JP6228257B2 - 前駆体材料の送達のための容器及び方法 - Google Patents

前駆体材料の送達のための容器及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6228257B2
JP6228257B2 JP2016081953A JP2016081953A JP6228257B2 JP 6228257 B2 JP6228257 B2 JP 6228257B2 JP 2016081953 A JP2016081953 A JP 2016081953A JP 2016081953 A JP2016081953 A JP 2016081953A JP 6228257 B2 JP6228257 B2 JP 6228257B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
lid
separator
volume
precursor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016081953A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016208026A (ja
Inventor
チャールズ マイケル バーチャー
マイケル バーチャー チャールズ
アンドリュー スタイデル トーマス
アンドリュー スタイデル トーマス
ウラジーミラビチ イワノフ セルゲイ
ウラジーミラビチ イワノフ セルゲイ
Original Assignee
バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー, バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー filed Critical バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
Publication of JP2016208026A publication Critical patent/JP2016208026A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6228257B2 publication Critical patent/JP6228257B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4483Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material using a porous body
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

関連特許出願の相互参照
本特許出願は、2015年4月18日に出願された米国仮出願第62/149548号の利益を主張する。
背景
電子デバイス製造業は、集積回路及び他の電子デバイスを製造するために、原材料又は前駆体として、様々な化学物質を要求する。化学気相堆積(CVD)及び原子層堆積(ALD)プロセスなどの堆積プロセスが、半導体デバイスの製造の間の1又は複数のステップにおいて用いられ、1又は複数の膜又はコーティングを基材の表面上に形成する。典型的なCVD又はALDプロセスにおいて、固相及び/又は液相であり得る前駆体源が、1又は複数の基材をその中に含む反応チャンバーに運ばれ、そのチャンバーでは、温度又は圧力などのある条件下で、前駆体が反応し、コーティング又は膜を基材表面上に形成する。
前駆体蒸気を処理チャンバーに供給するための、いくつかの一般的に認められた技術が存在する。第1の方法は、液体の形状の液体前駆体を、液体マスフローコントローラ(LMFC)により流量を制御しながら処理チャンバーに供給し、次に前駆体を、ユースポイントにおいて気化器により気化させる。第2の方法は、加熱により気化される液体前駆体を伴い、結果として生じる蒸気が、マスフローコントローラ(MFC)により流量を制御しながらチャンバーに供給される。第3の方法は、液体前駆体を通してキャリヤーガスを上方へバブリングすることを伴う。第4の方法は、キャリヤーガスがキャニスタ内に含有される前駆体の表面を流れるようにすること、及び前駆体蒸気をキャニスタの外に運び、続いてプロセスツールに運ぶことを伴う。この第の方法、昇華による固体前駆体からの化学的蒸気の送達が、本発明の客体事項である。
昇華により固体前駆体から化学的蒸気を送達する従来の容器に関連した一つの挑戦は、前駆体の高い利用を得ることの難しさである。言い換えれば、クリーニングし補充するために容器を操業停止するときに、容器内に残される前駆体の量を最小限にすること、である。この問題の一つの要因は、従来の固体源容器においては、前駆体の表面と、キャリヤーガスを循環させるのに用いられる入口及び出口との間の距離、並びにキャリヤーガスが前駆体蒸気に接触する領域の容積が、前駆体が使い果たされるにつれて増加することである。
より均一な前駆体チャンバーの加熱及びキャリヤーガス循環の向上を含む、前駆体利用を増加させる試みがなされてきた。これらの努力は前駆体利用を向上させてきたが、これらの向上を実行するために必要とされる構造は、容器を、クリーニングするのがより難しいものにする可能性がある。そして、前駆体利用をさらに向上させる必要がある。
発明の概要
この概要は、以下の詳細な説明にさらに説明されている概念の選択を、簡略化した形で紹介するために提供される。この概要は、請求項に記載の客体事項の肝要な特徴又は本質的な特徴を特定することを意図するものではなく、請求項に記載の客体事項の範囲を限定するのに用いられることを意図するものでもない。
以下に記載され、続く請求項により規定されるような、記載の実施形態は、前駆体含有流体流を堆積プロセスに送達するのに用いられる容器における、前駆体利用の向上と、当該容器のクリーニング及び補充を単純化することとを含む。開示の実施形態は、キャリヤーガスが容器の底部近傍に送達され、前駆体材料を通って上方へ流れ、容器の外に移送されるより前にフィルターディスクを通過することを可能にする構造を提供することにより、本技術分野における要求を満たす。加えて、容器は、サービス(注入)ポートがフィルターディスクを迂回することを可能にする肩部部分を備える。
加えて、本発明のシステム及び方法のいくつかの具体的な態様の概要を以下に述べる。
態様1:キャリヤーガスを用いて容器内に含まれる前駆体材料から前駆体含有流体流を運ぶための容器であって、該容器が、
上部容積と下部容積とに分割される内部容積であって、該下部容積が実質的に全ての該前駆体材料を含む、内部容積;
該上部容積の少なくとも一部を画定する、蓋;
上部リップと上部開口部とを備える上部端部を有する側壁であって、該上部リップの少なくとも一部が該蓋に接触する、側壁;
該下部容積の部分を画定するベースであって、該ベースが該下部容積の下部端部を画定する内部底表面を備え、該内部底表面が内部底表面形状を有する、ベース;
該側壁の該上部端部に位置付けられ、該蓋と該側壁との間に挟まれ、該上部開口部に広がる、セパレーターであって、該セパレーターが、多孔性材料から形成され、そこに形成される第1の開口を有する、セパレーター;
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している入口であって、該入口が該蓋から該セパレーターに延在する胴部を有し、該胴部、該セパレーター及び該蓋が、該胴部の外部にあり、該蓋内にあり、かつ該セパレーターの上にある出口チャンバーを画定する、入口;
該入口と流体連通している近位端部及び該下部容積に位置付けられる遠位端部を有するディフューザ管であって、該遠位端部がそこに形成される複数の開口部とノズル部分形状とを有するノズル部分を備える、ディフューザ管;及び
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している出口であって、該出口が少なくとも1つの開口部を有し、該少なくとも1つの開口部のそれぞれが該出口チャンバー内に位置付けられる、出口;を備え、
該セパレーター及び入口が、該セパレーターを通るものを除く該下部容積から該出口チャンバーへの流れ連通を妨げるように操作的に構成される、容器。
態様2:該セパレーターの該多孔性材料が、少なくとも0.7μmの粒子サイズを有する粒子について少なくとも90%のろ過効率を有する、態様1に記載の容器。
態様3:該セパレーターの該多孔性材料が、少なくとも0.7μmの粒子サイズを有する粒子について少なくとも99.9%のろ過効率を有する、態様1〜2のいずれかに記載の容器。
態様4:該蓋を通り抜け、該下部容積内の該側壁に沿って位置付けられるシュートで終わる注入ポートをさらに備え、該注入ポートが該内部容積と流体連通し該セパレーターを迂回している、態様1〜3のいずれかに記載の容器。
