JP6238978B2 - 多種イオン源 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 電子のビームを第1の光軸に沿って真空室内に供給する電子源と、
多数のチャネルであり、前記多数のチャネルのうちの少なくとも1つのチャネルが、ガス入口を有し、前記電子と相互作用してイオンを生成するガスを含むように適合された多数のチャネルと、
前記多数のチャネルのうちの異なるチャネルに入るように前記電子ビームを選択的に偏向させる第1の偏向器と、
前記多数のチャネルからイオンを引き出す1つまたは複数の引出し電極と、
引き出された前記イオンを前記第1の光軸と整列させる第2の偏向器と
を備える荷電粒子ビーム・システム。 - 引き出された前記イオンを加工物上で集束させる集束レンズをさらに備える、請求項1に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記多数のチャネルがそれぞれ、ガス源に接続するための入口を含む、請求項1または請求項2に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記第1の偏向器が2つの部分、すなわち前記第1の光軸から離れる方向へ前記電子ビームを偏向させる第1の部分と、前記第1の光軸に対して平行で、前記多数のチャネルのうちの1つのチャネルと同心の第2の光軸上に前記電子を偏向させる第2の部分とを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記第2の偏向器が2つの部分、すなわち前記第2の光軸から離れる方向へ引き出され た前記イオンを偏向させる第1の部分と、前記第1の光軸上に引き出された前記イオンを偏向させる第2の部分とを含む、請求項4に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記第1の偏向器による前記電子の整列および前記第2の偏向器による前記イオンの整列を制御するコントローラをさらに備える、請求項1から5のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 試料を処理するための命令を入力するプログラム・メモリをさらに備え、前記命令が、試料処理中に第1のイオン種から第2のイオン種へイオン種を切り換えることを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 荷電粒子ビーム用途のために多数の荷電粒子種を供給する方法であって、
電子のビームを生成すること、
前記電子のビームを第1の経路に沿って第1のチャネル内に導いて、前記チャネル内のガスと相互作用して第1の種のイオンを生成すること、
前記第1のチャネルからイオンを引き出すこと、
前記イオンを加工物上に導くこと、および
前記電子のビームを前記第1の経路とは異なる第2の経路に沿って導いて、前記第1の チャネルを通過させずに前記加工物に荷電粒子の異なる種を供給すること
を含む方法。 - 前記電子のビームを前記第1の経路とは異なる第2の経路に沿って導くことが、前記電子のビームを、ガスを含む第2のチャネル内に導いて、第2の種のイオンを生成することを含み、前記方法が、
前記第2のチャネルから前記第2の種のイオンを引き出すこと、および
前記第2の種の前記イオンを前記加工物上に導くこと
をさらに含み、前記方法が、前記加工物を含む真空を開放することなく、前記加工物に向かって導かれる異なる種のイオン間でイオンを切り換えることを提供する
請求項8に記載の方法。 - 前記電子のビームを第1の経路に沿って導くことから、前記電子のビームを第2の経路に沿って導くことに切り換えて、加工物に荷電粒子の異なる種を供給することが、0.1秒未満のうちに実行される、請求項8または請求項9に記載の方法。
- 前記電子のビームを第1の経路に沿って導くことから、前記電子のビームを第2の経路に沿って導くことに切り換えて、加工物に荷電粒子の異なる種を供給することが、0.05秒未満のうちに実行される、請求項8から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電子のビームを第1の経路に沿って導くことまたは前記電子のビームを第2の経路に沿って導くことが、前記電子を光軸から偏向させること、および前記光軸に対して平行な経路上に前記電子を偏向させることを含む、請求項8から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記イオンを加工物の上に導くこと、または加工物に荷電粒子イオンの異なる種を供給することが、前記イオンまたは荷電粒子の前記異なる種を再び前記光軸上に偏向させることを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記電子のビームを第2の経路に沿って導いて、前記加工物に荷電粒子の異なる種を供 給することが自動化された、請求項8から13のいずれか一項に記載の方法。
- 電子を供給する電子源と、
ガス入口を有し、前記電子と相互作用してイオンを生成するガスを含むように適合された第1のチャネルと、
前記電子を前記第1のチャネルと整列させ、または前記第1のチャネルを回避する第1の偏向器と、
前記第1のチャネルからイオンを引き出す引出し器と、
引き出されたイオンまたは電子を集束カラムと整列させる第2の偏向器と
を備える荷電粒子ビーム・システム。 - 前記電子と相互作用してイオンを生成するガスを含むように適合された1つまたは複数の追加のチャネルをさらに備える、請求項15に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記電子を前記第1のチャネル、前記1つまたは複数のチャネルと整列させ、あるいはガスを含む前記チャネルを回避するように、前記第1の偏向器をバイアスすることができる、請求項16に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記電子を前記第1のチャネルと整列させ、または前記第1のチャネルを回避する前記第1の偏向器が、前記電子を前記第1のチャネルと整列させ、または前記電子をガスを含まないチャネルと整列させる偏向器を含む、請求項16または請求項17に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記第1の偏向器による前記電子の整列を制御するコントローラをさらに備える、請求項15から18のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 試料を処理するための命令を記憶したプログラム・メモリをさらに備え、前記命令が、前記電子を前記第1のチャネルと整列させることと、前記第1のチャネルを回避することとを切り換えることを含む、請求項15から19のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記電子のビームを前記第1の経路とは異なる第2の経路に沿って導いて、前記加工物 に荷電粒子の異なる種を供給することが、前記電子のビームを前記第1のチャネル内の前 記ガスを回避する前記第2の経路に沿って導くことを含む、請求項8から14のいずれか 一項に記載の方法。
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