JP6284797B2 - インダクタ、コイル基板及びコイル基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インダクタ、コイル基板及びコイル基板の製造方法に関するものである。

近年、ゲーム機や携帯電話機等の電子機器の小型化が加速化しており、これに伴って、このような電子機器に搭載されるインダクタ等の各種素子に対しても小型化の要求が高まっている。このような電子機器に搭載されるインダクタとしては、例えば、巻き線コイルを用いたものが知られている。巻き線コイルを用いたインダクタは、例えば、電子機器の電源回路等に用いられている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−１６８６１０号公報

しかしながら、巻き線コイルを用いたインダクタの小型化の限界は、平面形状が１．６ｍｍ×１．６ｍｍ程度であると考えられている。これは、巻き線の太さに限界があるため、これ以上に小型化しようとすると、インダクタの総面積に対する巻き線の体積の割合が減少し、インダクタンスを大きくすることができないためである。このため、小型化が容易に実現可能なインダクタの開発が望まれている。

本発明の一観点によれば、基板と、前記基板の下面に積層された第１構造体と、前記基板の上面に積層された複数の第２構造体とを有する積層体と、前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔と、前記積層体の表面を被覆する絶縁膜と、を有し、前記第１構造体は、前記基板の下面に積層された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下面に積層され前記積層体の最下層に形成された第１配線とを有し、前記各第２構造体は、第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下面に積層され、側面の一部が前記第２絶縁層により被覆された第２配線とを有し、前記絶縁膜は、前記貫通孔の内壁面から露出される、前記第１配線の側面及び前記第２配線の側面の一部を被覆するとともに、前記第１配線の下面を被覆し、前記第１配線の端部に第１接続部が設けられ、前記積層体の最上層の前記第２配線の端部に第２接続部が設けられ、前記第１接続部及び前記第２接続部が前記絶縁膜から露出され、上下に隣接する前記第１配線と前記第２配線とが直列に接続され、上下に隣接する前記第２配線同士が直列に接続されて螺旋状のコイルが形成され、前記基板の厚さは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層よりも厚く設定されている。

本発明の一観点によれば、小型化することができるという効果を奏する。

一実施形態のコイル基板を示す概略平面図。 一実施形態のコイル基板の一部を拡大した拡大平面図。 一実施形態のコイル基板を示す概略断面図。 一実施形態のコイル基板を示す概略断面図。 一実施形態の積層体の分解斜視図。 一実施形態の積層体の分解斜視図。 一実施形態の配線を示す概略斜視図。 （ａ）は、個片化後のコイル基板を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態のインダクタを示す概略断面図。 一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１０（ｂ）における１０ａ−１０ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１０（ｂ）における１０ａ−１０ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１１（ｃ）における１１ｂ−１１ｂ断面図）、（ｃ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１２（ｃ）における１２ａ−１２ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１２（ｃ）における１２ｂ−１２ｂ断面図）、（ｃ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）〜（ｃ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１４（ａ）における１４ｂ−１４ｂ断面図）、（ｃ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１４（ａ）における１４ｃ−１４ｃ断面図）。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１５（ｂ）における１５ａ−１５ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）〜（ｃ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１７（ｂ）における１７ａ−１７ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１９（ｂ）における１９ａ−１９ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２２（ｃ）における２２ａ−２２ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２２（ｃ）における２２ｂ−２２ｂ断面図）、（ｃ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 成形前の配線を示す概略斜視図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２７（ｂ）における２７ａ−２７ａ断面図）、（ｂ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）は、一実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。

以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。

まず、コイル基板１０の構造について説明する。
図１に示すように、コイル基板１０は、例えば、平面視矩形状に形成されている。コイル基板１０は、複数の個別領域Ａ１が設けられたブロック１１と、ブロック１１よりも外側に突出して形成された外枠１３とを有している。ブロック１１は、例えば、平面視略矩形状に形成されている。ブロック１１には、複数の個別領域Ａ１がマトリクス状（ここでは、２×６）に設けられている。ここで、個別領域Ａ１は、最終的に破線に沿って切断されて個片化され、各々個別の単位コイル基板（コイル基板）２０となる領域である。すなわち、ブロック１１は、個々のコイル基板２０となる個別領域Ａ１を複数有する領域である。

なお、複数の個別領域Ａ１は、図１に示すように所定の間隔を介して配列されてもよいし、互いに接するように配列されてもよい。また、図１に示した例では、ブロック１１は、１２個の個別領域Ａ１を有するが、個別領域Ａ１の数は特に制限されない。

ブロック１１は、複数のコイル基板２０を連結する連結部１２を有している。連結部１２は、複数のコイル基板２０を囲むように形成されている。連結部１２は、複数のコイル基板２０を支持している。

外枠１３は、例えば、コイル基板１０の両端領域に形成されている。外枠１３は、例えば、ブロック１１の短辺から外側に張り出すように形成されている。この外枠１３には、複数のスプロケットホール１３Ｘが形成されている。複数のスプロケットホール１３Ｘは、例えば、コイル基板１０の短手方向（図中の上下方向）に沿って略一定間隔で連続的に形成されている。各スプロケットホール１３Ｘの平面形状は、例えば、平面視略矩形状に形成されている。なお、スプロケットホール１３Ｘは、コイル基板１０を製造する過程でコイル基板１０が各種製造装置等に装着された際に、モータ等により駆動されるスプロケットのピンと噛み合って、コイル基板１０をピッチ送りするための貫通孔（つまり、搬送用の貫通孔）である。このため、隣接するスプロケットホール１３Ｘの間隔は、製造過程でコイル基板１０が装着される製造装置に対応して設定される。なお、コイル基板１０のうち個別領域Ａ１以外の部分（つまり、連結部１２及び外枠１３）は、個片化の際に廃棄される部分である。

次に、図２〜図７に従って、個々のコイル基板２０の構造について説明する。
図２に示すように、各個別領域Ａ１に設けられたコイル基板２０は、例えば、平面視略長方形状に形成されている。本例のコイル基板２０の平面形状は、長方形の角部が面取りされるように形成され、さらに長方形の短辺から外側（図中上側及び図中下側）に突出する突出部２１，２２が形成されている。コイル基板２０の平面形状は、図２に示した形状に限定されず、任意の形状とすることができる。また、コイル基板２０の平面形状は、任意の大きさとすることができる。例えば、コイル基板２０の平面形状は、当該コイル基板２０を用いて図８（ｂ）に示すインダクタ９０を製造した際に、そのインダクタ９０の平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度の略矩形状となる程度の大きさとすることができる。コイル基板２０の厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。

また、コイル基板２０の平面視略中央部には、貫通孔２０Ｘが形成されている。貫通孔２０Ｘは、コイル基板２０を厚さ方向に貫通するように形成されている。貫通孔２０Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔２０Ｘの平面形状は、略楕円形状又は略長円形状とすることができる。

コイル基板２０と連結部１２との間には、当該コイル基板２０を画定する開口部２０Ｙが形成されている。開口部２０Ｙは、コイル基板１０を厚さ方向に貫通するように形成されている。

図３及び図４に示すように、コイル基板２０は、大略すると、基板３０と、基板３０の下面３０Ａに積層された構造体４１と、基板３０の上面３０Ｂに積層された構造体４２〜４７とを含む積層体２３を有し、その積層体２３の表面を被覆する絶縁膜２５を有している。

積層体２３の平面形状は、コイル基板２０の平面形状と同様の形状に形成されている。例えば、積層体２３の平面形状は、絶縁膜２５の分だけコイル基板２０の平面形状よりも一回り小さく形成されている。また、積層体２３の平面視略中央部には、当該積層体２３を厚さ方向に貫通する貫通孔２３Ｘが形成されている。貫通孔２３Ｘの平面形状は、例えば、貫通孔２０Ｘの平面形状と同様に、略楕円形状又は略長円形状とすることができる。

積層体２３では、基板３０の上面３０Ｂに、接着層７１を介して構造体４２が積層され、構造体４２上に、接着層７２を介して構造体４３が積層され、構造体４３上に、接着層７３を介して構造体４４が積層されている。また、積層体２３では、構造体４４上に、接着層７４を介して構造体４５が積層され、構造体４５上に、接着層７５を介して構造体４６が積層され、構造体４６上に、接着層７６を介して構造体４７が積層されている。

ここで、接着層７１〜７６としては、例えば、エポキシ系接着剤等の絶縁性樹脂製の耐熱性接着剤を用いることができる。接着層７１〜７６の厚さは、例えば、１２〜３５μｍ程度とすることができる。

図４に示すように、構造体４１は、絶縁層５１と、配線６１と、接続部６１Ａと、金属層６１Ｄとを有し、構造体４２は、絶縁層５２と、配線６２と、金属層６２Ｄとを有し、構造体４３は、絶縁層５３と、配線６３と、金属層６３Ｄとを有している。構造体４４は、絶縁層５４と、配線６４と、金属層６４Ｄとを有し、構造体４５は、絶縁層５５と、配線６５と、金属層６５Ｄとを有している。構造体４６は、絶縁層５６と、配線６６と、金属層６６Ｄとを有し、構造体４７は、絶縁層５７と、配線６７と、接続部６７Ａと、金属層６７Ｄとを有している。

ここで、絶縁層５１〜５７の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層５１〜５７の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層５１〜５７は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。なお、絶縁層５１〜５７の熱膨張係数は、例えば、５０〜１２０ｐｐｍ／℃程度とすることができる。絶縁層５１〜５７の厚さは、例えば、１２〜２０μｍ程度とすることができる。

また、最下層の配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄの材料としては、例えば、基板３０よりも絶縁膜２５との密着性が高い金属材料であることが好ましい。例えば、配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄの材料としては、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。同様に、配線６２〜６７、接続部６７Ａ及び金属層６２Ｄ〜６７Ｄの材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。配線６１〜６７、接続部６１Ａ，６７Ａ及び金属層６１Ｄ〜６７Ｄの厚さは、例えば、１２〜３５μｍ程度とすることができる。

基板３０としては、例えば、シート状の絶縁基板を用いることができる。基板３０の材料としては、例えば、当該基板３０の熱膨張係数が絶縁層５１〜５７の熱膨張係数よりも低くなるように調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。例えば、基板３０の熱膨張係数は、１０〜２５ｐｐｍ／℃程度に設定されている。また、基板３０の材料としては、例えば、耐熱性に優れた材料であることが好ましい。さらに、基板３０の材料としては、絶縁層５１〜５７よりも弾性率の高い材料であることが好ましい。このような基板３０としては、例えば、ポリイミド（ＰＩ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム等の樹脂フィルムを用いることができる。基板３０としては、熱膨張係数の低いポリイミドフィルムを好適に用いることができる。基板３０の厚さは、例えば、絶縁層５１〜５７よりも厚く設定されている。例えば、基板３０の厚さは、１２〜５０μｍ程度とすることができる。このような基板３０は、絶縁層５１〜５７よりも高い剛性を持つ。

図４及び図５に示すように、基板３０には、当該基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３０Ｘが形成されている。貫通孔３０Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔３０Ｘの平面形状は、直径が１５０μｍ程度の円形状とすることができる。

