JP6255685B2 - 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 - Google Patents

光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器に関する。
従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ反射膜を所定のギャップを介して対向配置した干渉フィルターが知られている。また、このような干渉フィルターを筐体内に収納した光学フィルターデバイスが知られている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。
特許文献1には、板状の台座(ベース基板)及び円筒状のキャップを有するパッケージ(筐体)を備えている赤外線式ガス検出器(光学フィルターデバイス)が記載されている。この筐体は、ベース基板の周縁部分と、キャップの円筒一端部とが溶接又は接着されて接続されており、ベース基板とキャップとの間に、ファブリペローフィルタ(干渉フィルター)を収納する空間が設けられる。また、干渉フィルターは、検出部に接着固定され、この検出部が缶パッケージの台座上に接着固定されている。
特許文献2には、チューナブル光学フィルタ(干渉フィルター)がパッケージ(筐体)内部に、固定、及び収容された光学フィルターデバイス(光電子デバイス)が記載されている。この光学フィルターデバイスにおいて、干渉フィルターは、筐体のヘッダ(ベース基板)上面に装着された垂直スタック内に配置されている。
特開2008−70163号公報 特表2005−510756号公報
上述のように、特許文献1及び特許文献2には、干渉フィルターを筐体内部に収容、及び固定する旨が記載されているが、具体的な方法が記載されていない。
ここで、干渉フィルターに、例えば反射膜間のギャップ寸法を変更するための駆動電極や、反射膜の帯電を除去するための帯電除去電極が設けられる場合がある。このような電極が設けられる場合、電極に対して配線を施す際の押圧力により、干渉フィルターが傾斜したり、基板に撓みが生じたりする場合があり、干渉フィルターの光学特性に影響が及ぶという課題がある。
本発明の目的は、光学特性の低下を抑制可能な光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供することである。
本発明の一態様の光学フィルターデバイスは、複数の接続端子が設けられた基板を備えた干渉フィルターと、前記基板に対向し、前記干渉フィルターが載置されるベース基板と、前記基板と前記ベース基板との間に配置され、前記基板を前記ベース基板に固定する固定部材と、を備え、前記複数の接続端子、一方向に沿って配置され、前記固定部材は、前記基板の側から前記ベース基板の側を見たとき、前記複数の接続端子に跨って配置されたことを特徴とする。
上記の本発明に係る光学フィルターデバイスは、接続端子が設けられた基板を備えた干渉フィルターと、前記基板に対向し、前記干渉フィルターが載置されるベース基板と、前記基板と前記ベース基板との間に配置され、前記基板を前記ベース基板に固定する固定部材と、を備え、前記固定部材は、前記基板及び前記ベース基板を基板厚み方向から見る平面視で、前記接続端子と重なる位置に配置されたことを特徴とする。


ここで、本発明において、干渉フィルターとしては、上記基板と、この基板に設けられ、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第一反射膜と、この第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第二反射膜と、を少なくとも備える構成が例示できる。
また、上記基板には電極が設けられており、上記接続端子は、当該電極と電気的に接続されている構成が例示できる。
本発明では、ベース基板に干渉フィルターの基板を固定する際に、基板及びベース基板を基板厚み方向から見た平面視において、基板に設けられた接続端子と重なる位置に基板とベース基板とを固定する固定部材が配置されている。
このような構成では、当該接続端子と重なる位置に固定部材が設けられているので、接続端子に対して配線を接続する際に、接続端子に押圧力が加わった場合でも、当該押圧力による干渉フィルターの傾きを抑制できる。
本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記ベース基板を備え、前記ベース基板に固定された前記干渉フィルターを収納する筐体を備え、前記筐体は、前記接続端子とワイヤーボンディングによって電気的に接続された筐体側端子を備えたことが好ましい。
本発明によれば、ワイヤーボンディングによって、接続端子と筐体側端子とが電気的に接続される。このようなワイヤーボンディングでは、例えば先端にボールが形成されたワイヤーをワイヤークランプで保持し、ターゲットとなる接続端子にワイヤークランプを押圧してボールを接触させてボンドする。このようなワイヤーボンディングでは、接続端子が微小サイズに形成されている場合でも精度よくワイヤーを所望の位置に接続することができる。一方、ワイヤークランプを接続端子に押圧する際に、干渉フィルターに押圧力が加わるが、上述したように、平面視において接続端子と重なる位置に固定部材が設けられているため、当該押圧力による干渉フィルターの傾斜や基板の反り及び撓みを抑制できる。
本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記接続端子は、複数設けられ、これらの前記接続端子は、一方向に沿って配置されており、前記固定部材は、前記平面視において、前記複数の前記接続端子に跨って配置されたことが好ましい。
本発明では、固定部材は、平面視において、複数の接続端子に跨って配置されている。
これにより、複数の接続端子に対して1つの固定部材を配置することで基板とベース基板とを固定できるので、製造工程の簡略化が可能となる。
本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記接続端子は、複数設けられ、前記固定部材は、前記平面視において、前記複数の前記接続端子のそれぞれに重なる位置に個別に配置されたことが好ましい。
本発明では、固定部材は、平面視において、複数の接続端子のそれぞれに重なる位置に個別に配置されている。
これにより、上述の傾き抑制効果を担保しつつも、固定部材による固定面積を小さくできるので、上述の熱膨張係数の差による応力や接着剤硬化時の収縮応力をより小さくでき、基板への応力の影響をより抑制でき基板の反りをより抑制できる。
本発明の光学フィルターデバイスは、前記基板は、略矩形状の外形を有し、前記矩形の一辺側に前記接続端子が設置された端子設置領域を有する端子設置部を備え、前記矩形の一辺と平行な第一方向における、前記端子設置領域の長さは、前記端子設置部の長さの30%以下であることが好ましい。
本発明では、略矩形状の基板の矩形の一辺側に端子設置部が設けられ、この端子設置部には、上記矩形の一辺に沿う第一方向に沿って上記複数の接続端子が設けられている。そして、これらの接続端子と重なる領域である端子設置領域の第一方向に沿う長さは、端子設置部の第一方向に沿う長さの30%以下となっている。
これにより、上述の傾き抑制効果を担保しつつも、固定部材による固定面積を小さくできるので、上述の熱膨張係数の差による応力や接着剤硬化時の収縮応力をより確実に小さくでき、基板への応力の影響をより抑制できる。
本発明の光学フィルターデバイスは、前記固定部材は、Agペーストであることが好ましい。
干渉フィルターが筐体内部に収納されている場合、この筐体内部を例えば大気圧以下に減圧することで、大気に含まれるガス等による反射膜の劣化や、異物の付着をより効果的に抑制できる。このような場合に、固定部材にAgペーストを用いることにより、固定部材によるアウトガスの発生(デガス)を抑制でき、筐体内部をより確実に減圧状態に維持できる。
本発明の光学モジュールは、接続端子が設けられた基板を備えた干渉フィルターと、前記基板に対向し、前記干渉フィルターが載置されるベース基板と、前記基板と前記ベース基板との間に配置され、前記基板を前記ベース基板に固定する固定部材と、前記干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、を備え、前記固定部材は、前記基板及び前記ベース基板を基板厚み方向から見る平面視で、前記接続端子と重なる位置に配置されたことを特徴とする。
本発明では、上記発明と同様に、接続端子と重なる位置に固定部材が設けられているので、接続端子に対して配線を接続する際に、接続端子に押圧力が加わった場合でも、当該押圧力による干渉フィルターの傾きを抑制でき、所望の性能を有する光学モジュールをより確実に提供できる。
本発明の電子機器は、接続端子が設けられた基板を備えた干渉フィルターと、前記基板に対向し、前記干渉フィルターが載置されるベース基板と、前記基板と前記ベース基板との間に配置され、前記基板を前記ベース基板に固定する固定部材と、前記干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、前記固定部材は、前記基板及び前記ベース基板を基板厚み方向から見る平面視で、前記接続端子と重なる位置に配置されたことを特徴とする。
本発明では、上記発明と同様に、接続端子と重なる位置に固定部材が設けられているので、接続端子に対して配線を接続する際に、接続端子に押圧力が加わった場合でも、当該押圧力による干渉フィルターの傾きを抑制でき、所望の性能を有する電子機器をより確実に提供できる。
本発明に係る第一実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す斜視図。 前記実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。 前記実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 前記実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 前記実施形態における固定部材の位置を説明する図。 前記実施形態の光学フィルターデバイスの製造工程を示す工程図。 第二実施形態における固定部材の位置を説明する図。 第三実施形態における測色装置の概略構成を示すブロック図。 本発明に係る光学フィルターデバイスの一変形例において、ベース基板に配置された波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 本発明の電子機器の一例であるガス検出装置を示す概略図。 図10のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。 本発明の電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図。 本発明の電子機器の一例である分光カメラの概略構成を示す模式図。
