JP6271822B1 - スパッタリング装置用成膜ユニット - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 真空チャンバの開口に着脱自在な支持板を備え、支持板の一方の面側を上として、この支持板上に、下面にバッキングプレートが接合されたターゲットと、バッキングプレートと支持板との間に固定配置されてターゲット上に漏洩磁場を作用させるマグネットユニットとを有するスパッタリング装置用成膜ユニットであって、
スパッタ電源よりターゲットに電力投入してターゲットをスパッタリングする間、マグネットユニットに対してターゲットを支持板に沿って往復動する駆動手段を更に備えるものにおいて、
バッキングプレートに、その内部に形成された冷媒通路に通じる冷媒の供給管と排出管とが突設され、供給管と排出管とが夫々挿通する、ターゲットの往復動方向に長手のスリット孔が支持板に開設され、支持板の下面に、スリット孔を含む、供給管と排出管のスリット孔から下方に突出した部分を気密状態に夫々囲うキャップ体が設けられ、キャップ体から往復動方向に突出する供給管と排出管との部分にベローズ管が夫々外挿され、駆動手段の駆動部が供給管及び排出管の少なくとも一方に連結され、
前記供給管と前記排出管との少なくとも一方にスパッタ電源からの出力ケーブルが接続され、前記供給管と前記排出管との少なくとも一方を経てバッキングプレートを介してターゲットに電力投入するようにしたことを特徴とするスパッタリング装置用成膜ユニット。 - 真空チャンバの開口に着脱自在な支持板を備え、支持板の一方の面側を上として、この支持板上に、下面にバッキングプレートが接合されたターゲットと、バッキングプレートと支持板との間に固定配置されてターゲット上に漏洩磁場を作用させるマグネットユニットとを有するスパッタリング装置用成膜ユニットであって、
スパッタ電源よりターゲットに電力投入してターゲットをスパッタリングする間、マグネットユニットに対してターゲットを支持板に沿って往復動する駆動手段を更に備えるものにおいて、
バッキングプレートに、その内部に形成された冷媒通路に通じる冷媒の供給管と排出管とが突設され、供給管と排出管とが夫々挿通する、ターゲットの往復動方向に長手のスリット孔が支持板に開設され、支持板の下面に、スリット孔を含む、供給管と排出管のスリット孔から下方に突出した部分を気密状態に夫々囲うキャップ体が設けられ、キャップ体から往復動方向に突出する供給管と排出管との部分にベローズ管が夫々外挿され、駆動手段の駆動部が供給管及び排出管の少なくとも一方に連結され、
同一平面内に並設される矩形の輪郭を持つ2枚のターゲットを備え、
供給管と排出管とが往復動方向に対して直交する方向で各バッキングプレートの両端部に夫々設けられ、
一のターゲットの供給管と排出管との一方と他のターゲットの供給管と排出管との一方と、及び、一のターゲットの供給管と排出管との他方と他のターゲットの供給管と排出管との他方とが、単一のキャップ体で夫々囲われ、駆動部により両ターゲットが連動して往復動するように構成され、
前記支持板上に、ターゲットをその上方に空間を存して囲うカバー体を更に有し、カバー体内に隔絶板が設けられて、一のターゲットが存する空間と他のターゲットが存する空間とを互いに隔絶すると共に、カバー体の上壁部に、各ターゲットに夫々臨む2個の開口が形成されていることを特徴とするスパッタリング装置用成膜ユニット。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリング装置用成膜ユニットであって、各ターゲットと支持板との間にターゲットのスパッタ面側に漏洩磁場を夫々作用させるマグネットユニットが配置されるものにおいて、
前記ターゲットが前記支持板に沿って往復動する方向をX軸方向、X軸方向に対して直交するターゲットの長手方向をY軸方向とし、マグネットユニットとターゲットとが同心になる位置を起点位置、この起点位置からY軸方向に夫々所定のストロークで移動させた位置を折返位置とし、起点位置と両折返位置との間でマグネットユニットを相対移動させる他の駆動手段を備えることを特徴とするスパッタリング装置用成膜ユニット。 - 請求項1記載のスパッタリング装置用成膜ユニットであって、同一平面内に並設される矩形の輪郭を持つ2枚のターゲットを備えるものにおいて、
供給管と排出管とが往復動方向に対して直交する方向で各バッキングプレートの両端部に夫々設けられ、
一のターゲットの供給管と排出管との一方と他のターゲットの供給管と排出管との一方と、及び、一のターゲットの供給管と排出管との他方と他のターゲットの供給管と排出管との他方とが、単一のキャップ体で夫々囲われ、駆動部により両ターゲットが連動して往復動するように構成されることを特徴とするスパッタリング装置用成膜ユニット。 - 前記供給管と前記排出管とは、バッキングプレートから下方に向かってのびる第1部分と、第1部分の下端から往復動方向にのびる第2部分とで夫々構成され、一のバッキングプレートの供給管の第2部分と他のバッキングプレートの供給管の第2部分と、及び、一のバッキングプレートの排出管の第2部分と他のバッキングプレートの排出管の第2部分とが、往復動方向の同一線上で第1部分から夫々逆方向にのびるように形成されていることを特徴とする請求項2または請求項4記載のスパッタリング装置用成膜ユニット。
- 前記カバー体の側壁部外面に、この側壁部に向けてガスを噴射する噴射口が列設されたガスノズルを更に備えることを特徴とする請求項2記載のスパッタリング装置用成膜ユニット。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5295581A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-11 | Anelva Corp | Sputiering apparatus |
JPH01111870A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
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WO2011024411A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置 |
JP2012201910A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Ulvac Japan Ltd | マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置 |
JP2013001943A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
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Patent Citations (7)
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---|---|---|---|---|
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JP2000268995A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2011024411A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置 |
JP2012201910A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Ulvac Japan Ltd | マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置 |
JP2013001943A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
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