JP6245887B2 - Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、支持基板の表面に、幅の異なる複数の線状パターンを形成する基板製造方法及び基板製造装置に関する。   The present invention relates to a substrate manufacturing method and a substrate manufacturing apparatus for forming a plurality of linear patterns having different widths on a surface of a support substrate.

支持基板の表面にマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成されていない露出した領域に金属をめっきすることによりプリント基板を作製する技術が知られている（特許文献１）。マスクパターンは、たとえば感光性ドライフィルムを露光及び現像することにより形成される。めっきされた金属の高さがマスクパターンの高さを超えると、めっきされた金属が、予めマスクパターンで設定されている線幅を超えて、横方向に広がってしまう。マスクパターンを、めっきされる金属より厚くすることにより、横方向への広がりを防止することができる。   A technique for producing a printed circuit board by forming a mask pattern on the surface of a support substrate and plating a metal in an exposed region where the mask pattern is not formed is known (Patent Document 1). The mask pattern is formed, for example, by exposing and developing a photosensitive dry film. When the height of the plated metal exceeds the height of the mask pattern, the plated metal exceeds the line width set in advance in the mask pattern and spreads in the horizontal direction. By making the mask pattern thicker than the metal to be plated, spreading in the lateral direction can be prevented.

特開２０１１−２２８６０５号公報JP 2011-228605 A

厚さが１００μｍ以上の厚い金属パターン、たとえば厚銅パターンを形成する場合には、マスクパターンを１００μｍより厚くしなければならない。ところが、このような厚いマスクパターンを、露光及び現像により形成することは困難である。本発明の目的は、厚い金属パターンを形成するためのマスクパターンを支持基板上に形成する方法を提供することである。本発明の他の目的は、このマスクパターンを形成する方法に適用可能な基板製造装置を提供することである。   When forming a thick metal pattern with a thickness of 100 μm or more, for example, a thick copper pattern, the mask pattern must be thicker than 100 μm. However, it is difficult to form such a thick mask pattern by exposure and development. An object of the present invention is to provide a method for forming a mask pattern on a support substrate for forming a thick metal pattern. Another object of the present invention is to provide a substrate manufacturing apparatus applicable to the method of forming the mask pattern.

本発明の一観点によると、
第１の線状パターン、及び前記第１の線状パターンより太い第２の線状パターンを形成すべき支持基板を準備する工程と、
前記支持基板の、前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンを形成すべき領域に、薄膜材料を液滴化して着弾させ、着弾した前記薄膜材料を硬化させる手順を複数回繰り返す工程と
を有し、
前記第１の線状パターンを形成するための前記手順の繰り返し回数が、前記第２の線状パターンを形成するための前記手順の繰り返し回数より多く、
前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンの側面が傾斜しており、
前記第１の線状パターンを構成する前記薄膜材料のうち側面が傾斜した部分に使われる前記薄膜材料の割合が、前記第２の線状パターンを構成する前記薄膜材料のうち側面が傾斜した部分に使われる前記薄膜材料の割合より高く、
前記第１の線状パターンを形成するための前記手順の繰返し回数を前記第２の線状パターンを形成するための前記手順の繰返し回数より多くすることによって、前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンにおいて側面が傾斜した部分に使われる前記薄膜材料の割合の相違に起因する高さの不揃いをなくしている基板製造方法が提供される。
According to one aspect of the invention,
Preparing a support substrate to form a first linear pattern and a second linear pattern thicker than the first linear pattern; and
Repeating a plurality of times a procedure in which a thin film material is formed in droplets and landed on a region of the support substrate where the first linear pattern and the second linear pattern are to be formed, and the landed thin film material is cured. A process,
Number of repetitions of the steps for forming the first linear pattern, rather multi than the number of repetitions of the steps for forming the second linear pattern,
Side surfaces of the first linear pattern and the second linear pattern are inclined,
The proportion of the thin film material used in the portion of the thin film material that constitutes the first linear pattern is inclined, and the portion of the thin film material that constitutes the second linear pattern is inclined in the side surface. Higher than the proportion of the thin film material used in
By making the number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern larger than the number of repetitions of the procedure for forming the second linear pattern, the first linear pattern and the In the second linear pattern, there is provided a substrate manufacturing method in which unevenness in height due to a difference in a ratio of the thin film material used in a portion where the side surface is inclined is eliminated .

本発明の他の観点によると、
第１の線状パターン、及び前記第１の線状パターンより太い第２の線状パターンを形成すべき支持基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された支持基板に向けて、光硬化性の液状の薄膜材料を吐出する複数のノズル孔を有するノズルヘッドと、
前記支持基板と前記ノズルヘッドとの一方を他方に対して移動させる移動機構と、
前記ステージに保持された支持基板に付着した液状の前記薄膜材料に硬化用の光を照射する光源と、
前記ノズルヘッド、前記光源、及び前記移動機構を制御する制御装置と
を有し、
前記第１の線状パターンの高さの目標値と、前記第２の線状パターンの高さの目標値とが等しく、
前記制御装置は、前記ノズルヘッド、前記光源、及び前記移動機構を制御して、
前記ノズルヘッド及び前記基板の一方を他方に対して移動させながら、前記ノズルヘッドから液状の薄膜材料を吐出して、前記基板の表面のうち、第１の線状パターン及び第２の線状パターンを形成すべき領域に、液状の薄膜材料を塗布するとともに、前記基板に付着した液状の前記薄膜材料に前記光源から硬化用の光を照射して、前記薄膜材料を硬化させる第１の手順を複数回繰り返し、
さらに、
前記ノズルヘッド及び前記基板の一方を他方に対して移動させながら、前記ノズルヘッドから液状の薄膜材料を吐出して、前記基板の表面のうち、前記第１の線状パターンを形成すべき領域に、液状の薄膜材料を塗布するとともに、前記基板に付着した液状の前記薄膜材料に前記光源から硬化用の光を照射して、前記薄膜材料を硬化させ、前記第２の線状パターンを形成すべき領域には液状の薄膜材料を塗布しない第２の手順を実行し、
さらに、前記制御装置は、
線状パターンの幅と高さ、及び薄膜材料の塗布と硬化とを行う手順の繰り返し回数の対応関係情報を記憶しており、
前記第１の線状パターンの高さの目標値、前記第１の線状パターンの幅の目標値、前記第２の線状パターンの幅の目標値、及び前記対応関係情報に基づいて、前記第１の手順の繰り返し回数及び前記第２の手順の繰り返し回数を求める基板製造装置が提供される。 According to another aspect of the invention,
A stage for holding a support substrate on which a first linear pattern and a second linear pattern thicker than the first linear pattern are to be formed;
A nozzle head having a plurality of nozzle holes for discharging a photocurable liquid thin film material toward the support substrate held on the stage;
A moving mechanism for moving one of the support substrate and the nozzle head relative to the other;
A light source that irradiates light for curing the liquid thin film material attached to the support substrate held on the stage;
A control device for controlling the nozzle head, the light source, and the moving mechanism;
The target value of the height of the first linear pattern is equal to the target value of the height of the second linear pattern,
The control device controls the nozzle head, the light source, and the moving mechanism,
While moving one of the nozzle head and the substrate relative to the other, a liquid thin film material is ejected from the nozzle head, and a first linear pattern and a second linear pattern on the surface of the substrate. A liquid thin film material is applied to a region to be formed, and the liquid thin film material attached to the substrate is irradiated with curing light from the light source to cure the thin film material. Repeated several times,
further,
While moving one of the nozzle head and the substrate with respect to the other, a liquid thin film material is discharged from the nozzle head to form an area on the surface of the substrate where the first linear pattern is to be formed. The liquid thin film material is applied, and the liquid light thin film material attached to the substrate is irradiated with curing light from the light source to cure the thin film material, thereby forming the second linear pattern. Perform a second procedure in which no liquid thin film material is applied to the power region ;
Further, the control device includes:
The correspondence information of the number of repetitions of the procedure of performing the width and height of the linear pattern and the application and curing of the thin film material is stored,
Based on the target value of the height of the first linear pattern, the target value of the width of the first linear pattern, the target value of the width of the second linear pattern, and the correspondence information, There is provided a substrate manufacturing apparatus that calculates the number of repetitions of a first procedure and the number of repetitions of the second procedure .