[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態を図面に基づいて説明する。
[光学フィルターデバイスの構成]
図1は、本発明に係る第一実施形態の光学フィルターデバイス600の概略構成を示す斜視図である。図2は、光学フィルターデバイス600の断面図である。
光学フィルターデバイス600は、入射した検査対象光から、所定の目的波長の光を取り出して射出させる装置であり、筐体601と、筐体601の内部に収納される波長可変干渉フィルター5(図2、及び3参照)を備えている。このような光学フィルターデバイス600は、例えば測色センサー等の光学モジュールや、測色装置やガス分析装置等の電子機器に組み込むことができる。なお、光学フィルターデバイス600を備えた光学モジュールや電子機器の構成については、後述の第三実施形態において説明する。
[波長可変干渉フィルターの構成]
波長可変干渉フィルター5は、本発明の干渉フィルターを構成する。図3は、光学フィルターデバイス600に設けられた波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図であり、図4は、図3におけるIV−IV線で断面にした際の波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、例えば矩形板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、固定基板51及び本発明の基板である可動基板52を備えている。これらの固定基板51、及び可動基板52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの固定基板51及び可動基板52は、固定基板51の第一接合部513、及び可動基板の第二接合部523が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜53(第一接合膜531及び第二接合膜532)により接合されることで、一体的に構成されている。
なお、以降の説明に当たり、固定基板51又は可動基板52の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板51、接合膜53、及び可動基板52の積層方向から波長可変干渉フィルター5を見た平面視を、フィルター平面視と称する。
固定基板51には、図4に示すように、固定反射膜54(上述の第二反射膜に相当する)が設けられている。また、可動基板52には、可動反射膜55(上述の第一反射膜に相当する)が設けられている。これらの固定反射膜54及び可動反射膜55は、反射膜間ギャップG1を介して対向配置されている。
そして、波長可変干渉フィルター5には、反射膜間ギャップG1の距離(寸法)を調整するのに用いられる静電アクチュエーター56が設けられている。この静電アクチュエーター56は、固定基板51に設けられた固定電極561と、可動基板52に設けられた可動電極562とを備え、各電極561,562が対向することにより構成されている(図3の斜線で示す領域)。これらの固定電極561,可動電極562は、電極間ギャップを介して対向する。ここで、これらの電極561,562は、それぞれ固定基板51及び可動基板52の基板表面に直接設けられる構成であってもよく、他の膜部材を介して設けられる構成であってもよい。
なお、本実施形態では、反射膜間ギャップG1が電極間ギャップよりも小さく形成される構成を例示するが、例えば波長可変干渉フィルター5により透過させる波長域によっては、反射膜間ギャップG1を電極間ギャップよりも大きく形成してもよい。
フィルター平面視において、可動基板52の辺の一辺側(例えば、図3における辺C3−C4)は、固定基板51よりも外側に突出する。この可動基板52の突出部分は、固定基板51と接合されない非接合部526である。この可動基板52の非接合部526のうち、波長可変干渉フィルター5を固定基板51側から見た際に露出する面は、本発明の端子設置部に相当する電装面524を構成する。
(固定基板の構成)
固定基板51は、厚みが例えば500μmに形成されたガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図4に示すように、固定基板51には、エッチングにより電極配置溝511及び反射膜設置部512が形成されている。この固定基板51は、可動基板52に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極561及び可動電極562間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極561の内部応力による固定基板51の撓みはない。
電極配置溝511は、フィルター平面視で、波長可変干渉フィルター5の平面中心点Oを中心とした環状に形成されている。反射膜設置部512は、前記平面視における電極配置溝511の中心部から、図4に示すように可動基板52側に突出して形成されている。ここで、電極配置溝511の溝底面は、固定電極561が配置される電極設置面511Aとなる。また、反射膜設置部512の突出先端面は、反射膜設置面512Aとなる。
また、固定基板51には、電極配置溝511から、電装面524に向かって延出する電極引出溝511Bが設けられている。
電極配置溝511の電極設置面511Aには、反射膜設置部512の周囲に固定電極561が設けられている。この固定電極561は、電極設置面511Aのうち、後述する可動部521の可動電極562に対向する領域に設けられ、図3に示す辺C1−C2側に開口を有する略C字状に形成されている。また、固定電極561上に、固定電極561及び可動電極562の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
そして、固定基板51には、固定電極561のC字開口部付近の外周縁から、図3に示す頂点C3−頂点C4間の辺に向かって延出する固定引出電極563Aが設けられている。この固定引出電極563Aの延出先端部(固定基板51の辺C3−C4に位置する部分)は、可動基板52側に設けられた固定接続電極563Bに、バンプ電極563Cを介して電気的に接続される。この固定接続電極563Bは、電極引出溝511Bを通り電装面524まで延出し、電装面524において本発明の接続端子に相当する固定電極パッド563Pを構成する。固定電極パッド563Pは、後述する、ベース基板610に設けられた内側端子615に接続される。
なお、本実施形態では、電極設置面511Aに1つの固定電極561が設けられる構成を示すが、例えば、平面中心点Oを中心とした同心円となる2つの電極が設けられる構成(二重電極構成)などとしてもよい。
反射膜設置部512は、上述したように、電極配置溝511と同軸上で、電極配置溝511よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、当該反射膜設置部512の可動基板52に対向する反射膜設置面512Aを備えている。
この反射膜設置部512には、図4に示すように、固定反射膜54が設置されている。この固定反射膜54としては、例えばAg等の金属膜や、Ag合金等の合金膜を用いることができる。また、例えば高屈折層をTiO、低屈折層をSiOとした誘電体多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体多層膜上に金属膜(又は合金膜)を積層した反射膜や、金属膜(又は合金膜)上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層(TiOやSiO等)と金属膜(又は合金膜)とを積層した反射膜などを用いてもよい。
そして、固定基板51は、固定反射膜54に接続され、固定電極561のC字開口部を通り辺C1−C2に向かって延出した後、辺C3−C4に向かって延出する固定ミラー電極541Aを備えている。この固定ミラー電極541Aは、例えば、固定反射膜54がAg合金等の金属膜により構成されている場合、固定反射膜54と同時に形成することができる。
この固定ミラー電極541Aの延出先端部(固定基板51の辺C3−C4に位置する部分)は、可動基板52側に設けられた固定ミラー接続電極541Bに、バンプ電極541Cを介して電気的に接続される。この固定ミラー接続電極541Bは、電極引出溝511Bを通り電装面524まで延出し、電装面524において本発明の接続端子に相当する固定ミラー電極パッド541Pを構成する。なお、固定ミラー電極パッド541Pは、後述する、ベース基板610に設けられた内側端子615に接続され、さらに、不図示のグランド回路に接続される。これにより固定反射膜54がグランド電位(0V)に設定されている。
また、固定基板51の固定反射膜54が設けられない方の面は、図4に示すように、光入射面516である。光入射面516には、固定反射膜54に対応する位置に反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、固定基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
更に、固定基板51の光入射面516には、図4に示すように、例えばCr等により形成される非透光性部材515が設けられる(なお、図3においては、非透光性部材515の図示が省略されている。)。この非透光性部材515は、環状に形成され、好ましくは円環状に形成される。そして、非透光性部材515の環内周径は、固定反射膜54及び可動反射膜55により光干渉させるための有効径に設定されている。これにより、非透光性部材515は、光学フィルターデバイス600に入射した入射光を絞るアパーチャーとして機能する。
そして、固定基板51の可動基板52に対向する面のうち、エッチングにより、電極配置溝511、反射膜設置部512及び電極引出溝511Bが形成されない面は、第一接合部513を構成する。この第一接合部513には、第一接合膜531が設けられ、この第一接合膜531が、可動基板52に設けられた第二接合膜532に接合されることで、上述したように、固定基板51及び可動基板52が接合される。
(可動基板の構成)
可動基板52は、厚みが例えば200μmに形成されるガラス基材を加工することで形成されている。
具体的には、可動基板52は、図3に示すようなフィルター平面視において、平面中心点Oを中心とした円形状の可動部521と、可動部521の外側に設けられ、可動部521を保持する保持部522と、保持部522の外側に設けられた基板外周部525と、を備えている。