次に、構造体４１の構造について説明する。
絶縁層５１は、基板３０の下面３０Ａに積層されている。絶縁層５１には、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通する貫通孔５１Ｘが形成されている。貫通孔５１Ｘは、基板３０の貫通孔３０Ｘと連通するように形成されている。すなわち、貫通孔５１Ｘは、貫通孔３０Ｘと平面視で重複する位置に形成されている。このように連通する貫通孔３０Ｘ，５１Ｘ内には、ビア配線Ｖ１が形成されている。ビア配線Ｖ１は、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘを充填するように形成されている。ビア配線Ｖ１は、配線６１と電気的に接続されている。なお、ビア配線Ｖ１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄは、絶縁層５１の下面に積層されている。配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄは、積層体２３の最下層に形成されている。配線６１の幅は、例えば、５０〜１３０μｍ程度とすることができる。配線６１は、コイルの一部となる配線であり、コイルの１層目の配線（約１巻）である。なお、以下の説明では、コイルの一部となる配線における渦巻きに沿う方向を長手方向、その長手方向と平面視で直交する幅方向を短手方向とする。

図５に示すように、配線６１の平面形状は、略楕円形状に形成されている。但し、配線６１には、所要箇所に当該配線６１の短手方向（幅方向）及び厚さ方向を貫通する溝部６１Ｘが形成されており、配線６１は非環状に形成されている。配線６１の短手方向の断面形状は、例えば、略矩形状とすることができる。

接続部６１Ａは、配線６１の一端部に形成されている。接続部６１Ａは、コイル基板２０の突出部２１（図２参照）に対応する位置に形成されている。接続部６１Ａは、配線６１と一体に形成されている。換言すると、接続部６１Ａは、配線６１の一部である。この接続部６１Ａは、連結部１２に形成された金属層８１と電気的に接続されている。金属層８１は、例えば、めっき給電用の給電ラインである。なお、接続部６１Ａは、コイル基板２０が個片化されたときに、その個片化後のコイル基板２０の側面２０Ａ（図８（ａ）参照）から露出する。この露出した接続部６１Ａにはインダクタの電極が接続される。

金属層６１Ｄは、配線６１と離間して形成されている。具体的には、金属層６１Ｄと配線６１との間には溝部６１Ｙが形成されている。すなわち、金属層６１Ｄは、溝部６１Ｙによって配線６１と電気的に絶縁されている。金属層６１Ｄは、例えば、構造体４１に形成された導電層（配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄ）の形状と、他の構造体に形成された導電層（例えば、配線６７、接続部６７Ａ及び金属層６１Ｄ）の形状との差を小さくするために設けられたダミーパターンである。金属層６１Ｄは、コイル基板２０の突出部２２（図２参照）に対応する位置に形成されている。具体的には、金属層６１Ｄは、最上層の構造体４７に形成された接続部６７Ａと平面視で重複する位置に設けられている。なお、金属層６１Ｄは、コイル基板２０が個片化されたときに、他の配線や金属層と電気的に接続されずに、電気的に孤立（フローティング）した状態となる。

次に、基板３０の上面３０Ｂに積層された構造体の構造について説明する。
図４に示すように、基板３０の上面３０Ｂには、接着層７１が積層されている。接着層７１には、当該接着層７１を厚さ方向に貫通して、基板３０の貫通孔３０Ｘと連通する貫通孔７１Ｘが形成されている。

構造体４２は、接着層７１を介して、基板３０の上面３０Ｂに積層されている。配線６２及び金属層６２Ｄは、接着層７１上に積層されている。図５に示すように、配線６２は、平面視略コ字状に形成されている。配線６２は、コイルの一部となる配線であり、コイルの２層目の配線（１巻の約３／４）である。

金属層６２Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６２Ｄの一部は、溝部６２Ｙによって配線６２と離間して形成されている。この金属層６２Ｄは、接続部６１Ａ，６７Ａと平面視で重複する位置に形成されている。また、金属層６２Ｄの一部は、溝部６２Ｚによって配線６２と離間して形成されている。この金属層６２Ｄは、配線６１の一部と平面視で重複する位置に形成されている。

図４に示すように、絶縁層５２は、配線６２及び金属層６２Ｄの側面及び上面を被覆するように接着層７１上に積層されている。
構造体４２には、絶縁層５２及び配線６２を厚さ方向に貫通して、接着層７１の貫通孔７１Ｘと連通する貫通孔４２Ｘが形成されている。連通する貫通孔４２Ｘ，７１Ｘ内には、ビア配線Ｖ２が充填されている。このビア配線Ｖ２は、基板３０の貫通孔３０Ｘ及び絶縁層５１の貫通孔５１Ｘに充填されたビア配線Ｖ１と電気的に接続されている。そして、２層目の配線６２は、ビア配線Ｖ１，Ｖ２からなる貫通電極を介して、１層目の配線６１と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ１，Ｖ２からなる貫通電極は、絶縁層５１と、基板３０と、接着層７１と、配線６２と、絶縁層５２とを貫通して形成されている。また、構造体４２には、絶縁層５２を厚さ方向に貫通して、配線６２の上面の一部を露出する貫通孔４２Ｙが形成されている。貫通孔４２Ｙには、ビア配線Ｖ３が充填されている。配線６２は、ビア配線Ｖ３と電気的に接続されている。なお、ビア配線Ｖ２，Ｖ３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

絶縁層５２上には、接着層７２が積層されている。接着層７２には、当該接着層７２を厚さ方向に貫通して、構造体４２の貫通孔４２Ｙと連通する貫通孔７２Ｘが形成されている。

構造体４３は、接着層７２を介して、構造体４２上に積層されている。配線６３及び金属層６３Ｄは、接着層７２上に積層されている。絶縁層５３は、配線６３及び金属層６３Ｄの側面及び上面を被覆するように接着層７２上に積層されている。

図５に示すように、配線６３は、平面視略楕円形状に形成されている。但し、配線６３には、所要箇所に当該配線６３の短手方向（幅方向）及び厚さ方向を貫通する溝部６３Ｘが形成されており、配線６３は非環状に形成されている。配線６３は、コイルの一部となる配線であり、コイルの３層目の配線（約１巻）である。

金属層６３Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６３Ｄは、例えば、溝部６３Ｙによって配線６３と離間して形成されている。金属層６３Ｄは、例えば、接続部６１Ａ，６７Ａと平面視で重複する位置に形成されている。

図４に示すように、構造体４３には、絶縁層５３及び配線６３を厚さ方向に貫通して、接着層７２の貫通孔７２Ｘと連通する貫通孔４３Ｘが形成されている。連通する貫通孔４３Ｘ，７２Ｘ内には、ビア配線Ｖ４が充填されている。このビア配線Ｖ４は、構造体４３の貫通孔４２Ｙに充填されたビア配線Ｖ３と電気的に接続されている。そして、３層目の配線６３は、ビア配線Ｖ３，Ｖ４からなる貫通電極を介して、２層目の配線６２と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ３，Ｖ４からなる貫通電極は、上下に隣接する構造体４２，４３のうち下側の構造体４２の絶縁層５２と、接着層７２と、上側の構造体４３の配線６３及び絶縁層５３とを貫通して形成されている。また、構造体４３には、絶縁層５３を厚さ方向に貫通して、配線６３の上面の一部を露出する貫通孔４３Ｙが形成されている。この貫通孔４３Ｙには、ビア配線Ｖ５（図７参照）が充填されている。配線６３は、ビア配線Ｖ５と電気的に接続されている。なお、ビア配線Ｖ４，Ｖ５の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

絶縁層５３上には、接着層７３が積層されている。接着層７３には、当該接着層７３を厚さ方向に貫通して、構造体４３の貫通孔４３Ｙと連通する貫通孔７３Ｘが形成されている。

図４に示すように、構造体４４は、接着層７３を介して、構造体４３上に積層されている。配線６４及び金属層６４Ｄは、接着層７３上に積層されている。絶縁層５４は、配線６４及び金属層６４Ｄの側面及び上面を被覆するように接着層７３上に積層されている。なお、構造体４４は、構造体４２と同一の構造であり、例えば図５に示すように、構造体４２を絶縁層５２の上面の法線を軸に１８０度回転させた構造に相当する構造を有している。

配線６４は、平面視略コ字状に形成されている。配線６４は、コイルの一部となる配線であり、コイルの４層目の配線（１巻の約３／４）である。金属層６４Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６４Ｄの一部は、例えば、溝部６４Ｙによって配線６４と離間して形成されている。この金属層６４Ｄは、例えば、接続部６１Ａ，６７Ａと平面視で重複する位置に形成されている。また、金属層６４Ｄの一部は、溝部６４Ｚによって配線６４と離間して形成されている。この金属層６４Ｄは、配線６３の一部と平面視で重複する位置に形成されている。

構造体４４には、絶縁層５４及び配線６４を厚さ方向に貫通して、接着層７３の貫通孔７３Ｘと連通する貫通孔４４Ｘが形成されている。連通する貫通孔４４Ｘ，７３Ｘ内には、ビア配線Ｖ６（図７参照）が充填されている。このビア配線Ｖ６は、構造体４３の貫通孔４３Ｙに充填されたビア配線Ｖ５（図７参照）と電気的に接続されている。そして、４層目の配線６４は、ビア配線Ｖ５，Ｖ６からなる貫通電極を介して、３層目の配線６３と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ５，Ｖ６からなる貫通電極は、上下に隣接する構造体４３，４４のうち下側の構造体４３の絶縁層５３と、接着層７３と、上側の構造体４４の配線６４及び絶縁層５４とを貫通して形成されている。また、構造体４４には、絶縁層５４を厚さ方向に貫通して、配線６４の上面の一部を露出する貫通孔４４Ｙが形成されている。この貫通孔４４Ｙには、ビア配線Ｖ７（図７参照）が充填されている。配線６４は、ビア配線Ｖ７と電気的に接続されている。なお、ビア配線Ｖ６，Ｖ７の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

図６に示すように、絶縁層５４上には、接着層７４が積層されている。接着層７４には、当該接着層７４を厚さ方向に貫通して、構造体４４の貫通孔４４Ｙと連通する貫通孔７４Ｘが形成されている。

図４に示すように、構造体４５は、接着層７４を介して、構造体４４上に積層されている。配線６５及び金属層６５Ｄは、接着層７４上に積層されている。絶縁層５５は、配線６５及び金属層６５Ｄの側面及び上面を被覆するように接着層７４上に積層されている。なお、図５及び図６に示すように、構造体４５は、構造体４３と同一の構造であり、構造体４３を絶縁層５３の上面の法線を軸に１８０度回転させた構造に相当する構造を有している。

図６に示すように、配線６５は、平面視略楕円形状に形成されている。但し、配線６５には、所要箇所に当該配線６５の短手方向（幅方向）及び厚さ方向を貫通する溝部６５Ｘが形成されており、配線６５は非環状に形成されている。配線６５は、コイルの一部となる配線であり、コイルの５層目の配線（約１巻）である。金属層６５Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６５Ｄは、例えば、溝部６５Ｙによって配線６５と離間して形成されている。この金属層６５Ｄは、例えば、接続部６１Ａ，６７Ａと平面視で重複する位置に形成されている。