態様5:該下部容積が該側壁の該上部リップの上部半径よりも大きい下部半径を有し、それにより該側壁の肩部部分を画定する、態様4に記載の容器。
態様6:該下部半径が該上部半径よりも少なくとも20%大きい、態様5に記載の容器。
態様7:該シュートが該肩部部分に位置付けられる、態様5〜6のいずれかに記載の容器。
態様8:該ノズル部分形状が該内部底表面形状と実質的に同じである、態様1〜7のいずれかに記載の容器。
態様9:該ノズル部分形状及び該内部底表面形状が両方とも凹状である、態様1〜8のいずれかに記載の容器。
態様10:該第1の開口が該セパレーターの中心線と重なり合う、態様1〜9のいずれかに記載の容器。
態様11:該入口が該セパレーターの下に位置付けられる継手をさらに備え、該ディフューザ管が該継手に取り付けられ、該継手から取り外し可能である、態様1〜10のいずれかに記載の容器。
態様12:該胴部が、該フランジと該セパレーターとの間に封止を形成するような大きさにされ配置されているフランジをさらに備え、それにより該下部容積から該出口チャンバーへの該第1の開口を通る流れ連通を妨げる、態様1〜11のいずれかに記載の容器。
態様13:キャリヤーガスを用いて容器内に含まれる固体前駆体材料から前駆体含有流体流を運ぶための容器であって、該容器が、
蓋、該蓋に接触する上部端部を有する側壁、及び内部底表面を備えるベースであって、該蓋、側壁及びベースが内部容積を画定し、該内部底表面が凹状形状を有する、蓋、側壁及びベース;
該蓋を通りぬけ、該内部容積と流体連通している、注入ポート;
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している、入口;
該入口と流体連通しており、該内部容積に位置付けられるディフューザ管であって、該ディフューザが近位端部と遠位端部とを備え、該遠位端部がそこに形成される複数の開口部を有するノズル部分を備え、該ノズル部分が非直線状のノズル部分形状を有する、ディフューザ管;及び
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している出口であって、該出口がそこにフィルターを有する少なくとも1つの開口部を有する、容器。
態様14:該内部底表面が部分回転楕円体形状を有する、態様13に記載の容器。
態様15:該ノズル部分形状が、該遠位端部の下に位置付けられる該内部底表面の部分と、形状において相補的である、態様13〜14のいずれかに記載の容器。
態様16:該内部底表面及び該側壁が、下部肩部で接触し、該ノズル部分が該下部肩部の下に位置付けられる、態様13〜15のいずれかに記載の容器。
態様17:該入口が、該内部容積内に位置付けられ該ディフューザ管の該近位端部に取り付けられる継手をさらに備える、態様13〜16のいずれかに記載の容器。
態様18:(a)態様1に記載の容器を提供するステップ;
(b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップ;
(c)ステップ(c)の開始時に該前駆体材料中に浸されているノズルを通してキャリヤーガスを供給するステップ;及び
(d)前駆体含有流体流を該出口から取り除くステップ、を含む方法。
態様19:(e)ステップ(b)〜(d)の全てを実施する前に、該蓋、側壁及びベースを組み立てるステップ、をさらに含み、
ステップ(b)が、該注入ポートを用い、かつ該蓋を該側壁から取り外すことなく、該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップをさらに含む、態様18に記載の方法。
態様20:(f)ステップ(b)〜(e)を実施した後に、該蓋を該側壁から取り外すことなく、該下部容積をクリーニングするステップ、をさらに含む、態様18〜19のいずれかに記載の方法。
態様21:ステップ(b)が、
(b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップであって、該前駆体材料が、塩化ハフニウム(HfCl4)、塩化ジルコニウム(ZrCl4)、塩化タンタル(TaCl5)、MoCl5、WCl6、WCl5、WOCl4、NbCl5、三塩化インジウム、三塩化アルミニウム、三塩化ガリウム、ヨウ化チタン、タングステンヘキサカルボニル、モリブデンヘキサカルボニル、デカボラン、アルキル−アミジナートリガンドを包含する前駆体、ジルコニウムターシャリーブドキシド(Zr(t−OBu)4)、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NEt24)、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(Hf(NEt24)、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、tertブチルイミノトリス(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル(PDMAT)、ペンタキス(エチルメチルアミノ)タンタル(PEMAT)、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NMe24)、ハフニウムターシャリーブドキシド(Hf(t−OBu)4)などの前駆体、及びそれらの混合物の群より選択される、ステップ、をさらに含む、態様18〜20のいずれかに記載の方法。
態様22:ステップ(b)が、
(b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップであって、該前駆体材料が、塩化タンタル及び六塩化タングステンと五塩化タングステンとの混合物の群より選択される、ステップ、をさらに含む、態様18〜21のいずれかに記載の方法。
以下、請求項に係る発明の実施形態を、添付の図面を併用して述べていく。図面中、類似の数字は類似の要素を意味する。
図1は、本発明の容器の第1の実施形態の側面斜視図である。
図2は、本発明の容器の第1の実施形態の図1の線2−2による断面図である。
図3は、本発明の容器の第1の実施形態の図1の線3−3による斜視側面断面図である。
図4は、本発明の容器の第2の実施形態の側面断面図である。
図5は、本発明の容器の第2の実施形態の部分斜視図であり、ベース部がない状態で示されており、底から見た図である。
図6は、本発明の容器の第3の実施形態の側面断面図である。
図7は、本発明の容器の第3の実施形態の部分斜視図であり、ベース部がない状態で示されており、底から見た図である。
図8は、本発明の容器の第4の実施形態の部分斜視図であり、ベース部がない状態で示されており、底から見た図である。
図9は、本発明の容器の第4の実施形態の側面断面図である。
図10は、本発明の容器と先行技術容器の前駆体送達速度を比較する試験の結果を示すグラフである。
好ましい実施形態の詳細な説明
次の詳細な説明は、好ましい典型的な実施形態を提供するのみであり、本発明の範囲、適用性、又は構成を限定することが意図されるものではない。むしろ、好ましい典型的な実施形態の次の詳細な説明は、当業者に、本発明の好ましい典型的な実施形態を実行することを可能にする記載を提供するだろう。添付の請求項に記載されているような、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、要素の機能及び配置に様々な変更を行うことができる。
図において、本発明の他の実施形態の要素と同様の要素は、100の値ずつ増加した参照数字により表される。当該要素は、別段の記述及び/又は描写がない限り、同じ機能及び特徴を有するものと見なされるべきである。そして、それ故に当該要素の議論は、多数の実施形態について繰り返さなくてよい。例えば、図1の入口ポート106は、図4の入口ポート206に対応する。
明細書及び請求項において用いられる用語「導管」は、それを通してシステムの2以上の構成要素の間で流体を移送することができる、1又は複数の構造を指す。例えば、導管は、液体、蒸気、及び/又はガスを移送するパイプ、ダクト、通路、及びそれらの組み合わせを含むことができる。
明細書及び請求項において用いられる用語「流れ連通」は、制御されたやり方で(すなわち、漏れなく)、液体、蒸気、及び/又はガスが構成要素の間を移送されることを可能にする、2以上の構成要素の間の接続性の特性を指す。2以上の構成要素を、それらがお互いに流れ連通になるように連結することは、本技術分野において既知の任意の適切な方法、例えば溶接、フランジ付き導管、ガスケット、及びボルトの使用を伴う方法など、を含むことができる。2以上の構成要素はまた、それらを隔て得るシステムの他の構成要素を介して、共に連結することもできる。
