとして機能させるフラッシュメモリ交換支援プログラムとして構成し、当該フラッシュメモリ交換支援プログラムをCPU１０３に実行させるようにしてもよい。

また、図１に示すように、画像読取部１２０、画像処理部１３０及び画像形成部１４０は、メインコントローラ１００からの制御を受け、画像形成装置としての機能を提供する。

具体的には、画像読取部１２０は、原稿台上に載置された原稿から画像データを光学的に読み取る部分であり、原稿を走査する光源と、原稿で反射された光を電気信号に変換するＣＣＤ（Charge Coupled Devices）等のイメージセンサと、電気信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器等により構成され、原稿から読み取った画像データをメインコントローラ１００に出力する。

画像処理部１３０は、画像読取部１２０によって読み取られた原稿の画像データに対して、エッジ強調処理やスムージング処理、色変換処理等の画像処理を行う。また、画像処理部１３０は、他の装置から、PostScriptやＰＣＬ（Printer Control Language）に代表されるＰＤＬ（Page Description Language）で記述された印刷データを取得した場合は、印刷データに含まれる各ページをラスタライズしてページ毎の画像データを生成し、生成した画像データに対して上記画像処理を行う。そして、画像処理後の画像データをメインコントローラ１００に出力する。

画像形成部１４０は、画像処理部１３０で画像処理を行った画像データに基づき、用紙への印刷処理を行う。具体的には、電子写真方式の場合は、帯電装置により帯電された感光体ドラムに、露光装置から画像に応じた光を照射して静電潜像を形成し、現像装置で帯電したトナーを付着させて現像し、そのトナー像を転写ベルトに１次転写し、転写ベルトから用紙に２次転写し、更に定着装置で用紙上のトナー像を定着させる処理を行う。

操作表示部１５０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の表示部上に格子状の透明電極からなるタッチセンサなどの操作部が配置されたタッチパネル、ハードキーなどで構成され、画像形成装置の操作画面を提示し、ユーザからの操作を受け付け、操作に応じた信号をメインコントローラ１００に出力する。本実施例では、特に、上記通知部１１０からの情報を通知する画面を表示し、ユーザに着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の交換を促す。

なお、本実施例では、情報処理装置をMFPなどの画像形成装置とし、画像読取部１２０や画像処理部１３０、画像形成部１４０などを備える構成としたが、これらの構成要素は必須ではなく、画像読取部１２０を持たない単機能プリンタや、画像読取部１２０や画像形成部１４０を持たないプリンタコントローラやRIP（Raster Image Processor）コントローラなどとしてもよいし、電話回線による通信機能を備えたファクシミリ装置などとしてもよい。

次に、上記構成のNANDフラッシュメモリ１０４に対して着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７を交換する方法について、図４の模式図及び図５のフローチャート図を参照して説明する。画像形成装置は、CPU１０３が、ROM１０２やNANDフラッシュメモリ１０４内に記憶されたプログラムを実行することにより、図５のフローチャートに示す各ステップの処理を実現する。なお、図４では、NANDフラッシュメモリ１０４内にNANDフラッシュメモリ本体を４つ備え、その内の２つを固定NANDフラッシュメモリ本体１０６とし、他の２つを着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７とするが、NANDフラッシュメモリ本体は複数であればよく、少なくとも１つが着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７であればよい。

電源オフ状態である画像形成装置に対して、使用者が電源スイッチをオンにして電源を投入すると（Ｓ１０１）、メインコントローラ１００は、装置初期化処理を実行する（Ｓ１０２）。そして、装置初期化処理が完了したら、メインコントローラ１００は、操作表示部１５０にユーザインターフェース画面を表示させ、使用者が画像形成装置を操作可能な状態にする。