可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板52の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部521は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置面512Aの外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部521には、可動電極562及び可動反射膜55が設けられている。
なお、固定基板51と同様に、可動部521の固定基板51とは反対側の面には、反射防止膜が形成されていてもよい。このような反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、可動基板52の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させることができる。また、本実施形態では、可動部521の固定基板51と対向する面が、可動面521Aである。
可動電極562は、電極間ギャップを介して固定電極561に対向し、固定電極561と対向する位置に、図3に示す辺C3−C4側に開口を有する略C字状に形成されている。また、可動基板52には、可動電極562のC字開口部付近の外周縁から電装面524に向かって延出する可動引出電極564を備えている。この可動引出電極564の延出先端部は、電装面524において本発明の接続端子に相当する可動電極パッド564Pを構成する。可動電極パッド564Pは、後述する、ベース基板610に設けられた内側端子615に接続される。
可動反射膜55は、図4に示すように、可動部521の可動面521Aの中心部に、固定反射膜54と反射膜間ギャップG1を介して対向して設けられる。この可動反射膜55としては、上述した固定反射膜54と同一の構成の反射膜が用いられる。
可動基板52は、固定ミラー電極541Aと同様に、可動反射膜55に接続され、可動電極562のC字開口部を通り電装面524に向かって延出する可動ミラー電極551を備えている。この可動ミラー電極551の延出先端部は、電装面524において本発明の接続端子に相当する可動ミラー電極パッド551Pを構成する。なお、可動ミラー電極パッド551Pは、後述する、ベース基板610に設けられた内側端子615に接続され、さらに、固定ミラー電極パッド541P同様に、不図示のグランド回路に接続される。これにより可動反射膜55がグランド電位(0V)に設定されている。
保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイアフラムであり、可動部521よりも厚み寸法が小さく形成されている。
このような保持部522は、可動部521よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部521を固定基板51側に変位させることが可能となる。この際、可動部521の厚み寸法は、保持部522の厚み寸法よりも大きく、剛性が大きくなる。そのため、保持部522が静電引力により固定基板51側に引っ張られた場合でも、可動部521の形状変化が起こらない。したがって、可動部521に設けられた可動反射膜55の撓みも生じず、固定反射膜54及び可動反射膜55を常に平行状態に維持することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイアフラム状の保持部522を例示するが、これに限定されず、例えば、平面中心点Oを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
基板外周部525は、上述したように、フィルター平面視において保持部522の外側に設けられている。この基板外周部525の固定基板51に対向する面は、第一接合部513に対向する第二接合部523を備えている。そして、この第二接合部523には、第二接合膜532が設けられ、上述したように、第二接合膜532が第一接合膜531に接合されることで、固定基板51及び可動基板52が接合されている。
[筐体の構成]
図1及び図2に戻り、筐体601は、ベース基板610と、リッド620と、ベース側ガラス基板630(透光基板)と、リッド側ガラス基板640(透光基板)と、を備える。
ベース基板610は、例えば単層セラミック基板により構成される。このベース基板610には、波長可変干渉フィルター5の可動基板52が設置される。
可動基板52は、ベース基板610との間に配置された固定部材7によってベース基板610に対して固定されている。
図5は、可動基板52の電装面524の各電極パッド541P,551P,563P,564Pが設けられた領域(端子設置領域)を固定基板51側から見た際の、各電極パッド541P,551P,563P,564Pと固定部材7との位置関係を示す図である。
固定部材7は、図5に示すように、フィルター平面視で、各電極パッド541P,551P,563P,564Pに跨って、各電極パッド541P,551P,563P,564Pが配置された領域と重なる領域に配置されている。なお、固定部材7は、図5では、各電極パッド541P,551P,563P,564Pと重なる領域よりもわずかに大きい領域に配置されている。
固定部材7としては、内部空間650を真空状態に維持するためにデガス(ガスの放出)の少ないAgペーストを用いている。なお、固定部材7としては、可動基板52とベース基板610とを固定できる部材であればAgペーストに限定されず、例えば、エポキシ系やシリコーン系の接着剤を用いてもよい。
なお、固定部材7としては、その他、例えば、可動基板52とベース基板610とを物理的に係合や嵌合する部材であってもよい。
なお、電装面524の長手方向L(すなわち、可動基板52の辺C3−C4に平行な方向)における、端子設置領域の寸法L1は、電装面の寸法L2(図3参照)の30%以下であることが好ましい。
例えば、各電極パッド541P,551P,563P,564Pの寸法が0.2mmであり、各電極パッド541P,551P,563P,564P間の間隔が0.4mmである場合、端子設置領域の寸法L1が約2.0mmである。一方、電装面524の寸法L2(すなわち、可動基板52の一辺の寸法)は、例えば約10mmである。この場合、端子設置領域の寸法L1は、電装面の寸法L2の20%である。
なお、本発明者は、端子設置領域の長手方向Lの寸法を電装面524の寸法L2の35%とした光学フィルターデバイスを作成し、各電極パッドと内側端子とを接続する前と、接続した後とで実験を行った。その結果、接続前に対して接続後において、分光特性の指標である半値幅が2倍となる結果を得た。この実験結果に基づき、端子設置領域の長手方向Lの寸法を電装面524の寸法L2の30%以下とすることが好ましいことが明らかとなった。
ベース基板610には、波長可変干渉フィルター5の反射膜(固定反射膜54,可動反射膜55)に対向する領域に、光通過孔611が開口形成されている。
このベース基板610のリッド620に対向するベース内側面612(リッド対向面)には、波長可変干渉フィルター5の電装面524上の各電極パッド541P,551P,563P,564Pにそれぞれ個別に接続される4つの内側端子615が設けられている。
各電極パッド541P,551P,563P,564Pと各内側端子615とは、例えばワイヤーボンディングにより、Au等のワイヤー615Aを用いて接続される。
また、ベース基板610は、各内側端子615が設けられる位置に対応して、貫通孔614が形成されている。各内側端子615は、貫通孔614を介して、ベース基板610のベース内側面612とは反対側のベース外側面613に設けられた各外側端子部616にそれぞれ接続されている。ここで、貫通孔614には、内側端子615及び外側端子部616を接続する金属部材(例えばAgペースト等)が充填され、筐体601の内部空間650の気密性が維持される。
そして、ベース基板610の外周部には、リッド620に接合されるベース接合部617が設けられている。
リッド620は、図1及び図2に示すように、ベース基板610のベース接合部617に接合されるリッド接合部624と、リッド接合部624から連続し、ベース基板610から離れる方向に立ち上がる側壁部625と、側壁部625から連続し、波長可変干渉フィルター5の固定基板51側を覆う天面部626とを備えている。このリッド620は、例えばコバール等の合金又は金属により形成することができる。
このリッド620は、リッド接合部624と、ベース基板610のベース接合部617とが、接合されることで、ベース基板610に密着接合されている。
この接合方法としては、例えば、レーザー溶着の他、銀ロウ等を用いた半田付け、共晶合金層を用いた封着、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス付着、ガラスフリット接合、エポキシ樹脂による接着等が挙げられる。これらの接合方法は、ベース基板610及びリッド620の素材や、接合環境等により、適宜選択することができる。
本実施形態では、ベース基板610のベース接合部617上に、例えば、NiやAu等により構成された接合用パターン617Aを形成する。そして、この形成した接合用パターン617A及びリッド接合部624に対して、高出力レーザー(例えばYAGレーザー等)を照射してレーザー接合する。
リッド620の天面部626は、リッド620の内側(ベース基板610側)の側面であるリッド内側面622と、外側の側面であるリッド外側面623とを有し、ベース基板610に対して平行となる。この天面部626には、波長可変干渉フィルター5の各反射膜54,55に対向する領域に、光通過孔621が開口形成されている。
ここで、本実施形態では、リッド620の光通過孔621から光が入射し、波長可変干渉フィルター5により取り出された光はベース基板610の光通過孔611から射出される。このような構成では、光通過孔621から入射された光のうち、波長可変干渉フィルター5の光入射面516に設けられた非透光性部材515の有効径の光のみが固定反射膜54、可動反射膜55に入射する。特に、波長可変干渉フィルター5の各基板51,52は、エッチングによる形状形成が行われ、エッチング部分はサイドエッチングの影響により曲面部が形成される。このような曲面部に光が入射すると、当該光が迷光となって光通過孔611から射出される場合がある。これに対して、本実施形態では、非透光性部材515によりこのような迷光の発生を防止することができ、所望の目的波長の光を取り出すことが可能となる。
