JP6231376B2 - 半導体素子実装基板および半導体装置 - Google Patents
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Description
を有し、平面視して外縁が一方向に沿った二辺を有するとともに、前記二辺に沿って設けられた一対の貫通孔とを有する基板と、前記基板上であって前記実装領域と重ならない位置に設けられ、前記一対の貫通孔を個別に塞ぐ一対の入出力端子と、前記一対の入出力端子のそれぞれに設けられ、前記入出力端子から前記貫通孔を通って下方に延在され、前記一方向に沿って配列された一対のリード端子群と、前記一対のリード端子群を個別に拘束する一対の保持部材とを備えており、前記保持部材は、前記貫通孔よりも小さいことを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す外観斜視図であって、半導体装置を斜め上方から見た斜視図である。図2は、図1に示す半導体装置から半導体素子を取り除いた状態を示す半導体素子実装基板の斜視図である。
良好にして、実装領域Rに実装した半導体素子3から発生する熱を効率良く基板21に放散させる機能を備えている。なお、基板21の熱伝導率は、例えば15W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。
ことができる。さらに、リード端子231および保持部材24を貫通孔Hに挿入しやすくなり、入出力端子22を半導体素子実装基板2に載置するためのタクトタイムを短縮できる。また、リード端子231および保持部材24を貫通孔Hに挿入する際に、保持部材24が貫通孔Hに接触することによって生じる、半導体素子実装基板2や保持部材24のキズやカケ、リード端子231が保持部材24から剥がれることを抑制できる。
が、仮に一対のリード端子群23の間でない外側に配置された場合は、半導体装置1を外部回路基板に実装する際に、保持部材24の大きさに応じた実装領域を外部回路基板上に設ける必要が生じ、半導体装置1や他の電子部品を外部回路基板上に近接して高密度に実装し難くなる。さらに、外部回路基板上において他の電子部品等と接触しやすく、部品配置の自由度が低くなるとともに、半導体装置1を外部回路基板に実装する際に保持部材24が他の電子部品等に接触することにより、他の電子部品等が損傷したり、破損したりする虞がある。つまり、一対の保持部材24を一対のリード端子23の間に設けることで、部品配置の自由度を向上させることができる。さらに、他の電子部品等が損傷することを抑制できるとともに、半導体装置1を外部回路基板に高密度に実装することができる。
よってリード端子231が変形することによって生じる電気的な短絡を抑制できる。
ここで、図1または図2に示す半導体装置および半導体素子実装基板の製造方法を説明する。まず、基板21やリード端子231を準備する。貫通孔Hを形成した基板21やリード端子231は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。
テン、モリブデンまたはマンガン等の高融点金属材料から成り、焼成後の電極222、配線パターンおよび基板21が接合される接合部の表面にニッケルから成るメッキ層が形成される。
2 半導体素子実装基板
21 基板
22 入出力端子
221 セラミック部材
222 電極
223 ビア導体
23 リード端子群
231 リード端子
24 保持部材
3 半導体素子
4 台座
R 実装領域
H 貫通孔
P メタライズ層
Claims (5)
- 上面に半導体素子を実装する実装領域を有し、平面視して外縁が一方向に沿った二辺を有するとともに、前記二辺に沿って設けられた一対の貫通孔とを有する基板と、
前記基板上であって前記実装領域と重ならない位置に設けられ、前記一対の貫通孔を個別に塞ぐ一対の入出力端子と、
前記一対の入出力端子のそれぞれに設けられ、前記入出力端子から前記貫通孔を通って下方に延在され、前記一方向に沿って配列された一対のリード端子群と、
前記一対のリード端子群を個別に拘束する一対の保持部材とを備えており、
前記保持部材は、前記貫通孔よりも小さいことを特徴とする半導体素子実装基板。 - 請求項1に記載の半導体素子実装基板であって、
前記保持部材は、平面視して前記貫通孔と重なる箇所に位置することを特徴とする半導体素子実装基板。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体素子実装基板であって、
前記一対の保持部材は、前記一対のリード端子群同士の間に設けられ、それぞれが対向して設けられていることを特徴とする半導体素子実装基板。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体素子実装基板であって、
前記保持部材は、表面に複数の溝が設けられており、前記リード端子群を構成する複数のリード端子のそれぞれが対応する複数の溝に嵌っていることを特徴とする半導体素子実装基板。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体素子実装基板と、
前記半導体素子実装基板上に実装された半導体素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
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