次に、メインコントローラ１００（フラッシュメモリ状態判定部１０９）は、画像形成装置に搭載されているNANDフラッシュメモリ１０４（着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７及び固定NANDフラッシュメモリ本体１０６）の経時的な使用状態を監視し（Ｓ１０３）、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７及び／又は固定NANDフラッシュメモリ本体１０６が予め定めた所定の状態（予備領域が枯渇すると予測される状態）になったか否かを判定する（Ｓ１０４）。

NANDフラッシュメモリ１０４が所定の状態になっていないと判定された場合（Ｓ１０４のＮｏ）、Ｓ１０３に戻って定期的にNANDフラッシュメモリ１０４の使用状況を監視する。一方、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７及び／又は固定NANDフラッシュメモリ本体１０６が所定の状態になったと判定された場合（Ｓ１０４のＹｅｓ）、メインコントローラ１００（通知部１１０）は、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の交換を促す旨の情報を表示したり、スピーカから出力したり、ランプを点滅させたりしてユーザに通知する（Ｓ１０５）。なお、通知内容は特に限定されないが、予備領域が枯渇すると予測される状態になっていることから、サービスマンが着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の交換を行うまでは画像形成装置の使用を控えるようにユーザに促すなどの情報を付加してもよい。

この通知に対して、ユーザがサービスマンを呼ぶと、図４（ａ）に示すように、サービスマンは交換対象の着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７（図では着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ａ）に保存されているデータを他のNANDフラッシュメモリ本体（固定NANDフラッシュメモリ本体１０６又は他の着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７）やメインコントローラ１００のRAM１０１、画像形成装置に内蔵又は外付けされたHDDなどに待避させる（Ｓ１０６）。

その後、図４（ｂ）に示すように、サービスマンは交換対象の着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７をNANDフラッシュメモリ１０４から取り外し（Ｓ１０７）、代替の着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７（図では着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｂ）をNANDフラッシュメモリ１０４に取り付ける（Ｓ１０８）。

そして、サービスマンは取り外した着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ａを潰したり切断したりするなどして物理的に破壊し（Ｓ１０９）、一連のNANDフラッシュメモリ本体の交換作業を終了する。

このように、NANDフラッシュメモリ１０４を複数のNANDフラッシュメモリ本体とNANDフラッシュメモリコントローラとで構成し、複数のNANDフラッシュメモリ本体の内の予備領域に使用可能な少なくとも１つのNANDフラッシュメモリ本体を交換可能な構造とし、予備領域が枯渇すると予測された場合にNANDフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行うことにより、予備領域が枯渇して装置に不具合が生じる前に、一部のNANDフラッシュメモリ本体のみを適切に交換することができる。また、取り外したNANDフラッシュメモリ本体は容易に物理的に破壊することができるため、NANDフラッシュメモリ本体に保存されたデータの漏洩を未然に防ぎ、NANDフラッシュメモリ本体を安全に廃棄することができる。

次に、本発明の第２の実施例に係る情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラムについて、図６を参照して説明する。図６は、本実施例のNANDフラッシュメモリの構成例を示すブロック図である。

前記した第１の実施例では、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７をエラー訂正のための予備領域として使用する場合について記載したが、本実施例では、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｃに装置を動作させるためのプログラムを格納する。そして、装置を設置する時にプログラムを格納した着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｃをNANDフラッシュメモリ１０４に組み込む。

これにより、MFPのように倉庫に長時間保管されてからユーザ先に設置されるような装置に対しても、MOSトランジスタの電荷の保持力が低下することにより、着荷時に起動エラーなどのトラブルが発生したり、印字不良や読み取りエラーといったトラブルが発生したりするといった不具合を未然に防ぐことができる。

次に、本発明の第３の実施例に係る情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラムについて、図７を参照して説明する。図７は、本実施例のNANDフラッシュメモリにおけるウェアレベリングを説明する図である。