ベース側ガラス基板630は、ベース基板610のベース外側面613側に、光通過孔611を覆って接合されるガラス基板である。ベース側ガラス基板630は、光通過孔611よりも大きいサイズに形成されている。当該ベース側ガラス基板630の平面中心点Oが光通過孔611の平面中心点Oと一致するように配置される。なお、この平面中心点Oは、波長可変干渉フィルター5の平面中心点Oと一致し、固定反射膜54及び可動反射膜55、非透光性部材515の環内周縁の平面中心点Oと一致する。そして、ベース側ガラス基板630は、光学フィルターデバイス600をベース基板610(ベース側ガラス基板630)の厚み方向から見た平面視において、光通過孔611の外周縁611Aより外側の領域(外周縁611Aからベース側ガラス基板630の基板端縁631までの領域)がベース基板610に接合される。
リッド側ガラス基板640は、リッド620のリッド外側面623側に、光通過孔621を覆って接合されるガラス基板である。リッド側ガラス基板640は、光通過孔621よりも大きいサイズに形成されている。当該リッド側ガラス基板640の平面中心点Oが光通過孔621の平面中心点Oと一致するように配置される。そして、リッド側ガラス基板640は、光学フィルターデバイス600をベース基板610(リッド側ガラス基板640)の厚み方向から見た平面視において、光通過孔621の外周縁621Aより外側の領域(外周縁621Aからリッド側ガラス基板640の基板端縁641までの領域)がリッド620に接合される。
ベース基板610及びベース側ガラス基板630の接合、並びに、リッド620及びリッド側ガラス基板640の接合としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合を用いることができる。このようなガラスフリット接合では、接合部分に隙間が生じることがなく、また、デガス(ガス放出)の少ないガラスフリットを用いることで、内部空間650を真空状態に維持することができる。なお、ガラスフリット接合に限られず、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス封着などによる接合を行ってもよい。また、内部空間650の真空状態の維持には適さないが、例えば内部空間650への異物の侵入を抑制する目的のみであれば、エポキシ樹脂等による接着を行ってもよい。
以上のように、本実施形態の光学フィルターデバイス600では、筐体601は、ベース基板610及びリッド620の接合、ベース基板610及びベース側ガラス基板630の接合、並びに、リッド620及びリッド側ガラス基板640の接合により、筐体601の内部空間650が気密に維持されている。そして、本実施形態では、内部空間650は、真空状態に維持されている。
このように、内部空間650を真空状態に維持することで、波長可変干渉フィルター5の可動部521を移動させる際に、空気抵抗が発生せず、応答性を良好にすることができる。
[光学フィルターデバイスの製造方法]
次に、上述したような光学フィルターデバイス600の製造方法について図面に基づいて説明する。
図6は、光学フィルターデバイス600を製造する製造工程を示す工程図である。
光学フィルターデバイス600の製造では、まず、光学フィルターデバイス600を構成する波長可変干渉フィルター5を製造するフィルター準備工程(S1)、ベース基板準備工程(S2)、リッド準備工程(S3)をそれぞれ実施する。
(フィルター準備工程)
S1のフィルター準備工程では、まず、波長可変干渉フィルター5を製造する。
このフィルター準備工程S1では、固定基板51及び可動基板52を適宜エッチング処理等により形成する。そして、固定基板51に対しては、固定電極561及び固定引出電極563Aを成膜した後、非透光性部材515を成膜し、その後、固定反射膜54を成膜する。また、可動基板52に対しては、可動電極562を成膜した後、可動反射膜55を成膜する。
この後、固定基板51及び可動基板52を、接合膜53を介して接合することで波長可変干渉フィルター5が得られる。そして、非接合部526が形成されるように固定基板51及び可動基板52を接合する。
(ベース基板準備工程)
S2のベース基板準備工程では、まず、ベース外形形成工程を実施する(S21)。このS21では、セラミック基板の形成素材であるシートを積層した焼成前基板を適宜切削等し、光通過孔611を有するベース基板610の形状を成形する。そして、焼成前基板を焼成することで、ベース基板610を形成する。
なお、焼成形成されたベース基板610に対して、例えばYAGレーザー等の高出力レーザーを利用した加工により、光通過孔611を形成してもよい。
次に、ベース基板610に貫通孔614を形成する貫通孔形成工程を実施する(S22)。このS22では、微細な貫通孔614を形成するために、例えばYAGレーザー等を用いたレーザー加工を実施する。また、形成した貫通孔614には、ベース基板610に対する密着性が高い導電性部材を充填する。
この後、ベース基板610に内側端子615,外側端子部616を形成する配線形成工程を実施する(S23)。
このS23では、例えば、Ni/Au等の金属を用いためっき加工を実施して、内側端子615及び外側端子部616を形成する。また、ベース接合部617及びリッド接合部624を、レーザー溶接により接合する場合では、ベース接合部617にNi等のめっきを施し、接合用パターン617Aを形成する。
この後、ベース基板610に、光通過孔611を覆うベース側ガラス基板630を接合する光学窓接合工程を実施する(S24)。
S24では、ベース側ガラス基板630の平面中心と、光通過孔611の平面中心とが一致するようにアライメント調整を実施し、フリットガラスを用いたフリットガラス接合によりベース側ガラス基板630をベース基板610に接合する。
(リッド準備工程)
S3のリッド準備工程では、まず、リッド620を形成するリッド形成工程を実施する(S31)。このS31では、コバール等により構成された金属基板をプレス加工して、光通過孔621を有するリッド620を形成する。
この後、リッド620に、光通過孔621を覆うリッド側ガラス基板640を接合する光学窓接合工程を実施する(S32)。
S32では、リッド側ガラス基板640の平面中心と、光通過孔621の平面中心とが一致するようにアライメント調整を実施し、フリットガラスを用いたフリットガラス接合によりリッド側ガラス基板640をリッド620に接合する。
(デバイス組み立て工程)
次に、上記S1〜S3により得られた波長可変干渉フィルター5,ベース基板610,リッド620を接合して光学フィルターデバイス600を形成するデバイス組み立て工程を実施する(S4)。
このS4では、まず、ベース基板610に対して波長可変干渉フィルター5を固定部材7により固定するフィルター固定工程を実施する(S41)。本実施形態では、上述のとおり図2及び図3に示す位置で、可動基板52の基板外周部525を、固定部材7を用いてベース基板610に固定する。固定部材7としては、本実施形態では、Agペーストを用いている。固定部材は、フィルター平面視において、ベース基板610の端子設置領域と重なる位置に配置される。そして、固定反射膜54,可動反射膜55の平面中心点Oが、光通過孔611の平面中心点Oに一致するようにアライメント調整を実施する。このアライメント調整後、可動基板52をベース基板610に貼り合わせ、Agペーストを硬化させる。このようにして、波長可変干渉フィルター5をベース基板610に固定される。
この後、配線接続工程を実施する(S42)。このS42では、ワイヤーボンディングにより、波長可変干渉フィルター5の各電極パッド541P,551P,563P,564Pと、各内側端子615とをそれぞれワイヤー615Aで接続する。すなわち、キャピラリーにワイヤーを挿通し、ワイヤー615Aの先端にボール(FAB:Free Air Ball)を形成する。この状態でキャピラリーを移動させてボールを固定電極パッド563Pに接触させ、ボンド615Bを形成する。そして、キャピラリーを移動させて内側端子615にもワイヤーを接続した後、ワイヤーを切断する。他の電極パッド541P,551P,564Pについても同様の接続工程を実施時する。
なお、ワイヤーボンディングとしてボールボンディングを用いて接続を行う例について説明したが、ウェッジボンディング等を用いてもよい。
この後、ベース基板610及びリッド620を接合する接合工程を実施する(S43)。このS43では、例えば真空チャンバー装置等において、真空雰囲気に設定された環境下でベース基板610及びリッド620を重ね合わせ、ベース基板610及びリッド620を例えばYAGレーザー等を用いたレーザー接合により接合する。このようなレーザー接合では、接合部のみを局所的に高温化して接合するため、内部空間650の温度上昇を抑制できる。従って、波長可変干渉フィルター5の各反射膜54,55が高温により劣化する不都合を防止することができる。
以上により、光学フィルターデバイス600が製造される。
[第一実施形態の作用効果]
本実施形態では、光学フィルターデバイス600では、フィルター平面視において、波長可変干渉フィルター5の各電極パッド541P,551P,563P,564Pが設けられた端子設置領域と重なる位置に固定部材7が配置されている。
上述のように構成された光学フィルターデバイス600では、ワイヤーボンディングを用いて、可動基板52に設けられた各電極パッド541P,551P,563P,564Pと、ベース基板610に設けられた内側端子615とを導電性の部材を介して電気的に接続する。このように導電性の部材を接合する際に、キャピラリーによって各電極パッド541P,551P,563P,564Pが押圧されることとなる。
ここで、固定部材7が各電極パッド541P,551P,563P,564Pが設けれた端子設置領域と、フィルター平面視で重ならない位置に設けられている場合、上述のように各電極パッド541P,551P,563P,564Pが押圧された際に、固定部材7が設けられた位置を支点として波長可変干渉フィルター5がベース基板610に対して傾くおそれがある。
一方、上述のように構成された光学フィルターデバイス600によれば、固定部材7が、フィルター平面視において、各電極パッド541P,551P,563P,564Pが設けられた端子設置領域と重なる位置に配置されている。これにより、フィルター平面視において、固定部材7が、押圧位置と重なるように配置できるので、押圧された際の波長可変干渉フィルター5の傾きを抑制できる。また、波長可変干渉フィルター5の傾きを抑制できるため、所定の配置位置に波長可変干渉フィルター5を配置でき、光学フィルターデバイス600の分光性能の低下を抑制できる。
また、ワイヤーボンディングを行う際に、波長可変干渉フィルター5が傾くと、キャピラリーによる各電極パッド541P,551P,563P,564Pへの押圧を十分に行えないため、所望の接合強度を有するボンド615Bを形成できず、接合不良が発生するおそれがある。これに対して、本実施形態の光学フィルターデバイス600では、波長可変干渉フィルター5の傾きを抑制できるため、所望の接合強度を有するボンド615Bの形成に必要な押圧力を得ることができ、上記接合不良の発生を抑制できる。