構造体４５には、絶縁層５５及び配線６５を厚さ方向に貫通して、接着層７４の貫通孔７４Ｘと連通する貫通孔４５Ｘが形成されている。連通する貫通孔４５Ｘ，７４Ｘ内には、ビア配線Ｖ８（図７参照）が充填されている。このビア配線Ｖ８は、構造体４４の貫通孔４４Ｙに充填されたビア配線Ｖ７（図７参照）と電気的に接続されている。そして、５層目の配線６５は、ビア配線Ｖ７，Ｖ８からなる貫通電極を介して、４層目の配線６４と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ７，Ｖ８からなる貫通電極は、上下に隣接する構造体４４，４５のうち下側の構造体４４の絶縁層５４と、接着層７４と、上側の構造体４５の配線６５及び絶縁層５５とを貫通して形成されている。また、図４に示すように、構造体４５には、絶縁層５５を厚さ方向に貫通して、配線６５の上面の一部を露出する貫通孔４５Ｙが形成されている。この貫通孔４５Ｙには、ビア配線Ｖ９が充填されている。配線６５は、ビア配線Ｖ９と電気的に接続されている。なお、ビア配線Ｖ８，Ｖ９の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

絶縁層５５上には、接着層７５が積層されている。接着層７５には、当該接着層７５を厚さ方向に貫通して、構造体４５の貫通孔４５Ｙと連通する貫通孔７５Ｘが形成されている。

構造体４６は、接着層７５を介して、構造体４５上に積層されている。配線６６及び金属層６６Ｄは、接着層７５上に積層されている。絶縁層５６は、配線６６及び金属層６６Ｄの側面及び上面を被覆するように接着層７５上に積層されている。なお、構造体４６は、構造体４２と同一の構造である。

図６に示すように、配線６６は、平面視略コ字状に形成されている。配線６６は、コイルの一部となる配線であり、コイルの６層目の配線（１巻の約３／４）である。金属層６６Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６６Ｄの一部は、例えば、溝部６６Ｙによって配線６６と離間して形成されている。この金属層６６Ｄは、例えば、接続部６１Ａ，６７Ａと平面視で重複する位置に形成されている。また、金属層６６Ｄの一部は、溝部６６Ｚによって配線６６と離間して形成されている。この金属層６６Ｄは、配線６５の一部と平面視で重複する位置に形成されている。

構造体４６には、絶縁層５６及び配線６６を厚さ方向に貫通して、接着層７５の貫通孔７５Ｘと連通する貫通孔４６Ｘが形成されている。連通する貫通孔４６Ｘ，７５Ｘ内には、ビア配線Ｖ１０が充填されている。このビア配線Ｖ１０は、構造体４５の貫通孔４５Ｙに充填されたビア配線Ｖ９と電気的に接続されている。そして、６層目の配線６６は、ビア配線Ｖ９，Ｖ１０からなる貫通電極を介して、５層目の配線６５と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ９，Ｖ１０からなる貫通電極は、上下に隣接する構造体４５，４６のうち下側の構造体４５の絶縁層５５と、接着層７５と、上側の構造体４６の配線６６及び絶縁層５６とを貫通して形成されている。また、構造体４６には、絶縁層５６を厚さ方向に貫通して、配線６６の上面の一部を露出する貫通孔４６Ｙが形成されている。この貫通孔４６Ｙには、ビア配線Ｖ１１が充填されている。配線６６は、ビア配線Ｖ１１と電気的に接続されている。なお、ビア配線Ｖ１０，Ｖ１１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

絶縁層５６上には、接着層７６が積層されている。接着層７６には、当該接着層７６を厚さ方向に貫通して、構造体４６の貫通孔４６Ｙと連通する貫通孔７６Ｘが形成されている。

構造体４７は、接着層７６を介して、構造体４６上に積層されている。配線６７、接続部６７Ａ及び金属層６７Ｄは、接着層７６上に積層されている。絶縁層５７は、配線６７、接続部６７Ａ及び金属層６７Ｄの側面及び上面を被覆するように接着層７６上に積層されている。

図６に示すように、配線６７の平面形状は、略楕円形状に形成されている。但し、配線６７には、所要箇所に当該配線６７の短手方向（幅方向）及び厚さ方向を貫通する溝部６７Ｘが形成されており、配線６７は非環状に形成されている。配線６７は、コイルの一部となる配線であり、コイルの７層目の配線（約１巻）である。

接続部６７Ａは、配線６７の一端部に形成されている。接続部６７Ａは、コイル基板２０の突出部２２（図２参照）に対応する位置に形成されている。接続部６７Ａは、配線６７と一体に形成されている。換言すると、接続部６７Ａは、配線６７の一部である。なお、接続部６７Ａは、コイル基板２０が個片化されたときに、その個片化後のコイル基板２０の側面２０Ｂ（図８（ａ）参照）から露出する。この露出した接続部６７Ａにはインダクタの電極が接続される。

金属層６７Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６７Ｄは、例えば、溝部６７Ｙによって配線６７と離間して形成されている。この金属層６７Ｄは、例えば、接続部６１Ａと平面視で重複する位置に形成されている。

図４に示すように、構造体４７には、絶縁層５７及び配線６７を厚さ方向に貫通して、接着層７６の貫通孔７６Ｘと連通する貫通孔４７Ｘが形成されている。連通する貫通孔４７Ｘ，７６Ｘ内には、ビア配線Ｖ１２が充填されている。このビア配線Ｖ１２は、構造体４６の貫通孔４６Ｙに充填されたビア配線Ｖ１１と電気的に接続されている。そして、７層目の配線６７は、ビア配線Ｖ１１，Ｖ１２からなる貫通電極を介して、６層目の配線６６と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ１１，Ｖ１２からなる貫通電極は、上下に隣接する構造体４６，４７のうち下側の構造体４６の絶縁層５６と、接着層７６と、上側の構造体４７の配線６７及び絶縁層５７とを貫通して形成されている。また、図６に示すように、構造体４７には、絶縁層５７を厚さ方向に貫通して、配線６７の上面の一部を露出する貫通孔４７Ｙが形成されている。この貫通孔４７Ｙには、ビア配線Ｖ１３（図７参照）が充填されている。配線６７は、ビア配線Ｖ１３と電気的に接続されている。ビア配線Ｖ１２，Ｖ１３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

なお、貫通孔４２Ｘ〜４７Ｘ，４２Ｙ〜４７Ｙ，７１Ｘ〜７６Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔４２Ｘ〜４７Ｘ，４２Ｙ〜４７Ｙ，７１Ｘ〜７６Ｘの平面形状は、直径が１５０μｍ程度の円形状とすることができる。

このように、コイル基板２０では、図７に示すように、上下に隣接する構造体４１〜４７の配線６１〜６７同士をビア配線Ｖ１〜Ｖ１２を介して直列に接続し、接続部６１Ａから接続部６７Ａに至る螺旋状のコイルを形成している。

図２に示すように、以上説明した積層体２３の平面視略中央部には、当該積層体２３を厚さ方向に貫通する貫通孔２３Ｘが形成されている。図３及び図４に示すように、貫通孔２３Ｘの内壁面には、配線６１〜６７の側面が露出されている。

図２〜図４に示すように、絶縁膜２５は、積層体２３の表面全面を被覆するように形成されている。具体的には、絶縁膜２５は、積層体２３の外壁面（側壁）、最下層の配線６１の下面及び側面、最上層の絶縁層５７の上面、ビア配線Ｖ１２，Ｖ１３の上面、及び貫通孔２３Ｘの内壁面を連続的に被覆するように形成されている。この絶縁膜２５により、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出された配線６１〜６７の側面が被覆されている。また、絶縁膜２５により、溝部６１Ｘ，６１Ｙに露出する配線６１の側面が被覆されている。また、例えば図２に示すように、積層体２３の上面及び下面を被覆する絶縁膜２５は、少なくとも、接続部６７Ａと平面視で重複する位置まで積層体２３を被覆するとともに、金属層６７Ｄと平面視で重複する位置まで積層体２３を被覆するように形成されている。なお、本例の絶縁膜２５は、連結部１２の一部を被覆するように形成されている。但し、連結部１２の大部分及び外枠１３の全面は、絶縁膜２５から露出されている。なお、図２では、絶縁層５７の図示を省略し、積層体２３上の絶縁膜２５の図示を省略している。

ここで、絶縁膜２５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁膜２５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。絶縁膜２５の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。

以上説明したコイル基板２０は、隣接するコイル基板２０と連結部１２を介して連結されている。以下に、連結部１２の構造について簡単に説明する。
図３に示すように、連結部１２を構成する基板３０の下面３０Ａには、絶縁層５１と、金属層８１とが順次積層されている。また、連結部１２を構成する基板３０の上面３０Ｂには、接着層７１、金属層８２、絶縁層５２、接着層７２、金属層８３、絶縁層５３、接着層７３、金属層８４、絶縁層５４、接着層７４、金属層８５、絶縁層５５、接着層７５、金属層８６、絶縁層５６、接着層７６、金属層８７、及び絶縁層５７が順に積層されている。図４に示すように、金属層８１は金属層６１Ｄ及び接続部６１Ａと電気的に接続され、金属層８２は金属層６２Ｄと電気的に接続され、金属層８３は金属層６３Ｄと電気的に接続され、金属層８４は金属層６４Ｄと電気的に接続されている。また、金属層８５は金属層６５Ｄと電気的に接続され、金属層８６は金属層６６Ｄと電気的に接続され、金属層８７は金属層６７Ｄ及び接続部６７Ａと電気的に接続されている。なお、金属層８１〜８７の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

図２に示すように、連結部１２には、所要箇所に認識マーク１２Ｘが形成されている。認識マーク１２Ｘは、連結部１２を厚さ方向に貫通するように形成されている。認識マーク１２Ｘは、例えば、アライメントマークとして利用される。認識マーク１２Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、認識マーク１２Ｘの平面形状は、略円形状とすることができる。

次に、外枠１３の構造について簡単に説明する。
図３に示すように、外枠１３は、基板３０のみによって構成されている。外枠１３は、例えば、基板３０の両端領域に形成されている。例えば、外枠１３は、個別領域Ａ１及び連結部１２を構成する基板３０が連結部１２よりも外側に延在して形成されている。すなわち、基板３０のみが連結部１２よりも外側に張り出すように形成されている。そして、外枠１３を構成する基板３０に、上述したスプロケットホール１３Ｘが形成されている。すなわち、スプロケットホール１３Ｘは、基板３０を厚さ方向に貫通するように形成されている。

図８（ａ）には、図４に破線で示した切断位置で絶縁膜２５、基板３０、絶縁層５１〜５７、金属層６１Ｄ〜６７Ｄ等が切断されて個片化された後のコイル基板２０が示されている。個片化後のコイル基板２０では、一方の側面２０Ａに接続部６１Ａが露出され、側面２０Ａと対向する側面２０Ｂに接続部６７Ａが露出されている。なお、この個片化後のコイル基板２０は、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。

次に、コイル基板２０を有するインダクタ９０の構造について説明する。
図８（ｂ）に示すように、インダクタ９０は、コイル基板２０を封止樹脂９１で封止し、電極９２，９３を形成したチップインダクタである。インダクタ９０の平面形状は、例えば、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度の略矩形状とすることができる。インダクタ９０の厚さは、例えば、１．０ｍｍ程度とすることができる。インダクタ９０は、例えば、小型の電子機器の電圧変換回路等に用いることができる。

