JP6262164B2 - 常温接合方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る常温接合方法の実施に使用する常温接合装置の主な実施形態を図1,2に基づいて説明する。
なお、前述した実施形態においては、基板離脱温度T2(例えば、10〜19℃)を基板保持温度T1(例えば、20〜25℃)よりも低い温度(T2<T1)とすることにより、前記膨縮板113,123を冷却して収縮させ、前記保持板114,124の表面の中央部分を基板1側へ突出させるように、すなわち、前記保持板114,124の表面の周縁端側を基板1から離反させるように、当該保持板114,124の表面を凸状に湾曲化させるようにしたが、他の実施形態として、例えば、基板離脱温度T2(例えば、26〜40℃)を基板保持温度T1よりも高い温度(T2>T1)とすることにより、前記膨縮板113,123を加熱して膨張させ、前記保持板114,124の表面の中央部分を基板1側から窪ませて離反させるように、当該保持板114,124の表面を凹状に湾曲化させるようにしても(図6参照)、前述した実施形態の場合と同様な作用効果を発現することができる。
100 常温接合装置
101 温調液
111 接合チャンバ
111a ゲート
112 下支持台
113 膨縮板
113a 流路
114 保持板
115 循環ポンプ
116 貯液槽
117 温調器
118 電極
119 電源装置
121 伸縮装置
122 上支持台
123 膨縮板
123a 流路
124 保持板
125 循環ポンプ
126 貯液槽
127 温調器
128 電極
129 電源装置
131 活性化装置
140 制御装置
141 入力器
142,143 温度センサ
Claims (3)
- 接合チャンバと、
前記接合チャンバの内部の床側に配設されて基板を上面に支持する下ステージと、
前記接合チャンバの内部の天井側に配設されて基板を下面に支持する上ステージと、
前記接合チャンバに設けられて前記下ステージに支持された基板の表面及び前記上ステージに支持された基板の表面を活性化させる基板表面活性化手段と、
前記下ステージに支持された基板と前記上ステージに支持された基板とを圧接するように前記上ステージ及び前記下ステージの少なくとも一方を昇降移動させる圧接手段と
を備え、
前記上ステージが、
上支持台と、
前記上支持台の下面に取り付けられて熱膨張率の大きい材料からなる膨縮板と、
前記膨縮板の下面に取り付けられて絶縁性を有すると共に熱膨張率の小さい材料からなる保持板と
を備えるものであり、
前記上ステージの前記保持板に静電気力を付与する上ステージ用静電気力付与手段と、
前記上ステージの前記膨縮板を温度調整する上ステージ用温度調整手段と
を備えている常温接合装置を使用する常温接合方法であって、
前記膨縮板を基板保持温度T1とするように前記温度調整手段を作動させて前記保持板の表面を平坦化させる保持板平坦化工程と、
前記保持板に静電気力を与えるように前記静電気力付与手段を作動させて当該保持板に基板を保持させる基板保持工程と、
前記保持板に保持された基板の表面を活性化させるように前記基板表面活性化手段を作動させる基板活性化工程と、
表面を活性化された基板を圧接するように前記圧接手段を作動させて前記上ステージ及び前記下ステージの少なくとも一方を昇降移動させる基板圧接工程と、
圧接された基板の前記保持板による保持を解除するように前記静電気力付与手段を作動させて前記保持板への静電気力の付与を取り止める基板保持解除工程と、
基板圧接後に前記膨縮板を基板離脱温度T2とするように前記温度調整手段を作動させて前記膨縮板の表面を湾曲化させる保持板湾曲化工程と、
圧接された基板と前記上ステージとを離反させるように前記圧接手段を作動させて前記上ステージ及び前記下ステージの少なくとも一方を昇降移動させる基板圧接解除工程と
を行うことを特徴とする常温接合方法。 - 接合チャンバと、
前記接合チャンバの内部の床側に配設されて基板を上面に支持する下ステージと、
前記接合チャンバの内部の天井側に配設されて基板を下面に支持する上ステージと、
前記接合チャンバに設けられて前記下ステージに支持された基板の表面及び前記上ステージに支持された基板の表面を活性化させる基板表面活性化手段と、
前記下ステージに支持された基板と前記上ステージに支持された基板とを圧接するように前記上ステージ及び前記下ステージの少なくとも一方を昇降移動させる圧接手段と
を備え、
前記上ステージが、
上支持台と、
前記上支持台の下面に取り付けられて熱膨張率の大きい材料からなる膨縮板と、
前記膨縮板の下面に取り付けられて絶縁性を有すると共に熱膨張率の小さい材料からなる保持板と
を備えるものであり、
前記下ステージが、
下支持台と、
前記下支持台の上面に取り付けられて熱膨張率の大きい材料からなる膨縮板と、
前記膨縮板の上面に取り付けられて絶縁性を有すると共に熱膨張率の小さい材料からなる保持板と
を備えるものであり、
前記上ステージの前記保持板に静電気力を付与する上ステージ用静電気力付与手段と、
前記下ステージの前記保持板に静電気力を付与する下ステージ用静電気力付与手段と、
前記上ステージの前記膨縮板を温度調整する上ステージ用温度調整手段と、
前記下ステージの前記膨縮板を温度調整する下ステージ用温度調整手段と
を備えている常温接合装置を使用する常温接合方法であって、
前記膨縮板を基板保持温度T1とするように前記温度調整手段を作動させて前記保持板の表面を平坦化させる保持板平坦化工程と、
前記保持板に静電気力を与えるように前記静電気力付与手段を作動させて当該保持板に基板を保持させる基板保持工程と、
前記保持板に保持された基板の表面を活性化させるように前記基板表面活性化手段を作動させる基板活性化工程と、
表面を活性化された基板を圧接するように前記圧接手段を作動させて前記上ステージ及び前記下ステージの少なくとも一方を昇降移動させる基板圧接工程と、
圧接された基板の前記保持板による保持を解除するように前記静電気力付与手段を作動させて前記保持板への静電気力の付与を取り止める基板保持解除工程と、
基板圧接後に前記膨縮板を基板離脱温度T2とするように前記温度調整手段を作動させて前記膨縮板の表面を湾曲化させる保持板湾曲化工程と、
圧接された基板と前記上ステージとを離反させるように前記圧接手段を作動させて前記上ステージ及び前記下ステージの少なくとも一方を昇降移動させる基板圧接解除工程と
を行うことを特徴とする常温接合方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の常温接合方法において、
前記基板離脱温度T2が、前記基板保持温度T1よりも低い(T2<T1)
ことを特徴とする常温接合方法。
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- 2015-02-20 JP JP2015031245A patent/JP6262164B2/ja active Active
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