本発明の記述を助ける目的で、明細書及び請求項において方向を示す用語を用い、本発明の部分を記述してよい(例えば、上部、下部、左、右、など)。これらの方向を示す用語は、単に本発明の記述及び請求を支援することを意図するものであり、本発明を何らかの形で限定することを意図するものではない。加えて、図面に関連して明細書中で紹介されている参照数字は、他の特徴について文脈を提供する目的で、明細書中に追加の記述をすることなく、1又は複数の後続の図において繰り返してよい。
前駆体材料、特に固体前駆体の気化のための容器、及びそれを含む方法が本明細書に開示されている。容器は典型的には、前駆体材料を含む内部容積を画定するベース、蓋、及び側壁を備える容器から構成される。熱を適用すると、前駆体材料は、固相及び/又は液相から、その気相に変化することができる。前駆体材料は、固体及び/又は液体であってよい。容器において用いることのできる前駆体材料の例としては、ジメチルヒドラジン、塩化ハフニウム(HfCl4)、塩化ジルコニウム(ZrCl4)、塩化タンタル(TaCl5)、MoCl5、WCl6、WCl5、WOCl4、NbCl5、三塩化インジウム、三塩化アルミニウム、三塩化ガリウム、ヨウ化チタン、タングステンヘキサカルボニル、モリブデンヘキサカルボニル、デカボラン、アルキル−アミジナートリガンドを包含する前駆体、ジルコニウムターシャリーブドキシド(Zr(t−OBu)4)、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NEt24)、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(Hf(NEt24)、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、tertブチルイミノトリス(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル(PDMAT)、ペンタキス(エチルメチルアミノ)タンタル(PEMAT)、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NMe24)、及びハフニウムターシャリーブドキシド(Hf(t−OBu)4)などの前駆体、及びそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一つの実施形態において、例えば、窒素、水素、ヘリウム、アルゴン、又は他のガスなどの不活性キャリヤーガスは、内部容積を通って流れ、前駆体材料の気相と混合して前駆体含有ガス流を与える。別の実施形態において、真空を単独で又は不活性ガスと併用して用い、前駆体含有ガス流を容器から引き抜いてよい。次に前駆体含有ガス流を下流の製造装置、例えば、堆積のための反応チャンバーなど、に送達してよい。この容器は、「コールドスポット」又はその中に含まれる蒸気の凝縮に起因する他の問題を回避しながらも、前駆体含有ガス流の連続流れを提供することができる。容器はまた、一貫した再現性のある流量を提供することができ、これは様々な製造プロセスに有利であり得る。
図1を参照すると、容器101は、蓋部117、ベース部118、入口ポート106、出口ポート108、及びサービスポート110(本明細書では注入ポートとも呼ばれる)を有する。容器101は、この実施形態において、実質的に円筒形状であり、単一の側壁119及び実質的に平らな外部底壁120を有してはいるが、容器101は、中空の四角又は球形状などの他の形状を有することが理解される。
図2を参照すると、容器101は、前駆体材料(示されていない)を含むための前駆体チャンバー116を画定する。蓋部117、ベース部118、及びセパレーター142は、容器101の動作温度に耐えることのできる金属又は他の材料で構成され得る。ある実施形態において、蓋部117及びベース部118の少なくとも一部は、中に含まれる前駆体材料に化学的に非反応性であってよい。これらの実施形態又は代わりの実施形態において、蓋部117、ベース部118、及び側壁119の少なくとも一部は、熱伝導性であってよい。蓋部117、ベース部118、及び側壁119に典型的な金属としては、ステンレス鋼、ニッケル合金(例えば、Haynes International, Inc.により製造されるHastelloy(登録商標)合金)、チタン、クロム、ジルコニウム、モネル、不浸透性グラファイト、モリブデン、コバルト、陽極酸化アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉛、ニッケルクラッド鋼、グラファイト、セラミック材料で、ドープされている又はドープされていないもの、又はそれらの組み合わせ、が含まれる。一つの実施形態において、前駆体に接触する表面の少なくとも一部は、チタン、クロム、銀、タンタル、金、白金、チタン及び他の材料などの、様々な金属でめっきされてよく、ここで、上述のめっき材料は、表面適合性を向上させるためにドープする又はドープしないことができる。これらの実施形態において、めっき材料は、中に含まれる前駆体材料に非反応性であってよい。
図1及び2に描かれているようないくつかの実施形態において、入口ポート106及び出口ポート108は、容器101へ入る及び容器101から出る流体の流れを制御するように働くバルブを備えてよい。バルブは、手動であってよく、空気圧式などの自動であってよく、また好ましくは、容器101の動作温度で動作することができる。ある実施形態において、バルブは、プロセスラインからの容器101の取り外しを容易にするディスコネクトフィッティングを装備してよい。入口ポート106と出口ポート108の管の屈曲を最小限にするブラケット(示されていない)が、バルブを支持してよい。さらに、入口と出口の管は、Cleveland、OhioのSwagelok Companyにより製造されるVCR(商標)フィッティングなどの、標準の気密性フィッティングに接続してよく、このフィッティングは、2つの離れた配管のピースを連結するのに用いられる。いくつかの実施形態において、出口ポート108は、前駆体含有流体流から不純物又は粒子状物質を取り除く、出口管にインラインに配置される1又は複数のフィルターを有してよい。フィルターは、前駆体含有流体流に化学的に非反応性であり、前駆体含有流体流がその中を通る時に、流体流中の不純物又は粒子状物質を補足するのに十分な粒子サイズの、多孔性材料(示されていない)から構成されてよい。
容器101はさらに、容器101の少なくとも一部を取り囲み、ぴったりとした接合を提供する、ボルトとナットの組み合わせなどの、凹部に備えられる締結具により保持されている熱伝導性ジャケットを備えてよい。熱伝導性ジャケットは、熱の均一な分布を可能にし、容器101の内部容積内に含まれる前駆体材料の中への熱伝導を向上させ得る。ジャケット及び締結具は、加熱時にジャケットを膨張させる異なる材料から構成されてよい。例えば、ジャケットはアルミニウムから構成されてよく、一方で容器101の側壁119はステンレス鋼から構成されてよい。
容器101及びその中に含まれる前駆体材料は、好ましくは、前駆体昇華からの蒸気圧力が少なくとも2Torr(0.27kPa)、より好ましくは少なくとも10Torr(1.33kPa)である温度に加熱される。加熱は、様々な手段を通じて達成することができ、その手段としては、ストリップヒータ、ラジエントヒータ、循環流体ヒータ、抵抗加熱システム、誘導加熱システム、又は他の手段、が含まれるが、これらに限定されず、これらの手段は単独で又は組み合わせて用いることができる。これらの加熱源は、容器101に関して外部及び/又は内部であってよい。いくつかの実施形態において、容器101全体が、オーブン又は水浴の中に導入されてよい。他の実施態様において、ベース部118は、その中に含まれる1又は複数のカートリッジの加熱要素を備えてよい(示されていない)。加熱カートリッジは、容器101の内部容積の中に、様々な場所において挿入してよい。さらに別の実施形態は、RF出力供給により動作する1又は複数の誘導加熱コイルを用いてよい。さらに別の実施形態は、容器101内への導入の前に、キャリヤーガスをある温度まで加熱するキャリヤーガス供給と流体連通しているヒータを用いてよい。
容器101はさらに、容器101及びその中に含まれる前駆体材料の温度を監視することのできる、1又は複数の熱電対、サーミスタ又は他の感温デバイスを備えてよい。この1又は複数の熱電対は、ベース部118、蓋部117、前駆体チャンバー116及び/又は容器の他の領域に位置付けられてよい。1又は複数の熱電対又は他の感温デバイスは、加熱源と電気通信するコントローラ又はコンピュータに接続し、容器の前駆体チャンバー116及びその中に含まれる化学物質内で均一な温度を維持してよい。