通常のウェアレベリング制御においては、図７（ａ）に示すように、NANDフラッシュメモリ１０４全体として書き込み頻度が均一となるように制御し、データ保持期間を延ばして延命を図るが、本実施例のように、NANDフラッシュメモリ１０４内に複数のNANDフラッシュメモリ本体を備える構造の場合は、各々のNANDフラッシュメモリ本体で書き込み頻度を変化させた方が、NANDフラッシュメモリ１０４全体としての寿命を延ばすことができる。

具体的には、図７（ｂ）に示すように、メインコントローラ１００の制御部（書き込み制御部１０８）は、NANDフラッシュメモリ１０４のNANDフラッシュメモリコントローラ１０５を制御して、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６と着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７とに対して異なる条件でウェアレベリング制御を行う。例えば、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６は交換しないため、できるだけデータ保持期間を延ばす必要があることから、書き込み頻度が低くなる条件でウェアレベリング制御（図の第１のウェアレベリング制御）を行う。一方、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７は適宜交換可能なため、書き込み頻度が高くなる条件でウェアレベリング制御（図の第２のウェアレベリング制御）を行う。これにより、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７を適宜交換することによってNANDフラッシュメモリ１０４全体のデータ保持期間を延長することができ、装置寿命を延ばすことができる。

更に、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７を複数備える場合は、図７（ｃ）に示すように、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７毎に異なる条件でウェアレベリング制御を行うこともできる。例えば、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｄには相対的に秘密性の高いデータを格納し、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｅには相対的に秘密性の低いデータを格納する場合、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｄに対しては書き込み頻度が低くなる条件でウェアレベリング制御（図の第２のウェアレベリング制御）を行い、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｅに対しては書き込み頻度が高くなる条件でウェアレベリング制御（図の第３のウェアレベリング制御）を行う。これにより、装置寿命を延ばすことができると共に、相対的に秘密性の低いデータが格納された着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｅを交換すればよいため、秘密情報が漏洩する危険性を低減することが可能となる。

また、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｄには相対的に記憶容量の大きい又は相対的に価格の高いものを使用し、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｅには相対的に記憶容量の小さい又は相対的に価格の低いものを使用した場合、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｄに対しては書き込み頻度が低くなる条件でウェアレベリング制御（図の第２のウェアレベリング制御）を行い、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７ｅに対しては書き込み頻度が高くなる条件でウェアレベリング制御（図の第３のウェアレベリング制御）を行う。これにより、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７の交換の費用を低減することが可能となる。

次に、本発明の第４の実施例に係る情報処理装置及びフラッシュメモリの交換支援方法並びに交換支援プログラムについて、図８を参照して説明する。図８は、本実施例のNANDフラッシュメモリに保存するデータ種別を示すテーブルである。

前記した第１の実施例では、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７にエラーが発生したブロックのデータを格納し、第２の実施例では、装置を起動するためのプログラムを格納したが、固定NANDフラッシュメモリ本体１０６と着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７に保存するデータの種別を調整することにより、装置全体の寿命を延ばすことができる。

例えば、MFPなどの画像形成装置では、取り扱うデータの種類が多く、その中には、頻繁に更新する情報（例えば、ジョブ履歴情報やカウンタ情報）、頻繁に書き込み／読み出しが行われる情報（例えば、画像データ）、書き込み頻度が低い情報（例えば、プログラムやフォントデータ、操作表示部１５０に表示する表示データ、印刷や表示に利用する言語データ）などがある。そして、頻繁に更新する情報や頻繁に書き込み／読み出しが行われる情報を格納するNANDフラッシュメモリ本体はデータ保持期間が短くなり、読み出しのみが行われる情報を格納するNANDフラッシュメモリ本体はデータ保持期間が長くなる。

そこで、本実施例では、図８のテーブルに示すように、書き込み頻度が低い情報は固定NANDフラッシュメモリ本体１０６に保存してデータ保持期間の低下を抑制し、頻繁に更新する情報や頻繁に書き込み／読み出しが行われる情報は着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７に保存してデータ保持期間が短くなったら交換するようにする。