また、接合する際に波長可変干渉フィルター5が傾くと、可動基板52が固定部材7から外れ、ベース基板610に固定された波長可変干渉フィルター5が離脱するおそれがある。これに対して、本実施形態の光学フィルターデバイス600では、波長可変干渉フィルター5の傾きを抑制できるため、波長可変干渉フィルター5の離脱を抑制できる。
また、固定部材7を、可動基板52とベース基板610との間の全面にわたって配置したり、端子設置領域と重なる位置以外にも配置したりした光学フィルターデバイスでは、可動基板52と固定部材7との熱膨張係数の差やベース基板610と固定部材7との熱膨張係数の差による応力が可動基板52全体にわたって作用し易い。また、固定部材7として接着剤を用いた場合にも、硬化させた際の収縮による応力が、可動基板52全体にわたって作用し易い。また、可動基板52は、固定基板51に対して接合されているため、固定基板51へも応力が作用し易い。応力が作用すると、固定基板51の固定反射膜54や可動基板52の可動反射膜55が傾く、反る、撓む等変形してしまい、波長可変干渉フィルター5の分光性能が低下するおそれがあった。
一方、上述のように構成された光学フィルターデバイス600によれば、固定部材7が、フィルター平面視において、端子設置領域と重なる位置に配置されており、固定部材7が可動基板52とベース基板610との間の全面に配置された場合と比べて、固定部材7の量及び固定面積が小さくなっている。そのため、熱膨張係数の差による応力や接着剤硬化時の収縮応力を小さくでき、可動基板52や固定基板51への応力の影響を抑制できる。従って、可動基板52や固定基板51の反りを抑制でき、分光性能の低下を抑制できる。
光学フィルターデバイス600では、ワイヤーボンディングによって、各電極パッド541P,551P,563P,564Pと内側端子615とを電気的に接続する。
このようなワイヤーボンディングでは、接続端子が微小サイズに形成されている場合でも精度よくワイヤーを所望の位置に接続することができる。一方、キャピラリー(ワイヤークランプ)を各電極パッド541P,551P,563P,564Pに押圧する際に、波長可変干渉フィルター5に押圧力が加わるが、上述したように、フィルター平面視において各電極パッド541P,551P,563P,564Pと重なる位置に固定部材7が設けられているため、当該押圧力による波長可変干渉フィルター5の傾斜や可動基板52の撓みを抑制できる。
光学フィルターデバイス600では、固定部材7は、フィルター平面視において、端子設置領域に設けられた複数の各電極パッド541P,551P,563P,564Pに跨って配置されている。これにより、複数の各電極パッド541P,551P,563P,564Pに対して1つの固定部材7を配置することで可動基板52とベース基板610とを固定できるので、製造工程の簡略化が可能となる。
光学フィルターデバイス600では、可動基板52は、略矩形状の外形を有し、この矩形の一辺側に、各電極パッド541P,551P,563P,564Pを設置可能な端子設置部を備えている。そして、各電極パッド541P,551P,563P,564Pが設けられた端子設置領域の上記一辺方向(第一方向)に沿った長さは、端子設置部の長さの30%以下となっている。
これにより、上述の傾き抑制効果を担保しつつも、固定部材7による固定面積を小さくできるので、上述の熱膨張係数の差による応力や接着剤硬化時の収縮応力をより確実に小さくでき、可動基板52や固定基板51への応力の影響をより確実に抑制できる。従って、各基板51,52の反りをより確実に抑制でき、各反射膜54,55の反りをより確実に抑制できる。
光学フィルターデバイス600では、可動基板52は、略矩形状の外形を有し、この矩形の一辺側において固定基板51側から見て露出し、かつ、各電極パッド541P,551P,563P,564Pを設置可能な電装面524を備えている。そして、電装面524の長手方向Lにおいて、各電極パッド541P,551P,563P,564Pが設けられた端子設置領域の寸法L1は、電装面524の寸法L2の30%以下となっている。
固定部材7からベース基板610と可動基板52への応力は、固定部材7の量や固定面積(固定部材7と各基板52,610との接触面積)に応じて変化し、これらが増大すれば応力が増大する。可動基板52とベース基板610との基板間隔や、電装面524の短手方向の寸法は、基本的に設計時等に予めに決定された値なので、固定部材7の量及び固定面積は、長手方向Lの寸法に比例する。従って、端子設置領域の長手方向Lの寸法を小さくすることで、上述の熱膨張係数の差による応力や接着剤硬化時の収縮応力を低減できる。
上述のように構成された光学フィルターデバイス600において、端子設置領域の長手方向Lの寸法を電装面524の寸法L2の30%以下とすることにより、上述の傾き抑制効果を担保しつつも、上述の熱膨張係数の差による応力や接着剤硬化時の収縮応力をより確実に小さくでき、可動基板52や固定基板51への応力の影響をより確実に抑制できる。従って、各基板51,52の反りをより確実に抑制でき、各反射膜54,55の反りをより確実に抑制できる。
光学フィルターデバイス600では、波長可変干渉フィルター5が筐体601内に収納されているため、大気に含まれるガス等による反射膜の劣化や、異物の付着を抑制できる。
また、筐体601の内部空間650を例えば大気圧以下に減圧することで、大気に含まれるガス等による反射膜の劣化や、異物の付着をより効果的に抑制できる。このような場合、固定部材7にAgペーストを用いることにより、固定部材7によるデガスを抑制でき、筐体601の内部をより確実に減圧状態に維持できる。
[第二実施形態]
次に、本発明に係る第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
本実施形態では、固定部材が、フィルター平面視において、各電極パッド541P,551P,563P,564Pのそれぞれに重なる位置に個別に配置された点で上記第一実施形態と相違している。
図7は、本発明に係る第二実施形態の光学フィルターデバイスにおいて、フィルター平面視において各電極パッド541P,551P,563P,564Pと固定部材7との位置関係を示す図である。なお、上記相違点以外は、基本的に第一実施形態と同様の構成を有する。以降の実施形態の説明にあたり、既に説明した構成については、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
固定部材7Aは、図7に示すように、フィルター平面視で、各電極パッド541P,551P,563P,564Pのそれぞれに重なる位置に、固定部材7Aが、個別に配置されている。固定部材7Aも、第一実施形態同様に、可動基板52とベース基板610とを物理的に係合や嵌合する部材であってもよい。
本実施形態において、固定部材7Aが設置された端子設置領域は、長手方向Lに配列された全固定部材7Aを覆う領域である。
本実施形態においても、長手方向Lにおける、端子設置領域の寸法L1は、電装面の寸
法L2の30%以下であることが好ましい。
[第二実施形態の作用効果]
本発明では、固定部材7Aは、フィルター平面視において、端子設置領域に設けられた複数の電極パッドのそれぞれに重なる位置に個別に配置されている。
これにより、上述の傾き抑制効果を担保しつつも、各固定部材7Aにより固定面積を小さくできるので、上述の熱膨張係数の差による応力や接着剤硬化時の収縮応力をより小さくでき、固定基板51や可動基板52への応力の影響をより一層抑制できる。従って、各反射膜54,55の反りをより一層抑制できる。
[第三実施形態]
次に、本発明の第三実施形態について、図面に基づいて説明する。
第三実施形態では、上記第一実施形態の光学フィルターデバイス600が組み込まれた光学モジュールである測色センサー3、及び光学フィルターデバイス600が組み込まれた電子機器である測色装置1を説明する。
[測色装置の概略構成]
図8は、測色装置1の概略構成を示すブロック図である。
測色装置1は、本発明の電子機器である。この測色装置1は、図8に示すように、検査対象Xに光を射出する光源装置2と、測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備える。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を検査対象Xにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Xの色を分析して測定する装置である。
[光源装置の構成]
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図8には1つのみ記載)を備え、検査対象Xに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Xに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Xが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
[測色センサーの構成]
測色センサー3は、本発明の光学モジュールを構成し、上記第一実施形態の光学フィルターデバイス600を備えている。この測色センサー3は、図8に示すように、光学フィルターデバイス600と、光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5を透過した光を受光する検出部31と、波長可変干渉フィルター5で透過させる光の波長を可変する電圧制御部32とを備える。
また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、検査対象Xで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、光学フィルターデバイス600内の波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を検出部31にて受光する。
検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。ここで、検出部31は、例えば回路基板311を介して、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
また、この回路基板311には、ベース基板610のベース外側面613に形成された外側端子部616が接続されており、回路基板311に形成された回路を介して、電圧制御部32に接続されている。
このような構成では、回路基板311を介して、光学フィルターデバイス600及び検出部31を一体的に構成でき、測色センサー3の構成を簡略化することができる。