第１の線状パターンを形成するための手順の繰り返し回数が、第２の線状パターンを形成するための前記手順の繰り返し回数より多い。手順の繰り返し回数が同一であれば、相対的に細い第１の線状パターンが、第２の線状パターンより低くなってしまう。第１の線状パターンを形成するための手順の繰り返し回数を、第２の線状パターンを形成するための前記手順の繰り返し回数より多くすることにより、第１の線状パターンと第２の線状パターンとの高さを揃えることができる。   The number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern is greater than the number of repetitions of the procedure for forming the second linear pattern. If the number of repetitions of the procedure is the same, the relatively thin first linear pattern will be lower than the second linear pattern. By making the number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern larger than the number of repetitions of the procedure for forming the second linear pattern, the first linear pattern and the second line The height of the pattern can be made uniform.

図１は、実施例による基板製造方法で用いられる支持基板の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a support substrate used in the substrate manufacturing method according to the embodiment. 図２Ａ〜図２Ｄは、実施例による基板製造方法により製造される基板の、製造途中段階における断面図である。2A to 2D are cross-sectional views of a substrate manufactured by the substrate manufacturing method according to the embodiment in the middle of manufacturing. 図２Ｅは、実施例による基板製造方法により製造される基板の、製造途中段階における断面図であり、図２Ｆは、実施例による基板製造方法で製造された基板の断面図である。FIG. 2E is a cross-sectional view of the substrate manufactured by the substrate manufacturing method according to the embodiment in the middle of manufacturing, and FIG. 2F is a cross-sectional view of the substrate manufactured by the substrate manufacturing method according to the embodiment. 図３は、各線状パターンを形成するための手順の、好ましい繰り返し回数について説明するための線状パターンの概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a linear pattern for explaining a preferable number of repetitions of a procedure for forming each linear pattern. 図４は、線状パターンの幅と高さ、及び手順の繰り返し回数ｎとの関係の一例を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the width and height of the linear pattern and the number of procedure repetitions n. 図５は、実施例による基板製造装置の塗布ステーションの概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a coating station of the substrate manufacturing apparatus according to the embodiment. 図６Ａは、ノズルユニットの斜視図であり、図６Ｂはノズルユニットの底面図である。6A is a perspective view of the nozzle unit, and FIG. 6B is a bottom view of the nozzle unit. 図７は、実施例による基板製造装置のステージ及びノズルユニットの平面図である。FIG. 7 is a plan view of the stage and the nozzle unit of the substrate manufacturing apparatus according to the embodiment. 図８は、実施例による基板製造装置の全体の概略図である。FIG. 8 is a schematic view of the entire substrate manufacturing apparatus according to the embodiment.

図１、図２Ａ〜図２Ｆを参照して、実施例による基板製造方法について説明する。まず、パターンを形成すべき下地となる支持基板を準備する。   The substrate manufacturing method according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2A to 2F. First, a support substrate as a base on which a pattern is to be formed is prepared.

図１に、実施例による基板製造方法で用いられる支持基板１０の平面図を示す。支持基板１０の表面に、マスクパターンを形成すべき領域１５が画定されている。形成すべきマスクパターンは、幅の異なる複数の線状パターンを有する。例えば、マスクパターンを形成すべき領域１５は、第１の線状パターンを形成すべき領域１１（以下、第１の領域という。）、第２の線状パターンを形成すべき領域１２（以下、第２の領域という。）、及び
第３の線状パターンを形成すべき領域１３（以下、第３の領域という。）を含む。第１の領域１１の幅が最も細く、第３の領域１３の幅が最も太い。第１の線状パターン、第２の線状パターン、及び第３の線状パターンの高さの目標値は、すべて等しい。 FIG. 1 is a plan view of a support substrate 10 used in the substrate manufacturing method according to the embodiment. A region 15 where a mask pattern is to be formed is defined on the surface of the support substrate 10. The mask pattern to be formed has a plurality of linear patterns having different widths. For example, the region 15 in which a mask pattern is to be formed includes a region 11 in which a first linear pattern is to be formed (hereinafter referred to as a first region), and a region 12 in which a second linear pattern is to be formed (hereinafter referred to as a region). And a region 13 (hereinafter referred to as a third region) in which a third linear pattern is to be formed. The first region 11 has the smallest width, and the third region 13 has the largest width. The target values of the heights of the first linear pattern, the second linear pattern, and the third linear pattern are all equal.

図２Ａ〜図２Ｆに、実施例による基板製造方法で製造される基板の、製造途中段階における断面図を示す。図２Ａ〜図２Ｆは、図１の一点鎖線２−２における断面に相当する。   2A to 2F are cross-sectional views of a substrate manufactured by the substrate manufacturing method according to the embodiment in the middle of manufacturing. 2A to 2F correspond to cross sections taken along one-dot chain line 2-2 in FIG.

図２Ａに示すように、支持基板１０の表面に、第１の領域１１、第２の領域１２、及び第３の領域１３が画定されている。第１の領域１１、第２の領域１２、及び第３の領域１３に、薄膜材料２０を液滴化して塗布する。その後、支持基板１０に塗布された薄膜材料２０を硬化させる。   As shown in FIG. 2A, a first region 11, a second region 12, and a third region 13 are defined on the surface of the support substrate 10. The thin film material 20 is applied in droplets to the first region 11, the second region 12, and the third region 13. Thereafter, the thin film material 20 applied to the support substrate 10 is cured.

