JP6258414B2 - 端面発光エッチングファセットレーザ - Google Patents
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Description
本出願は、2011年12月8日に出願された米国仮出願第61/568,383号、2012年4月2日に出願された米国仮出願第61/619,190号、および2012年11月30日に出願された米国非仮出願第13/690,792号に対する優先権の利益を主張するものであり、それらの各々の内容全体は、参照により本明細書に組み込まれる。
(実施態様1)レーザチップであって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、活性領域を含み、前記活性領域は、光を発生する、エピタキシャル構造と、
第1の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される導波路であって、端面発光レーザを画定する前面エッチングファセットおよび後面エッチングファセットを有する、導波路と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第1の陥凹領域であって、前記導波路からある距離を置いて配設され、前記後面エッチングファセットに隣接した開口部を有し、前記レーザチップのシンギュレーション前に、隣接レーザチップの試験を容易にする、第1の陥凹領域と、を備える、レーザチップ。
(実施態様2)前記第1の陥凹領域は、第1の末端壁を有する、実施態様1に記載のレーザチップ。
(実施態様3)前記第1の末端壁は、前記第1の方向に対して直角以外の角度にある、実施態様2に記載のレーザチップ。
(実施態様4)前記後面エッチングファセットは、高反射性材料でコーティングされる、実施態様3に記載のレーザチップ。
(実施態様5)前記エピタキシャル構造中に形成され、前記導波路から第2の距離を置いて配設されて、前記前面エッチングファセットに隣接した開口部を有する、第2の陥凹領域を更に備え、前記第2の陥凹領域は、第2の末端壁を含む、実施態様1に記載のレーザチップ。
(実施態様6)前記第2の末端壁は、前記第1の方向に対して直角以外の角度にある、実施態様5に記載のレーザチップ。
(実施態様7)前記第1の陥凹領域への前記開口部および前記第2の陥凹領域への前記開口部は、相互に整列される、実施態様6に記載のレーザチップ。
(実施態様8)前記端面発光レーザは、リッジレーザである、実施態様1に記載のレーザチップ。
(実施態様9)前記リッジレーザは、ファブリペロー(FP)型のものである、実施態様8に記載のレーザチップ。
(実施態様10)前記リッジレーザは、分布帰還(DFB)型のものである、実施態様8に記載のレーザチップ。
(実施態様11)前記端面発光レーザは、埋め込みヘテロ構造(BH)レーザである、実施態様1に記載のレーザチップ。
(実施態様12)前記BHレーザは、ファブリペロー(FP)型のものである、実施態様11に記載のレーザチップ。
(実施態様13)前記BHレーザは、分布帰還(DFB)型のものである、実施態様11に記載のレーザチップ。
(実施態様14)前記基板は、InPである、実施態様1に記載のレーザチップ。
(実施態様15)前記基板は、GaAsである、実施態様1に記載のレーザチップ。
(実施態様16)前記基板は、GaNである、実施態様1に記載のレーザチップ。
(実施態様17)レーザチップであって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、活性領域を含み、前記活性領域は、光を発生する、エピタキシャル構造と、
第1の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される第1の導波路であって、第1の端面発光レーザを画定する第1の前面エッチングファセットおよび第1の後面エッチングファセットを有する、第1の導波路と、
第1の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される第2の導波路であって、第2の端面発光レーザを画定する第2の前面エッチングファセットおよび第2の後面エッチングファセットを有する、第2の導波路と、
前記エピタキシャル構造中に形成される陥凹領域であって、前記第1の後面エッチングファセットおよび前記第2の後面エッチングファセットのうちの1つに隣接した開口部を有し、前記レーザチップのシンギュレーション前に、隣接レーザチップの試験を容易にする。陥凹領域と、を備える、レーザチップ。
(実施態様18)前記第1および第2の端面発光レーザのうちの少なくとも1つは、リッジ分布帰還(DFB)レーザである、実施態様17に記載のチップ。
(実施態様19)前記第1および第2の端面発光レーザのうちの少なくとも1つは、埋め込みヘテロ構造(BH)分布帰還(DFB)レーザである、実施態様17に記載のチップ。
(実施態様20)レーザチップであって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、活性領域を含み、前記活性領域は、光を発生する、エピタキシャル構造と、
第1の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される導波路であって、端面発光レーザを画定する前面エッチングファセットおよび後面エッチングファセットを有する、導波路と、
前記導波路に平行な方向にあり、かつそれからある距離を置いた、前記エピタキシャル構造中の完全な開口部であって、前記レーザチップのシンギュレーション前に、隣接レーザチップの試験を容易にする、完全な開口部と、を備える、レーザチップ。
Claims (19)