図2を参照すると、容器101はベース部118及び蓋部117を備える。蓋部117は、ねじ又はピンなどの1又は複数の締結具117aを介してベース部118の上に締結してよい(図1参照)。蓋部117とベース部118との間の表面は、シール部150により封止し、気密封止を形成してよい。シール部150は、容器101が真空又は維持された圧力を保持することができるようにするために用いられ得る、シール、oリング、ガスケット、インサートなどであってよく、金属又はポリマーの材料で構成され得る。代わりに、蓋部117及び/又はベース部118は、側壁119の上へ並べられ又は溶接されて、シール部150を必要とせずに気密又は圧密封止を形成してよい。
入口ポート106は蓋部117を通って延在し、入口屈曲部114を介して曲がり、胴部131に接続する。胴部131は、キャリヤーガスにセパレーター142を通過させるようにする。胴部131は、摩擦嵌めを介しセパレーター142に対して封止を形成するフランジ141を備える。胴部131はさらに、セパレーター142の下に延在する継手132を備える。胴部131はセパレーター142の中心にある穴又は開口149を通って延在し、ディフューザ管130は、前駆体チャンバー116の最上部近傍のジョイント136で継手132に接続される。ディフューザ管130は、容器101の中心線123近傍の地点から前駆体チャンバー116内へ下方に延在する直線状上部146、側壁119に向かって外側にカーブしている屈曲部148、第2の直線状部分158、及び中心線123に向かって逆向きにカーブしており、次に容器101の底壁120の内部底表面125に平行に延在するリバースカーブ162、を備える。
ディフューザ管130の末端部140では、ノズル138が複数のノズル開口部(穴)174を含み、このノズル開口部174を通ってキャリヤーガスが前駆体チャンバー116に入る。この実施形態において、ノズル開口部174は好ましくは、直径が0.001インチ(0.0025cm)〜0.25インチ(0.64cm)であり、およそ40個のノズル開口部が、容器101の内部底表面125に平行に延在するディフューザ管130の一部分に位置付けられる。
ノズル開口部174は好ましくは、容器101の内部底表面125にわたって均一に分布し、最良の前駆体利用を可能にする。好ましくは、ノズル開口部174はノズル138の側面(図においては、1つの側面170のみを見ることができる)に沿って位置づけられ、キャリヤーガスの流れをできるだけ広範な前駆体の中に向かわせ、それによりディストリビューターは、ディフューザ管130の真上での前駆体の早すぎる昇華で直ちに覆われていない状態にはならない。一旦ディフューザ管130が覆われなくなると、キャリヤー中の蒸気の飽和は迅速に減少し、マスフローの低下がプロセス停止を引き起こして、容器101を別の満ちた容器と交換することとなる。したがって、容器101の寿命を延ばし前駆体利用を向上させる目的で、ノズル開口部174は好ましくは、ディフューザ管130の開口部174が位置付けられている部分に沿って均等に間を置かれ、この開口部は好ましくは、ディフューザ管130の底半部(すなわち、ディフューザ管130の中心線より下)に位置付けられる。
複数のノズル開口部174を設けることの代替手段として、ディフューザ管130の複数のノズル開口部174が位置付けられている部分を、ディフューザ管130の末端に溶接又は接合される金属焼結フリットに交換することが可能である。適切なフリットの一例は、Mott Corporationにより製造される、モデル316L、シリーズ1200多孔性ステンレス鋼カップである。ノズル開口部174の代わりにフリット(フィルター)を用いることの一つの利益は、フリットがろ過機能を果たし、前駆体材料がディフューザ管130又はディフューザ管130の上流のあらゆる導管の中に吸い込まれるのを妨げることである。容器101がその構成要素であるシステムの起動の間に、ディフューザ管130が簡単に真空に引くことはまれである。
キャリヤーガスは、ディフューザ管130のノズル138にある開口部174を通って出て、固体前駆体粒子の床(示されていない)を通って上に移動する。キャリヤーガスが前駆体を通って上に拡散する時に、キャリヤーガスは昇華された前駆体と混ざり、出口ポート108を通って容器101から出るより前に、セパレーター(フィルターディスク)142を通り抜ける。
第1の実施形態において、セパレーター142は、未昇華の前駆体が外へ向かう前駆体含有流体流と混ざることを防ぐために設けられている。図2及び3は、ベース部118の上部リップ151の上にあり、容器101の内部容積を上部容積111(出口チャンバー又は入口チャンバーとも呼ばれる)と下部容積116(前駆体チャンバーとも呼ばれる)とに分割する役割を果たす、セパレーター142の図を示す。セパレーター142は、上部容積111と下部容積116との間の境界線を画定する。
このセパレーターは、上述のような任意の平面のセパレーターであることが可能であるが、一つの実施形態は、0.047インチ(0.12cm)の厚さを有し、0.7μMサイズの粒子について99.9%の効率、0.35μMの粒子について99.0%の効率、及び全ての粒子サイズについて90%の効率を有し、2.0〜2.5Hgのバブルポイントを有する多孔性シート材料から製造される、3.9インチ(9.91cm)直径316Lステンレス鋼フィルターディスクであり得る。
前駆体に応じて、外へ向かう前駆体含有流体流中の固体のエントレインメントを止める必要があり得る。これらの実施形態において、容器101はさらに、未昇華の前駆体が外へ向かう前駆体含有流体流に入ることを防ぐことのできる、任意選択のステンレス鋼フィルター239又はフリット(図4参照)を備えてよい。任意選択のステンレス鋼フリットは、0.1〜100μmの範囲の細孔サイズを有してよい。任意選択のフリットは、上部容積111及び/又は外へ向かう前駆体含有流体の流体路に据え付けることができる。いくつかの実施形態において、フィルターは出口ポート108に据え付けられる(例えば、図4においてフィルター239は出口ポート208に据え付けられていることを参照)。
容器101の動作温度は、その中に含まれる前駆体材料に応じて変わり得るが、一般に、約25セ氏温度〜約500セ氏温度、又は約100セ氏温度〜約300セ氏温度の範囲であり得る。容器の動作圧力は、約2Torr〜約1,000Torr、又は約0.1Torr〜約200Torrの範囲であり得る。多くの用途において、10〜200Torrの圧力範囲が好ましい。
一つの実施形態において、容器101を用いる方法は、固体前駆体材料などの前駆体材料を、サービスポート110を通って容器101の前駆体チャンバー116の中へ導くことを含む。前駆体材料がディフューザ管130の少なくとも一部と連続接触するところまで、前駆体材料を注入することが好ましい。より好ましくは、前駆体はディフューザ管130のノズル138を覆う。蓋部117及びベース部118は締結され、圧密又は気密シール部150を与える。
加熱カートリッジなどの加熱源は、前駆体材料を昇華温度まで持っていき、前駆体ガスを形成するのに用いられる。不活性キャリヤーガスは、入口ポート106を通って入り、ディフューザ管130を通って進み、前駆体ガスと混合して前駆体含有流体流を形成する。前駆体含有流体流は、セパレーター142及び出口ポート108を通り、インラインフィルター(示されていない)を通って、薄膜堆積に用いられる反応チャンバーなどの下流の製造装置に至る。
最初に容器101を組み立て、クリーニングし、パージし、乾燥し、漏れ点検することは有益である。次に、重力を介して固体前駆体粒子がサービスポート110を通して投入される。サービスポート110は蓋部117の上に位置付けられ、サービスポートシュートは、セパレーター142の外周の下及び外側にある、容器101の肩部122で、前駆体チャンバー内の下方へ延在する。このことにより、蓋部117を取り外し、胴部131、セパレーター142、及びディフューザ管130を分解する必要なく、前駆体を注入すること及び容器101をクリーニングすること又は別に修理又は点検することが可能となる。
前駆体チャンバー116は、セパレーター142近傍の上部半径126よりも、好ましくは少なくとも10%大きい(より好ましくは、少なくとも20%大きい)、下部半径127を有する。この違いにより、サービスポートシュート112を有するのに十分に、肩部122を厚くすることができ、サービスポートシュート112はセパレーター142を迂回し、そこに構成されたサービスポート110とつながっている。