液滴の着弾点の分布密度は、第１の領域１１、第２の領域１２、及び第３の領域１３内において全て同一である。液状の薄膜材料２０として、例えば光硬化性樹脂が用いられる。支持基板１０に塗布された薄膜材料２０に硬化用の光、例えば紫外線を照射することにより、薄膜材料２０を硬化させる。これにより、第１の領域１１に、第１の線状パターンの一部を構成する第１の層３１が形成される。同様に、第２の領域１２及び第３の領域１３に、それぞれ第２の線状パターンの一部を構成する第２の層３２、及び第３の線状パターンの一部を構成する第３の層３３が形成される。この段階においては、硬化度がほぼ１００％である必要はない。薄膜材料２０が面内方向に流動せず、硬化した薄膜材料２０の上にさらに液状の薄膜材料２０を塗布することができる程度の硬化度が得られればよい。   The distribution density of the droplet landing points is the same in the first region 11, the second region 12, and the third region 13. For example, a photocurable resin is used as the liquid thin film material 20. The thin film material 20 is cured by irradiating the thin film material 20 applied to the support substrate 10 with light for curing, for example, ultraviolet rays. Thereby, the first layer 31 constituting a part of the first linear pattern is formed in the first region 11. Similarly, in the second region 12 and the third region 13, the second layer 32 constituting a part of the second linear pattern and the third part constituting a part of the third linear pattern, respectively. Layer 33 is formed. At this stage, the degree of cure need not be nearly 100%. It is only necessary that the thin film material 20 does not flow in the in-plane direction, and a degree of curing that allows the liquid thin film material 20 to be further coated on the cured thin film material 20 is obtained.

図２Ｂに示すように、支持基板１０の第１の領域１１、第２の領域１２、及び第３の領域１３に、薄膜材料２０を液滴化して塗布し、硬化させることにより、第１の層３１、第２の層３２、及び第３の層３３の上に、それぞれ２層目の第１の層３１、第２の層３２、及び第３の層３３を形成する。   As shown in FIG. 2B, the first region 11, the second region 12, and the third region 13 of the support substrate 10 are applied as droplets of a thin film material 20 and cured, whereby the first region 11 A second first layer 31, a second layer 32, and a third layer 33 are formed on the layer 31, the second layer 32, and the third layer 33, respectively.

図２Ｃに示すように、支持基板１０の第１の領域１１、第２の領域１２、及び第３の領域１３に、薄膜材料２０を液滴化して塗布し、硬化させる手順を繰り返す。これにより、第１の領域１１に、複数の第１の層３１からなる第１の線状パターン４１が形成される。同様に、第２の領域１２及び第３の領域１３に、それぞれ複数の第２の層３２からなる第２の線状パターン４２、及び複数の第３の層３３からなる第３の線状パターン４３が形成される。この段階で、第１の層３１の積層数、第２の層３２の積層数、及び第３の層３３の積層数は全て等しい。   As shown in FIG. 2C, the procedure of applying the thin film material 20 in droplets to the first region 11, the second region 12, and the third region 13 of the support substrate 10 and curing is repeated. As a result, a first linear pattern 41 including a plurality of first layers 31 is formed in the first region 11. Similarly, in the second region 12 and the third region 13, a second linear pattern 42 composed of a plurality of second layers 32 and a third linear pattern composed of a plurality of third layers 33, respectively. 43 is formed. At this stage, the number of first layers 31, the number of second layers 32, and the number of third layers 33 are all equal.

第１の層３１の上に塗布された薄膜材料２０は、硬化されるまでの間に横方向に広がる。このため、第１の線状パターン４１の側面が傾斜し、その断面が正立台形で近似される形状になる。第２の線状パターン４２及び第３の線状パターン４３の側面も同様に傾斜し、その断面が正立台形で近似される形状になる。   The thin film material 20 applied on the first layer 31 spreads in the lateral direction until it is cured. For this reason, the side surface of the 1st linear pattern 41 inclines, and the cross section becomes a shape approximated by an upright trapezoid. The side surfaces of the second linear pattern 42 and the third linear pattern 43 are similarly inclined, and the cross sections thereof are approximated by an upright trapezoid.

側面が傾斜した部分の幅は、線状パターンの幅にほとんど依存しない。このため、第１の線状パターン４１、第２の線状パターン４２、及び第３の線状パターン４３の、斜面が傾斜した部分の幅は、ほぼ等しい。線状パターンを構成する薄膜材料のうち、側面が傾斜した部分に使われる薄膜材料の割合は、線幅が細くなるほど大きくなる。図２Ｃに示した段階では、最も細い第１の線状パターン４１の高さが最も低く、最も太い第３の線状パターン４３の高さが最も高い。図２Ｃは、第３の線状パターン４３の高さが目標高さに達した時点の断面図を示している。   The width of the inclined part of the side surface hardly depends on the width of the linear pattern. For this reason, the widths of the inclined portions of the first linear pattern 41, the second linear pattern 42, and the third linear pattern 43 are substantially equal. Of the thin film material constituting the linear pattern, the proportion of the thin film material used for the portion where the side surface is inclined increases as the line width decreases. In the stage shown in FIG. 2C, the thinnest first linear pattern 41 has the lowest height, and the thickest third linear pattern 43 has the highest height. FIG. 2C shows a cross-sectional view when the height of the third linear pattern 43 reaches the target height.

図２Ｄに示すように、第１の線状パターン４１の上面、及び第２の線状パターン４２の上面に、薄膜材料２０を液滴化して塗布し、硬化させる。第３の線状パターン４３の上面
には、薄膜材料２０を塗布しない。これにより、第１の線状パターン４１及び第２の線状パターン４２の高さが増加する。第２の線状パターン４２の高さが第３の線状パターン４３の高さとほぼ等しくなった時点で、第２の線状パターン４２の上面への薄膜材料２０の塗布を終了させる。この時点で、第１の線状パターン４１は、第２の線状パターン４２及び第３の線状パターン４３より低い。 As shown in FIG. 2D, the thin film material 20 is applied as droplets on the upper surface of the first linear pattern 41 and the upper surface of the second linear pattern 42, and is cured. The thin film material 20 is not applied to the upper surface of the third linear pattern 43. Thereby, the height of the 1st linear pattern 41 and the 2nd linear pattern 42 increases. When the height of the second linear pattern 42 becomes substantially equal to the height of the third linear pattern 43, the application of the thin film material 20 to the upper surface of the second linear pattern 42 is terminated. At this time, the first linear pattern 41 is lower than the second linear pattern 42 and the third linear pattern 43.