- レーザ構造であって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、光を発生するための活性領域を含む、エピタキシャル構造と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第1の方向に延在する導波路であって、端面発光レーザを画定する前面エッチングファセットおよび後面エッチングファセットを有する、導波路と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第1の陥凹領域であって、第1の末端壁を含み、後面エッチングファセットに隣接した開口部を有し、前記第1の末端壁は、第1の隣接レーザチップへの後面反射を最小限にするように、及び、前記基板からの第1の隣接レーザチップのシンギュレーション前に、前記第1の隣接レーザチップの試験を容易にするように、前記第1の隣接レーザチップから離れて位置している、第1の陥凹領域と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第2の陥凹領域であって、第2の末端壁を含み、前面エッチングファセットに隣接した開口部を有し、前記第2の末端壁は、第2の隣接レーザチップへの後面反射を最小限にするように、及び、前記基板からの第2の隣接レーザチップのシンギュレーション前に、前記第2の隣接レーザチップの試験を容易にするように、前記第2の隣接レーザチップから離れて位置している、第2の陥凹領域と、を備え、
前記第1の陥凹領域、前記第2の陥凹領域、前記前面エッチングファセット、及び前記後面エッチングファセットは、すべてが端面発光レーザを画定する前記エピタキシャル構造の共通の連続部分に形成されている、レーザ構造。 - 前記第1の末端壁は、前記第1の方向に対して直角以外の角度にある、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記後面エッチングファセットは、高反射性材料でコーティングされる、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記第2の末端壁は、前記第1の方向に対して直角以外の角度にある、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記第1の陥凹領域への前記開口部および前記第2の陥凹領域への前記開口部は、相互に整列されている、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記端面発光レーザは、リッジレーザである、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記リッジレーザは、ファブリペロー(FP)型のものである、請求項6に記載のレーザ構造。
- 前記リッジレーザは、分布帰還(DFB)型のものである、請求項6に記載のレーザ構造。
- 前記端面発光レーザは、埋め込みヘテロ構造(BH)レーザである、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記BHレーザは、ファブリペロー(FP)型のものである、請求項9に記載のレーザ構造。
- 前記BHレーザは、分布帰還(DFB)型のものである、請求項9に記載のレーザ構造。
- 前記基板は、InPである、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記基板は、GaAsである、請求項1に記載のレーザ構造。
- 前記基板は、GaNである、請求項1に記載のレーザ構造。
- レーザ構造であって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、光を発生するための活性領域を含む、エピタキシャル構造と、
前記エピタキシャル構造の第1の部分に形成される第1の方向に延在する第1の導波路であって、第1の端面発光レーザを画定する第1の前面エッチングファセットおよび第1の後面エッチングファセットを有する、第1の導波路と、
前記エピタキシャル構造の第2の部分に形成される前記第1の方向に延在する第2の導波路であって、第2の端面発光レーザを画定する第2の前面エッチングファセットおよび第2の後面エッチングファセットを有する、第2の導波路と、
前記エピタキシャル構造の前記第1の部分に形成される陥凹領域であって、末端壁を含み、前記第2の導波路の前記第2の前面エッチングファセットに直接対向する開口部を有し、前記末端壁は、前記第2の導波路の前記第2の前面エッチングファセットへの後面反射を最小限にするように、及び、前記基板からの前記エピタキシャル構造の前記第2の部分のシンギュレーション前に、前記第2の導波路の試験を容易にするように、前記第2の導波路の前記第2の前面エッチングファセットから離れて位置している、陥凹領域と、を備え、
前記エピタキシャル構造の第1の部分は、前記陥凹領域と、前記第1の端面発光レーザを画定する第1の前面エッチングファセットおよび第1の後面エッチングファセットとを有する前記エピタキシャル構造の共通の連続部分である、レーザ構造。 - 前記第2の導波路の前記第2の前面エッチングファセットからの光が前記末端壁に衝突する、請求項15に記載のレーザ構造。
- 前記末端壁は、前記第1の方向に対して直角以外の角度にある、請求項16に記載のレーザ構造。
- 少なくとも前記第1の後面エッチングファセット又は前記第2の後面エッチングファセットは、高反射性材料でコーティングされる、請求項15に記載のレーザ構造。
- 前記端面発光レーザは、リッジレーザである、請求項15に記載のレーザ構造。
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