JP6275421B2 - 研磨方法および研磨装置 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 37
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
上記参考例の好ましい態様は、単位時間当たりの前記膜厚の変化量の変動幅が所定の範囲を超えた場合は、警報信号を生成することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨レートが所定の範囲内にあることを条件として、前記追加研磨時間を算出することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨レートが所定の範囲を超えた場合は、警報信号を生成することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記膜厚が前記第1の監視値または前記第2の監視値に達する前に、予め設定された研磨時間の上限値に達した場合には、警報信号を生成することを特徴とする。
本発明の一態様は、光学式膜厚測定器で基板の膜厚を測定しながら該基板を研磨し、前記基板の研磨中に前記基板の研磨レートを繰り返し計算して複数の研磨レートを取得し、前記複数の研磨レートのうち、最も度数の大きい研磨レートを決定し、所定の検出しきい値と所定の目標膜厚との差分を前記研磨レートで割り算して追加研磨時間を算出し、前記膜厚が前記所定の検出しきい値に達した時点から前記追加研磨時間が経過したときに前記基板の研磨を終了させることを特徴とする研磨方法である。
上記参考例の好ましい態様は、単位時間当たりの前記膜厚の変化量の変動幅が所定の範囲を超えた場合は、前記研磨制御部は警報信号を生成することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨制御部は、前記研磨レートが所定の範囲内にあることを条件として、前記追加研磨時間を算出することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨レートが所定の範囲を超えた場合は、前記研磨制御部は警報信号を生成することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記膜厚が前記第1の監視値または前記第2の監視値に達する前に、予め設定された研磨時間の上限値に達した場合には、前記研磨制御部は警報信号を生成することを特徴とする。
本発明の他の態様は、研磨パッドを支持する研磨テーブルと、基板を前記研磨パッドに押し付けるトップリングと、研磨中の前記基板の膜厚を測定する光学式膜厚測定器と、前記基板の研磨を制御する研磨制御部とを備え、前記研磨制御部は、前記基板の研磨中に前記基板の研磨レートを繰り返し計算して複数の研磨レートを取得し、前記複数の研磨レートのうち、最も度数の大きい研磨レートを決定し、所定の検出しきい値と所定の目標膜厚との差分を前記研磨レートで割り算して追加研磨時間を算出し、前記膜厚が前記所定の検出しきい値に達した時点から前記追加研磨時間が経過したときに前記基板の研磨を終了させることを特徴とする研磨装置である。
3 研磨テーブル
5 トップリング
10 研磨液供給ノズル
12 研磨制御部
16 トップリングシャフト
17 連結手段
18 トップリングモータ
19 テーブルモータ
25 光学式膜厚測定器
31 膜厚センサ
32 処理部
42 投光部
43 受光部(光ファイバー)
44 分光器
47 光源
48 光ファイバー
50A 第1の孔
50B 第2の孔
51 通孔
53 液体供給路
54 液体排出路
55 液体供給源
Claims (2)
- 光学式膜厚測定器で基板の膜厚を測定しながら該基板を研磨し、
前記基板の研磨中に前記基板の研磨レートを繰り返し計算して複数の研磨レートを取得し、前記複数の研磨レートのうち、最も度数の大きい研磨レートを決定し、
所定の検出しきい値と所定の目標膜厚との差分を前記研磨レートで割り算して追加研磨時間を算出し、
前記膜厚が前記所定の検出しきい値に達した時点から前記追加研磨時間が経過したときに前記基板の研磨を終了させることを特徴とする研磨方法。 - 研磨パッドを支持する研磨テーブルと、
基板を前記研磨パッドに押し付けるトップリングと、
研磨中の前記基板の膜厚を測定する光学式膜厚測定器と、
前記基板の研磨を制御する研磨制御部とを備え、
前記研磨制御部は、
前記基板の研磨中に前記基板の研磨レートを繰り返し計算して複数の研磨レートを取得し、前記複数の研磨レートのうち、最も度数の大きい研磨レートを決定し、
所定の検出しきい値と所定の目標膜厚との差分を前記研磨レートで割り算して追加研磨時間を算出し、
前記膜厚が前記所定の検出しきい値に達した時点から前記追加研磨時間が経過したときに前記基板の研磨を終了させることを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013184575A JP6275421B2 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 研磨方法および研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013184575A JP6275421B2 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 研磨方法および研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015053349A JP2015053349A (ja) | 2015-03-19 |
JP6275421B2 true JP6275421B2 (ja) | 2018-02-07 |
Family
ID=52702171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013184575A Active JP6275421B2 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 研磨方法および研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6275421B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6473050B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-02-20 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335288A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-18 | Sony Corp | 基板研磨装置及び研磨終点検出方法 |
JP4460659B2 (ja) * | 1997-10-22 | 2010-05-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置 |
KR100434189B1 (ko) * | 2002-03-21 | 2004-06-04 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법 |
JP4542324B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2010-09-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置及びポリッシング装置 |
JP2005011977A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Ebara Corp | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
JP2005259770A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
JP4408244B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2010-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板研磨方法および基板研磨装置 |
US7175505B1 (en) * | 2006-01-09 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method for adjusting substrate processing times in a substrate polishing system |
JP4862011B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2012-01-25 | 株式会社東京精密 | 研磨途中時点の検出方法と研磨装置並びに研磨状態モニタ方法と研磨終了時点の検出方法 |
JP5339791B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-11-13 | 株式会社東京精密 | 研磨終点検出方法及び研磨装置 |
JP2010093147A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Ebara Corp | 研磨進捗監視方法および研磨装置 |
US8751033B2 (en) * | 2008-11-14 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Adaptive tracking spectrum features for endpoint detection |
JP5050024B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2012-10-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
-
2013
- 2013-09-06 JP JP2013184575A patent/JP6275421B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015053349A (ja) | 2015-03-19 |
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