封止樹脂９１は、コイル基板２０の側面２０Ａ及び側面２０Ｂを除く部分を封止している。すなわち、封止樹脂９１は、接続部６１Ａ，６７Ａが露出する側面２０Ａ，２０Ｂを除いてコイル基板２０（積層体２３及び絶縁膜２５）を全体的に被覆するように形成されている。例えば、封止樹脂９１は、絶縁膜２５の上面及び下面を被覆し、貫通孔２３Ｘの内壁面を被覆する絶縁膜２５の側面を被覆するように形成されている。すなわち、封止樹脂９１は、貫通孔２０Ｘ内にも形成されている。本例の封止樹脂９１は、貫通孔２０Ｘの内壁面全面を被覆するように貫通孔２０Ｘ内に充填されている。封止樹脂９１の材料としては、例えば、フェライト等の磁性体のフィラーを含有する絶縁性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂）を用いることができる。なお、磁性体は、インダクタ９０のインダクタンスを大きくする機能を有している。

ここで、インダクタ９０では、コイル基板２０の略中央部に貫通孔２０Ｘが形成されており、その貫通孔２０Ｘも磁性体を含有する絶縁性樹脂で充填されている。これにより、貫通孔２０Ｘを形成しない場合に比べて、コイル基板２０の周囲のより多くの部分を、磁性体を含有する封止樹脂９１で封止することができる。このため、インダクタ９０のインダクタンスを向上させることができる。

なお、貫通孔２０Ｘ内に、フェライト等の磁性体のコアを配置し、コアを含めてコイル基板２０を封止するように封止樹脂９１を形成してもよい。このとき、コアの形状は、例えば、円柱状や直方体状とすることができる。

電極９２は、封止樹脂９１の外側に形成され、接続部６１Ａの一部と接続されている。電極９２は、コイル基板２０の側面２０Ａと、その側面２０Ａ側に形成された封止樹脂９１の側面と、封止樹脂９１の上面及び下面の一部とを連続的に被覆するように形成されている。電極９２の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ａから露出する接続部６１Ａの側面と接している。これにより、電極９２と接続部６１Ａとは電気的に接続されている。

電極９３は、封止樹脂９１の外側に形成され、接続部６７Ａの一部と接続されている。電極９３は、コイル基板２０の側面２０Ｂと、その側面２０Ｂ側に形成された封止樹脂９１の側面と、封止樹脂９１の上面及び下面の一部とを連続的に被覆するように形成されている。電極９３の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ｂから露出する接続部６７Ａの側面と接している。これにより、電極９３と接続部６７Ａとは電気的に接続されている。

電極９２，９３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、電極９２，９３は、複数の金属層を積層した構造としてもよい。
なお、電極９２，９３は、ダミーパターンである金属層６１Ｄ〜６７Ｄとも接続されている。但し、金属層６１Ｄ〜６７Ｄは、配線６１〜６７及び他の金属層と電気的に接続されておらず、電気的に孤立している。このため、金属層６１Ｄ〜６７Ｄ及び電極９２，９３に起因して配線６１〜６７等が短絡することはない。

次に、コイル基板１０の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的にコイル基板１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
まず、図９に示す工程では、基板１００を用意する。基板１００は、ブロック１１と外枠１３とを有する基板３０が複数個連設された構造を有している。各ブロック１１には、複数の個別領域Ａ１が設けられ、それら複数の個別領域Ａ１を囲むように連結部１２が設けられている。また、外枠１３は、基板１００の短手方向又は各基板３０の長手方向（つまり、図中上下方向）の両端領域に設けられている。この外枠１３には、基板３０を厚さ方向に貫通するスプロケットホール１３Ｘが、基板１００の長手方向（つまり、図中左右方向）に沿って略一定間隔で連続的に形成されている。スプロケットホール１３Ｘは、例えば、プレス加工法やレーザ加工法を用いて形成することができる。なお、スプロケットホール１３Ｘは、コイル基板１０を製造する過程で基板１００が各種製造装置等に装着された際に、モータ等により駆動されるスプロケットのピンと噛み合って、基板１００をピッチ送りするための貫通孔（つまり、搬送用の貫通孔）である。

基板１００としては、リール状（テープ状）の可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いることができる。基板１００の幅（スプロケットホール１３Ｘの配列方向と平面視で直交する方向の長さ）は、基板１００が装着される製造装置に対応するように決定される。例えば、基板１００の幅は、４０〜９０ｍｍ程度とすることができる。また、基板１００の長手方向の長さは、任意に決定することができる。図９に示した例では、各基板３０に設ける個別領域Ａ１を６行２列としたが、各基板３０を長くして個別領域Ａ１を例えば数１００列程度とすることもできる。なお、切断位置Ａ２は、後工程でリール状の基板１００を切断してシート状とするための切断位置である。

以下では、便宜上、１つの基板３０の１つの個別領域Ａ１（図９において一点鎖線枠で示した領域）に着目して説明を行う。
次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す工程では、外枠１３を除く領域（つまり、ブロック１１）に位置する基板３０の下面３０Ａに、半硬化状態の絶縁層５１を積層する。絶縁層５１は、例えば、ブロック１１に位置する基板３０の下面３０Ａ全面を被覆するように形成される。例えば、絶縁層５１の材料としてフィルム状の絶縁性樹脂を用いる場合には、基板３０の下面３０Ａにフィルム状の絶縁性樹脂をラミネートする。但し、この工程では、フィルム状の絶縁性樹脂の熱硬化は行わず、Ｂ−ステージ状態（半硬化状態）にしておく。なお、絶縁層５１を真空雰囲気中でラミネートすることにより、絶縁層５１中へのボイドの巻き込みを抑制することができる。一方、絶縁層５１の材料として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、基板３０の下面３０Ａに液状又はペースト状の絶縁性樹脂を、例えば、印刷法やスピンコート法により塗布する。その後、塗布した液状又はペースト状の絶縁性樹脂をプリベークしてＢ−ステージ状態にする。

続いて、各個別領域Ａ１の基板３０に貫通孔３０Ｘを形成するとともに、各個別領域Ａ１の絶縁層５１に、貫通孔３０Ｘと連通する貫通孔５１Ｘを形成する。これら貫通孔３０Ｘ，５１Ｘは、例えば、プレス加工法やレーザ加工法により形成することができる。なお、本工程において、上述したスプロケットホール１３Ｘを形成するようにしてもよい。すなわち、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘとスプロケットホール１３Ｘとを同一の工程で形成するようにしてもよい。

次いで、図１１（ａ）に示す工程では、半硬化状態の絶縁層５１の下面に、金属箔１６１を積層する。金属箔１６１は、例えば、絶縁層５１の下面全面を被覆するように形成される。例えば、半硬化状態の絶縁層５１の下面に、金属箔１６１を熱圧着によりラミネートする。その後、半硬化状態の絶縁層５１を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。このとき、絶縁層５１の硬化に伴って、絶縁層５１の上面に基板３０が接着されるとともに、絶縁層５１の下面に金属箔１６１が接着される。すなわち、本工程における絶縁層５１は、基板３０と金属箔１６１とを接着する接着剤として機能する。なお、金属箔１６１は、後工程でパターニングされて配線６１及び接続部６１Ａ等となる部位であり、例えば、銅箔を用いることができる。

次いで、貫通孔５１Ｘの底部に露出する金属箔１６１上に、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘを充填するビア配線Ｖ１を形成する。ビア配線Ｖ１は、例えば、金属箔１６１を給電層に利用する電解めっき法により、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘ内にめっき膜を析出させることで形成することができる。また、ビア配線Ｖ１は、貫通孔５１Ｘの底部に露出する金属箔１６１上に銅等の金属ペーストを充填して形成するようにしてもよい。

次に、金属箔１６１をパターニングし、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示すように、各個別領域Ａ１に位置する絶縁層５１の下面に、配線６１を形成し、配線６１の一端部に接続部６１Ａを形成するとともに、ダミーパターンである金属層６１Ｄを形成する。これにより、基板３０の下面３０Ａに、絶縁層５１、配線６１及び接続部６１Ａを有する構造体４１が積層される。本工程で形成される配線６１（第１金属層）は、例えば、図７に示した配線６１（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６１）よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この配線６１（金属層）は、最終的に型抜き等により成形されて、コイルの一部となる１層目の配線（約１巻）となる部位である。また、本工程では、連結部１２に位置する絶縁層５１の下面に、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄに接続する金属層８１を形成する。換言すると、本工程では、図１１（ａ）に示した金属箔１６１をパターニングして、図１１（ｃ）に示すように、開口部２０１Ｙ及び溝部６１Ｘ，６１Ｙを形成する。溝部６１Ｘは、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするために設けるものである。なお、本工程で形成された金属層８１は、後工程において電解めっきにおける給電層として使用するものである。後工程において電解めっきを行わない場合には金属層８１の形成を省略してもよい。また、図１１（ｃ）では、開口部２０１Ｙ及び溝部６１Ｘ，６１Ｙから露出する絶縁層５１を梨地模様で示している。

金属箔１６１のパターニングは、例えば、サブトラクティブ法などの各種配線形成方法を用いて行うことができる。例えば、金属箔１６１の下面に感光性のレジストを塗布し、所定の領域を露光及び現像してレジストに開口部を形成し、開口部内に露出する金属箔１６１をエッチングで除去することでパターニングできる。なお、配線６１、接続部６１Ａ、金属層６１Ｄ及び金属層８１は一体に形成されている。

次に、図１２に示す工程では、まず、基板１００と同様の構造を有する支持フィルム１０２を準備する。すなわち、複数の個別領域Ａ１が設けられたブロック１１と、そのブロック１１の外側に張り出すように形成された外枠１３とを有する支持フィルム１０２を準備する。支持フィルム１０２としては、例えば、リール状（テープ状）の可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いることができる。支持フィルム１０２としては、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリイミドフィルムやポリエチレンナフタレートフィルムを用いることができる。支持フィルム１０２の厚さは、例えば、１２〜５０μｍ程度とすることができる。

続いて、図９及び図１０に示した工程と同様に、支持フィルム１０２の下面１０２Ａに、絶縁層５２と配線６２とを有する構造体４２を積層する。具体的には、外枠１３に位置する支持フィルム１０２にスプロケットホール１０２Ｘを形成した後、外枠１３を除く支持フィルム１０２の下面１０２Ａに半硬化状態の絶縁層５２を積層する。次いで、図１２（ｂ）に示すように、プレス加工法やレーザ加工法により、支持フィルム１０２及び絶縁層５２を厚さ方向に貫通する貫通孔４２Ｘ，４２Ｙを形成する。その後、半硬化状態の絶縁層５２の下面に金属箔を積層し、その金属箔をサブトラクティブ法等によりパターニングする。これにより、図１２（ｃ）に示すように、各個別領域Ａ１に位置する絶縁層５２の下面に、配線６２が形成されるとともに、ダミーパターンである金属層６２Ｄが形成される。また、配線６２の所要箇所に、当該配線６２を厚さ方向に貫通して貫通孔４２Ｘと連通する貫通孔が形成され、支持フィルム１０２、絶縁層５２及び配線６２を厚さ方向に貫通する貫通孔４２Ｘが形成される。さらに、連結部１２に位置する絶縁層５２の下面に、一部の金属層６２Ｄに接続する金属層８２が形成される。換言すると、本工程では、絶縁層５２の下面に積層した金属箔をパターニングすることにより、貫通孔４２Ｘ、開口部２０２Ｙ及び溝部６２Ｙ，６２Ｚが形成される。ここで、本工程で形成される配線６２（第２金属層）は、例えば、図７に示した配線６２（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６２）よりも平面形状が大きく形成されている。この配線６２（金属層）は、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる２層目の配線（１巻の約３／４）となる部位である。この配線６２と金属層８２とは開口部２０２Ｙ及び溝部６２Ｙによって分離されて形成されている。また、溝部６２Ｚは、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするために設けるものである。なお、図１２（ｃ）では、開口部２０２Ｙ及び溝部６２Ｙ，６２Ｚから露出する絶縁層５２を梨地模様で示している。

