JP6233309B2 - 液晶配向剤、液晶配向膜、及び液晶表示素子 - Google Patents
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Description
したがって、液晶配向膜の形成に用いられる重合体においては、N−メチルピロリドン以外の溶媒に可溶となるような、優れた溶解性の実現が求められている。
すなわち、本発明は以下の要旨を有するものである。
3.前記ジアミン化合物が、下記式(3)及び(4)よりなる群から選択された1種以上である、上記1又は2に記載の液晶配向剤。
(Bocは、t−ブチルオキシカルボニル基を表し、Meはメチル基を表す。)
4.前記重合体の含有量が、液晶配向剤中、1〜20質量%である、上記1〜3のいずれかに記載の液晶配向剤。
6.前記焼成の温度が、50〜300℃である、上記5に記載の液晶配向膜。
7.焼成後の膜厚が、5〜300nmである、上記5又は6に記載の液晶配向膜。
8.上記5〜7のいずれかに記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
10.式(1)及び式(2)における、R5が水素である、上記9に記載のジアミン化合物。
11.式(1)及び式(2)における、R4がメチル基である、上記9又は10に記載のジアミン化合物。
12.下記式(3)及び式(4)のうちのいずれかで表されるジアミン化合物。
(Bocは、t−ブチルオキシカルボニル基を表し、Meはメチル基を表す。)
さらに、電圧保持率が高く、かつ高温下に長時間曝された後であっても、直流電圧により蓄積する残留電荷の緩和が速いという特性を有することができる。
本発明の特定ジアミン化合物は、下記式(1)及び式(2)のうちのいずれかで表される化合物である。
尚、下記式(1)及び式(2)において、Bocは、t−ブチルオキシカルボニル基を表し、以下の各式中においても同様である。
R3は単結合又は炭素数1〜20の2価の脂肪族炭化水素基であり、ここで脂肪族炭化水素基の任意の水素原子は、カルボキシ基、エステル基、又はアシルアミノ基に置き換えられていてもよい。
R4は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基であり、R5は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基である。)
本発明の上記式(1)及び式(2)のうちのいずれかで表される特定ジアミン化合物を製造する方法は特に限定されない。
例えば、対応する下記式(5)及び式(6)で表されるジニトロ化合物を準備し、それらニトロ基を還元し、アミノ基に変換することで得られる。
R3は単結合又は炭素数1〜20の2価の脂肪族炭化水素基であり、ここで脂肪族炭化水素基の任意の水素原子は、カルボキシ基、エステル基、又はアシルアミノ基に置き換えられていてもよい。
R4は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基であり、R5は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基である。)
本発明の重合体は、上述した特定ジアミン化合物を含有するジアミン成分を用いて得られるポリイミド前駆体、及びこのポリイミド前駆体をイミド化して得られるポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体、なかでも、上述した特定ジアミン化合物を含有するジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物との反応によって得られるポリアミック酸及びこのポリアミック酸を脱水閉環させて得られるポリイミドである。
これらのポリイミド前駆体及びポリイミドは、いずれも液晶配向剤に含有されて、液晶配向膜を得るための重合体として有効に用いることができる。
本発明においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、特定ジアミン化合物に加えて、その他のジアミン化合物を、重合体を形成するためのジアミン成分として併用することができる。その他のジアミン化合物の具体例を以下に挙げる。
R15は炭素数1〜22のアルキル基、アルコキシ基、フッ素含有アルキル基、又はフッ素含有アルコキシ基である。
R17は、炭素数1〜22の、アルキル基、アルコキシ基、フッ素含有アルキル基、又はフッ素含有アルコキシ基である。
R19はフッ素基、シアノ基、トリフルオロメタン基、ニトロ基、アゾ基、ホルミル基、アセチル基、アセトキシ基、又は水酸基である。
本発明の重合体であるポリアミック酸は、上述した特定ジアミン化合物を含むジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを反応させることにより合成することができる。