図２Ｅに示すように、第１の線状パターン４１の上面に、薄膜材料２０を液滴化して塗布し、硬化させる。第２の線状パターン４２及び第３の線状パターン４３の上面には、薄膜材料２０を塗布しない。これにより、第１の線状パターン４１の高さが増加する。第１の線状パターン４１の高さが第２の線状パターン４２及び第３の線状パターン４３の高さとほぼ等しくなった時点で、第１の線状パターン４１の上面への薄膜材料２０の付着を終了させる。   As shown in FIG. 2E, the thin film material 20 is applied as droplets on the upper surface of the first linear pattern 41 and cured. The thin film material 20 is not applied to the upper surfaces of the second linear pattern 42 and the third linear pattern 43. Thereby, the height of the 1st linear pattern 41 increases. When the height of the first linear pattern 41 becomes substantially equal to the height of the second linear pattern 42 and the third linear pattern 43, the thin film material 20 on the upper surface of the first linear pattern 41. Finish the adhesion.

図２Ｆに示すように、支持基板１０の表面のうち、第１の線状パターン４１、前記第２の線状パターン４２、及び第３の線状パターン４３が形成されておらず、支持基板１０の表面が露出している領域に、金属を堆積させる。これにより、金属パターン４５が形成される。金属パターン４５には、例えば銅が用いられる。   As shown in FIG. 2F, the first linear pattern 41, the second linear pattern 42, and the third linear pattern 43 are not formed on the surface of the support substrate 10, and the support substrate 10 A metal is deposited on the area where the surface is exposed. Thereby, the metal pattern 45 is formed. For example, copper is used for the metal pattern 45.

実施例による方法では、支持基板１０の、線状パターンを形成すべき領域に、薄膜材料２０を液滴化して塗布し、塗付された薄膜材料２０を硬化させる。この塗布及び硬化の手順（以下、単に「手順」という。）を複数回繰り返すことにより、第１の線状パターン４１、第２の線状パターン４２、及び第３の線状パターン４３が形成される。第１の線状パターン４１及び第２の線状パターン４２に着目すると、相対的に細い第１の線状パターン４１を形成するための手順の繰り返し回数が、相対的に太い第２の線状パターン４２を形成するための手順の繰り返し回数より多い。第２の線状パターン４２及び第３の線状パターン４３に着目すると、相対的に細い第２の線状パターン４２を形成するための手順の繰り返し回数が、相対的に太い第３の線状パターン４３を形成するための手順の繰り返し回数より多い。   In the method according to the embodiment, the thin film material 20 is applied in the form of droplets on the region of the support substrate 10 where the linear pattern is to be formed, and the applied thin film material 20 is cured. By repeating this coating and curing procedure (hereinafter simply referred to as “procedure”) a plurality of times, a first linear pattern 41, a second linear pattern 42, and a third linear pattern 43 are formed. The Paying attention to the first linear pattern 41 and the second linear pattern 42, the number of repetitions of the procedure for forming the relatively thin first linear pattern 41 is relatively large. More than the number of repetitions of the procedure for forming the pattern 42. Focusing on the second linear pattern 42 and the third linear pattern 43, the number of repetitions of the procedure for forming the relatively thin second linear pattern 42 is a relatively thick third linear pattern. More than the number of repetitions of the procedure for forming the pattern 43.

このように、手順の繰り返し回数を設定することにより、太さの異なる複数の線状パターンの高さを揃えることができる。線状パターンを高くしても、幅の異なる複数の線状パターンの高さを揃えることができるため、上述の基板製造方法は、特に厚さ１００μｍ以上の厚銅パターンを有する基板の製造に適用することが可能である。   Thus, by setting the number of repetitions of the procedure, the heights of a plurality of linear patterns having different thicknesses can be made uniform. Even if the linear pattern is increased, the heights of a plurality of linear patterns having different widths can be made uniform, and therefore the above-described substrate manufacturing method is particularly applicable to the manufacture of a substrate having a thick copper pattern having a thickness of 100 μm or more. Is possible.

図３を参照して、各線状パターンを形成するための手順の、好ましい繰り返し回数について説明する。   With reference to FIG. 3, the preferable number of repetitions of the procedure for forming each linear pattern will be described.

第１の線状パターン４１を形成するための手順の繰り返し回数をｎで表したとき、下記の条件を満たすように、繰り返し回数ｎを設定することが好ましい。手順の繰り返し回数がｎ−１回のときの第１の線状パターン４１の高さＨ１０は、第３の線状パターン４３の高さＨ３（すなわち、目標高さ）よりも低い。さらに、手順の繰り返し回数をｎ＋１回とすると、第１の線状パターン４１の高さＨ１１が、第３の線状パターン４３の高さＨ３よりも高くなる。この条件を満たすように繰り返し回数ｎを設定すると、第１の線状パターン４１の高さＨ１と、第３の線状パターン４３の高さＨ３との差を小さくすることができる。   When the number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern 41 is represented by n, it is preferable to set the number of repetitions n so that the following condition is satisfied. The height H10 of the first linear pattern 41 when the procedure is repeated n-1 times is lower than the height H3 (that is, the target height) of the third linear pattern 43. Furthermore, if the number of repetitions of the procedure is n + 1, the height H11 of the first linear pattern 41 is higher than the height H3 of the third linear pattern 43. If the number of repetitions n is set so as to satisfy this condition, the difference between the height H1 of the first linear pattern 41 and the height H3 of the third linear pattern 43 can be reduced.

第２の線状パターン４２を形成するための手順の好ましい繰り返し回数も、第１の線状パターン４１を形成するときの手順の好ましい繰り返し回数ｎと同様の方法で設定することができる。これにより、第２の線状パターン４２の高さＨ２と第３の線状パターン４３の高さＨ３との差を小さくすることができる。   The preferred number of repetitions of the procedure for forming the second linear pattern 42 can also be set in the same manner as the preferred number of repetitions n of the procedure for forming the first linear pattern 41. Thereby, the difference between the height H2 of the second linear pattern 42 and the height H3 of the third linear pattern 43 can be reduced.

上述の条件を満足する繰り返し回数ｎの解は、一般的に２個存在する。この場合、手順の繰り返し回数ｎを、形成される線状パターンの高さが目標高さに近い方の繰り返し回数に設定することが好ましい。   There are generally two solutions for the number of repetitions n that satisfy the above-described conditions. In this case, it is preferable to set the number of repetitions n of the procedure to the number of repetitions in which the height of the formed linear pattern is closer to the target height.

図４に、線状パターンの幅と高さ、及び手順の繰り返し回数ｎとの関係の一例を示す。横軸は線状パターンの幅を表し、縦軸は線状パターンの高さを表す。図４の各実線に付された数値ｎは、手順の繰り返し回数を表す。手順の繰り返し回数ｎを固定した場合、線状パターンの幅が狭くなるに従って、線状パターンの高さが低くなる。これは、図２Ｃに示したように、側面が傾斜した部分に使われる薄膜材料の割合が高くなるためである。   FIG. 4 shows an example of the relationship between the width and height of the linear pattern and the number of repetitions n of the procedure. The horizontal axis represents the width of the linear pattern, and the vertical axis represents the height of the linear pattern. A numerical value n attached to each solid line in FIG. 4 represents the number of repetitions of the procedure. When the number of repetitions n of the procedure is fixed, the height of the linear pattern decreases as the width of the linear pattern decreases. This is because, as shown in FIG. 2C, the ratio of the thin film material used in the portion where the side surface is inclined increases.