電圧制御部32は、回路基板311を介して光学フィルターデバイス600の外側端子部616に接続される。そして、電圧制御部32は、制御装置4から入力される制御信号に基づいて、固定電極パッド563P及び可動電極パッド564P間に所定のステップ電圧を印加することで、静電アクチュエーター56を駆動させる。これにより、電極間ギャップに静電引力が発生し、保持部522が撓むことで、可動部521が固定基板51側に変位し、反射膜間ギャップG1を所望の寸法に設定することが可能となる。
[制御装置の構成]
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図8に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、及び測色処理部43などを備えて構成されている。
光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター56への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、検査対象Xの色度を分析する。
[第三実施形態の作用効果〕
本実施形態の測色装置1は、上記第一実施形態のような光学フィルターデバイス600を備えている。上述したように、光学フィルターデバイス600によれば、固定部材7を用いた可動基板52とベース基板610とを固定しても、熱膨張係数の差による応力等が、可動基板52や固定基板51に作用し難くなる。そのため、固定基板51の固定反射膜54や可動基板52の可動反射膜55の反りを抑制できる。そのため、これらの反射膜54,55の反りによる波長可変干渉フィルター5の光学特性の変化を防止することができる。また、光学フィルターデバイス600は、内部空間650の気密性が高く、水粒子等の異物の侵入がないため、これらの異物による波長可変干渉フィルター5の光学特性の変化も防止することができる。したがって、測色センサー3においても、高分解能で取り出された目的波長の光を検出部31により検出することができ、所望の目的波長の光に対する正確な光量を検出することができる。これにより、測色装置1は、検査対象Xの正確な色分析を実施することができる。
また、検出部31は、ベース基板610に対向して設けられ、当該検出部31、及びベース基板610のベース外側面613に設けられた外側端子部616は、1つの回路基板311に接続されている。すなわち、光学フィルターデバイス600のベース基板610は光射出側に配置されているため、光学フィルターデバイス600から射出された光を検出する検出部31と近接して配置することができる。したがって、上述のように、1つの回路基板311に配線することで、配線構造を簡略化でき、基板数も削減することができる。
また、電圧制御部32を回路基板311上に配置してもよく、この場合、更なる構成の簡略化を図ることができる。
[実施形態の変形]
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上記各実施形態では、1つの電装面524を備える構成としたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、複数の電装面を備え、それぞれに端子設置領域を有する構成としてもよい。
図9は、本発明に係る光学フィルターデバイスの一変形例において、ベース基板610上に配置された波長可変干渉フィルターを固定基板側から見た平面図である。なお、上記相違点と電極構造以外は、基本的に第一実施形態と同様の構成を有する。
図9に示す、波長可変干渉フィルター5Aは、固定基板51A及び可動基板52Aを備えている。
フィルター平面視において、可動基板52Aの一対の辺側(例えば、図9における辺C1−C2、及び辺C3−C4)は、固定基板51Aよりも外側に突出する。この可動基板52Aの突出部分は、固定基板51Aと接合されない非接合部526A,Bであり、固定基板51A側から見た際に露出する面がそれぞれ第一電装面524A,第二電装面524Bを構成する。
波長可変干渉フィルター5Aには、静電アクチュエーター86が設けられている。この静電アクチュエーター86は、固定基板51Aに設けられた固定電極861と、可動基板52Aに設けられた可動電極862とにより構成されている。
固定基板51Aには、固定電極861の外周縁から頂点C1方向に第一電装面524Aの近傍まで延出する固定引出電極863Aが設けられている。また、可動基板52Aには、固定引出電極863Aの延出先端部と対向する位置から、第一電装面524Aに向かって延出する固定接続電極863Bが設けられ、固定引出電極863Aとバンプ電極863Cで接続されている。この固定接続電極863Bの延出先端部(固定基板51Aの頂点C1に位置する部分)は、第一電装面524Aにおいて固定電極パッド863Pを構成する。
可動基板52Aには、可動電極862の外周縁から第二電装面524Bに向かって延出する可動引出電極864を備えている。この可動引出電極864の延出先端部(可動基板52Aの頂点C3に位置する部分)は、第二電装面524Bにおいて可動電極パッド864Pを構成する。
各電極パッド863P,864Pは、ベース基板610に設けられた内側端子615にそれぞれワイヤー615Aで接続されている。ワイヤー615Aによる接続は、ワイヤーボンディングにより行う。
固定部材7Bは、波長可変干渉フィルター5Aの可動基板52Aとベース基板610との間の、フィルター平面視において、各電極パッド863P,864Pが設けられた端子設置領域と重なる位置に配置されている。
本変形例においても、固定部材7Bは、フィルター平面視において端子設置領域と重なる位置に配置されているので、上記第一及び第二実施形態と同様の効果をえることができる。
なお、本変形例では、複数の電装面524A,524Bを備え、各電装面に端子設置領域を設け、フィルター平面視において各端子設置領域に重なるように固定部材7Bを配置している。このような構成により、複数の電極パッドを各電装面に分けて設けることができ、1つの電装面に対する端子設置領域の寸法を小さくでき、固定部材7Bによる固定面積も小さくできる。従って、1つの電装面における固定部材7Bから可動基板52Aに対する応力を小さくするとともに、固定部材7Bからの応力が付与される位置を分散でき、可動基板52Aの一か所に大きな応力が集中することを回避できる。
また、本変形例では、複数の設置領域が、フィルター平面視において、矩形状の波長可変干渉フィルター5Aの中心に対して対称の関係となる位置に設けられている。従って、一方の設置領域で配線接続工程を行う際に、波長可変干渉フィルター5Aがベース基板610に対して傾くことをより好適に抑制できる。
上記第一及び第二実施形態では、フィルター平面視において、各電極パッド541P,551P,563P,564Pと重なる領域に固定部材7,7Aが配置されているとしたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、少なくとも、配線を設ける際に押圧される領域に重なる領域、より具体的にはボンド615Bと重なる領域に固定部材が設けられるように構成してもよい。
上記第一及び第二実施形態では、各電極パッド541P,551P,563P,564Pと、各内側端子615との接続は、ワイヤーボンディングにより行うとしたが、例えばAgペースト、FPC(Flexible Printed Circuits)、ACF(AnisotropicConductive Film)、及びACP(Anisotropic Conductive Paste)等を用いて接合してもよい。
上記第一及び第二実施形態では、1つの電装面に複数の電極パッド541P,551P,563P,564Pを設けるようにしたが、図9に示す変形例のように、1つの電極パッドを設ける構成としてもよい。
また、上記第一実施形態では、複数の電極パッドを覆う端子設置領域を、1つの電装面に対して1つ設ける構成としたが、1つの電装面に複数の端子設置領域を設けるように構成してもよい。この場合、固定部材は、フィルター平面視において、各端子設置領域に重なる位置に配置される。
また、上記第一及び第二実施形態では、電極パッドは、可動基板52に設ける構成としたが、固定基板51に設ける構成としてもよい。この場合、固定基板51の可動基板52側に設けてもよいし、反対側に設けてもよい。
上記第一及び第二実施形態では、固定反射膜54は、固定ミラー電極541A、固定ミラー接続電極541B、及びバンプ電極541Cによって不図示のグランド回路に接続されグランド電位に設定され、可動反射膜55も同様に、可動ミラー電極551によって不図示のグランド回路に接続されグランド電位に設定されているとした。すなわち、反射膜の帯電を防止するための帯電防止電極が、本発明の接続端子に電気的に接続された構成を例示したが、本発明はこれに限定されない。
例えば、静電容量検出用の電極を本発明の接続端子に接続した構成としてもよい。具体的には、固定反射膜54及び可動反射膜55をグランド回路に替えて静電容量検出回路に接続し、この静電容量検出回路により、高周波電圧を固定反射膜54及び可動反射膜55間に印加する構成が例示できる。これにより、反射膜54,55間の静電容量、すなわち反射膜54,55間のギャップG1の寸法を検出することが可能となる。
上記第一及び第二実施形態では、波長可変干渉フィルターとして、本発明の基板である可動基板52上に第一反射膜である可動反射膜55が設けられ、固定基板51上に第二反射膜である固定反射膜54が設けられる構成を例示したが、これに限定されない。例えば、固定基板51が設けられない構成としてもよい。この場合、例えば、基板の一面に第一反射膜、ギャップスペーサ、及び第二反射膜を積層形成し、第一反射膜と第二反射膜とがギャップを介して対向する構成とする。当該構成では、一枚の基板からなる構成となり、分光素子をより薄型化することができる。
上記各実施形態では、真空中でベース基板610、及びリッド620を接合することで、内部空間650が真空状態に維持された光学フィルターデバイス600を製造したがこれに限定されない。例えば、リッドやベース基板に、内部空間と外部とを連通する孔部を形成しておく。大気圧下でリッドとベース基板とを接合した後に、内部空間から空気を抜いて真空状態にし、当該孔部を封止部材にて封止することができる。封止部材としては、例えば、金属球が挙げられる。金属球による封止では、金属球を孔部内に嵌入させた後、孔部内で高温化させて金属球を孔部の内壁に溶着させることが好ましい。