例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分とを有機溶媒中で反応させる方法である。テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分との反応は、有機溶媒中で比較的容易に進行し、かつ副生成物が発生しない点で有利である。
また、反応は任意の濃度で行うことができるが、濃度が低すぎると高分子量の重合体を得ることが難しくなり、濃度が高すぎると反応液の粘性が高くなり過ぎて、均一な攪拌が困難となるので、テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分の反応溶液中での合計濃度が、好ましくは1〜50質量%、より好ましくは5〜30質量%である。反応初期は高濃度で行い、その後、有機溶媒を追加することができる。
本発明におけるポリイミド前駆体の一種であるポリアミック酸エステルは、以下に示す(1)〜(3)の方法で合成することができる。
(1)ポリアミック酸から合成する場合
ポリアミック酸エステルは、上記したポリアミック酸をエステル化することによって合成することができる。
具体的には、ポリアミック酸とエステル化剤を有機溶媒の存在下で−20℃〜150℃、好ましくは0℃〜50℃において、30分〜24時間、好ましくは1〜4時間反応させることによって合成することができる。
エステル化剤としては、精製によって容易に除去できるものが好ましく、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジプロピルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジネオペンチルブチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジ−t−ブチルアセタール、1−メチル−3−p−トリルトリアゼン、1−エチル−3−p−トリルトリアゼン、1−プロピル−3−p−トリルトリアゼン、4−(4,6−ジメトキシー1,3,5−トリアジンー2−イル)−4−メチルモルホリニウムクロリドなどが挙げられる。エステル化剤の添加量は、ポリアミック酸の繰り返し単位1モルに対して、2〜6モル当量が好ましい。
ポリアミック酸エステルは、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドと上述した特定ジアミンを含むジアミンから合成することができる。
前記塩基には、ピリジン、トリエチルアミン、4−ジメチルアミノピリジンなどが使用できるが、反応が穏和に進行するためにピリジンが好ましい。塩基の添加量は、除去が容易な量で、かつ高分子量体が得やすいという観点から、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドに対して、2〜4倍モルであることが好ましい。
また、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドの加水分解を防ぐため、ポリアミック酸エステルの合成に用いる溶媒はできるだけ脱水されていることが好ましく、窒素雰囲気中で、外気の混入を防ぐのが好ましい。
ポリアミック酸エステルは、テトラカルボン酸ジエステルと上述した特定ジアミンを含むジアミンを重縮合することにより合成することができる。
具体的には、テトラカルボン酸ジエステルとジアミンを縮合剤、塩基、及び有機溶媒の存在下で0℃〜150℃、好ましくは0℃〜100℃において、30分〜24時間、好ましくは3〜15時間反応させることによって合成することができる。
前記塩基には、ピリジン、トリエチルアミンなどの3級アミンが使用できる。塩基の添加量は、除去が容易な量で、かつ高分子量体が得やすいという観点から、ジアミン成分に対して2〜4倍モルが好ましい。
上記3つのポリアミック酸エステルの合成方法の中でも、高分子量のポリアミック酸エステルが得られるため、上記(1)又は上記(2)の合成法が特に好ましい。
上記のようにして得られるポリアミック酸エステルの溶液は、よく撹拌させながら貧溶媒に注入することで、ポリマーを析出させることができる。析出を数回行い、貧溶媒で洗浄後、常温あるいは加熱乾燥して精製されたポリアミック酸エステルの粉末を得ることができる。貧溶媒は、特に限定されないが、水、メタノール、エタノール、ヘキサン、ブチルセロソルブ、アセトン、トルエン等が挙げられる。
ポリアミック酸エステルの重量平均分子量は、好ましくは5,000〜300,000であり、より好ましくは、10,000〜200,000である。また、数平均分子量は、好ましくは、2,500〜150,000であり、より好ましくは、5,000〜100,000である。
本発明の重合体は、上記のポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドからなることもできる。本発明のポリイミドにおいて、アミック酸基の脱水閉環率(イミド化率)は、必ずしも100%である必要はなく、用途や目的に応じて任意に調整することができる。
塩基性触媒の量は、アミック酸基の0.5〜30モル倍、好ましくは2〜20モル倍であり、酸無水物の量は、アミック酸基の1〜50モル倍、好ましくは3〜30モル倍である。