第１の線状パターン４１、第２の線状パターン４２、及び第３の線状パターン４３（図２Ｅ）の高さの目標値をＨｔとする。図４に示した例では、幅Ｗ１の第１の線状パターン４１を形成する手順の繰り返し回数が１４のとき、その高さが目標高さＨｔに最も近くなる。幅Ｗ２の第２の線状パターン４２を形成する手順の繰り返し回数が１３のとき、その高さが目標高さＨｔに最も近くなる。幅Ｗ３の第３の線状パターン４３を形成する手順の繰り返し回数が１２のとき、その高さが目標高さＨｔに最も近くなる。このように、線状パターンの高さが目標高さＨｔに最も近くなるように手順の繰り返し回数ｎを設定することにより、線状パターンの高さを揃えることができる。   The target value of the height of the first linear pattern 41, the second linear pattern 42, and the third linear pattern 43 (FIG. 2E) is set to Ht. In the example shown in FIG. 4, when the number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern 41 having the width W1 is 14, the height is closest to the target height Ht. When the number of repetitions of the procedure for forming the second linear pattern 42 having the width W2 is 13, the height is closest to the target height Ht. When the number of repetitions of the procedure for forming the third linear pattern 43 having the width W3 is 12, the height is closest to the target height Ht. Thus, the height of the linear pattern can be made uniform by setting the number of repetitions n of the procedure so that the height of the linear pattern is closest to the target height Ht.

図５に、実施例による基板製造装置の塗布ステーションの概略図を示す。定盤５０の上に、移動機構５１を介してステージ５２が支持されている。ステージ５２は、薄膜を形成する対象である支持基板１０を保持する。支持基板１０の表面に平行な面をｘｙ面とし、支持基板１０の表面の法線方向をｚ方向とするｘｙｚ直交座標系を定義する。ステージ５２の上方にノズルユニット５３及びカメラ５４が支持されている。移動機構５１が、支持基板１０及びノズルユニット５３の一方を他方に対して、ｘ方向及びｙ方向に移動させる。図５では、定盤５０に対してノズルユニット５３を静止させ、支持基板１０を移動させる構成を示したが、逆に、支持基板１０を静止させ、ノズルユニット５３を移動させる構成としてもよい。   FIG. 5 shows a schematic view of a coating station of the substrate manufacturing apparatus according to the embodiment. A stage 52 is supported on the surface plate 50 via a moving mechanism 51. The stage 52 holds the support substrate 10 which is a target for forming a thin film. An xyz orthogonal coordinate system is defined in which a plane parallel to the surface of the support substrate 10 is defined as an xy plane, and a normal direction of the surface of the support substrate 10 is defined as a z direction. A nozzle unit 53 and a camera 54 are supported above the stage 52. The moving mechanism 51 moves one of the support substrate 10 and the nozzle unit 53 in the x direction and the y direction with respect to the other. In FIG. 5, the configuration in which the nozzle unit 53 is stationary with respect to the surface plate 50 and the support substrate 10 is moved is shown, but conversely, the support substrate 10 may be stationary and the nozzle unit 53 may be moved.

ノズルユニット５３は、支持基板１０に対向するノズルヘッドを有する。ノズルヘッドに形成された複数のノズル孔から支持基板１０に向けて、光硬化性の液状の薄膜材料が、液滴化されて吐出される。ノズル孔から薄膜材料を吐出するタイミングは、制御装置６０により制御される。カメラ５４は、支持基板１０に形成されているアライメントマークを撮像し、画像データを制御装置６０に送信する。   The nozzle unit 53 has a nozzle head that faces the support substrate 10. A photocurable liquid thin film material is formed into droplets and discharged from a plurality of nozzle holes formed in the nozzle head toward the support substrate 10. The timing at which the thin film material is discharged from the nozzle holes is controlled by the control device 60. The camera 54 images the alignment mark formed on the support substrate 10 and transmits image data to the control device 60.

図６Ａに、ノズルユニット５３の斜視図を示し、図６Ｂにノズルユニット５３の底面図を示す。支持板７０に２つのノズルヘッド７１、及び３つの硬化用光源７２が取り付けられている。２つのノズルヘッド７１はｙ方向に並んで配置されている。２つのノズルヘッド７１の間、及びノズルヘッド７１よりも外側に、それぞれ硬化用光源７２が配置されている。１つのノズルヘッド７１に着目すると、ノズルヘッド７１のｙ方向の正の側及び負の側に、それぞれ硬化用光源７２が配置される。   FIG. 6A shows a perspective view of the nozzle unit 53, and FIG. 6B shows a bottom view of the nozzle unit 53. Two nozzle heads 71 and three curing light sources 72 are attached to the support plate 70. The two nozzle heads 71 are arranged side by side in the y direction. A curing light source 72 is disposed between the two nozzle heads 71 and outside the nozzle head 71. Focusing on one nozzle head 71, curing light sources 72 are arranged on the positive side and the negative side of the nozzle head 71 in the y direction, respectively.

ノズルヘッド７１の各々に、ｘ方向に等間隔で並んだ複数のノズル孔７３が形成されている。図６Ａ及び図６Ｂでは、ノズルヘッド７１の各々の複数のノズル孔７３が、２列に配列されている例を示している。２つのノズルヘッド７１は、相互にｘ方向にずれて固定されている。２つのノズルヘッド７１に形成された合計４列のノズル孔７３は、全体として、ｘ方向に等間隔で分布している。   In each of the nozzle heads 71, a plurality of nozzle holes 73 arranged at equal intervals in the x direction are formed. 6A and 6B show an example in which a plurality of nozzle holes 73 of each nozzle head 71 are arranged in two rows. The two nozzle heads 71 are fixed so as to be offset from each other in the x direction. A total of four rows of nozzle holes 73 formed in the two nozzle heads 71 are distributed at equal intervals in the x direction as a whole.

硬化用光源７２は、支持基板１０（図５）に塗布された液状の薄膜材料に、硬化用の光
を照射する。例えば、支持基板１０（図５）をｙ方向に移動させながら、ノズルヘッド７１から薄膜材料を吐出すると、支持基板１０に塗布された薄膜材料は、薄膜材料を吐出したノズルヘッド７１よりも下流側に配置された硬化用光源７２からの光によって硬化される。 The curing light source 72 irradiates the liquid thin film material applied to the support substrate 10 (FIG. 5) with curing light. For example, when the thin film material is discharged from the nozzle head 71 while moving the support substrate 10 (FIG. 5) in the y direction, the thin film material applied to the support substrate 10 is downstream of the nozzle head 71 that discharged the thin film material. It is hardened by light from a light source 72 for hardening disposed in the.