図4は、容器201の第2の実施形態の側面断面図を示しており、これは固体−源前駆体のためのバルク容器である。この実施形態において、容器201の底壁220は、カーブした内部底表面225を有する。容器201の側壁219は、底肩部265でカーブした内部底表面225に接触する。この実施形態において、内部底表面225は部分球体の形状を有する。この形状によって、内部底表面225が実質的に平面であったとした場合よりも、容器201の壁219を薄く(及びそれ故に軽く)することができる。非平面の内部底表面225の利益はまた、部分回転楕円体形状などの、他のカーブした形状でも達成することができる。明細書及び請求項において用いられるように、部分回転楕円体の形状をした表面は、部分回転楕円体形状と部分球体形状の両方を指すことが意図されている。
この実施形態において、ディフューザ管230は、容器201の中心線223近傍に取り付けられており、容器201の内部底表面225に向かって下方に延在する。ディフューザ管230は上部屈曲部248に続き、中央直線部258は容器201の側壁219に向かって延在し、容器201の内部底表面225に沿って下方の下部屈曲部262に続く。ディフューザ管のノズル238は、容器201の内部底表面225の湾曲に追従する。ノズル238にある複数の開口部274は、容器201の底肩部265の下にある。ノズル238は、容器201の内部底表面225の最下点277に沿って延在する。このことにより前駆体の高い利用がもたらされ、これは、容器201中に、低いパーセンテージの前駆体が取り残されるということを意味する。
この実施形態において、ディフューザ管230のノズル238(遠位端部とも呼ばれる)が、内部底表面225のノズル238の下の部分の形状に追従することが望ましい。したがって、この実施形態において、ノズル238はアーチ形の形状を有する。
容器201は、第1の実施形態よりも大きい内部容積を有する。この実施形態は、下部容積と上部容積とを画定するディスクセパレーター(図2〜3の142参照)を備えていないため、容器201の内部容積全体が、前駆体容積216である。
図5は、容器201の第2の実施形態の蓋部217の底面斜視図を示している。入口ポート206は、蓋部217を通って延在し、継手232によってディフューザ管230に接続される。出口ポート208はフィルター239を備え、蓋部217を通って延在する。サービスポートシュート212は、蓋部217を通って延在し、これにより、蓋を取り外す又はいずれかの入口又は出口配管の接続を断つことなく、前駆体の注入が可能になる。この実施形態において、ポート207及び209が差し込まれており、これらはバルブアセンブリへの追加の構造的支持の取り付けのために用いられる。
図6及び7は、容器301の第3の実施形態の側面断面図及び底面斜視図をそれぞれ示す。この実施形態において、ディフューザ管330は、容器301の中心線323から離れてカーブし、底部カーブ部362を形成しながら、内部底表面325に向かって延在する。底部カーブ部362は、実質的に水平かつ輪の形状をしており、容器301の底肩部365の下に位置する。
図8及び9は、容器401の第4の実施形態の、蓋部417の底面斜視図、及び側面断面図をそれぞれ示す。ディフューザ管430は、容器401の中心線423から離れてカーブし、容器401の内部底表面に向かって下方に延在しており、大まかに水平の部分と重なり合う第2のノズル屈曲部475を備えた実質的に水平の輪を形成する。ディフューザ管440のノズル438全体は、容器401の底肩部465の下に位置する。第2のノズル屈曲部475は、容器401の内部底表面の最下点477に沿って延在する。これにより、製造コストを下げ、容器401を前駆体の注入された容器401に交換することに関連する装置のダウンタイムを短縮する、前駆体の高い利用がもたらされる。
本発明の利点を証明することを目的として、2つの試験を実施した。試験1は、図1〜4に示される容器101を用いて実施した。この容器101は、複数のノズル開口部174を備えるカーブしたディフューザ管130を備えている(例えば、図2参照)。試験2は、米国特許第9,109,287(これは、参照により、完全に記載されたものとして本明細書に組み込まれる)に記載されている先行技術の容器を用いて実施した。先行技術の容器は、セパレーター142の上で終わる入口ポートを有している(すなわち、ディフューザ管130が備えられていない)が、それ以外は図1〜4に示される容器101と同一である。このことによりキャリヤーガスは、容器の下部部分へ、セパレーター142の上のみに、導入される。
両方の試験を、1キログラムの固体前駆体塩化タンタル(TaCl5)を容器内に導入し、次に80セ氏温度に維持されたアルミニウムプレートの上で、90セ氏温度に加熱されたオーブンの中に、容器を置いて実施した。この温度勾配を維持して、セパレーター142上の固体凝縮を避けた。試験の間、下流の圧力を100torrに維持し、10秒間隔で、バイパスと入口ポート106との間で交互に、窒素キャリヤーガスをパルスした。各容器について、4つの異なるキャリヤーガス流量、250、500、750、及び1000標準立方センチメートル毎分(sccm)で、試験を繰り返した。
両方の容器について、塩化タンタル前駆体の送達速度を測定した。Piezoconガス濃度センサーを用いて測定し、データを図10に示している。図10に示されるように、本発明の容器101は、先行技術の容器よりも最大6倍高い塩化タンタルの送達速度を示した。
好ましい実施形態に関連して、請求項に係る発明の原理を上に述べてきたが、この記載は例示の目的のみのためになされたものであり、請求項に係る発明の範囲を限定するものとしてなされたものではない、ということが明確に理解されるべきである。
本発明の実施態様の一部を以下の項目1−20に列記する。
[1]
キャリヤーガスを用いて容器内に含まれる前駆体材料から前駆体含有流体流を運ぶための容器であって、該容器が、
上部容積と下部容積とに分割される内部容積であって、該下部容積が実質的に全ての該前駆体材料を含む、内部容積;
該上部容積の少なくとも一部を画定する、蓋;
上部リップと上部開口部とを備える上部端部を有する側壁であって、該上部リップの少なくとも一部が該蓋に接触する、側壁;
該下部容積の部分を画定するベースであって、該ベースが該下部容積の下部端部を画定する内部底表面を備え、該内部底表面が内部底表面形状を有する、ベース;
該側壁の該上部端部に位置付けられ、該蓋と該側壁との間に挟まれ、該上部開口部に広がる、セパレーターであって、該セパレーターが、多孔性材料から形成され、そこに形成される第1の開口を有する、セパレーター;
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している入口であって、該入口が該蓋から該セパレーターに延在する胴部を有し、該胴部、該セパレーター及び該蓋が、該胴部の外部にあり、該蓋内にあり、かつ該セパレーターの上にある出口チャンバーを画定する、入口;
該入口と流体連通している近位端部及び該下部容積に位置付けられる遠位端部を有するディフューザ管であって、該遠位端部がそこに形成される複数の開口部とノズル部分形状とを有するノズル部分を備える、ディフューザ管;及び
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している出口であって、該出口が少なくとも1つの開口部を有し、該少なくとも1つの開口部のそれぞれが該出口チャンバー内に位置付けられる、出口;を備え、
該セパレーター及び入口が、該セパレーターを通るものを除く該下部容積から該出口チャンバーへの流れ連通を妨げるように操作的に構成される、容器。
[2]
該セパレーターの該多孔性材料が、少なくとも0.7μmの粒子サイズを有する粒子について少なくとも90%のろ過効率を有する、項目1に記載の容器。
[3]
該蓋を通り抜け、該下部容積内の該側壁に沿って位置付けられるシュートで終わる注入ポートをさらに備え、該注入ポートが該内部容積と流体連通し該セパレーターを迂回している、項目1に記載の容器。
[4]
該下部容積が該側壁の該上部リップの上部半径よりも大きい下部半径を有し、それにより該側壁の肩部部分を画定する、項目3に記載の容器。
[5]
該下部半径が該上部半径よりも少なくとも20%大きい、項目4に記載の容器。
[6]
該シュートが該肩部部分に位置付けられる、項目4に記載の容器。
[7]
該ノズル部分形状が該内部底表面形状と実質的に同じである、項目1に記載の容器。
[8]
該ノズル部分形状及び該内部底表面形状が両方とも凹状である、項目1に記載の容器。
[9]
該入口が該セパレーターの下に位置付けられる継手をさらに備え、該ディフューザ管が該継手に取り付けられ、該継手から取り外し可能である、項目1に記載の容器。
[10]
該胴部が、該フランジと該セパレーターとの間に封止を形成するような大きさにされ配置されているフランジをさらに備え、それにより該下部容積から該出口チャンバーへの該第1の開口を通る流れ連通を妨げる、項目1に記載の容器。
[11]
キャリヤーガスを用いて容器内に含まれる固体前駆体材料から前駆体含有流体流を運ぶための容器であって、該容器が、