また、スプロケットホール１０２Ｘは、スプロケットホール１３Ｘと同様に、コイル基板１０を製造する過程で支持フィルム１０２が各種製造装置等に装着された際に、モータ等により駆動されるスプロケットのピンと噛み合って、支持フィルム１０２をピッチ送りするための貫通孔（つまり、搬送用の貫通孔）である。

貫通孔４２Ｘは、基板３０の上面３０Ｂに構造体４２が積層されたときに、貫通孔３０Ｘと平面視で重複する位置に形成される。また、図１２（ｂ）に示すように、貫通孔４２Ｙの底部には、配線６２の上面が露出されている。

次に、図１３（ａ）〜図１３（ｃ）に示す工程について説明する。なお、図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、図１１（ｃ）の１１ｂ−１１ｂ線位置及び図１２（ｃ）の１２ａ−１２ａ線位置に対応する断面図である。まず、図１３（ａ）に示す工程では、接着層７１を準備し、その接着層７１を厚さ方向に貫通する貫通孔７１Ｘを形成する。貫通孔７１Ｘは、基板３０の上面３０Ｂに接着層７１を介して構造体４２を積層したときに、貫通孔３０Ｘ，４２Ｘと平面視で重複する位置に形成される。

続いて、図１１（ｂ）に示した構造体（つまり、基板３０の下面３０Ａに構造体４１が積層された構造体）の上方に、接着層７１と、図１２（ａ）に示した構造体（つまり、支持フィルム１０２の下面１０２Ａに構造体４２が積層された構造体）とを順に配置する。このとき、図１２（ａ）に示した構造体は、配線６２が、接着層７１を介して、基板３０の上面３０Ｂと対向するように構造体４２を下側に向けた状態で配置される。

次いで、図１３（ｂ）に示す工程では、基板３０の上面３０Ｂに接着層７１を介して構造体４２を積層する。すなわち、基板３０と構造体４２とを接着層７１を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０２が外側に配置されるように、構造体４２を基板３０の上面３０Ｂに積層する。例えば、図１３（ａ）に示した全ての構造体（つまり、図１１（ｂ）に示した構造体、接着層７１及び図１２（ａ）に示した構造体）を両面側から加熱・加圧する。これにより、配線６２の側面を被覆するように絶縁層５２が形成される。その後、接着層７１を硬化させる。このとき、貫通孔４２Ｘと、貫通孔７１Ｘと、貫通孔３０Ｘと、貫通孔５１Ｘとが連通する。このため、貫通孔４２Ｘ，７１Ｘの底部には、ビア配線Ｖ１の上面が露出される。

なお、図１２、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示した工程において、各貫通孔４２Ｘ，４２Ｙ，７１Ｘを形成する前に、接着層７１を介して構造体４２を基板３０の上面３０Ｂに積層した後に、貫通孔４２Ｘ，４２Ｙ，７１Ｘを形成するようにしてもよい。

次に、１３（ｃ）に示す工程では、図１３（ｂ）に示した支持フィルム１０２を構造体４２の絶縁層５２から除去（剥離）する。例えば、絶縁層５２から支持フィルム１０２を機械的に剥離する。続いて、貫通孔４２Ｘの底部に露出するビア配線Ｖ１上に、ビア配線Ｖ２を形成する。これにより、配線６１と配線６２とが、ビア配線Ｖ１，Ｖ２を介して直列に接続される。

また、図１４（ａ）〜図１４（ｃ）に示すように、貫通孔４２Ｙの底部に露出する配線６２上に、配線６２と電気的に接続されるビア配線Ｖ３を形成する。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ２，Ｖ３は、その上面が絶縁層５２の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ２，Ｖ３は、例えば、金属層８１及び配線６１を給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。なお、図１４（ａ）では、絶縁層５２の図示を省略し、開口部２０２Ｙ及び溝部６２Ｙ，６２Ｚから露出する接着層７１を梨地模様で示している。

以上説明した製造工程により、基板３０の下面３０Ａに構造体４１が積層され、基板３０の上面３０Ｂに構造体４２が積層された積層体において、配線６１と、ビア配線Ｖ１，Ｖ２と、配線６２とが直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約１巻きと３／４のコイルとなる。

次に、図１５に示す工程では、支持フィルム１０３の下面１０３Ａに、絶縁層５３と配線６３とを有する構造体４３を積層する。本工程は、図１２に示した工程と同様に行うことができる。具体的には、本工程と図１２に示した工程とは、貫通孔の位置や金属箔をパターニングした後の配線の形状が異なるだけである。このため、本工程における製造方法の説明を割愛し、図１５に示した構造体の構造について説明する。なお、支持フィルム１０３及び後工程で使用する支持フィルム１０４〜１０７の形状、厚さ及び材料等は、図１２に示した支持フィルム１０２と同様である。各支持フィルム１０３〜１０７の外枠１３に形成されるスプロケットホール１０３Ｘ〜１０７Ｘについても、支持フィルム１０２のスプロケットホール１０２Ｘと同様の機能を有する。

図１５（ａ）に示す構造体では、支持フィルム１０３、絶縁層５３及び配線６３を厚さ方向に貫通する貫通孔４３Ｘが形成され、支持フィルム１０３及び絶縁層５３を厚さ方向に貫通して配線６３の上面を露出する貫通孔４３Ｙが形成されている。また、図１５（ｂ）に示すように、絶縁層５３の下面には、配線６３と、金属層６３Ｄと、金属層８３とが形成されている。配線６３と金属層６３Ｄ，８３とは開口部２０３Ｙ及び溝部６３Ｙによって分離されて形成されている。また、配線６３には、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６３Ｘが形成されている。本工程で形成される配線６３（第２金属層）は、例えば、図７に示した配線６３（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６３）よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この配線６３は、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる３層目の配線（約１巻）となる部位である。なお、図１５（ｂ）では、開口部２０３Ｙ及び溝部６３Ｘ，６３Ｙから露出する絶縁層５３を梨地模様で示している。

次に、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示す工程について説明する。なお、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、図１４（ａ）の１４ｃ−１４ｃ線位置及び図１５（ｂ）の１５ａ−１５ａ線位置に対応する断面図である。

まず、図１６（ａ）に示す工程では、接着層７２を準備し、その接着層７２を厚さ方向に貫通する貫通孔７２Ｘを形成する。続いて、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、構造体４２の絶縁層５２上に、接着層７２を介して構造体４３及び支持フィルム１０３を積層する。すなわち、構造体４２と構造体４３とを接着層７２を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０３が外側に配置されるように、構造体４３を構造体４２上に積層する。このとき、貫通孔４３Ｘと、貫通孔７２Ｘと、貫通孔４２Ｙとが連通する。このため、貫通孔４３Ｘ，７２Ｘの底部には、貫通孔４２Ｙに充填されたビア配線Ｖ３が露出される。

次に、図１６（ｂ）に示す工程では、図１６（ａ）に示した支持フィルム１０３を構造体４３の絶縁層５３から剥離する。例えば、絶縁層５３から支持フィルム１０３を機械的に剥離する。

続いて、図１６（ｃ）に示す工程では、貫通孔４３Ｘ，７２Ｘを充填するビア配線Ｖ４を形成するとともに、貫通孔４３Ｙを充填するビア配線Ｖ５を形成する。これにより、配線６２と配線６３とがビア配線Ｖ３，Ｖ４を介して直列に接続され、配線６３がビア配線Ｖ５と電気的に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ４，Ｖ５は、その上面が絶縁層５３の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ４，Ｖ５は、例えば、金属層８１及び配線６１を給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。

以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２と、構造体４３とが積層された積層体において、配線６１，６２，６３が、ビア配線Ｖ１〜Ｖ４を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約２巻きと３／４のコイルとなる。

なお、図１５、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示した工程において、接着層７２を介して構造体４３を構造体４２上に積層した後に、貫通孔４３Ｘ，４３Ｙ，７２Ｘを形成するようにしてもよい。

次に、図１７に示す工程では、支持フィルム１０４の下面１０４Ａに、絶縁層５４と配線６４とを有する構造体４４を積層する。本工程は、図１２に示した工程と同様に行うことができるため、製造方法の説明を割愛し、図１７に示した構造体の構造について説明する。

図１７（ａ）に示す構造体では、支持フィルム１０４、絶縁層５４及び配線６４を厚さ方向に貫通する貫通孔４４Ｘが形成され、支持フィルム１０４及び絶縁層５４を厚さ方向に貫通して配線６４の上面を露出する貫通孔４４Ｙが形成されている。また、図１７（ｂ）に示すように、絶縁層５４の下面には、配線６４と、金属層６４Ｄと、金属層８４とが形成されている。配線６４と金属層８４とは開口部２０４Ｙ及び溝部６４Ｙによって分離されて形成されている。また、配線６４には、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６４Ｚが形成されている。本工程で形成される配線６４（第２金属層）は、例えば、図７に示した配線６４（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６４）よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この配線６４は、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる４層目の配線（１巻の約３／４）となる部位である。なお、図１７（ｂ）では、開口部２０４Ｙ及び溝部６４Ｙ，６４Ｚから露出する絶縁層５４を梨地模様で示している。

次に、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示す工程について説明する。なお、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、図１７（ｂ）の１７ａ−１７ａ線位置に対応する断面図である。
まず、図１８（ａ）に示す工程では、接着層７３を準備し、その接着層７３を厚さ方向に貫通する貫通孔７３Ｘを形成する。続いて、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、構造体４３の絶縁層５３上に、接着層７３を介して構造体４４及び支持フィルム１０４を積層する。すなわち、構造体４３と構造体４４とを接着層７３を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０４が外側に配置されるように、構造体４４を構造体４３上に積層する。このとき、貫通孔４４Ｘと、貫通孔７３Ｘと、貫通孔４３Ｙとが連通する。このため、貫通孔４４Ｘ，７３Ｘの底部には、貫通孔４３Ｙに充填されたビア配線Ｖ５が露出される。次いで、支持フィルム１０４を構造体４４の絶縁層５４から剥離する。

続いて、図１８（ｂ）に示す工程では、貫通孔４４Ｘ，７３Ｘを充填するビア配線Ｖ６を形成するとともに、貫通孔４４Ｙを充填するビア配線Ｖ７を形成する。これにより、配線６４と配線６３とがビア配線Ｖ５，Ｖ６を介して直列に接続され、配線６４がビア配線Ｖ７と電気的に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ６，Ｖ７は、その上面が絶縁層５４の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ６，Ｖ７は、例えば、金属層８１及び配線６１を給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。