図６Ａ及び図６Ｂでは、ノズルヘッド７１の搭載数を２個としたが、ノズルヘッド７１の搭載数は、１個でもよいし、３個以上でもよい。硬化用光源７２は、ノズルヘッド７１の各々の下流側に配置すればよい。支持基板１０をｙ方向に往復移動させながら薄膜材料を塗布する場合には、硬化用光源７２は、ノズルヘッド７１の各々の両側に配置される。ノズルヘッド７１の搭載数を増加させると、ｘ方向に等間隔で分布するノズル孔７３のピッチが小さくなる。これにより、形成すべき線状パターンの解像度を高めることができる。   6A and 6B, the number of nozzle heads 71 mounted is two, but the number of nozzle heads 71 mounted may be one or three or more. The curing light source 72 may be disposed on the downstream side of each nozzle head 71. When the thin film material is applied while reciprocating the support substrate 10 in the y direction, the curing light sources 72 are disposed on both sides of each nozzle head 71. When the number of mounted nozzle heads 71 is increased, the pitch of the nozzle holes 73 distributed at equal intervals in the x direction is reduced. Thereby, the resolution of the linear pattern to be formed can be increased.

図７に、実施例による基板製造装置のステージ５２及びノズルユニット５３の平面図を示す。ステージ５２の上に支持基板１０が保持されている。支持基板１０の表面に、マスクパターンを形成すべき領域１５が画定されている。   FIG. 7 is a plan view of the stage 52 and the nozzle unit 53 of the substrate manufacturing apparatus according to the embodiment. The support substrate 10 is held on the stage 52. A region 15 where a mask pattern is to be formed is defined on the surface of the support substrate 10.

支持基板１０の上方にノズルユニット５３が配置されている。ノズルユニット５３は、ノズルヘッド７１及び硬化用光源７２を含む。移動機構５１によって支持基板１０をｙ方向に移動させながら、ノズルヘッド７１から薄膜材料を吐出させることにより、支持基板１０に薄膜材料を塗布することができる。制御装置６０が、移動機構５１による支持基板１０の移動、及びノズルヘッド７１からの薄膜材料の吐出タイミングを制御する。これにより、マスクパターンを形成すべき領域１５に、薄膜材料を塗布することができる。マスクパターンを形成すべき領域１５のパターン情報は、予め制御装置６０に記憶されている。   A nozzle unit 53 is disposed above the support substrate 10. The nozzle unit 53 includes a nozzle head 71 and a curing light source 72. The thin film material can be applied to the support substrate 10 by discharging the thin film material from the nozzle head 71 while moving the support substrate 10 in the y direction by the moving mechanism 51. The control device 60 controls the movement of the support substrate 10 by the moving mechanism 51 and the discharge timing of the thin film material from the nozzle head 71. Thereby, the thin film material can be applied to the region 15 where the mask pattern is to be formed. The pattern information of the region 15 where the mask pattern is to be formed is stored in the control device 60 in advance.

支持基板１０をｘ方向にずらして同様の処理を繰り返すことにより、支持基板１０の表面の任意の領域に、薄膜材料を塗布することができる。   By shifting the support substrate 10 in the x direction and repeating the same process, the thin film material can be applied to an arbitrary region on the surface of the support substrate 10.

図８に、実施例による基板製造装置の全体の概略図を示す。実施例による基板製造装置は、搬入ステーション８０、仮位置決めステーション８１、塗布ステーション８２、硬化ステーション８３、及び搬送装置８４を含む。水平面をｘｙ面とし、鉛直上方をｚ軸の正の向きとするｘｙｚ直交座標を定義する。搬入ステーション８０、仮位置決めステーション８１、塗布ステーション８２、及び硬化ステーション８３が、ｘ軸の正の向きに向かってこの順番に配置されている。制御装置６０が、搬入ステーション８０、仮位置決めステーション８１、塗布ステーション８２、硬化ステーション８３内の各装置、及び搬送装置８４を制御する。   FIG. 8 shows a schematic diagram of the entire substrate manufacturing apparatus according to the embodiment. The substrate manufacturing apparatus according to the embodiment includes a carry-in station 80, a temporary positioning station 81, a coating station 82, a curing station 83, and a transfer device 84. An xyz orthogonal coordinate is defined in which the horizontal plane is the xy plane and the upper vertical direction is the positive direction of the z-axis. A carry-in station 80, a temporary positioning station 81, a coating station 82, and a curing station 83 are arranged in this order toward the positive direction of the x axis. The control device 60 controls the carry-in station 80, the temporary positioning station 81, the coating station 82, the devices in the curing station 83, and the transport device 84.

第１の搬送ローラ８５が、処理対象の支持基板１０を搬入ステーション８０から仮位置決めステーション８１まで、ｘ軸の正の向きに搬送する。第１の搬送ローラ８５で搬送されている支持基板１０の先端がストッパ８７に接触することにより、搬送方向に関して支持基板１０の粗い位置決めが行われる。   The first transport roller 85 transports the processing target support substrate 10 from the carry-in station 80 to the temporary positioning station 81 in the positive x-axis direction. When the tip of the support substrate 10 conveyed by the first conveyance roller 85 contacts the stopper 87, the support substrate 10 is roughly positioned in the conveyance direction.

搬送装置８４が、仮位置決めステーション８１から塗布ステーション８２まで、及び塗布ステーション８２から硬化ステーション８３まで支持基板１０を搬送する。搬送装置８４は、ガイド９０、及び２台のリフタ９１、９２を含む。リフタ９１、９２がガイド９０に案内されて、ｘ方向に移動する。リフタ９１、９２は、例えば支持基板１０の底面に接触して支持基板１０を支持するＬ字型の支持アームを有する。一方のリフタ９１は、仮位置決めステーション８１から塗布ステーション８２まで支持基板１０を搬送し、他方のリフタ９２は、塗布ステーション８２から硬化ステーション８３まで支持基板１０を搬送す
る。 The transport device 84 transports the support substrate 10 from the temporary positioning station 81 to the coating station 82 and from the coating station 82 to the curing station 83. The transport device 84 includes a guide 90 and two lifters 91 and 92. The lifters 91 and 92 are guided by the guide 90 and move in the x direction. The lifters 91 and 92 have, for example, L-shaped support arms that contact the bottom surface of the support substrate 10 and support the support substrate 10. One lifter 91 transports the support substrate 10 from the temporary positioning station 81 to the coating station 82, and the other lifter 92 transports the support substrate 10 from the coating station 82 to the curing station 83.

塗布ステーション８２は、図５に示したように、定盤５０、移動機構５１、及びステージ５２を含む。図８には、ノズルユニット５３（図５）等は示されていない。   As illustrated in FIG. 5, the coating station 82 includes a surface plate 50, a moving mechanism 51, and a stage 52. FIG. 8 does not show the nozzle unit 53 (FIG. 5) or the like.