蓋、該蓋に接触する上部端部を有する側壁、及び内部底表面を備えるベースであって、該蓋、側壁及びベースが内部容積を画定し、該内部底表面が凹状形状を有する、蓋、側壁及びベース;
該蓋を通りぬけ、該内部容積と流体連通している、注入ポート;
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している、入口;
該入口と流体連通しており、該内部容積に位置付けられるディフューザ管であって、該ディフューザが近位端部と遠位端部とを備え、該遠位端部がそこに形成される複数の開口部を有するノズル部分を備え、該ノズル部分が非直線状のノズル部分形状を有する、ディフューザ管;及び
該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している出口であって、該出口がそこにフィルターを有する少なくとも1つの開口部を有する、容器。
[12]
該内部底表面が部分回転楕円体形状を有する、項目11に記載の容器。
[13]
該ノズル部分形状が、該遠位端部の下に位置付けられる該内部底表面の部分と、形状において相補的である、項目12に記載の容器。
[14]
該内部底表面及び該側壁が、下部肩部で接触し、該ノズル部分が該下部肩部の下に位置付けられる、項目11に記載の容器。
[15]
該入口が、該内部容積内に位置付けられ該ディフューザ管の該近位端部に取り付けられる継手をさらに備える、項目11に記載の容器。
[16]
(a)項目1に記載の容器を提供するステップ;
(b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップ;
(c)ステップ(c)の開始時に該前駆体材料中に浸されているノズルを通してキャリヤーガスを供給するステップ;及び
(d)前駆体含有流体流を該出口から取り除くステップ、を含む方法。
[17]
(e)ステップ(b)〜(d)の全てを実施する前に、該蓋、側壁及びベースを組み立てるステップ、をさらに含み、
ステップ(b)が、該注入ポートを用い、かつ該蓋を該側壁から取り外すことなく、該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップをさらに含む、項目16に記載の方法。
[18]
(f)ステップ(b)〜(e)を実施した後に、該蓋を該側壁から取り外すことなく、該下部容積をクリーニングするステップ、をさらに含む、項目16に記載の方法。
[19]
ステップ(b)が、
(b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップであって、該前駆体材料が、塩化ハフニウム(HfCl 4 )、塩化ジルコニウム(ZrCl 4 )、塩化タンタル(TaCl 5 )、MoCl 5 、WCl 6 、WCl 5 、WOCl 4 、NbCl 5 、三塩化インジウム、三塩化アルミニウム、三塩化ガリウム、ヨウ化チタン、タングステンヘキサカルボニル、モリブデンヘキサカルボニル、デカボラン、アルキル−アミジナートリガンドを包含する前駆体、ジルコニウムターシャリーブドキシド(Zr(t−OBu) 4 )、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NEt 2 4 )、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(Hf(NEt 2 4 )、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、tertブチルイミノトリス(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル(PDMAT)、ペンタキス(エチルメチルアミノ)タンタル(PEMAT)、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NMe 2 4 )、ハフニウムターシャリーブドキシド(Hf(t−OBu) 4 )などの前駆体、及びそれらの混合物の群より選択される、ステップ、をさらに含む、項目16に記載の方法。
[20]
ステップ(b)が、
(b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップであって、該前駆体材料が、塩化タンタル及び六塩化タングステンと五塩化タングステンとの混合物の群より選択される、ステップ、をさらに含む、項目16に記載の方法。

Claims (20)

  1. キャリヤーガスを用いて容器内に含まれる前駆体材料から前駆体含有流体流を運ぶための容器であって、該容器が、
    上部容積と下部容積とに分割される内部容積であって、該下部容積が実質的に全ての該前駆体材料を含む、内部容積;
    該上部容積の少なくとも一部を画定する、蓋;
    上部リップと上部開口部とを備える上部端部を有する側壁であって、該上部端部の少なくとも一部が該蓋に接触する、側壁;
    該下部容積の部分を画定するベースであって、該ベースが該下部容積の下部端部を画定する内部底表面を備え、該内部底表面が内部底表面形状を有する、ベース;
    該側壁の該上部端部に位置付けられ、該蓋と該側壁との間に挟まれ、該上部開口部に広がる、セパレーターであって、該セパレーターが、多孔性材料から形成され、そこに形成される第1の開口を有する、セパレーター;
    該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している入口であって、該入口が該蓋から該セパレーターに延在する胴部を有し、該胴部、該セパレーター及び該蓋が、該胴部の外部にあり、該蓋内にあり、かつ該セパレーターの上にある出口チャンバーを画定する、入口;
    該入口と流体連通している近位端部及び該下部容積に位置付けられる遠位端部を有するディフューザ管であって、該遠位端部がそこに形成される複数の開口部とノズル部分形状とを有するノズル部分を備える、ディフューザ管;及び
    該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している出口であって、該出口が少なくとも1つの開口部を有し、該少なくとも1つの開口部のそれぞれが該出口チャンバー内に位置付けられる、出口;を備え、
    該セパレーター及び入口が、該セパレーターを通るものを除く該下部容積から該出口チャンバーへの流れ連通を妨げるように操作的に構成される、容器。
  2. 該セパレーターの該多孔性材料が、少なくとも0.7μmの粒子サイズを有する粒子について少なくとも90%のろ過効率を有する、請求項1に記載の容器。
  3. 該蓋を通り抜け、該下部容積内の該側壁に沿って位置付けられるシュートで終わる注入ポートをさらに備え、該注入ポートが該内部容積と流体連通し該セパレーターを迂回している、請求項1に記載の容器。
  4. 該下部容積が該側壁の該上部リップの上部半径よりも大きい下部半径を有し、それにより該側壁の肩部部分を画定する、請求項3に記載の容器。
  5. 該下部半径が該上部半径よりも少なくとも20%大きい、請求項4に記載の容器。
  6. 該シュートが該肩部部分に位置付けられる、請求項4に記載の容器。
  7. 該ノズル部分形状が該内部底表面形状と実質的に同じである、請求項1に記載の容器。
  8. 該ノズル部分形状及び該内部底表面形状が両方とも凹状である、請求項1に記載の容器。
  9. 該入口が該セパレーターの下に位置付けられる継手をさらに備え、該ディフューザ管が該継手に取り付けられ、該継手から取り外し可能である、請求項1に記載の容器。
  10. 該胴部が、該フランジと該セパレーターとの間に封止を形成するような大きさにされ配置されているフランジをさらに備え、それにより該下部容積から該出口チャンバーへの該第1の開口を通る流れ連通を妨げる、請求項1に記載の容器。
  11. キャリヤーガスを用いて容器内に含まれる固体前駆体材料から前駆体含有流体流を運ぶための容器であって、該容器が、
    蓋、該蓋に接触する上部端部を有する側壁、及び内部底表面を備えるベースであって、該蓋、側壁及びベースが内部容積を画定し、該内部底表面が凹状形状を有する、蓋、側壁及びベース;
    該蓋を通りぬけ、該内部容積と流体連通している、注入ポート;
    該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している、入口;
    該入口と流体連通しており、該内部容積に位置付けられるディフューザ管であって、該ディフューザが近位端部と遠位端部とを備え、該遠位端部がそこに形成される複数の開口部を有するノズル部分を備え、該ノズル部分が非直線状のノズル部分形状を有する、ディフューザ管;及び