塩基性触媒としてはピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン等を挙げることができ、なかでもピリジンは反応を進行させるのに適度な塩基性を持つので好ましい。
触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量と反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。
本発明の液晶配向剤は、液晶配向膜を形成するための塗布液であり、高分子被膜を形成するための高分子成分が溶媒中に溶解した溶液である。ここで、高分子成分には、上述した本発明の重合体のうちの少なくとも一種の重合体が含まれる。
高分子成分の含有量は、液晶配向剤中、1〜20質量%が好ましく、より好ましくは3〜15質量%、特に好ましくは3〜10質量%である。
本発明の液晶配向剤は、基板上に塗布し、乾燥させ、焼成して塗膜を形成した後、ラビング処理や光照射等により配向処理をして、液晶配向膜として用いることができる。また、垂直配向用途等では配向処理無しで液晶配向膜として用いることができる。
用いる基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、又はアクリル基板やポリカーボネート基板等のプラスチック基板等を用いることができる。また、液晶駆動のためのITO電極などが形成された基板を用いることが、プロセスの簡素化の観点から好ましい。さらに、反射型の液晶表示素子においては、片側の基板についてシリコンウエハ等の不透明な物でも使用でき、この場合の電極はアルミ等の光を反射する材料も使用することができる。
特に、本発明の液晶配向剤は、含有する高分子(重合体)成分が溶解性に優れ、多様な溶媒を選択して調製することが可能であり、例えば、インクジェット法等にも好適に適用することができる。
焼成後に形成される塗膜の厚みは、厚すぎると液晶表示素子の消費電力の面で不利となり、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、好ましくは5〜300nm、より好ましくは10〜100nmである。液晶を水平配向や傾斜配向させる場合は、焼成後の塗膜をラビング又は偏光紫外線照射等で配向処理する。
(有機溶媒)
DMF:N,N−ジメチルホルムアミド
THF:テトラヒドロフラン
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
GBL:γ−ブチロラクトン
BCS:エチレングリコールモノブチルエーテル
BDA:1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
CBDA:1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
BODA:ビシクロ[3,3,0]オクタン−2,4,6,8−テトラカルボン酸二無水物
ODA:4,4’−オキシジアニリン
DDM:4,4’−ジアミノジフェニルメタン
DA−B:下記式DA−Bのジアミン
[1H−NMR]
装置:フーリエ変換型超伝導核磁気共鳴装置(FT−NMR)INOVA−400(Varian社製)400MHz
溶媒:重水素化ジメチルスルホキシド(DMSO−d6)又は重水素化クロロホルム(CDCl3)
標準物質:テトラメチルシラン(TMS)
積算回数:8、又は32
装置:APEX2(Bruker社製)
測定温度:298.0K
X線:Cu
ポリマーの分子量は、昭和電工社製 常温ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)装置(GPC−101)、Shodex社製カラム(KD−803、KD−805)を用い、以下のようにして測定した。
溶離液:N,N’−ジメチルホルムアミド(添加剤として、臭化リチウム−水和物(LiBr・H2O)が30mmol/L(リットル)、リン酸・無水結晶(o−リン酸)が30mmol/L、テトラヒドロフラン(THF)が10ml/L)
流速:1.0ml/分
検量線作成用標準サンプル:東ソー社製 TSK 標準ポリエチレンオキサイド(分子量 約900000、150000、100000、及び30000)、及び、ポリマーラボラトリー社製 ポリエチレングリコール(分子量 約12000、4000、及び1000)。
以下に示す3ステップの経路で芳香族ジアミン化合物(DA−A)を合成した。尚、芳香族ジアミン化合物(DA−A)は、上記式(3)の特定ジアミン化合物に該当する。
第1ステップ:1N−Boc−4−ヒドロキシメチル−5−メチルイミダゾール(DA−A−1)の合成
(DA−C−1) 1H-NMR (CDCl3, δppm):8.03 (s, 1H, -N=C(H)-N-), 4.83 (t, J = 5.4 Hz, 1H, OH), 4.29 (d, J = 5.4 Hz, 2H, CH2), 2.36 (s, 3H, -C=C(N)CH3), 1.55 (s, 9H, t-Bu).