硬化ステーション８３に、第２の搬送ローラ８６が配置されている。塗布ステーション８２で処理された支持基板１０が、搬送装置８４により硬化ステーション８３まで搬送され、第２の搬送ローラ８６の上に載せられる。第２の搬送ローラ８６は、支持基板１０をｘ軸の正の方向に搬送する。支持基板１０の搬送経路の上方に、硬化用光源８８が配置されている。硬化用光源８８は、第２の搬送ローラ８６によって搬送されている支持基板１０に、薄膜材料を硬化させる波長成分を含む光を照射する。   A second transport roller 86 is disposed at the curing station 83. The support substrate 10 processed at the coating station 82 is transported to the curing station 83 by the transport device 84 and placed on the second transport roller 86. The second transport roller 86 transports the support substrate 10 in the positive direction of the x axis. A curing light source 88 is disposed above the conveyance path of the support substrate 10. The curing light source 88 irradiates the support substrate 10 transported by the second transport roller 86 with light containing a wavelength component that cures the thin film material.

塗布ステーション８２において、図２Ｅに示した第１の線状パターン４１、第２の線状パターン４２、及び第３の線状パターン４３が形成される。塗布ステーション８２の硬化用光源７２からの光による硬化処理では、硬化度が十分でない場合がある。塗布ステーション８２で形成された第１の線状パターン４１、第２の線状パターン４２、及び第３の線状パターン４３が、硬化ステーション８３でさらに硬化される。これにより、十分な硬化度が得られる。   In the coating station 82, the first linear pattern 41, the second linear pattern 42, and the third linear pattern 43 shown in FIG. 2E are formed. In the curing process by the light from the curing light source 72 of the coating station 82, the degree of curing may not be sufficient. The first linear pattern 41, the second linear pattern 42, and the third linear pattern 43 formed at the coating station 82 are further cured at the curing station 83. Thereby, sufficient degree of hardening is obtained.

制御装置６０に、線状パターンの幅と高さから手順の繰り返し回数を求めるための対応関係情報（図４）が記憶されている。制御装置６０は、線状パターンの高さの目標値（図４の高さＨｔ）、第１の線状パターン４１の幅の目標値（図４の幅Ｗ１）、第２の線状パターンの幅の目標値（図４の幅Ｗ２）、第３の線状パターン４３の幅の目標値（図４の幅Ｗ３）、及び対応関係情報（図４）に基づいて、第１の線状パターン４１、第２の線状パターン４２、及び第３の線状パターン４３を形成する手順の繰り返し回数ｎを求める。   Correspondence information (FIG. 4) for determining the number of repetitions of the procedure from the width and height of the linear pattern is stored in the control device 60. The control device 60 sets a target value for the height of the linear pattern (height Ht in FIG. 4), a target value for the width of the first linear pattern 41 (width W1 in FIG. 4), and the second linear pattern. Based on the target width value (width W2 in FIG. 4), the target width value (width W3 in FIG. 4) of the third linear pattern 43, and the correspondence information (FIG. 4), the first linear pattern 41, the number of repetitions n of the procedure for forming the second linear pattern 42 and the third linear pattern 43 is obtained.

図２Ａから図２Ｃまでの手順の繰り返し回数は、第３の線状パターン４３を形成する手順の繰り返し回数と等しい。図２Ａから図２Ｄまでの手順の繰り返し回数は、第２の線状パターン４２を形成する手順の繰り返し回数と等しい。図２Ａから図２Ｅまでの手順の繰り返し回数は、第１の線状パターン４１を形成する手順の繰り返し回数と等しい。   The number of repetitions of the procedure from FIG. 2A to FIG. 2C is equal to the number of repetitions of the procedure for forming the third linear pattern 43. The number of repetitions of the procedure from FIG. 2A to FIG. 2D is equal to the number of repetitions of the procedure for forming the second linear pattern 42. The number of repetitions of the procedure from FIG. 2A to FIG. 2E is equal to the number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern 41.

制御装置６０は、各線状パターンを形成する手順の繰り返し回数ｎ、及びパターン情報に基づいて、ノズルヘッド７１及び移動機構５１を制御する。このように、線状パターンの幅に応じて手順の繰り返し回数を適切に決定することにより、高さの揃った線状パターンを形成することができる。   The control device 60 controls the nozzle head 71 and the moving mechanism 51 based on the number of repetitions n of the procedure for forming each linear pattern and the pattern information. Thus, by appropriately determining the number of repetitions of the procedure according to the width of the linear pattern, a linear pattern having a uniform height can be formed.

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

１０ 支持基板
１１ 第１の線状パターンを形成すべき領域
１２ 第２の線状パターンを形成すべき領域
１３ 第３の線状パターンを形成すべき領域
１５ マスクパターンを形成すべき領域
２０ 薄膜材料
３１ 第１の層
３２ 第２の層
３３ 第３の層
４１ 第１の線状パターン
４２ 第２の線状パターン
４３ 第３の線状パターン
４５ 金属パターン
５０ 定盤
５１ 移動機構
５２ ステージ
５３ ノズルユニット
５４ カメラ
６０ 制御装置
７０ 支持板
７１ ノズルヘッド
７２ 硬化用光源
７３ ノズル孔
８０ 搬入ステーション
８１ 仮位置決めステーション
８２ 塗布ステーション
８３ 硬化ステーション
８４ 搬送装置
８５ 第１の搬送ローラ
８６ 第２の搬送ローラ
８７ ストッパ
８８ 硬化用光源
９０ ガイド
９１、９２ リフタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Support substrate 11 Area | region 12 in which 1st linear pattern should be formed Area 12 in which 2nd linear pattern should be formed Area 13 in which 3rd linear pattern should be formed Area 15 in which mask pattern should be formed 20 Thin film material 31 1st layer 32 2nd layer 33 3rd layer 41 1st linear pattern 42 2nd linear pattern 43 3rd linear pattern 45 Metal pattern 50 Surface plate 51 Moving mechanism 52 Stage 53 Nozzle unit 54 Camera 60 Control device 70 Support plate 71 Nozzle head 72 Curing light source 73 Nozzle hole 80 Loading station 81 Temporary positioning station 82 Coating station 83 Curing station 84 Conveying device 85 First transport roller 86 Second transport roller 87 Stopper 88 Curing Light source 90 Guide 91, 92 Lifter

Claims (4)

