JP6230637B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
102 回路部
103 N型半導体領域
104 P型半導体領域
105 N型半導体領域
106 マイクロレンズ
107 遮光部
108 光導波路
109 コア部
110 クラッド部
111 柱状マイクロレンズ
112 エアギャップ部
113 空乏層
Claims (5)
- 受光部と読出し部とを含む複数の画素が配された半導体基板と、
前記半導体基板の第1主面側に配された配線とを有し、
前記半導体基板の第1主面とは反対側の第2主面から、前記受光部へ光が入射する裏面入射型の固体撮像装置において、
前記受光部は、第1受光部と、前記第2主面を基準として前記第1受光部より深い位置に配された第2受光部とを含み、
前記第1受光部が、光電変換によって発生した電荷の極性に対応する第1導電型の第1半導体領域を含み、
前記読出し部が、前記第1半導体領域から前記第1主面まで前記半導体基板の深さ方向に延在して配された、前記第1導電型の第2半導体領域を含み、
前記半導体基板の前記第2主面の側に、光を集光する複数のマイクロレンズが配され、前記深さ方向を含む断面で見たときに、隣り合う2つの画素にそれぞれ対応する2つのマイクロレンズの成す谷の底部が、前記深さ方向に沿って投影された時に前記第2半導体領域に重なる位置に配されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記受光部が、前記第1受光部と前記第2受光部との間の深さに配された第3受光部をさらに含み、
前記第3受光部が、前記第1導電型の第4半導体領域を含み、
前記読出し部が、前記第4半導体領域から前記第1主面まで前記半導体基板の深さ方向に延在して配された、前記第1導電型の第5半導体領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記マイクロレンズの端が、前記深さ方向に沿って投影されたときに前記第5半導体領域に重なる位置に配されることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記第5半導体領域は、前記深さ方向に沿って投影された時に、前記第1半導体領域と重なることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力された撮像信号を処理する信号処理部とを有した撮像システム。
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