図1は、実施例で用いたジアミン化合物の前駆体である化合物(DA−A−2)のX線構造解析像である。
(DA−A−2)1H-NMR (CDCl3, δppm):9.21 (d, J = 2.0 Hz, 1H, C6H3(NO2)2), 9.16 (d, J = 2.0 Hz, 1H, C6H3(NO2)2), 8.07 (s, 1H, -N=C(H)-N-), 5.39 (s, 2H, CH2), 2.53 (s, 3H, -C=C(N)CH3), 1.64 (s, 9H, t-Bu).
(DA−A−2)13C-NMR (CDCl3, δppm) :162.5, 148.5, 147.5, 137.4, 133.8, 133.6, 129.6, 128.7, 122.4, 85.9, 70.0, 27.9, 11.0 (each s).
構造式:C17H18N4O8
結晶系:単斜晶系(Monoclinic)
空間群:P21/c
格子状数:a = 8.5079(5)Å
b = 19.6087(12) Å
c = 11.3540(8) Å
β= 92.852(4)°
Z値:4
R/WR:0.33/0.11
得られた化合物(DA−C−2(3N−Boc体))に関する1H−NMR及び13C−NMRの測定データは以下に示す。
(DA−C−2)1H-NMR (CDCl3, δppm):9.22 (t, J = 2.4 Hz, 1H, C6H3(NO2)2), 9.13 (d, J = 2.4 Hz, 2H, C6H3(NO2)2), 8.11 (s, 1H, -N=C(H)-N-), 5.64 (s, 2H, CH2), 2.34 (s, 3H, -C=C(N)CH3), 1.64 (s, 9H, t-Bu).
(DA−C−2)13C-NMR (CDCl3, δppm) 162.2, 148.6, 147.0, 142.5, 138.7, 133.8, 129.5, 122.4, 120.2, 86.1, 57.5, 27.9, 12.7 (each s).
13C-NMR (CDCl3,δppm):166.7, 147.5, 147.4, 136.9, 134.8, 131.6, 127.7, 106.7, 105.5, 85.4, 58.9, 27.7, 10.8 (each s).
13C-NMR (CDCl3,δppm):166.6, 147.5, 147.3, 141.6, 138.5, 131.8, 121.1, 106.8, 105.7, 85.8, 56.0, 27.8, 12.7 (each s).
