JP6270667B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(装置構造)
図1はこの発明の実施の形態1であるSiCを構成材料とした(炭化珪素)半導体装置の構造を示す断面図である。図1で示す構成例では、Nチャネル炭化珪素MOSFETの断面構造を示している。
図2〜図10は図1で示した実施の形態1の半導体装置の製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照して、実施の形態1の半導体装置の製造方法を説明する。
図2〜図10で示した製造方法により製造される実施の形態1の半導体装置におけるMOSFETは、チャネル領域(ベース領域3の表面領域)との間に界面を形成し、窒素を高濃度に含むLaSiON膜5Lの単一構造によりなるゲート絶縁膜5を有するため、SiO2膜等により構成される従来のゲート絶縁膜を用いる場合に比べて、チャネル領域を低い界面準位密度に設定することができ、その結果、MOSFETのオン抵抗値を低く抑えることができる効果を奏する。
(装置構造)
実施の形態1の(炭化珪素)半導体装置に対して、実施の形態2の(炭化珪素)半導体装置は、LaSiON膜5Lの単一構造からなるゲート絶縁膜5に代えて、LaSiON膜13及びSiO2膜14の積層構造によりなるゲート絶縁膜15を設けた点が異なっている。なお、実施の形態2の半導体装置はゲート絶縁膜5をゲート絶縁膜15に置き換えた点以外は、図1で示した実施の形態1の半導体装置と同様な構造を呈する。
図13は実施の形態2の半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。以下、実施の形態2の製造方法について説明する。実施の形態2の半導体装置の製造方法は、LaSiON膜13を得る工程までは、図2〜図7で示した実施の形態1の製造方法と同様である。ただし、図7で示されたゲート絶縁膜5(=LaSiON膜5L)がLaSiON膜13となる。
LaSiON膜13上にSiO2膜14を堆積する場合、絶縁ゲート型トランジスタであるMOSFETの駆動で用いるゲート電圧は、ゲート絶縁膜15全体に加わることから、LaSiON膜13の膜厚はSiO2膜14の膜厚に比べて薄くても良い。薄い膜厚のLaSiON膜13を形成するには、反応させる前処理積層構造のSiN膜(珪素窒化膜)及びLa2O3膜(図6,図7のSiN膜5a,La2O3膜5bに相当)の堆積膜厚を小さくすることが有効であり、反応時の熱処理温度も1000℃程度がよい。
実施の形態2の半導体装置は、チャネル領域の界面にLaSiON膜13を有するゲート絶縁膜15を形成することにより、実施の形態1の半導体装置と同様な効果を奏すると共に以下で述べる効果を奏する。
実施の形態1の(炭化珪素)半導体装置に対して、実施の形態3の(炭化珪素)半導体装置はその実質構造は同一であり、製造方法において、ゲート絶縁膜となるLaSiON膜を形成する方法が異なる。
図17及び図18は、実施の形態3における半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。以下、実施の形態3の製造方法について説明する。実施の形態3の半導体装置の製造方法は、SiN膜5a(第1の珪素窒化膜)及びLa2O3膜5b(酸化ランタン膜)を得る工程までは、図2〜図6で示した実施の形態1の製造方法と同様である。
実施の形態3の半導体装置は、実施の形態1の半導体装置と実質等価な構造を呈しているため、実施の形態1と同様な効果を奏する。さらに、実施の形態3に固有の製造方法により以下の効果を奏する。
実施の形態1の(炭化珪素)半導体装置に対して、実施の形態4の(炭化珪素)半導体装置はその実質構造は同一であり、製造方法において、ゲート絶縁膜となるLaSiON膜を形成する方法が異なる。
図19及び図20は、実施の形態4における半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。以下、実施の形態4の製造方法について説明する。実施の形態4の半導体装置の製造方法は、ソース領域4を得る工程までは、図2〜図4で示した実施の形態1の製造方法と同様である。
実施の形態4の半導体装置は、実施の形態1の半導体装置と実質等価な構造を呈しているため、実施の形態1と同様な効果を奏する。さらに、実施の形態3に固有の製造方法により以下の効果を奏する。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
Claims (11)
- 炭化珪素を構成材料とした半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート電極下の前記半導体層の表面がチャネル領域となる絶縁ゲート型トランジスタが構成され、
前記ゲート絶縁膜は、前記チャネル領域との間に元素比率が10%の窒素が存在する界面を形成するランタン酸窒化珪素膜を有することを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜は前記ランタン酸窒化珪素膜の単一構造である、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜は、前記ランタン酸窒化珪素膜と珪素酸化膜との積層構造を含む、
半導体装置。 - (a)半導体基体の一方主面上に炭化珪素を構成材料とした半導体層を形成するステップと、
(b)前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
(c)前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するステップとを備え、前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート電極下の前記半導体層の表面がチャネル領域となる絶縁ゲート型トランジスタが構成され、
前記ステップ(b)は、
(b-1)前記半導体層上に珪素、窒素、酸素及びランタン成分を含む前処理積層構造を形成するステップと、
(b-2)前記前処理積層構造に対し熱処理を施し、前記チャネル領域との間に界面を形成するランタン酸窒化珪素膜を形成するステップとを含み、前記ゲート絶縁膜は前記ランタン酸窒化珪素膜を有する、
半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(b-1)により形成される前記前処理積層構造は、珪素窒化膜及び酸化ランタン膜の積層構造を含む、
半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(b-1)により形成される前記前処理積層構造は、第1の珪素窒化膜、酸化ランタン膜及び第2の珪素窒化膜の順で積層される積層構造を含む、
半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(b-1)により形成される前記前処理積層構造は、珪素酸化膜、ランタン膜及び珪素窒化膜の積層構造を含む、
半導体装置の製造方法。 - 請求項5から請求項8のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜は前記ランタン酸窒化珪素膜の単一構造である、
半導体装置の製造方法。 - 請求項5から請求項8のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(b)は、
(b-3)前記ステップ(b-2)の後に実行され、前記ランタン酸窒化珪素膜上に珪素酸化膜を形成するステップをさらに含み、
前記ゲート絶縁膜は前記ランタン酸窒化珪素膜及び前記珪素酸化膜の積層構造を含む、
半導体装置の製造方法。
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