以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４４とが積層された積層体において、配線６１，６２，６３，６４がビア配線Ｖ１〜Ｖ６を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約３巻きのコイルとなる。

なお、図１７及び図１８（ａ）に示した工程において、接着層７３を介して構造体４４を構造体４３上に積層した後に、貫通孔４４Ｘ，４４Ｙ，７３Ｘを形成するようにしてもよい。

次に、図１９に示す工程では、支持フィルム１０５の下面１０５Ａに、絶縁層５５と配線６５とを有する構造体４５を積層する。本工程は、図１２に示した工程と同様に行うことができるため、製造方法の説明を割愛し、図１９に示した構造体の構造について説明する。

図１９（ａ）に示す構造体では、支持フィルム１０５、絶縁層５５及び配線６５を厚さ方向に貫通する貫通孔４５Ｘが形成され、支持フィルム１０５及び絶縁層５５を厚さ方向に貫通して配線６５の上面を露出する貫通孔４５Ｙが形成されている。また、図１９（ｂ）に示すように、絶縁層５５の下面には、配線６５と、金属層６５Ｄと、金属層８５とが形成されている。配線６５と金属層６５Ｄ，８５とは開口部２０５Ｙ及び溝部６５Ｙによって分離されて形成されている。また、配線６５には、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６５Ｘが形成されている。本工程で形成される配線６５（第２金属層）は、例えば、図７に示した配線６５（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６５）よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この配線６５は、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる５層目の配線（約１巻）となる部位である。なお、図１９（ｂ）では、開口部２０５Ｙ及び溝部６５Ｘ，６５Ｙから露出する絶縁層５５を梨地模様で示している。

次に、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示す工程について説明する。なお、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は、図１９（ｂ）の１９ａ−１９ａ線位置に対応する断面図である。
まず、図２０（ａ）に示す工程では、接着層７４を準備し、その接着層７４を厚さ方向に貫通する貫通孔７４Ｘを形成する。続いて、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、構造体４４の絶縁層５４上に、接着層７４を介して構造体４５及び支持フィルム１０５を積層する。すなわち、構造体４４と構造体４５とを接着層７４を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０５が外側に配置されるように、構造体４５を構造体４４上に積層する。このとき、貫通孔４５Ｘと、貫通孔７４Ｘと、貫通孔４４Ｙとが連通する。このため、貫通孔４５Ｘ，７４Ｘの底部には、貫通孔４４Ｙに充填されたビア配線Ｖ７が露出される。次いで、支持フィルム１０５を構造体４５の絶縁層５５から剥離する。

続いて、図２０（ｂ）に示す工程では、貫通孔４５Ｘ，７４Ｘを充填するビア配線Ｖ８を形成するとともに、貫通孔４５Ｙを充填するビア配線Ｖ９を形成する。これにより、配線６５と配線６４とがビア配線Ｖ７，Ｖ８を介して直列に接続され、配線６５がビア配線Ｖ９と電気的に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ８，Ｖ９は、その上面が絶縁層５５の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ８，Ｖ９は、例えば、金属層８１及び配線６１を給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。

以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４５とが積層された積層体において、配線６１，６２，６３，６４，６５がビア配線Ｖ１〜Ｖ８を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約４巻きのコイルとなる。

なお、図１９及び図２０（ａ）に示した工程において、接着層７４を介して構造体４５を構造体４４上に積層した後に、貫通孔４５Ｘ，４５Ｙ，７４Ｘを形成するようにしてもよい。

次に、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示す工程について説明する。なお、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、図１２（ｃ）の１２ａ−１２ａ線位置に対応する断面図である。
図２１（ａ）に示す工程では、まず、図１２に示した工程と同様に、支持フィルム１０６の下面１０６Ａに、絶縁層５６と配線６６とを有する構造体４６を積層する。この積層体では、支持フィルム１０６、絶縁層５６及び配線６６を厚さ方向に貫通する貫通孔４６Ｘが形成され、支持フィルム１０６及び絶縁層５６を厚さ方向に貫通して配線６６の上面を露出する貫通孔４６Ｙが形成されている。また、絶縁層５６の下面には、配線６６と、金属層６６Ｄと、金属層８６とが形成されている。配線６６と金属層８６とは溝部６６Ｙによって分離されて形成されている。また、配線６６には、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６６Ｚが形成されている。本工程で形成される配線６６（第２金属層）は、例えば、図７に示した配線６６（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６６）よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この配線６６は、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる６層目の配線（１巻の約３／４）となる部位である。なお、構造体４６は、構造体４２と同一の構造である。図２１では図示されていないが、構造体４６には、開口部２０２Ｙと同様の位置に開口部が形成されている。

続いて、接着層７５を準備し、その接着層７５を厚さ方向に貫通する貫通孔７５Ｘを形成する。
次に、図２１（ｂ）に示す工程では、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、構造体４５の絶縁層５５上に、接着層７５を介して構造体４６及び支持フィルム１０６を積層する。すなわち、構造体４５と構造体４６とを接着層７５を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０６が外側に配置されるように、構造体４６を構造体４５上に積層する。このとき、貫通孔４６Ｘと、貫通孔７５Ｘと、貫通孔４５Ｙとが連通する。このため、貫通孔４６Ｘ，７５Ｘの底部には、貫通孔４５Ｙに充填されたビア配線Ｖ９が露出される。続いて、支持フィルム１０６を構造体４６の絶縁層５６から剥離する。次いで、貫通孔４６Ｘ，７５Ｘを充填するビア配線Ｖ１０を形成するとともに、貫通孔４６Ｙを充填するビア配線Ｖ１１を形成する。これにより、配線６６と配線６５とがビア配線Ｖ９，Ｖ１０を介して直列に接続され、配線６６がビア配線Ｖ１１と電気的に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ１０，Ｖ１１は、その上面が絶縁層５６の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ１０，Ｖ１１は、例えば、金属層８１及び配線６１を給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。

以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４６とが積層された積層体において、配線６１，６２，６３，６４，６５，６６がビア配線Ｖ１〜Ｖ１０を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約４巻きと３／４のコイルとなる。

なお、図２１（ａ）に示した工程において、接着層７５を介して構造体４６を構造体４５上に積層した後に、貫通孔４６Ｘ，４６Ｙ，７５Ｘを形成するようにしてもよい。
次に、図２２に示す工程では、支持フィルム１０７の下面１０７Ａに、絶縁層５７と配線６７とを有する構造体４７を積層する。本工程は、図１２に示した工程と同様に行うことができるため、製造方法の説明を割愛し、図２２に示した構造体の構造について説明する。

図２２（ｂ）に示す構造体では、支持フィルム１０７、絶縁層５７及び配線６７を厚さ方向に貫通する貫通孔４７Ｘが形成され、支持フィルム１０７及び絶縁層５７を厚さ方向に貫通して配線６７の上面を露出する貫通孔４７Ｙが形成されている。また、図２２（ａ）及び図２２（ｃ）に示すように、絶縁層５７の下面には、配線６７と、接続部６７Ａと、金属層６７Ｄと、金属層８７とが形成されている。これら配線６７、接続部６７Ａ、金属層６７Ｄ及び金属層８７は一体に形成されている。また、図２２（ｃ）に示すように、構造体４７には、開口部２０７Ｙが形成されるとともに、配線６７と金属層６７Ｄとの間に溝部６７Ｙが形成されている。配線６７には、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６７Ｘが形成されている。本工程で形成される配線６７（第２金属層）は、例えば、図７に示した配線６７（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６７）よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この配線６７は、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる７層目の配線（約１巻）となる部位である。なお、図２２（ｃ）では、開口部２０７Ｙ及び溝部６７Ｘ，６７Ｙから露出する絶縁層５７を梨地模様で示している。

次に、図２３及び図２４に示す工程について説明する。なお、図２３及び図２４（ａ）は、図２２（ｃ）の２２ａ−２２ａ線位置に対応する断面図であり、図２４（ｂ）は、図２２（ｃ）の２２ｂ−２２ｂ線位置に対応する断面図である。

まず、図２３（ａ）に示す工程では、接着層７６を準備し、その接着層７６を厚さ方向に貫通する貫通孔７６Ｘを形成する。続いて、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、構造体４６の絶縁層５６上に、接着層７６を介して構造体４７及び支持フィルム１０７を積層する。すなわち、構造体４６と構造体４７とを接着層７６を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０７が外側に配置されるように、構造体４７を構造体４６上に積層する。このとき、貫通孔４７Ｘと、貫通孔７６Ｘと、貫通孔４６Ｙとが連通する。このため、貫通孔４７Ｘ，７６Ｘの底部には、貫通孔４６Ｙに充填されたビア配線Ｖ１１が露出される。次いで、図２３（ｂ）に示す工程では、図２３（ａ）に示した支持フィルム１０７を構造体４７の絶縁層５７から剥離する。

続いて、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示す工程では、貫通孔４７Ｘ，７６Ｘを充填するビア配線Ｖ１２を形成する。これにより、配線６７と配線６６とがビア配線Ｖ１１，Ｖ１２を介して直列に接続される。また、図２４（ｂ）に示すように、貫通孔４７Ｙを充填するビア配線Ｖ１３を形成する。これにより、配線６７がビア配線Ｖ１３と電気的に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ１２，Ｖ１３は、その上面が絶縁層５７の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ１２，Ｖ１３は、例えば、金属層８１及び配線６１を給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。

以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４７とが積層された積層体において、配線６１，６２，６３，６４，６５，６６，６７がビア配線Ｖ１〜Ｖ１２を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約５巻きと１／２のコイルとなる。

なお、図２２及び図２３に示した工程において、接着層７６を介して構造体４７を構造体４６上に積層した後に、貫通孔４７Ｘ，４７Ｙ，７６Ｘを形成するようにしてもよい。
以上の製造工程により、各個別領域Ａ１に、基板３０の下面３０Ａに構造体４１が積層され、基板３０の上面３０Ｂに複数の構造体４２〜４７が順に積層された積層体２３を製造することができる。

次に、図２５（ａ）に示す工程では、図２４に示した構造体を、図９に示した切断位置Ａ２に沿って切断して個片化し、個々のシート状のコイル基板１０を得る。図２５（ａ）の例では、コイル基板１０には、１２個の個別領域Ａ１が形成されている。なお、図２５（ａ）に示した工程を実施せずに、図２４に示した工程が終了したリール状の基板１００を、そのまま製品として出荷してもよい。

