JP6277875B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- GXGJIOMUZAGVEH-UHFFFAOYSA-N Chamazulene Chemical group CCC1=CC=C(C)C2=CC=C(C)C2=C1 GXGJIOMUZAGVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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Description
を有し、前記第1及び第2の発光素子は、それぞれ個別のチップ基板を有し、前記導電ペースト膜の、前記リードフレームの長手方向に直交する方向の幅は、前記リードフレームの長手方向の全領域において、前記第1及び第2の発光素子の、前記リードフレームの長手方向に直交する方向の幅より大である、発光装置。
(発光装置の構成)
図1は、第1の実施の形態に係る発光装置1の垂直断面図である。
以下に、本実施の形態の発光装置1の製造方法の一例について説明する。
上記の実施の形態によれば、リードフレーム10と一体成型されたケース11内に複数の発光素子12、13が実装された薄型の発光装置1において、リードフレーム10と発光素子12、13の直列接続の中継領域として導電ペースト膜14を用いることにより、発光装置1の発光素子12、13に対するサイズを小さくすることができる。
10 リードフレーム
10a 第1の領域
10b 第2の領域
11 ケース
12、13 発光素子
14 導電ペースト膜
15 導電ペースト
16 金属フレーム
17a、17b 切断部
18 凹部
Claims (8)
- 凹部を有するケースと、
前記凹部の底部に露出するように前記ケースと一体に成型され、分離された第1の領域と第2の領域を有するリードフレームと、
前記凹部の底部の、前記第1の領域と前記第2の領域の間の領域上に形成された導電ペースト膜と、
前記第1の領域と前記導電ペースト膜にそれぞれ電気的に接続される第1の電極と第2の電極を有する、フリップチップ型の第1の発光素子と、
前記第2の領域と前記導電ペースト膜にそれぞれ電気的に接続される第3の電極と第4の電極を有する、フリップチップ型の第2の発光素子と、
を有し、
前記第1及び第2の発光素子は、それぞれ個別のチップ基板を有し、
前記導電ペースト膜の、前記リードフレームの長手方向に直交する方向の幅は、前記リードフレームの長手方向の全領域において、前記第1及び第2の発光素子の、前記リードフレームの長手方向に直交する方向の幅より大である、発光装置。 - 前記第1の電極と前記第1の領域、及び前記第3の電極と前記第2の領域が、導電ペーストを介して接続され、
前記第2の電極と前記導電ペースト膜、及び前記第4の電極と前記導電ペースト膜が、直接接続された、
請求項1に記載の発光装置。 - 前記ケースが熱可塑性樹脂からなる、
請求項1又は2に記載の発光装置。 - 前記凹部の底部の、前記導電ペースト膜と接触する領域に凹凸加工が施されている、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 金属フレームに含まれる、分離された第1の領域と第2の領域を有するリードフレームと、凹部を有するケースとを、前記第1の領域及び前記第2の領域が前記凹部の底部に露出するように一体成型する工程と、
前記凹部の底部の、前記第1の領域と前記第2の領域の間の領域上に、導電ペースト膜を形成する工程と、
第1の電極と第2の電極及びチップ基板を有するフリップチップ型の第1の発光素子を、前記第1の電極と前記第2の電極を前記第1の領域と前記導電ペースト膜にそれぞれ電気的接続するように実装し、第3の電極と第4の電極及び前記第1の発光素子とは別個のチップ基板を有するフリップチップ型の第2の発光素子を、前記第3の電極と前記第4の電極を前記第2の領域と前記導電ペースト膜にそれぞれ電気的に接続するように実装する工程と、
前記リードフレームの前記第1の領域と前記第2の領域を前記金属フレームから切り離す工程と、
を含み、
前記導電ペースト膜を形成する工程は、前記リードフレームの長手方向に直交する幅が、前記リードフレームの長手方向の全領域において、前記第1及び第2の発光素子の、前記リードフレームの長手方向に直交する幅より大きくなるように行う、発光装置の製造方法。 - 前記第1の電極と前記第1の領域、及び前記第3の電極と前記第2の領域を、導電ペーストを介して接続し、
前記第2の電極と前記導電ペースト膜、及び前記第4の電極と前記導電ペースト膜を、直接接続する、
請求項5に記載の発光装置の製造方法。 - 前記ケースが熱可塑性樹脂からなる、
請求項5又は6に記載の発光装置の製造方法。 - 前記凹部の底部の、前記導電ペースト膜と接触する領域に凹凸加工が施されている、
請求項5〜7のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014121646A JP6277875B2 (ja) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 発光装置及びその製造方法 |
CN201510262645.7A CN105322074A (zh) | 2014-06-12 | 2015-05-21 | 发光装置及其制造方法 |
US14/724,685 US20150364663A1 (en) | 2014-06-12 | 2015-05-28 | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014121646A JP6277875B2 (ja) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016001697A JP2016001697A (ja) | 2016-01-07 |
JP6277875B2 true JP6277875B2 (ja) | 2018-02-14 |
Family
ID=54836895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014121646A Active JP6277875B2 (ja) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150364663A1 (ja) |
JP (1) | JP6277875B2 (ja) |
CN (1) | CN105322074A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6471641B2 (ja) | 2015-08-04 | 2019-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE102016208489A1 (de) * | 2016-05-18 | 2017-11-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil |
JP2018166083A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | アイシン精機株式会社 | 電子部品モジュール、及び電子部品モジュールの製造方法 |
US10615321B2 (en) * | 2017-08-21 | 2020-04-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device package |
JP7421056B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2024-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
KR102270996B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2021-06-29 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4694572A (en) * | 1986-06-13 | 1987-09-22 | Tektronix, Inc. | Printed polymer circuit board method |
JP2005268521A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Smk Corp | 導電性接着剤によって回路要素を形成し接続子と接続する方法 |
DE112005003841B4 (de) * | 2004-12-14 | 2016-03-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen |
KR101106148B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 |
WO2006095949A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
JP4037423B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2008-01-23 | 株式会社フジクラ | 発光素子実装用ホーロー基板の製造方法 |
EP2023406A4 (en) * | 2006-05-30 | 2011-01-12 | Fujikura Ltd | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE, LIGHT SOURCE, LIGHTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, CIRCULATION LIGHT, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE |
US9754926B2 (en) * | 2011-01-31 | 2017-09-05 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies |
JP4908620B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | テレビジョン受像機及び電子機器 |
JP6127468B2 (ja) * | 2012-11-22 | 2017-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP3186004U (ja) * | 2013-07-03 | 2013-09-12 | 東揚 邱 | チップ未封止led照明 |
-
2014
- 2014-06-12 JP JP2014121646A patent/JP6277875B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-21 CN CN201510262645.7A patent/CN105322074A/zh active Pending
- 2015-05-28 US US14/724,685 patent/US20150364663A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150364663A1 (en) | 2015-12-17 |
JP2016001697A (ja) | 2016-01-07 |
CN105322074A (zh) | 2016-02-10 |
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A621 | Written request for application examination |
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