(実施例1)
撹拌装置及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、3,5−ジアミノ安息香酸を0.457g(3.00mmol)取り、NMPを3.75g加え、窒素を送りながら攪拌し、溶解させた。次に、DA−Aを1.039g(3.00mmol)、ODAを0.801g(4.00mmol)、及びGBLを1.87g加えて、窒素を送りながら攪拌し、溶解させた。このジアミン溶液を攪拌しながら、BDAを0.594g(3.00mmol)、及びGBLを3.00g加え、水冷下で2時間攪拌した。次に、PMDAを1.505g(6.9mmol)、及びGBLを10.12g加え、水冷下で24時間攪拌した。得られたポリアミック酸溶液の、温度25.0℃における粘度は3010mPa・sであった。また、このポリアミック酸の分子量は、Mn=17015であり、Mw=42151であった。さらに、この溶液に、NMP/GBL比が2/8(容積比、以下同様である。)の混合溶液で、0.3質量%に希釈した3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン溶液を4.40g加え、ポリアミック酸溶液を得た。
撹拌装置及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、DA−Aを2.355g(6.80mmol)、及びDDMを2.02g(10.20mmol)取り、NMPを6.94g、及びGBLを3.47g加え、窒素を送りながら攪拌し溶解させた。このジアミン溶液を攪拌しながら、CBDAを1.634g(8.33mmol)、及びGBLを5.55g加え、水冷下で2時間攪拌した。次に、BODAを2.127g(8.50mmol)、及びGBLを18.7g加え、水冷下で24時間攪拌した。得られたポリアミック酸溶液の、温度25.0℃における粘度は99.3mPa・sであった。また、このポリアミック酸の分子量は、Mn=5245であり、Mw=9647であった。さらに、この溶液にNMP/GBL比が2/8の混合溶液で、0.3質量%に希釈した3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン溶液を8.14g加え、ポリアミック酸溶液を得た。
撹拌装置及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、3,5−ジアミノ安息香酸を0.913g(6.00mmol)取り、NMPを6.67g加え、窒素を送りながら攪拌し溶解させた。次に、ODAを2.803g(14.0mmol)、及びGBLを3.34g加えて、窒素を送りながら攪拌し溶解させた。このジアミン溶液を攪拌しながら、BDAを1.189g(6.00mmol)、及びGBLを4.67g加え、水冷下で2時間攪拌した。次に、PMDAを2.923g(13.4mmol)、及びGBLを18.7g加え、水冷下で24時間攪拌した。得られたポリアミック酸溶液の、温度25.0℃における粘度は3701mPa・sであった。また、このポリアミック酸の分子量は、Mn=11194であり、Mw=26713であった。さらに、この溶液にNMP/GBL比が2/8の混合溶液で、0.3質量%に希釈した3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン溶液を7.83g加え、ポリアミック酸溶液を得た。
撹拌装置及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、3,5−ジアミノ安息香酸を0.457g(3.00mmol)取り、NMPを3.53g加え、窒素を送りながら攪拌し溶解させた。次に、DA−Bを0.778g(3.00mmol)、ODAを0.801g(4.00mmol)、及びGBLを1.76g加えて、窒素を送りながら攪拌し溶解させた。このジアミン溶液を攪拌しながら、BDAを0.594g(3.00mmol)、及びGBLを2.82g加え、水冷下で2時間攪拌した。次に、PMDAを1.505g(6.9mmol)、及びGBLを9.52g加え、水冷下で24時間攪拌した。しかしながら、反応途中に重合体の析出が起こり、液晶配向剤を調製することはできなかった。
撹拌装置及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、DDMを3.965g(20.0mmol)取り、NMPを7.15g、及びGBLを3.58g加え、窒素を送りながら攪拌し溶解させた。このジアミン溶液を攪拌しながら、CBDAを1.922g(9.80mmol)、及びGBLを5.72g加え、水冷下で2時間攪拌した。次に、BODAを2.502g(10.0mmol)、及びGBLを12.2g加え、水冷下で24時間攪拌した。得られたポリアミック酸溶液の、温度25.0℃における粘度は1534mPa・sであった。また、このポリアミック酸の分子量は、Mn=13910であり、Mw=41256であった。さらに、この溶液にNMP/GBL比が2/8の混合溶液で、0.3質量%に希釈した3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン溶液を8.39g加え、ポリアミック酸溶液を得た。