次に、図２５（ｂ）〜図２７に示す工程では、コイル基板１０を型抜き等により成形して不要部分を除去し、各層に形成された配線６１〜６７を螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線に加工する。ここで、図２５（ｂ）は、コイル基板１０を成形する前の配線６７及び接着層７６を例示する平面図である。なお、図２５（ｂ）では、絶縁層５７の図示を省略し、開口部２０７Ｙ及び溝部６７Ｘ，６７Ｙから露出する接着層７６を梨地模様で示している。図２６は、コイル基板１０を成形する前の各層に形成された配線６１〜６７の形状を模式的に例示する斜視図である。図２５（ｂ）及び図２６に示したコイル基板１０を、例えば金型を用いたプレス加工法等により成形し、図２７（ａ）及び図２７（ｂ）に示した形状とする。具体的には、図２５（ｂ）及び図２６に示したコイル基板１０の不要部分、つまり開口部２０Ｙに対応する位置の基板３０、絶縁層５１〜５７、配線６１〜６７及び接着層７１〜７６（図２４（ｂ）参照）をプレス加工により打ち抜いて除去する。さらに、コイル基板１０の不要部分、つまり図２５（ｂ）及び図２６に破線で示した領域と平面視で重複する位置の基板３０、絶縁層５１〜５７、配線６１〜６７、及び接着層７１〜７６をプレス加工により打ち抜いて除去する。これにより、図２７（ｂ）に示すように、ブロック１１の所要箇所に開口部２０Ｙが形成され、積層体２３の外形が略長方形状に成形される。さらに、積層体２３の略中央部に貫通孔２３Ｘが形成される。この貫通孔２３Ｘの形成により、図２７（ａ）に示すように、貫通孔２３Ｘの内壁面から配線６１〜６７の各々の一部が露出される。ここでは図示を省略するが、開口部２０Ｙの形成により、積層体２３の外壁面（側壁）からも配線６１〜６７の各々の一部が露出される（図３参照）。なお、このように成形された積層体２３は各個別領域Ａ１に形成され、隣接する積層体２３同士は連結部１２を介して相互に連結されている。

本工程において、各構造体４１〜４７に形成された成形前の導電層（配線６１〜６７や金属層６１Ｄ〜６７Ｄ）がほとんど同じ形状に形成されている。すなわち、各構造体４１〜４７にダミーパターンである金属層６１Ｄ〜６７Ｄを設けることにより、各構造体４１〜４７に形成された導電層の形状差を小さくしている。これにより、プレス加工時に上記形状差に起因して積層体２３が変形することを抑制することができる。

本工程により、各層に形成された配線６１〜６７が螺旋状のコイルの一部を構成する形状に成形される。すなわち、成形後の配線６１〜６７は、ビア配線Ｖ１〜Ｖ１２を介して直列に接続され、約５巻きと１／２の螺旋状のコイルとなる。

なお、コイル基板１０の成形（つまり、開口部２０Ｙ及び貫通孔２３Ｘの形成）を、金型を用いたプレス加工法に代えて、レーザ加工法等により行うようにしてもよい。また、本工程において、開口部２０Ｙ及び貫通孔２３Ｘの形成と併せて、図２７（ｂ）に示すように、連結部１２の所要箇所に、当該連結部１２を厚さ方向に貫通する認識マーク１２Ｘを形成するようにしてもよい。この認識マーク１２Ｘは、例えば、金型を用いたプレス加工法やレーザ加工法により形成することができる。

次に、図２８及び図２９（ａ）に示す工程では、貫通孔２３Ｘの内壁面を含む積層体２３の表面全面を被覆する絶縁膜２５を形成する。すなわち、各個別領域Ａ１に形成された積層体２３の外壁面（側壁）、最下層の配線６１の下面及び側面、最上層の絶縁層５７の上面、ビア配線Ｖ１２，Ｖ１３の上面、及び貫通孔２３Ｘの内壁面を連続的に被覆する絶縁膜２５を形成する。積層体２３の外壁面や貫通孔２３Ｘの内壁面には各配線６１〜６７の端面が露出しているため、インダクタ９０（図８参照）を製造した際に、各配線６１〜６７が封止樹脂９１に含有される場合がある導電体（磁性体のフィラー等）と短絡するおそれがある。これに対し、本例では、積層体２３の表面を被覆する絶縁膜２５を形成するため、封止樹脂９１に含有される場合がある導電体との短絡を抑制することができる。

なお、絶縁膜２５は、例えば、スピンコート法やスプレーコート法により形成することができる。また、絶縁膜２５として、電着レジストを用いるようにしてもよい。この場合には、電着塗布法により、積層体２３の外壁面や貫通孔２３Ｘの内壁面に露出する各配線６１〜６７の端面のみに電着レジスト（絶縁膜２５）が被着される。

以上の製造工程により、各個別領域Ａ１にコイル基板２０が製造され、複数のコイル基板２０が設けられたコイル基板１０が製造される。
次に、インダクタ９０の製造方法について説明する。

まず、図２９（ｂ）に示す工程では、各個別領域Ａ１に形成されたコイル基板２０全体を封止する封止樹脂９１を形成する。すなわち、各個別領域Ａ１全体に封止樹脂９１を形成する。これにより、コイル基板２０の貫通孔２０Ｘが封止樹脂９１によって充填され、コイル基板２０の外壁面（側壁）、コイル基板２０の上面（絶縁膜２５の上面）及びコイル基板２０の下面（絶縁膜２５の下面）が封止樹脂９１によって被覆される。封止樹脂９１を充填する方法としては、例えば、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法を用いることができる。

次に、図２９（ｂ）に示した構造体を破線で示した切断位置に沿って切断する、つまり、コイル基板１０を個別領域Ａ１毎に切断する。これにより、連結部１２及び外枠１３が除去され、封止樹脂９１によって封止されたコイル基板２０が個片化され、図３０（ａ）に示す構造体が複数個得られる。このとき、コイル基板２０の一方の側面２０Ａには接続部６１Ａが露出され、コイル基板２０の他方の側面２０Ｂには接続部６７Ａが露出される。

なお、図２９（ｂ）及び図３０（ａ）に示した工程では、各個別領域Ａ１に形成されたコイル基板２０を封止する封止樹脂９１を形成した後に、コイル基板２０を個片化するようにした。これに限らず、例えば、コイル基板２０を個片化した後に、各コイル基板２０の側面２０Ａ，２０Ｂを除く部分を封止するように封止樹脂９１を形成するようにしてもよい。

続いて、図３０（ｂ）に示す工程では、コイル基板２０の側面２０Ａ、封止樹脂９１の一方の側面、上面及び下面の一部を連続的に被覆する電極９２を形成する。また、コイル基板２０の側面２０Ｂ、封止樹脂９１の他方の側面、上面及び下面の一部を連続的に被覆する電極９３を形成する。電極９２の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ａから露出する接続部６１Ａの側面と接する。これにより、接続部６１Ａ及びその接続部６１Ａと一体に形成された配線６１は、電極９２と電気的に接続される。また、電極９３の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ｂから露出する接続部６７Ａの側面と接する。これにより、接続部６７Ａ及びその接続部６７Ａと一体に形成された配線６７は、電極９３と電気的に接続される。

以上の製造工程により、図８（ｂ）に示したインダクタ９０を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）螺旋状のコイルの一部となる配線６１〜６７と、絶縁層５１〜５７とを有する構造体４１〜４７を、基板３０の上下両面に積層し、上下に隣接する配線６１〜６７同士をビア配線Ｖ１〜Ｖ１２を介して直列に接続して、１本の螺旋状のコイルを作製するようにした。これにより、基板３０の上下両面に積層する構造体の積層数を調整することで、平面形状を変更することなく任意の巻き数のコイルを作製することができる。このため、従来のサイズ（例えば、平面形状が１．６ｍｍ×１．６ｍｍ）よりも小さいサイズ（例えば、平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）のコイルを容易に作製することができる。

（２）また、基板３０の上下両面に積層する構造体の積層数を増加させることにより、平面形状を変更することなくコイルの巻き数（ターン数）を増加させることができる。このため、小型でインダクタンスの大きいコイルを容易に作製することができる。

（３）積層体２３の中に、構造体４１〜４７が有する絶縁層５１〜５７よりも熱膨張係数の低い基板３０を設けるようにした。これにより、コイル基板２０に温度変化が生じた際に、基板３０の熱変形（熱収縮又は熱膨脹）を小さくできるため、各層に形成された配線６１〜６７の位置の変位を抑制できる。すなわち、コイル基板２０に温度変化が生じた場合であっても、配線６１〜６７から構成されるコイル（コイル基板２０）の位置が設計値からずれることを好適に抑制することができる。換言すると、配線６１〜６７から構成されるコイルの位置精度を向上させることができる。

（４）基板３０の剛性を絶縁層５１〜５７よりも高くした。例えば、基板３０を絶縁層５１〜５７よりも厚く形成した。このように基板３０に高い剛性を持たせることにより、コイル基板２０全体の熱変形を抑制することができる。

（５）基板３０の上下両面に構造体４１〜４７を積層して積層体２３を形成し、その積層体２３の最下層に配線６１を露出するようにした。このとき、配線６１（例えば、銅層）は、基板３０（例えば、ポリイミドフィルム）よりも絶縁膜２５との密着性が高い。このため、積層体２３の最下層に基板３０を露出させる場合に比べて、積層体２３と絶縁膜２５との密着性を向上させることができる。また、積層体２３の最下層に基板３０を露出させた場合には、その基板３０と絶縁膜２５との密着性が低いため、絶縁膜２５を形成する前に基板３０の下面に対して絶縁膜２５との密着性を高めるための表面処理（例えば、プラズマ処理）を施す必要がある。これに対し、本例では、配線６１と絶縁膜２５との密着性が高いため、上述したような表面処理を施す必要がない。

（６）溝部６１Ｘ，６１Ｙに露出する配線６１の側面を被覆するように絶縁膜２５を形成するようにした。これにより、絶縁膜２５と配線６１との接触面積を増加させることができるため、絶縁膜２５と配線６１との密着性をより向上させることができる。

（７）コイル基板１０では、積層体２３を構成する基板３０の一部を外枠１３として利用し、その外枠１３にスプロケットホール１３Ｘを形成するようにした。これにより、積層体２３を構成する部材以外の追加の部材を設けることなく、基板３０のスプロケットホール１３Ｘを利用してコイル基板１０の搬送を容易に行うことができる。

（８）ところで、コイルの一部を構成する形状の配線を予め各構造体に形成し、その各構造体を積層する方法も考えられる。すなわち、本例で言えば、図７に示した形状の配線６１〜６７（貫通孔２３Ｘが形成された状態の配線６１〜６７）を対応する構造体４１〜４７に形成し、その各構造体４１〜４７を基板３０の上下両面に積層して積層体２３を形成する方法も考えられる。しかし、この方法では、各配線が平面方向（例えば、左右）にずれて平面視で完全に重複するようには積層できない。その後、積層体に貫通孔等を形成すると、位置ずれした配線の一部が除去されるおそれがある。このような問題は、例えば、予め各構造体に形成する配線を細くすることで解決することができる。しかし、この場合には、コイルの直流抵抗が増加するという新たな問題が生じる。

これに対し、本実施形態の製造方法では、螺旋状のコイルを構成する形状の配線６１〜６７（図７に示した配線６１〜６７）よりも平面形状の大きい金属層（製造途中における配線６１〜６７）を予め各構造体４１〜４７に形成するようにした。そして、各構造体４１〜４７を基板３０の上下両面に積層して積層体２３を形成し、この積層体２３を厚さ方向に成形して、各金属層を螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線に同時に加工するようにした。このため、各配線６１〜６７が平面方向にずれることなく、平面視で重複するように高精度に積層された配線６１〜６７から螺旋状のコイルを形成することができる。この結果、配線６１〜６７から構成されるコイルの直流抵抗を小さくすることができる。すなわち、各配線６１〜６７の平面方向への位置ずれを考慮する必要がないため、各配線６１〜６７の幅を太くすることが可能となり、コイルの直流抵抗を小さくすることができる。