    該蓋を通り抜け、該内部容積と流体連通している出口であって、該出口がそこにフィルターを有する少なくとも1つの開口部を有する、容器。
  12. 該内部底表面が部分回転楕円体形状を有する、請求項11に記載の容器。
  13. 該ノズル部分形状が、該遠位端部の下に位置付けられる該内部底表面の部分と、形状において相補的である、請求項12に記載の容器。
  14. 該内部底表面及び該側壁が、下部肩部で接触し、該ノズル部分が該下部肩部の下に位置付けられる、請求項11に記載の容器。
  15. 該入口が、該内部容積内に位置付けられ該ディフューザ管の該近位端部に取り付けられる継手をさらに備える、請求項11に記載の容器。
  16. (a)請求項1に記載の容器を提供するステップ;
    (b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップ;
    (c)ステップ(c)の開始時に該前駆体材料中に浸されているノズルを通してキャリヤーガスを供給するステップ;及び
    (d)前駆体含有流体流を該出口から取り除くステップ、を含む方法。
  17. (e)ステップ(b)〜(d)の全てを実施する前に、該蓋、側壁及びベースを組み立てるステップ、をさらに含み、
    ステップ(b)が、該注入ポートを用い、かつ該蓋を該側壁から取り外すことなく、該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
  18. (f)ステップ(b)〜(e)を実施した後に、該蓋を該側壁から取り外すことなく、該下部容積をクリーニングするステップ、をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  19. ステップ(b)が、
    (b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップであって、該前駆体材料が、塩化ハフニウム(HfCl4)、塩化ジルコニウム(ZrCl4)、塩化タンタル(TaCl5)、MoCl5、WCl6、WCl5、WOCl4、NbCl5、三塩化インジウム、三塩化アルミニウム、三塩化ガリウム、ヨウ化チタン、タングステンヘキサカルボニル、モリブデンヘキサカルボニル、デカボラン、アルキル−アミジナートリガンドを包含する前駆体、ジルコニウムターシャリーブドキシド(Zr(t−OBu)4)、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NEt24)、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(Hf(NEt24)、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、tertブチルイミノトリス(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル(PDMAT)、ペンタキス(エチルメチルアミノ)タンタル(PEMAT)、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(Zr(NMe24)、ハフニウムターシャリーブドキシド(Hf(t−OBu)4)などの前駆体、及びそれらの混合物の群より選択される、ステップ、をさらに含む、請求項16に記載の方法。
  20. ステップ(b)が、
    (b)該下部容積に該前駆体材料を、少なくとも部分的に注入するステップであって、該前駆体材料が、塩化タンタル及び六塩化タングステンと五塩化タングステンとの混合物の群より選択される、ステップ、をさらに含む、請求項16に記載の方法。
JP2016081953A 2015-04-18 2016-04-15 前駆体材料の送達のための容器及び方法 Active JP6228257B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562149548P 2015-04-18 2015-04-18
US62/149,548 2015-04-18
US15/094,551 US10443128B2 (en) 2015-04-18 2016-04-08 Vessel and method for delivery of precursor materials
US15/094,551 2016-04-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016208026A JP2016208026A (ja) 2016-12-08
JP6228257B2 true JP6228257B2 (ja) 2017-11-08

Family

ID=56292423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016081953A Active JP6228257B2 (ja) 2015-04-18 2016-04-15 前駆体材料の送達のための容器及び方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10443128B2 (ja)
EP (1) EP3081668B1 (ja)
JP (1) JP6228257B2 (ja)
KR (3) KR20160124031A (ja)
CN (3) CN106048558A (ja)
SG (1) SG10201602945XA (ja)
TW (1) TWI615498B (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6094513B2 (ja) * 2014-02-28 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 処理ガス発生装置、処理ガス発生方法、基板処理方法及び記憶媒体
US10100406B2 (en) * 2015-04-17 2018-10-16 Versum Materials Us, Llc High purity tungsten hexachloride and method for making same
KR20210095966A (ko) * 2015-10-06 2021-08-03 엔테그리스, 아이엔씨. 고체 전구체의 저온 소결
EP3162914A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-03 IMEC vzw Apparatus and method for delivering a gaseous precursor to a reaction chamber
US10871238B2 (en) * 2017-07-18 2020-12-22 Versum Materials Us, Llc Removable valve guard for ampoules
WO2019023011A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Linde Aktiengesellschaft SUBLIMATOR APPARATUS FOR SOLID COMPOSITIONS, SYSTEMS AND METHODS OF USING THE SAME
JP7376278B2 (ja) 2018-08-16 2023-11-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体原料昇華器
JP7284265B2 (ja) * 2018-12-11 2023-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド アンプルの飛沫軽減
JP6887688B2 (ja) * 2019-02-07 2021-06-16 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム
JP6901153B2 (ja) * 2019-02-07 2021-07-14 株式会社高純度化学研究所 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。
US20210071301A1 (en) * 2019-09-10 2021-03-11 Asm Ip Holding B.V. Fill vessels and connectors for chemical sublimators
KR102272808B1 (ko) 2019-11-22 2021-07-02 세종대학교산학협력단 평탄화 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
FI130131B (en) 2021-09-07 2023-03-09 Picosun Oy Precursor container