これにより、着脱NANDフラッシュメモリ本体１０７のデータ保持期間が低下して寿命が短くなったとしても、消耗品扱いで交換を繰り返すことによって画像形成装置全体の寿命を延ばすことができる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、その構成や制御方法は適宜変更可能である。

例えば、上記実施例では、情報処理装置として画像形成装置を例示したが、情報処理装置は画像形成装置に限らず、NANDフラッシュメモリ１０４を記憶媒体として使用する任意の装置に対して、本発明のフラッシュメモリの構造及び交換方法を同様に適用することができる。

本発明は、フラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置及びフラッシュメモリの交換を支援する方法並びに交換を支援するプログラム並びに当該プログラムを記録した記録媒体に利用可能である。

１００ メインコントローラ
１０１ RAM
１０２ ROM
１０３ CPU
１０４ NANDフラッシュメモリ
１０５ NANDフラッシュメモリコントローラ
１０６ 固定NANDフラッシュメモリ本体
１０７、１０７ａ〜１０７ｅ 着脱NANDフラッシュメモリ本体
１０８ 書き込み制御部
１０９ フラッシュメモリ状態判定部
１１０ 通知部
１２０ 画像読取部
１３０ 画像処理部
１４０ 画像形成部
１５０ 操作表示部

Claims (10)

1. NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置において、
   前記フラッシュメモリは、データを格納する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体を少なくとも１つ備え、
   前記フラッシュメモリを制御する制御部は、
   前記複数のフラッシュメモリ本体の内のいずれかのフラッシュメモリ本体が予め定めた所定の状態になったか否かを判定するフラッシュメモリ状態判定部と、
   前記いずれかのフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定された場合に、前記第１のフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行う通知部と、を備え、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱できない第２のフラッシュメモリ本体を含み、前記第１のフラッシュメモリ本体は、前記第２のフラッシュメモリ本体のエラー発生ブロックと置き換えるための予備領域として使用されるものであり、
   前記フラッシュメモリ状態判定部は、前記第２のフラッシュメモリ本体の前記エラー発生ブロックの数を算出し、前記算出したブロックの数が、前記第１のフラッシュメモリ本体の前記予備領域のサイズに対して所定の割合を超えた場合に、前記第２のフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定する、ことを特徴とする情報処理装置。
2. 前記第１のフラッシュメモリ本体は、前記情報処理装置を動作させるプログラムを保存する記憶媒体として使用される、ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
3. 前記フラッシュメモリ状態判定部は、前記第１のフラッシュメモリ本体の残り寿命を算出し、前記算出した残り寿命が、予め定められた前記第１のフラッシュメモリ本体の寿命に対して所定の割合未満となった場合に、前記第１のフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
4. 前記制御部は、更に、
   前記第１のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度が前記第２のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度よりも高くなるように、前記コントローラにデータの書き込みを指示する書き込み制御部を備える、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の情報処理装置。
5. NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置において、
   前記フラッシュメモリは、データを記憶する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体と、前記コントローラから着脱できない第２のフラッシュメモリ本体と、を備え、
   前記フラッシュメモリを制御する制御部は、
   前記第１のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度が前記第２のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度よりも高くなるように、前記コントローラにデータの書き込みを指示する書き込み制御部を備え、
   前記書き込み制御部は、前記複数のフラッシュメモリ本体が複数の前記第１のフラッシュメモリ本体を含む場合、各々の前記第１のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度が異なるように、前記コントローラにデータの書き込みを指示する、ことを特徴とする情報処理装置。
6. 前記情報処理装置は画像形成装置であり、
   前記第１のフラッシュメモリ本体に書き込まれるデータは、ジョブ履歴情報、カウンタ情報、画像データの中から選択される１つを含み、
   前記第２のフラッシュメモリ本体に書き込まれるデータは、プログラム、フォントデータ、表示データの、言語データの中から選択される１つを含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の情報処理装置。
7. NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置におけるフラッシュメモリの交換支援方法であって、
   前記フラッシュメモリは、データを記憶する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体を少なくとも１つ備え、
   前記情報処理装置は、
   前記複数のフラッシュメモリ本体の内のいずれかのフラッシュメモリ本体が予め定めた所定の状態になったか否かを判定するフラッシュメモリ状態判定処理と、
   前記いずれかのフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定した場合に、前記第１のフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行う通知処理と、を実行し、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱できない第２のフラッシュメモリ本体を含み、前記第１のフラッシュメモリ本体は、前記第２のフラッシュメモリ本体のエラー発生ブロックと置き換えるための予備領域として使用されるものであり、
   前記フラッシュメモリ状態判定処理では、前記第２のフラッシュメモリ本体の前記エラー発生ブロックの数を算出し、前記算出したブロックの数が、前記第１のフラッシュメモリ本体の前記予備領域のサイズに対して所定の割合を超えた場合に、前記第２のフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定する、ことを特徴とするフラッシュメモリの交換支援方法。
8. NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置におけるフラッシュメモリの交換支援方法であって、
   前記フラッシュメモリは、データを記憶する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体と、前記コントローラから着脱できない第２のフラッシュメモリ本体と、を備え、
   前記情報処理装置は、
   前記第１のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度が前記第２のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度よりも高くなるように、前記コントローラにデータの書き込みを指示する書き込み制御処理を実行し、
   前記書き込み制御処理では、前記複数のフラッシュメモリ本体が複数の前記第１のフラッシュメモリ本体を含む場合、各々の前記第１のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度が異なるように、前記コントローラにデータの書き込みを指示する、ことを特徴とするフラッシュメモリの交換支援方法。
9. NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置で動作するフラッシュメモリ交換支援プログラムであって、
   前記フラッシュメモリは、データを記憶する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体を少なくとも１つ備え、
   前記情報処理装置に、
   前記複数のフラッシュメモリ本体の内のいずれかのフラッシュメモリ本体が予め定めた所定の状態になったか否かを判定するフラッシュメモリ状態判定処理、
   前記いずれかのフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定された場合に、前記第１のフラッシュメモリ本体の交換を促す警告を行う通知処理、を実行させ、
   前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱できない第２のフラッシュメモリ本体を含み、前記第１のフラッシュメモリ本体は、前記第２のフラッシュメモリ本体のエラー発生ブロックと置き換えるための予備領域として使用されるものであり、
   前記フラッシュメモリ状態判定処理では、前記第２のフラッシュメモリ本体の前記エラー発生ブロックの数を算出し、前記算出したブロックの数が、前記第１のフラッシュメモリ本体の前記予備領域のサイズに対して所定の割合を超えた場合に、前記第２のフラッシュメモリ本体が前記所定の状態になったと判定する、ことを特徴とするフラッシュメモリ交換支援プログラム。
10. NAND型のフラッシュメモリを記憶媒体として使用する情報処理装置で動作するフラッシュメモリ交換支援プログラムであって、
    前記フラッシュメモリは、データを記憶する複数のフラッシュメモリ本体と、前記複数のフラッシュメモリ本体に対してデータの書き込み／読み出しを行うコントローラと、で構成され、
    前記複数のフラッシュメモリ本体は、前記コントローラに対して着脱可能な第１のフラッシュメモリ本体と、前記コントローラから着脱できない第２のフラッシュメモリ本体と、を備え、
    前記情報処理装置に、
    前記第１のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度が前記第２のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度よりも高くなるように、前記コントローラにデータの書き込みを指示する書き込み制御処理を実行させ、
    前記書き込み制御処理では、前記複数のフラッシュメモリ本体が複数の前記第１のフラッシュメモリ本体を含む場合、各々の前記第１のフラッシュメモリ本体に対するデータの書き込み頻度が異なるように、前記コントローラにデータの書き込みを指示する、ことを特徴とするフラッシュメモリ交換支援プログラム。

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