また、光学フィルターデバイス600に収納される波長可変干渉フィルター5としては、上記実施形態で示した例に限定されない。上記実施形態において、波長可変干渉フィルター5は、固定電極561、及び可動電極562に電圧を印加することで、静電引力により反射膜間ギャップG1の大きさを変更可能なタイプを示した。このようなタイプの他、例えば、反射膜間ギャップG1を変更するアクチュエーターとして、固定電極561の代わりに、第一誘電コイルを配置し、可動電極562の代わりに第二誘電コイル又は永久磁石を配置した誘電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。
さらに、静電アクチュエーター56の代わりに圧電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。この場合、例えば保持部522に下部電極層、圧電膜、及び上部電極層を積層配置させ、下部電極層及び上部電極層の間に印加する電圧を入力値として可変させることで、圧電膜を伸縮させて保持部522を撓ませることができる。
また、内部空間650に収納する干渉フィルターとして波長可変干渉フィルター5を例示したが、例えば、反射膜間ギャップG1の大きさが固定された干渉フィルターであってもよい。この場合、可動部521を撓ませるための保持部522や、固定電極561を設けるための電極配置溝511等をエッチングにより形成する必要がなく、干渉フィルターの構成を簡略化できる。また、反射膜間ギャップG1の大きさが固定であるため、応答性の問題がなく、内部空間650を真空に維持する必要がなく、構成の簡略化、製造性の向上を図ることができる。ただし、この場合でも、例えば温度変化が大きい場所で光学フィルターデバイス600を使用する場合、内部空間650内の空気の膨張等により、ベース側ガラス基板630やリッド側ガラス基板640が応力を受けて撓む恐れがある。したがって、このような干渉フィルターを用いる場合であっても、内部空間650を真空、又は減圧状態に維持することが好ましい。
また、リッド620は、リッド接合部624、側壁部625、及び天面部626を備え、天面部626がベース基板610に対して平行となる構成を示したがこれに限定されない。リッド620の形状としては、ベース基板610との間に波長可変干渉フィルター5を収納可能な内部空間650を形成できれば、いかなる形状であってもよく、例えば天面部626が曲面形状に形成されていてもよい。ただし、この場合、製造が煩雑になることが考えらえる。例えば、内部空間650の気密性を維持するために、リッド620に接合するリッド側ガラス基板640をリッド620に合わせて曲面状に形成し、かつ、光通過孔621を閉塞する部分のみ、屈折等が生じないように平面状に形成する必要があるからである。したがって、上記第一実施形態のように天面部626がベース基板610と平行となるリッド620を用いることが好ましい。
上記各実施形態では、ベース側ガラス基板630及びリッド側ガラス基板640が、筐体601の外面、すなわち、ベース基板610のベース外側面613、及びリッド620のリッド外側面623に接合される例を示したが、これに限らない。例えば、筐体601の内部空間650側に接合される構成としてもよい。
また、干渉フィルターとして、第一反射膜及び第二反射膜により多重干渉された光を反射させる反射型フィルターを内部空間650に収納する場合では、光通過孔611、及びベース側ガラス基板630が設けられない構成であってもよい。
この場合、光学フィルターデバイス600の光通過孔621に対向して、例えばビームスプリッター等を設けることで、光学フィルターデバイス600への入射光と、光学フィルターデバイス600から射出された射出光とを分離する構成とすることで、分離した射出光を検出部で検出させることができる。
上記実施形態では、内側端子615及び外側端子部616を、ベース基板610に設けられた貫通孔614内に導電性部材を介して接続する構成を例示したが、これに限定されない。例えば、ベース基板610の貫通孔614に棒状の端子を圧入し、端子の先端部と、固定電極パッド563Pや可動電極パッド564P等と、を接続する構成としてもよい。
上記実施形態において、固定基板51の光入射面に非透光性部材515を設ける構成としたが、例えば、入射側の透光基板であるリッド側ガラス基板640に非透光性部材515を設ける構成などとしてもよい。
また、上記実施形態では、リッド620側から入射された光を波長可変干渉フィルター5に多重干渉させ、波長可変干渉フィルター5を透過した光をベース側ガラス基板630から射出する光学フィルターデバイス600を例示したが、例えばベース基板610側から光を入射させる構成としてもよい。この場合、可動基板52にアパーチャーとして機能させる非透光性部材を設けてもよく、あるいは、非透光性部材が設けられた固定基板51をベース基板610に固定する構成等としてもよい。
また、本発明の電子機器として、第三実施形態において測色装置1を例示したが、その他、様々な分野により本発明の光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器を用いることができる。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学フィルターデバイスが備える波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
図10は、波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図11は、図10のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置100は、図10に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、及び排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。
本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、光学フィルターデバイス600、及び受光素子137(検出部)等を含む検出装置と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,レンズ135D,レンズ135Eと、により構成されている。
また、図11に示すように、ガス検出装置100の表面には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置100の制御部138は、図11に示すように、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149及び排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。
次に、上記のようなガス検出装置100の動作について、以下に説明する。
本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
そして、例えば利用者により操作パネル140が操作され、操作パネル140から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部144へ出力されると、まず、信号処理部144は、光源ドライバー回路145に光源作動の信号を出力して光源135Aを作動させる。光源135Aが駆動されると、光源135Aから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源135Aには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部144へ出力される。そして、信号処理部144は、光源135Aから入力された温度や光量に基づいて、光源135Aが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路150を制御して排出手段133を作動させる。これにより、検出すべき標的物質(ガス分子)を含んだ気体試料が、吸引口120Aから、吸引流路120B、センサーチップ110内、排出流路120C、排出口120Dへと誘導される。なお、吸引口120Aには、除塵フィルター120A1が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。
また、センサーチップ110は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ110では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光学フィルターデバイス600に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146を制御し、光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。
信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。
なお、上記図10及び図11において、ラマン散乱光を光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置100を例示した。この他、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。
また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
図12は、光学フィルターデバイス600を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置200は、図12に示すように、検出器210(光学モジュール)と、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光する光学フィルターデバイス600と、分光された光を検出する撮像部213(検出部)と、を備えている。
また、制御部220は、光源211の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部221と、光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。
この食物分析装置200は、システムを駆動させると、光源制御部221により光源211が制御されて、光源211から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ212を通って光学フィルターデバイス600に入射する。光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5は電圧制御部222の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばCCDカメラ等により構成される撮像部213で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部225に蓄積される。また、信号処理部224は、電圧制御部222を制御して波長可変干渉フィルター5に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