撹拌装置及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、DA−Bを1.76g(6.80mmol)、及びDDMを2.02g(10.20mmol)取り、NMPを6.43g、及びGBLを3.22g加え、窒素を送りながら攪拌し溶解させた。このジアミン溶液を攪拌しながら、CBDAを1.634g(8.33mmol)、及びGBLを5.15g加え、水冷下で2時間攪拌した。次に、BODAを2.127g(8.50mmol)、及びGBLを17.3g加え、水冷下で24時間攪拌した。しかしながら、反応途中に重合体の析出が起こり、ポリアミック酸溶液は得られず、液晶配向剤を調製することはできなかった。
(実施例3)
実施例及び比較例で得られた液晶配向剤を用い、0.2μmのフィルターで濾過した後、ITO透明電極付きガラス基板上にスピンコート塗布した。その後、80℃のホットプレート上で2分間乾燥し、230℃で20分焼成して、膜厚100nmの塗膜を形成させた。この塗膜表面に、マスクを介してアルミニウムを蒸着させ、1.0mmφの上部電極(アルミニウム電極)を形成し、体積抵抗率測定用の試料とした。この試料のITO電極とアルミニウム電極との間に1Vの直流電圧を印加し、電圧印加から180秒後の電流値を測定し、この値と電極面積、膜厚から体積抵抗率を算出した。
測定結果は、表1にまとめて示した。
(実施例4)
実施例及び比較例で得られた液晶配向剤を0.2μmのフィルターで濾過した後、電極として、それぞれくし歯状の形状を有して、互いのくし歯部分が離間してかみ合うように配置された、一対のITO電極(電極幅:10μm、電極間隔:10μm、電極高さ:50nm)を有するインプレインスイッチング(In Plain Switching:以下、IPSと言う。)駆動用電極が形成されているガラス基板にスピンコートした。その後、80℃のホットプレート上で2分間乾燥し、230℃で20分間焼成して、膜厚100nmの塗膜を得た。このポリイミド膜をレーヨン布でラビング(ロール径120mm、回転数1000rpm、移動速度20mm/sec、押し込み量0.3mm、IPSくし歯電極に対し15度の角度)した。その後、純水中にて1分間超音波洗浄を行い、80℃で10分間乾燥させ、液晶配向膜付き基板を得た。また、対向基板として、電極が形成されていない高さ4μmの柱状スペーサを有するガラス基板にも、同様に塗膜を形成し、同様の配向処理を施した。
(実施例5)
実施例4で作製した各液晶セル(IPSモード液晶セル)を用い、東陽テクニカ社製の6254型液晶物性評価装置を用いて測定を行った。60℃の温度下で各液晶セルに4Vの電圧を60μ秒印加し、印加解除から1667m秒後の電圧保持率((印加解除から1667m秒後の電圧)/印加直後の電圧)×100%)を測定した。
測定結果は、表1にまとめて示した。
(実施例6)
実施例4で作製した各液晶セル(IPSモード液晶セル)を光源上に置き、V−T特性(電圧−透過率特性)を測定した後、透過率が23%となる交流電圧/60Hzの矩形波を10分間印加した。次に、23.0%交流電圧/60Hz矩形波に、直流1Vを重畳し30分間駆動させた。その後、直流電圧を切り、再び、23%交流電圧/60Hz矩形波のみで30秒駆動させ、その後の液晶セルの透過率を測定した。得られた透過率と初期透過率(23.0%)との差(ΔT(%))を、液晶表示素子内に直流電圧により発生した残留電荷由来の残像として評価した。
評価結果は、表1にまとめて示した。
さらに、実施例の液晶配向膜を有する液晶セルは、優れた残像特性と高い電圧保持率を有し、液晶表示素子に求められる性能を有することが分かった。
なお、2012年8月29日に出願された日本特許出願2012−188874号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (7)
- 前記ポリイミド前駆体が、式(3)で表されるジアミン化合物及び式(4)で表されるジアミン化合物よりなる群から選択された1種以上を含有するジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物との反応によって得られるポリアミック酸である請求項1に記載の液晶配向剤。
- 前記重合体の含有量が、液晶配向剤中、1〜20質量%である、請求項1又は2に記載の液晶配向剤。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の液晶配向剤から得られる、液晶配向膜。
- 膜厚が、5〜300nmである、請求項4に記載の液晶配向膜。
- 請求項4又は5に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
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