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3993094A (en) * 1975-04-21 1976-11-23 Allis-Chalmers Corporation Removable reservoir cover having internal parts of reservoir mounted thereon
US4915880A (en) 1989-05-22 1990-04-10 Advanced Delivery & Chemical Systems Incorporated Container for a bubbler
US5078922A (en) 1990-10-22 1992-01-07 Watkins-Johnson Company Liquid source bubbler
JPH05335243A (ja) 1992-06-03 1993-12-17 Mitsubishi Electric Corp 液体バブリング装置
JPH06267852A (ja) 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd 液体原料の気化装置
EP0689619B1 (en) * 1993-03-18 2001-05-30 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a cvd reactor
US6444038B1 (en) 1999-12-27 2002-09-03 Morton International, Inc. Dual fritted bubbler
JP3909792B2 (ja) 1999-08-20 2007-04-25 パイオニア株式会社 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
KR100360494B1 (ko) 1999-09-21 2002-11-13 삼성전자 주식회사 기화장치
GB9929279D0 (en) 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
US7077388B2 (en) 2002-07-19 2006-07-18 Asm America, Inc. Bubbler for substrate processing
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US7261118B2 (en) * 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US7722720B2 (en) 2004-12-08 2010-05-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device
KR20060118819A (ko) * 2005-05-17 2006-11-24 한국기계연구원 액상 물질 기화 장치
US20080241805A1 (en) * 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US9109287B2 (en) * 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
US8708320B2 (en) * 2006-12-15 2014-04-29 Air Products And Chemicals, Inc. Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel
TW201040306A (en) 2009-03-11 2010-11-16 Air Liquide Bubbling supply system for stable precursor supply
US8944420B2 (en) * 2009-03-19 2015-02-03 Air Products And Chemicals, Inc. Splashguard for high flow vacuum bubbler vessel
CN102597310B (zh) 2009-11-02 2015-02-04 西格玛-奥吉奇有限责任公司 固态前体输送组件以及相关方法
JP6039203B2 (ja) * 2011-05-23 2016-12-07 キヤノン株式会社 画像出力装置、画像出力装置の制御方法、及び、プログラム
TWI480418B (zh) * 2012-01-16 2015-04-11 Air Prod & Chem 用於高流量真空氣泡器容器的防濺器
JP5761067B2 (ja) * 2012-02-13 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及び熱処理装置
TWI516432B (zh) * 2012-09-13 2016-01-11 南美特科技股份有限公司 固體前驅物微粒之輸送裝置
KR101673349B1 (ko) 2015-03-20 2016-11-07 현대자동차 주식회사 하이브리드 차량의 엔진클러치 제어 시스템 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201602945XA (en) 2016-11-29
US10443128B2 (en) 2019-10-15
US20160305019A1 (en) 2016-10-20
KR20180074632A (ko) 2018-07-03
TW201641737A (zh) 2016-12-01
CN114657539A (zh) 2022-06-24
EP3081668B1 (en) 2021-08-25
JP2016208026A (ja) 2016-12-08
KR102445312B1 (ko) 2022-09-19
KR20220025794A (ko) 2022-03-03
TWI615498B (zh) 2018-02-21
CN110551989A (zh) 2019-12-10
CN106048558A (zh) 2016-10-26
EP3081668A1 (en) 2016-10-19
KR20160124031A (ko) 2016-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6228257B2 (ja) 前駆体材料の送達のための容器及び方法
JP5883104B2 (ja) 容器から気相の前駆体を含む前駆体含有流体流を送出する方法
US8951478B2 (en) Ampoule with a thermally conductive coating
US9109287B2 (en) Solid source container with inlet plenum
US7261118B2 (en) Method and vessel for the delivery of precursor materials
US8137468B2 (en) Heated valve manifold for ampoule
JP5323678B2 (ja) Cvd又はaldのための化学分配装置
WO2007109410A2 (en) Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system
WO2013016208A2 (en) Reactant delivery system for ald/cvd processes

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170307

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170606

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20170721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170804

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170912

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171012

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6228257

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250