第１の線状パターン、及び前記第１の線状パターンより太い第２の線状パターンを形成すべき支持基板を準備する工程と、
前記支持基板の、前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンを形成すべき領域に、薄膜材料を液滴化して着弾させ、着弾した前記薄膜材料を硬化させる手順を複数回繰り返す工程と
を有し、
前記第１の線状パターンを形成するための前記手順の繰り返し回数が、前記第２の線状パターンを形成するための前記手順の繰り返し回数より多く、
前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンの側面が傾斜しており、
前記第１の線状パターンを構成する前記薄膜材料のうち側面が傾斜した部分に使われる前記薄膜材料の割合が、前記第２の線状パターンを構成する前記薄膜材料のうち側面が傾斜した部分に使われる前記薄膜材料の割合より高く、
前記第１の線状パターンを形成するための前記手順の繰返し回数を前記第２の線状パターンを形成するための前記手順の繰返し回数より多くすることによって、前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンにおいて側面が傾斜した部分に使われる前記薄膜材料の割合の相違に起因する高さの不揃いをなくしている基板製造方法。 Preparing a support substrate to form a first linear pattern and a second linear pattern thicker than the first linear pattern; and
Repeating a plurality of times a procedure in which a thin film material is formed in droplets and landed on a region of the support substrate where the first linear pattern and the second linear pattern are to be formed, and the landed thin film material is cured. A process,
Number of repetitions of the steps for forming the first linear pattern, rather multi than the number of repetitions of the steps for forming the second linear pattern,
Side surfaces of the first linear pattern and the second linear pattern are inclined,
The proportion of the thin film material used in the portion of the thin film material that constitutes the first linear pattern is inclined, and the portion of the thin film material that constitutes the second linear pattern is inclined in the side surface. Higher than the proportion of the thin film material used in
By making the number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern larger than the number of repetitions of the procedure for forming the second linear pattern, the first linear pattern and the A substrate manufacturing method that eliminates unevenness in height due to a difference in a ratio of the thin film material used in a portion where a side surface is inclined in the second linear pattern . 前記第１の線状パターンを形成するための前記手順の繰り返し回数をｎで表したとき、前記手順の繰り返し回数をｎ−１回として形成された前記第１の線状パターンが、前記第２の線状パターンよりも低く、前記手順の繰り返し回数をｎ＋１回として形成される前記第１の線状パターンが、前記第２の線状パターンよりも高くなるように、前記繰り返し回数ｎが設定されている請求項１に記載の基板製造方法。   When the number of repetitions of the procedure for forming the first linear pattern is represented by n, the first linear pattern formed with the number of repetitions of the procedure being n-1 is the second linear pattern. The number of repetitions n is set so that the first linear pattern formed with the number of repetitions of the procedure being n + 1 times lower than the linear pattern is higher than the second linear pattern. The substrate manufacturing method according to claim 1. 前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンを形成した後、前記支持基板の表面のうち、前記第１の線状パターン及び前記第２の線状パターンが形成されていない領域に、金属を堆積させる工程を、さらに有する請求項１または２に記載の基板製造方法。   After forming the first linear pattern and the second linear pattern, in a region of the surface of the support substrate where the first linear pattern and the second linear pattern are not formed. The substrate manufacturing method according to claim 1, further comprising a step of depositing a metal. 第１の線状パターン、及び前記第１の線状パターンより太い第２の線状パターンを形成すべき支持基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された支持基板に向けて、光硬化性の液状の薄膜材料を吐出する複数のノズル孔を有するノズルヘッドと、
前記支持基板と前記ノズルヘッドとの一方を他方に対して移動させる移動機構と、
前記ステージに保持された支持基板に付着した液状の前記薄膜材料に硬化用の光を照射する光源と、
前記ノズルヘッド、前記光源、及び前記移動機構を制御する制御装置と
を有し、
前記第１の線状パターンの高さの目標値と、前記第２の線状パターンの高さの目標値とが等しく、
前記制御装置は、前記ノズルヘッド、前記光源、及び前記移動機構を制御して、
前記ノズルヘッド及び前記基板の一方を他方に対して移動させながら、前記ノズルヘッドから液状の薄膜材料を吐出して、前記基板の表面のうち、第１の線状パターン及び第２の線状パターンを形成すべき領域に、液状の薄膜材料を塗布するとともに、前記基板に付着した液状の前記薄膜材料に前記光源から硬化用の光を照射して、前記薄膜材料を硬化させる第１の手順を複数回繰り返し、
さらに、
前記ノズルヘッド及び前記基板の一方を他方に対して移動させながら、前記ノズルヘッドから液状の薄膜材料を吐出して、前記基板の表面のうち、前記第１の線状パターンを形成すべき領域に、液状の薄膜材料を塗布するとともに、前記基板に付着した液状の前記薄膜材料に前記光源から硬化用の光を照射して、前記薄膜材料を硬化させ、前記第２の線状パターンを形成すべき領域には液状の薄膜材料を塗布しない第２の手順を実行し、
さらに、前記制御装置は、
線状パターンの幅と高さ、及び薄膜材料の塗布と硬化とを行う手順の繰り返し回数の対応関係情報を記憶しており、
前記第１の線状パターンの高さの目標値、前記第１の線状パターンの幅の目標値、前記第２の線状パターンの幅の目標値、及び前記対応関係情報に基づいて、前記第１の手順の繰り返し回数及び前記第２の手順の繰り返し回数を求める基板製造装置。
A stage for holding a support substrate on which a first linear pattern and a second linear pattern thicker than the first linear pattern are to be formed;
A nozzle head having a plurality of nozzle holes for discharging a photocurable liquid thin film material toward the support substrate held on the stage;
A moving mechanism for moving one of the support substrate and the nozzle head relative to the other;
A light source that irradiates light for curing the liquid thin film material attached to the support substrate held on the stage;
A control device for controlling the nozzle head, the light source, and the moving mechanism;
The target value of the height of the first linear pattern is equal to the target value of the height of the second linear pattern,
The control device controls the nozzle head, the light source, and the moving mechanism,
While moving one of the nozzle head and the substrate relative to the other, a liquid thin film material is ejected from the nozzle head, and a first linear pattern and a second linear pattern on the surface of the substrate. A liquid thin film material is applied to a region to be formed, and the liquid thin film material attached to the substrate is irradiated with curing light from the light source to cure the thin film material. Repeated several times,
further,
While moving one of the nozzle head and the substrate with respect to the other, a liquid thin film material is discharged from the nozzle head to form an area on the surface of the substrate where the first linear pattern is to be formed. The liquid thin film material is applied, and the liquid light thin film material attached to the substrate is irradiated with curing light from the light source to cure the thin film material, thereby forming the second linear pattern. Perform a second procedure in which no liquid thin film material is applied to the power region ;
Further, the control device includes:
The correspondence information of the number of repetitions of the procedure of performing the width and height of the linear pattern and the application and curing of the thin film material is stored,
Based on the target value of the height of the first linear pattern, the target value of the width of the first linear pattern, the target value of the width of the second linear pattern, and the correspondence information, A substrate manufacturing apparatus that calculates the number of repetitions of a first procedure and the number of repetitions of the second procedure .
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