JP6273089B2 - レーザ射出装置及びレーザ射出装置の製造方法 - Google Patents
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Description
1.一般的な外部共振器型レーザ射出装置についての検討
2.第1の実施形態
2−1.第1の実施形態に係るレーザ射出装置の概略構成
2−2.第1の実施形態に係るレーザ射出装置の効果
3.第2の実施形態
3−1.リレーレンズについての検討
3−2.第2の実施形態に係るレーザ射出装置の概略構成
3−3.第2の実施形態に係るレーザ射出装置の効果
4.変形例
4−1.MOPAシステムへの適用
4−2.レンズ構成(レンズ系)における変形例
5.まとめ
本開示の好適な実施形態について説明するに先立ち、本開示の内容をより明確なものとするために、まず、一般的な外部共振器型レーザ射出装置の構成について説明する。以下では、一般的な外部共振器型レーザ射出装置について本発明者らが検討した結果について説明するとともに、本発明者らが本開示に至った背景について説明する。
まず、本開示の第1の実施形態について説明する。なお、以下の説明では、外部共振器型レーザ射出装置のことを、単にレーザ射出装置とも呼称する。
まず、図3A、図3B及び図4を参照して、本開示の第1の実施形態に係る外部共振器型レーザ射出装置の概略構成について説明する。図3Aは、本開示の第1の実施形態に係るレーザ射出装置の一構成例を示す上面図である。図3Bは、本開示の第1の実施形態に係るレーザ射出装置の一構成例を示す側面図である。図4は、本開示の第1の実施形態に係るレーザ射出装置のレーザ光源として用いられる半導体レーザの一構造例を示す概略図である。
次に、図5A及び図5Bを参照して、本開示の第1の実施形態に係るレーザ射出装置10の効果について説明する。図5Aは、本開示の第1の実施形態に係るレーザ射出装置10及び一般的なリットロー型外部共振器レーザ射出装置900の出力光の強度を表すグラフである。図5Bは、本開示の第1の実施形態に係るレーザ射出装置10及び一般的なリットロー型外部共振器レーザ射出装置900のSA部の光密度を表すグラフである。なお、図5A及び図5Bに示すデータ取得時には、リットロー型外部共振器レーザ射出装置900のレーザ光源として、レーザダイオード110と同様の構成のレーザダイオードを用いることにより、出力光の強度及びSA部の光密度を評価している。
次に、本開示の第2の実施形態について説明する。本開示の第2の実施形態においては、上記説明した第1の実施形態に対して、リレーレンズが更に設けられる。以下の第2の実施形態についての説明では、第2の実施形態における効果をより明確なものとするために、まず、リレーレンズとして球面レンズを用いる場合を例に挙げて、レーザ射出装置におけるリレーレンズの導入について検討する。次いで、本開示の第2の実施形態として、リレーレンズとしてシリンドリカルレンズが設けられるレーザ射出装置について説明する。
まず、図6A及び図6Bを参照して、リレーレンズとして球面レンズを導入したレーザ射出装置の概略構成について説明する。図6Aは、リレーレンズとして球面レンズを導入したレーザ射出装置の一構成例を示す上面図である。図6Bは、リレーレンズとして球面レンズを導入したレーザ射出装置の一構成例を示す側面図である。
図12A及び図12Bを参照して、本開示の第2の実施形態に係るレーザ射出装置の概略構成について説明する。図12Aは、本開示の第2の実施形態に係るレーザ射出装置の一構成例を示す上面図である。図12Bは、本開示の第2の実施形態に係るレーザ射出装置の一構成例を示す側面図である。
図13A−図13C及び図14を参照して、本開示の第2の実施形態に係るレーザ射出装置20が奏する効果について説明する。図13A−図13Cは、本開示の第2の実施形態に係るレーザ射出装置20における出力光のスペクトルを示すグラフである。図13Aは、Δz=0mm、すなわち、リレーレンズ250のうち後段に位置するシリンドリカルレンズ252が所定の位置にあるときの出力光のスペクトルを示すグラフである。図13Bは、シリンドリカルレンズ252の位置をΔz=−1.5mmだけ移動させたときの出力光のスペクトルを示すグラフである。図13Cは、シリンドリカルレンズ252の位置をΔz=−3mmだけ移動させたときの出力光のスペクトルを示すグラフである。なお、図13A−図13Cに示すスペクトルの測定条件としては、レーザダイオード210のSA部への印加電圧VSAはVSA=−9(V)である。また、レーザダイオード210のGain部への印加電流Igainは、図13AがIgain=54(mA)、図13BがIgain=57(mA)、図13CがIgain=59(mA)として測定を行っている。なお、図13A−図13Cに示すグラフにおける横軸及び縦軸の物理量の意味は、図9A及び図9Bに示すグラフと同様である。