そして、信号処理部224は、記憶部225に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部225には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部224は、求めたスペクトルのデータを、記憶部225に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部224は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。
また、図12において、食物分析装置200の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
また、電子機器としては、本発明の光学フィルターデバイスが備える波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図13は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ300は、図13に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330(検出部)とを備えている。
カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、図13に示すように、対物レンズ321、結像レンズ322、及びこれらのレンズ間に設けられた光学フィルターデバイス600を備えて構成されている。
撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ300では、光学フィルターデバイス600の波長可変干渉フィルター5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
さらには、本発明の光学フィルターデバイスが備える波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の光学フィルターデバイスが備える波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
さらには、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー(赤外光)を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
上記に示すように、本発明の光学フィルターデバイス及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の光学フィルターデバイスは、上述のように、1デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
上述の測色装置1、ガス検出装置100、食物分析装置200、及び分光カメラ300の説明では、第一実施形態の光学フィルターデバイス600を適用した例を示したが、これに限定されない。もちろん、他の実施形態の光学フィルターデバイス、その他の本発明の光学フィルターデバイスも同様に測色装置1等に適用できる。
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で上記各実施形態及び変形例を適宜組み合わせることで構成してもよく、また他の構造などに適宜変更してもよい。
1…測色装置、5,5A…波長可変干渉フィルター(干渉フィルター)、7,7A,7B…固定部材、42…測色センサー制御部、52…可動基板(基板)、100…ガス検出装置、137…受光素子、138…制御部、200…食物分析装置、213…撮像部、220…制御部、300…分光カメラ、330…撮像部、541P…固定ミラー電極パッド(接続端子)、551P…可動ミラー電極パッド(接続端子)、563P,863P…固定電極パッド(接続端子)、564P,864P…可動電極パッド(接続端子)、600…光学フィルターデバイス、601…筐体、610…ベース基板。

Claims (7)

  1. 複数の接続端子が設けられた基板を備えた干渉フィルターと、
    前記基板に対向し、前記干渉フィルターが載置されるベース基板と、
    前記基板と前記ベース基板との間に配置され、前記基板を前記ベース基板に固定する固定部材と、
    を備え、
    前記複数の接続端子、一方向に沿って配置され、
    前記固定部材は、前記基板の側から前記ベース基板の側を見たとき、前記複数の接続端子に跨って配置されたことを特徴とする光学フィルターデバイス。
  2. 請求項1に記載の光学フィルターデバイスにおいて、
    前記ベース基板を備え、前記ベース基板に固定された前記干渉フィルターを収納する筐体を備え、
    前記筐体は、前記複数の接続端子とワイヤーボンディングによって電気的に接続された筐体側端子を備えたことを特徴とする光学フィルターデバイス。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の光学フィルターデバイスにおいて、
    前記固定部材は、前記平面視において、前記複数の前記接続端子の各々に重なる位置に配置されたことを特徴とする光学フィルターデバイス。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の光学フィルターデバイスにおいて、
    前記基板は、略矩形状の外形を有し、前記矩形の一辺側に前記複数の接続端子の各々が設置された端子設置領域を有する電装面を備え、
    前記矩形の一辺と平行な第一方向における、前記端子設置領域の長さは、前記電装面の長さの30%以下であることを特徴とする光学フィルターデバイス。
  5. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の光学フィルターデバイスにおいて、
    前記固定部材は、Agペーストであることを特徴とする光学フィルターデバイス。
  6. 請求項1から請求項5のいずれかに記載の光学フィルターデバイスと、
    前記干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、
    を備えたことを特徴とする光学モジュール。
  7. 請求項1から請求項5のいずれかに記載の光学フィルターデバイスと、
    前記干渉フィルターを制御する制御部と、
    を備えたことを特徴とする電子機器。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5720200B2 (ja) * 2010-11-25 2015-05-20 セイコーエプソン株式会社 光モジュール、および光測定装置
JP6201484B2 (ja) 2013-07-26 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及びmemsデバイス
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CN106383377B (zh) * 2016-01-30 2019-01-15 西北工业大学 一种电磁驱动式微机械可调谐珐珀滤波器及其制作方法
KR102250527B1 (ko) * 2016-12-08 2021-05-10 고려대학교 산학협력단 가변 칼라 필터 필름 및 변형률 측정 장치
JP7155498B2 (ja) * 2017-03-29 2022-10-19 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス
TWI639880B (zh) * 2017-11-10 2018-11-01 群光電子股份有限公司 改善熱飄移之鏡頭結構及其方法
CN108399392B (zh) * 2018-03-07 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别结构和显示装置
EP3794326A4 (en) * 2018-05-17 2022-08-17 Unispectral Ltd. OPTICAL DEVICE AND LINKING METHOD
CN112987196A (zh) * 2021-01-29 2021-06-18 武汉英飞光创科技有限公司 一种cob气密多模光模块结构及其密封方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766982B2 (ja) * 1989-03-29 1995-07-19 シャープ株式会社 波長選択性受光素子
JPH081977B2 (ja) * 1993-08-16 1996-01-10 日本電気株式会社 基板の接続構造
US7145143B2 (en) * 2002-03-18 2006-12-05 Honeywell International Inc. Tunable sensor
JP2004361208A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Hitachi Unisia Automotive Ltd 圧力センサ
JP2005257879A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Fujitsu Ltd 光モジュール及びその製造方法並びに保護部材及び電気配線付き保護部材
JP2006202938A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Kojiro Kobayashi 半導体装置及びその製造方法
JP4432947B2 (ja) * 2006-09-12 2010-03-17 株式会社デンソー 赤外線式ガス検出器
JP2011164374A (ja) * 2010-02-10 2011-08-25 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、及び波長可変干渉フィルターの製造方法。
JP2012150353A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置
JP5708009B2 (ja) * 2011-02-17 2015-04-30 セイコーエプソン株式会社 光モジュールおよび電子機器

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