JP6272487B2 - 荷電粒子線装置、シミュレーション方法およびシミュレーション装置 - Google Patents
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- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims description 139
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 260
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 68
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 58
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000009545 invasion Effects 0.000 claims 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 46
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 16
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/226—Image reconstruction
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Claims (15)
- 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件、前記侵入範囲における試料構成、及び前記放出電子数情報に基づき、前記第1入射点から放出される電子数を計算し、
前記侵入長情報における前記入射条件は、荷電粒子エネルギと試料材料とを含み、
前記放出電子数情報における前記入射条件は、入射角度、荷電粒子エネルギ、及び試料材料を含む、荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記試料における電子の入射条件と反射率との関係を示す反射率情報、をさらに含み、
前記放出電子数情報は、荷電粒子の入射条件と電子放出角度分布との関係、及び、荷電粒子の入射条件と電子エネルギ分布との関係を示し、
前記シミュレーション画像生成部は、
前記第1入射点から第1放出方向に放出される異なるエネルギそれぞれの電子数を、前記放出電子数情報に基づき決定し、
前記第1入射点から前記第1放出方向に放出された電子が前記試料に再入射するか、前記試料構成情報に基づき判定し、
前記第1放出方向における電子が前記試料に再入射する場合、前記第1放出方向における電子の前記試料への入射角度を、前記第1放出方向及び前記試料構成情報に基づき決定し、
前記入射角度及び前記反射率情報に基づき、前記異なるエネルギそれぞれの電子の反射率を決定し、
前記反射率と前記第1放出方向における異なるエネルギそれぞれの電子数とから、前記異なるエネルギそれぞれの電子の反射数を決定する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記侵入範囲における異なる構成の部分領域それぞれへの入射条件を、前記照射条件と前記試料構成情報とに基づき決定し、
前記部分領域それぞれへの入射条件と前記放出電子数情報とに基づき、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数を決定し、
前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数に基づき前記第1入射点から放出される電子数を決定する、荷電粒子線装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線装置であって、
前記シミュレーション画像生成部は、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数と前記部分領域の表面サイズの比に基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
所定の入射点での入射条件、前記侵入長情報、前記試料構成情報及び前記放出電子数情報に基づき、前記所定の入射点から放出される電子数を計算し、
異なる照射条件における複数シミュレーション画像を作成し、
前記複数シミュレーション画像それぞれにおいて、前記試料の同一ライン上のラインプロファイルの傾きを計算し、
前記傾きに基づき、前記試料の実際の観測における照射条件を決定する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
所定の入射点での入射条件、前記侵入長情報、前記試料構成情報及び前記放出電子数情報に基づき、前記所定の入射点から放出される電子数を計算し、
前記試料の実際の走査画像と照射条件が異なる複数のシミュレーション画像との比較結果に基づき、前記侵入長情報と前記放出電子数情報の少なくとも一方を補正する、荷電粒子線装置。 - 請求項6に記載の荷電粒子線装置であって、
前記シミュレーション画像生成部は、
前記実際の走査画像と前記複数のシミュレーション画像それぞれとの間における、前記試料の第1解析点の輝度差に基づき、前記放出電子数情報を補正する、荷電粒子線装置。 - 請求項6に記載の荷電粒子線装置であって、
前記シミュレーション画像生成部は、
前記実際の走査画像と前記複数のシミュレーション画像それぞれとの間における、前記試料の第1領域における第1解析点から前記第1領域と構成が異なる第2領域との境界までのラインプロファイルの差に基づき、前記侵入長情報を補正する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件と、前記侵入範囲における試料構成と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報とに基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定し、
前記侵入長情報における前記入射条件は、荷電粒子エネルギと試料材料とを含み、
前記放出電子数情報における前記入射条件は、入射角度、荷電粒子エネルギ、及び試料材料を含む、シミュレーション方法。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記侵入範囲における異なる構成の部分領域それぞれへの入射条件を、前記照射条件と前記試料構成情報とに基づき決定し、
前記部分領域それぞれへの入射条件と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報と、に基づき、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数を決定し、
前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数に基づき前記第1入射点から放出される電子数を決定する、シミュレーション方法。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件と、前記侵入範囲における試料構成と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報とに基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定し、
異なる照射条件における複数シミュレーション画像を作成し、
前記複数シミュレーション画像それぞれにおいて、前記試料の同一ライン上のラインプロファイルの傾きを計算し、
前記傾きに基づき、前記試料の実際の観測における照射条件を決定する、シミュレーション方法。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件と、前記侵入範囲における試料構成と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報とに基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定し、
前記試料の実際の走査画像と照射条件が異なる複数のシミュレーション画像との比較結果に基づき、前記侵入長情報と前記放出電子数情報の少なくとも一方を補正する、シミュレーション方法。 - 試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション装置であって、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件、前記侵入範囲における試料構成、及び前記放出電子数情報に基づき、前記第1入射点から放出される電子数を計算し、
前記侵入長情報における前記入射条件は、荷電粒子エネルギと試料材料とを含み、
前記放出電子数情報における前記入射条件は、入射角度、荷電粒子エネルギ、及び試料材料を含む、シミュレーション装置。 - 試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション装置であって、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記侵入範囲における異なる構成の部分領域それぞれへの入射条件を、前記照射条件と前記試料構成情報とに基づき決定し、
前記部分領域それぞれへの入射条件と前記放出電子数情報とに基づき、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数を決定し、
前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数に基づき前記第1入射点から放出される電子数を決定する、シミュレーション装置。 - 試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション装置であって、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
所定の入射点での入射条件、前記侵入長情報、前記試料構成情報及び前記放出電子数情報に基づき、前記所定の入射点から放出される電子数を計算し、
異なる照射条件における複数シミュレーション画像を作成し、
前記複数シミュレーション画像それぞれにおいて、前記試料の同一ライン上のラインプロファイルの傾きを計算し、
前記傾きに基づき、前記試料の実際の観測における照射条件を決定する、シミュレーション装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/069815 WO2016016927A1 (ja) | 2014-07-28 | 2014-07-28 | 荷電粒子線装置、シミュレーション方法およびシミュレーション装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016016927A1 JPWO2016016927A1 (ja) | 2017-04-27 |
JP6272487B2 true JP6272487B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=55216873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016537620A Active JP6272487B2 (ja) | 2014-07-28 | 2014-07-28 | 荷電粒子線装置、シミュレーション方法およびシミュレーション装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9966225B2 (ja) |
JP (1) | JP6272487B2 (ja) |
TW (1) | TWI608512B (ja) |
WO (1) | WO2016016927A1 (ja) |
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- 2014-07-28 WO PCT/JP2014/069815 patent/WO2016016927A1/ja active Application Filing
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US11749494B2 (en) | 2019-08-08 | 2023-09-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus |
KR20210027063A (ko) * | 2019-08-30 | 2021-03-10 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자선 장치 |
KR102371121B1 (ko) | 2019-08-30 | 2022-03-04 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자선 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016016927A1 (ja) | 2016-02-04 |
JPWO2016016927A1 (ja) | 2017-04-27 |
TW201604913A (zh) | 2016-02-01 |
US20170213695A1 (en) | 2017-07-27 |
US9966225B2 (en) | 2018-05-08 |
TWI608512B (zh) | 2017-12-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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