次に、本開示の第1の実施形態及び第2の実施形態の変形例について説明する。
まず、図15を参照して、第1の実施形態及び第2の実施形態に係るレーザ射出装置10、20を、いわゆるMOPA(主発振器出力増幅器:Master Oscillator Power Amplifier)システムに適用する場合の、概略構成について説明する。図15は、本開示の第2の実施形態に係るレーザ射出装置20が適用されたMOPAシステムの一構成例を示す概略図である。なお、図15では、MOPAシステムへの適用例として、第2の実施形態に係るレーザ射出装置20を例に挙げているが、第1の実施形態に係るレーザ射出装置10も同様に適用可能である。
次に、図16A及び図16Bを参照して、第1の実施形態及び第2の実施形態に係るレーザ射出装置において、異なるレンズ系を有する変形例について説明する。図16Aは、本開示の第1の実施形態及び第2の実施形態の一変形例に係るレーザ射出装置の一構成例を示す上面図である。図16Bは、本開示の第1の実施形態及び第2の実施形態の一変形例に係るレーザ射出装置の一構成例を示す側面図である。
以上説明したように、本開示の第1の実施形態及び第2の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1)所定の波長の光を射出する半導体レーザと、前記半導体レーザの後段に設けられ、前記半導体レーザからの射出光を反射することにより前記半導体レーザとの間で共振構造を構成するとともに、前記射出光の一部が出力光として外部に取り出されるグレーティングと、前記半導体レーザの光射出面と前記グレーティングの反射面とが共焦点となるように、前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に少なくとも1つ設けられるシリンドリカルレンズと、を備えるレーザ射出装置。
(2)前記シリンドリカルレンズは、光軸方向と前記グレーティングに設けられる溝の延伸方向である第1の方向とで規定される平面において、前記グレーティングの前記反射面が前記共焦点の一方の焦点となるように設けられる、前記(1)に記載のレーザ射出装置。
(3)前記シリンドリカルレンズは、光軸方向と前記グレーティングに設けられる溝の配列方向である第2の方向とで規定される平面において、前記半導体レーザからの射出光が、前記グレーティングの前記反射面に所定の広がりを持って照射されるように設けられる、前記(1)又は(2)に記載のレーザ射出装置。
(4)前記第1の方向は、前記半導体レーザにおける活性層及びクラッド層の積層方向である、前記(2)に記載のレーザ射出装置。
(5)前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に、リレーレンズとして、1対のシリンドリカルレンズを更に備える、前記(1)〜(4)のいずれか1項に記載のレーザ射出装置。
(6)前記リレーレンズを構成する前記シリンドリカルレンズのうち後段に配設される前記シリンドリカルレンズの光軸方向における配設位置によって、前記射出光の前記グレーティングへの入射角が制御される、前記(5)に記載のレーザ射出装置。
(7)前記シリンドリカルレンズは、光軸方向と前記グレーティングに設けられる溝の配列方向である第2の方向とで規定される平面において、前記グレーティングの前記反射面よりも前記半導体レーザ側の所定の位置が焦点となるように設けられる、前記(1)〜(4)のいずれか1項に記載のレーザ射出装置。
(8)前記シリンドリカルレンズの光軸方向に沿った配設位置によって、前記射出光の前記グレーティングへの入射角が制御される、前記(7)に記載のレーザ射出装置。
(9)前記レーザ射出装置は、前記半導体レーザを外部共振器の形態で動作させたモードロックレーザ(MLLD)を利用して、前記モードロックレーザの出力を半導体光増幅器(SOA)で増幅する主発振器出力増幅器(MOPA)システム、におけるモードロックレーザ(MLLD)であり、前記MOPAシステムにおける前記SOAの前段には、前記レーザ射出装置において前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に設けられる第1のレンズ群と同一の構成を有する第2のレンズ群が、前記MOPAシステムにおける光軸に対して前記第1のレンズ群と対称に設けられる、前記(1)〜(8)のいずれか1項に記載のレーザ射出装置。
(10)所定の波長の光を射出する半導体レーザを配設することと、前記半導体レーザの後段に、前記半導体レーザからの射出光を反射することにより前記半導体レーザとの間で共振構造を構成するグレーティングを配設することと、前記半導体レーザの光射出面と前記グレーティングの反射面とが共焦点となるように、前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に少なくとも1つシリンドリカルレンズを配設することと、を含む、レーザ射出装置の製造方法。