（９）基板１００及び支持フィルム１０２〜１０７としてリール状（テープ状）の可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いるようにした。これにより、コイル基板１０をリールトゥリールで製造することができる。このため、大量生産によるコイル基板１０の低コスト化を実現することができる。

（１０）１つの構造体４１〜４７（１層）に形成する配線６１〜６７をコイルの１巻き以下とするようにした。このため、１つの構造体４１〜４７（１層）に形成する配線の幅を太くすることが可能となる。すなわち、配線６１〜６７の幅方向の断面積を増やすことが可能となり、インダクタの性能に直結する巻き線抵抗を低減することができる。

（１１）各構造体４１〜４７にダミーパターンである金属層６１Ｄ〜６７Ｄを設けるようにした。これにより、各構造体４１〜４７に形成された導電層の形状差を小さくすることができる。このため、上述した形状差に起因して、上記導電層を被覆する絶縁層５１〜５７に凹凸が生じることを好適に抑制できる。

（１２）連結部１２に位置する基板３０の上下両面に金属層８１〜８７を積層するようにした。これにより、コイル基板１０全体の機械的強度を高めることができる。
（１３）上下に隣接する配線６２〜６７を電気的に接続する貫通電極（ビア配線Ｖ２〜Ｖ１３）を、上下に隣接する構造体のうち下側の構造体に含まれる絶縁層と、上側の構造体に含まれる配線及び絶縁層とを貫通して形成するようにした。このため、構造体４２〜４７に含まれる絶縁層５２〜５７には、当該絶縁層５２〜５７を厚さ方向に貫通する貫通電極（ビア配線Ｖ２〜Ｖ１３）が２箇所に形成される。例えば、絶縁層５２にはビア配線Ｖ２，Ｖ３が形成され、絶縁層５３にはビア配線Ｖ４，Ｖ５が形成され、絶縁層５４にはビア配線Ｖ６，Ｖ７が形成され、絶縁層５５にはビア配線Ｖ８，Ｖ９が形成され、絶縁層５６にはビア配線Ｖ１０，Ｖ１１が形成され、絶縁層５７にはビア配線Ｖ１２，Ｖ１３が形成される。これにより、絶縁層５２〜５７中においてはビア配線Ｖ２〜Ｖ１３が支持体となって剛性を保つため、インダクタ９０全体のねじれ等を抑制することができる。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態の製造方法における開口部２０１Ｙ〜２０７Ｙの形成を省略してもよい。この場合には、例えば、金属箔１６１等をパターニングする工程（例えば、図１１（ｂ）に示した工程）において、絶縁層５１の下面全面を被覆する金属箔１６１に溝部６１Ｘ，６１Ｙのみを形成する。すなわち、この場合には、溝部６１Ｘ，６１Ｙ以外の金属箔１６１を残し、溝部６１Ｘ，６１Ｙ以外の絶縁層５１の下面を被覆する金属層を形成する。なお、他の層についても同様である。例えば、絶縁層５２の下面に、貫通孔４２Ｘ及び溝部６２Ｙ，６２Ｚ以外の絶縁層５２の下面を被覆する金属層を形成する。

・上記実施形態における金属層８１〜８７の形成を省略してもよい。
・上記実施形態における金属層６１Ｄ〜６７Ｄ（ダミーパターン）の形成を省略してもよい。

・上記実施形態における認識マーク１２Ｘと同様の認識マークを外枠１３に形成するようにしてもよい。すなわち、外枠１３に、位置決め（位置合わせ）のための貫通孔を形成するようにしてもよい。この場合において、外枠１３に認識マーク及びスプロケットホール１３Ｘの両方を形成するようにしてもよいし、外枠１３に認識マークのみを形成するようにしてもよい。

・上記実施形態における絶縁膜２５を省略してもよい。例えば、封止樹脂９１が磁性体を含有しない場合には、コイル基板２０を被覆する絶縁膜２５が不要となるため、その絶縁膜２５を省略してもよい。なお、この場合には、封止樹脂９１が短絡の原因となる磁性体を含有していないため、コイル基板２０上に直接、封止樹脂９１を形成することができる。

・上記実施形態における基板３０の上下両面に積層する構造体の数は特に制限されない。例えば、基板３０の下面３０Ａに２つ以上の構造体を積層するようにしてもよいし、基板３０の上面３０Ｂに１〜５つ、又は７つ以上の構造体を積層するようにしてもよい。また、基板３０が積層体２３の厚さ方向の中心付近に配置されるように、基板３０の下面３０Ａに積層する構造体の数と、基板３０の上面３０Ｂに積層する構造体の数とを設定するようにしてもよい。

・上記実施形態における絶縁層５１を省略してもよい。この場合には、基板３０と配線６１との密着性を向上させるために、基板３０の下面３０Ａに対してプラズマ処理等の表面処理を施すことが好ましい。なお、この場合であっても、配線６１と配線６２との間の絶縁は基板３０によって十分に確保することが可能である。

・上記実施形態において、１つの構造体４１〜４７に形成する配線の巻き数は任意に組み合わせることができる。上記実施形態のように、約１巻きの配線と約３／４巻きの配線を組み合わせてもよいし、約１巻きの配線と約１／２巻きの配線を組み合わせてもよい。約３／４巻きの配線を用いた場合には、４種類のパターン（上記実施形態の例では、配線６２，６３，６４，６５）の配線が必要となる一方で、約１／２巻きの配線を用いる場合には、２種類のパターンの配線のみで構成することができる。

１０ コイル基板
１１ ブロック
１２ 連結部
１３ 外枠
２０ コイル基板（単位コイル基板）
２０Ｘ 貫通孔
２３ 積層体
２３Ｘ 貫通孔
２５ 絶縁膜
３０ 基板
４１ 構造体（第１構造体）
４２〜４７ 構造体（第２構造体）
５１ 絶縁層（第１絶縁層）
５２〜５７ 絶縁層（第２絶縁層）
６１ 配線（第１配線、第１金属層）
６１Ａ 接続部（第１接続部）
６１Ｘ，６１Ｙ 溝部
６２〜６７ 配線（第２配線、第２金属層）
６７Ａ 接続部（第２接続部）
７１〜７６ 接着層
９０ インダクタ
９１ 封止樹脂
９２，９３ 電極（一対の電極）
１０２〜１０７ 支持フィルム（支持体）
Ａ１ 個別領域（領域）

Claims (10)

1. 基板と、前記基板の下面に積層された第１構造体と、前記基板の上面に積層された複数の第２構造体とを有する積層体と、
   前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
   前記積層体の表面を被覆する絶縁膜と、を有し、
   前記第１構造体は、前記基板の下面に積層された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下面に積層され前記積層体の最下層に形成された第１配線とを有し、
   前記各第２構造体は、第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下面に積層され、側面の一部が前記第２絶縁層により被覆された第２配線とを有し、
   前記絶縁膜は、前記貫通孔の内壁面から露出される、前記第１配線の側面及び前記第２配線の側面の一部を被覆するとともに、前記第１配線の下面を被覆し、
   前記第１配線の端部に第１接続部が設けられ、
   前記積層体の最上層の前記第２配線の端部に第２接続部が設けられ、
   前記第１接続部及び前記第２接続部が前記絶縁膜から露出され、
   上下に隣接する前記第１配線と前記第２配線とが直列に接続され、上下に隣接する前記第２配線同士が直列に接続されて螺旋状のコイルが形成され、
   前記基板の厚さは、前記第１絶縁層よりも厚く、且つ前記各第２絶縁層よりも厚く設定されていることを特徴とするインダクタ。
2. 前記第１接続部及び前記第２接続部を除いて前記積層体及び前記絶縁膜を被覆し、前記貫通孔を充填する封止樹脂と、
   前記封止樹脂を被覆するように形成され、前記第１接続部及び前記第２接続部とそれぞれ電気的に接続された一対の電極と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
3. 前記封止樹脂は、磁性体を含有していることを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
4. 上下に隣接する前記第２構造体のうち下側の第２構造体に含まれる第２絶縁層と、上側の第２構造体に含まれる第２配線及び第２絶縁層とを貫通して形成され、上下に隣接する前記第２配線同士を電気的に接続する貫通電極と、
   前記第１絶縁層と前記基板とを貫通して形成され、上下に隣接する前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する貫通電極と、を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のインダクタ。
5. 上下に隣接する前記基板と前記第２構造体とは接着層を介して積層され、上下に隣接する前記第２構造体同士は接着層を介して積層されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のインダクタ。
6. 基板と、前記基板の下面に積層された第１構造体と、前記基板の上面に積層された複数の第２構造体とを有する積層体と、
   前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
   前記積層体の表面を被覆する絶縁膜と、を有する単位コイル基板が形成された領域が複数個配列されたブロックを有し、
   前記第１構造体は、前記基板の下面に積層された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下面に積層され前記積層体の最下層に形成された第１配線とを有し、
   前記各第２構造体は、第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下面に積層され、側面の一部が前記第２絶縁層により被覆された第２配線とを有し、
   前記絶縁膜は、前記貫通孔の内壁面から露出される、前記第１配線の側面及び前記第２配線の側面の一部を被覆するとともに、前記第１配線の下面を被覆し、
   上下に隣接する前記第１配線と前記第２配線とが直列に接続され、上下に隣接する前記第２配線同士が直列に接続されて螺旋状のコイルが形成され、
   前記基板の厚さは、前記第１絶縁層よりも厚く、且つ前記各第２絶縁層よりも厚く設定されていることを特徴とするコイル基板。
7. 前記絶縁膜の上面及び下面を被覆し、前記貫通孔を充填する封止樹脂を有することを特徴とする請求項６に記載のコイル基板。
8. 前記封止樹脂は、磁性体を含有していることを特徴とする請求項７に記載のコイル基板。
9. 前記ブロックよりも外側に張り出して形成された外枠を有し、
   前記外枠は、前記基板によって構成され、
   前記外枠には、搬送又は位置決めのための貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載のコイル基板。
10. 基板を準備する工程と、
    前記基板の両端領域を除く領域の下面に、第１金属層を有する第１構造体を積層する工程と、
    第２金属層と前記第２金属層の一部を被覆する絶縁層とを有する第２構造体を複数個準備する工程と、
    上下に隣接する前記第１金属層と前記第２金属層を直列に接続しながら、且つ上下に隣接する第２金属層同士を直列に接続しながら、前記基板の上面に複数の前記第２構造体を順次積層して積層体を形成する工程と、
    前記積層体を成形して、前記第１金属層及び前記各第２金属層をコイルの一部を構成する形状の配線に加工するとともに、前記配線同士が直列に接続された螺旋状のコイルを形成する工程と、を有し、
    前記第２構造体を複数個準備する工程では、支持体の両端領域を除く領域に前記第２構造体を積層し、
    前記積層体を形成する工程は、
    前記基板と前記第２構造体とを接着層を介して対向配置し、前記第１構造体と前記支持体とが外側になるように、前記第２構造体を前記接着層を介して前記基板の上面に積層する工程と、
    前記支持体を除去する工程と、
    前記第１金属層と前記第２金属層とを直列に接続する工程と、を有し、
    前記基板の両端領域及び前記支持体の両端領域には、搬送又は位置決めのための貫通孔が形成され
    前記基板の厚さは、前記絶縁層よりも厚く設定されていることを特徴とするコイル基板の製造方法。