50 MOPAシステム
110、210、310、410 レーザダイオード
120、220、320、420、520 コリメータレンズ
130、230、330、430 グレーティング
140、240、350、540 シリンドリカルレンズ
250、550 リレーレンズ
251、252、551、552 シリンドリカルレンズ
340 球面レンズ
440 リレーレンズ
441、442 球面レンズ
510 半導体光増幅器(SOA)
Claims (4)
- 所定の波長の光を射出する半導体レーザと、
前記半導体レーザの後段に設けられ、前記半導体レーザからの射出光を反射することにより前記半導体レーザとの間で共振構造を構成するとともに、前記射出光の一部が出力光として外部に取り出されるグレーティングと、
前記半導体レーザの光射出面と前記グレーティングの反射面とが共焦点となるように、前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に少なくとも1つ設けられるシリンドリカルレンズと、
を備え、
前記シリンドリカルレンズは、光軸方向と前記グレーティングに設けられる溝の延伸方向である第1の方向とで規定される平面において、前記グレーティングの前記反射面が前記共焦点の一方の焦点となるように、かつ、前記射出光が前記グレーティングの前記反射面において、前記溝の配列方向である第2の方向に所定の広がりを持って照射されるように設けられ、
前記光軸方向と前記溝の配列方向とで規定される平面において、前記シリンドリカルレンズから出射される前記射出光のビーム幅は、前記シリンドリカルレンズに入射される前記射出光のビーム幅以下であり、
前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に、リレーレンズとして、1対のシリンドリカルレンズを更に備え、
前記リレーレンズを構成する前記シリンドリカルレンズのうち後段に配設される前記シリンドリカルレンズの光軸方向における配設位置によって、前記射出光の前記グレーティングへの入射角が制御される、レーザ射出装置。 - 前記第1の方向は、前記半導体レーザにおける活性層及びクラッド層の積層方向である、
請求項1に記載のレーザ射出装置。 - 前記レーザ射出装置は、前記半導体レーザを外部共振器の形態で動作させたモードロックレーザ(MLLD)を利用して、前記モードロックレーザの出力を半導体光増幅器(SOA)で増幅する主発振器出力増幅器(MOPA)システム、におけるモードロックレーザ(MLLD)であり、
前記MOPAシステムにおける前記SOAの前段には、前記レーザ射出装置において前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に設けられる第1のレンズ群と同一の構成を有する第2のレンズ群が、前記MOPAシステムにおける光軸に対して前記第1のレンズ群と対称に設けられる、
請求項1または2に記載のレーザ射出装置。 - 所定の波長の光を射出する半導体レーザを配設することと、
前記半導体レーザの後段に、前記半導体レーザからの射出光を反射することにより前記半導体レーザとの間で共振構造を構成するグレーティングを配設することと、
前記半導体レーザの光射出面と前記グレーティングの反射面とが共焦点となるように、前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に少なくとも1つシリンドリカルレンズを配設することと、
を含み、
前記シリンドリカルレンズは、光軸方向と前記グレーティングに設けられる溝の延伸方向である第1の方向とで規定される平面において、前記グレーティングの前記反射面が前記共焦点の一方の焦点となるように、かつ、前記射出光が前記グレーティングの前記反射面において、前記溝の配列方向である第2の方向に所定の広がりを持って照射されるように配設され、
前記光軸方向と前記溝の配列方向とで規定される平面において、前記シリンドリカルレンズから出射される前記射出光のビーム幅は、前記シリンドリカルレンズに入射される前記射出光のビーム幅以下であり、
前記半導体レーザと前記グレーティングとの間に、リレーレンズとして、1対のシリンドリカルレンズが更に配設され、
前記リレーレンズを構成する前記シリンドリカルレンズのうち後段に配設される前記シリンドリカルレンズの光軸方向における配設位置によって、前記射出光の前記グレーティングへの入射角が制御される、レーザ射出装置の製造方法。
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