JP6226548B2 - ヒートシンク、およびそれを備える照明器具 - Google Patents

Description

本発明は、ヒートシンク、およびそれを備える照明器具の技術に関する。

従来、基板の表面に発光素子を備えた光源体が知られている（例えば特許文献１参照）。このような光源体は、ＬＥＤモジュールといわれ、照明器具などに用いられる。かかる照明器具は、ヒートシンクを介して光源体の熱を発散させる。ＬＥＤモジュールの一例として、基板上に発光ダイオードや配線パターンを形成したＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型発光モジュール等がある。

特開２０１３−５１３７５号公報 特開２０１３−６５４５６号公報

ところで、このような照明器具は、雷サージによるリーク電流の発生を抑制できなければならない。具体的に説明すると、このような照明器具は、落雷によって大電圧がかかっても、基板からヒートシンクへの放電の発生を抑制できなければならない。そのため、従来の照明器具では、光源体とヒートシンクの間に絶縁シートを挟み込み、基板からヒートシンクへの放電の発生を抑制する構成としていた（例えば特許文献２参照）。しかし、コストの低減と生産性向上の観点から、絶縁シートを廃した照明器具が求められていた。本願に開示するヒートシンクは、簡易的な構成で、基板からの放電の発生を抑制できるヒートシンクを提供することを目的としている。本願に開示する照明器具は、簡易的な構成で、基板からヒートシンクへの放電の発生を抑制できる照明器具を提供することを目的としている。

本願に開示する照明器具は、基板の表面に発光素子を備えた光源体と、前記光源体の熱を発散させるヒートシンクと、を備える照明器具であって、前記光源体は、前記基板の裏面が接した状態で前記ヒートシンクに取り付けられ、前記ヒートシンクには、前記基板における少なくとも導電体と重なる部分に溝部が形成され、前記溝部は、該溝部を構成する外側面が前記基板の側面よりも外側に形成されるものである。

本願に開示する照明器具は、前記溝部は、前記基板の側面から前記外側面までの空間距離が雷サージによるリーク電流の発生を抑制できる距離よりも長くなるように形成されることが好ましい。

本願に開示する照明器具において、基板の表面に発光素子を備えた光源体と、前記光源体の熱を発散させるヒートシンクと、を備える照明器具であって、前記光源体は、前記基板の裏面が接した状態で前記ヒートシンクに取り付けられ、前記ヒートシンクには、前記基板における少なくとも導電体と重なる部分に溝部が形成され、前記溝部は、該溝部を構成する内側面が前記基板の側面よりも内側に形成され、前記溝部は、前記基板に設けられた導電体から前記内側面までの沿面距離が雷サージによるリーク電流の発生を抑制できる距離よりも長くなるように形成されるものである。

本願に開示するヒートシンクは、電気部品が実装された基板が取り付けられるヒートシンクであって、前記基板が取り付けられる取付面を有し、前記取付面には、前記基板における少なくとも導電体と重なる部分に溝部が形成され、前記溝部は、該溝部を構成する外側面が前記基板の側面よりも外側に形成されるものである。

本願に開示するヒートシンクおよび照明器具によれば、簡易的な構成で、基板からヒートシンクへの放電の発生を抑制することが可能となる。

照明器具１００の構造を示す図。 図１における領域Ｒａを拡大した図。 図２における矢印Ｘａの方向から見た図。 ヒートシンクの斜視図。 ヒートシンクの下面を示す平面図 図３におけるＣ１−Ｃ１断面およびＣ２−Ｃ２断面を示す図。 図６における矢印Ｘｂおよび矢印Ｘｃの方向から見た図。

まず、本発明の実施形態に係る照明器具１００について簡単に説明する。照明器具１００は、一例として、天井等に一部を埋め込んで取り付けられるダウンライトとして使用される。

図１は、照明器具１００の構造を示した図である。なお、重力方向に対して平行となる方向を「上下方向Ｖ」、重力方向に対して垂直となる方向を「水平方向Ｈ」と定義して図中に示す。

照明器具１００は、主に光源部１と、本体部２と、電源部３と、を含む。また、本実施形態に係る照明器具１００は、ホルダ４を備えている。

光源部１は、光源体１１を備えている。本実施形態において、光源体１１は、基板１２の表面に発光素子１３を形成したＣＯＢ型発光モジュールである。なお、光源体１１は、ＣＯＢ型発光モジュールに限らず、ＬＥＤチップを基板表面上に実装したＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔ ｄｅｖｉｃｅ）型発光モジュールなど、少なくとも光源を備えていればその形態は限定されない。発光素子１３は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）である。発光素子１３が発する光は、セード１４によって屈折され、リフレクタ１５によって反射されて、任意の方向へ照射される。なお、本実施形態おける光源体１１は、基板１２上に二つの電極１２Ａ・１２Ｃが設けられている（図６、図７参照）。電極１２Ａは、いわゆるアノードであり、回路１２Ａｃを介して発光素子１３と接続されている（図７参照）。電極１２Ｃは、いわゆるカソードであり、回路１２Ｃｃを介して発光素子１３と接続されている（図７参照）。これらの導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）は、矩形状である基板１２の外周縁の近傍に配置されている。電極１２Ａ・１２Ｃは、基板１２の対向する角部の近傍に配置されている。但し、導電体の配置などについて限定するものではない。

本体部２は、ヒートシンク２１を備えている。本実施形態において、ヒートシンク２１は、ケース２１Ｃに複数のフィン２１Ｆが形成された鋳造部品である。ヒートシンク２１は、放熱効率を向上させるために熱伝導性の高いアルミニウム合金（例えばＡＤＣ１２）で形成されている。なお、ヒートシンク２１の材料は、熱伝導性が高ければアルミニウムに限定されない。光源体１１が発する熱は、ヒートシンク２１へ伝達されて空気中へ発散される。なお、本実施形態におけるヒートシンク２１は、フィン２１Ｆの側方部にブラケット２１Ｂが形成されている。ブラケット２１Ｂは、電源部３を支持するものであり、電気線３４・３５を通す通路２１Ｂｐが設けられている。

電源部３は、電源装置３１を備えている。本実施形態において、電源装置３１は、電源回路や調光回路などを構成する電気部品と、電気部品とが実装された基板３２と、を備える。電源回路は、商用電源から得られた交流電流を直流電流に変換する。調光回路は、電流の振幅または位相を制御して電流量を調節する。電源装置３１が発する熱は、電源ボックス３３へ伝達されて空気中へ発散される。また、一部の熱は、電源ボックス３３からヒートシンク２１へ伝達されて空気中へ発散される場合がある。なお、本実施形態における電源装置３１は、電気線３４・３５を介してホルダ４と接続されている。ホルダ４は、光源体１１を保持するとともに、上述した電極１２Ａ・１２Ｃと電気線３４・３５を接続する。

以下に、ヒートシンク２１の詳細な構造について説明する。

図２は、図１における領域Ｒａを拡大した図である。図３は、図２における矢印Ｘａの方向から見た図である。図４は、ヒートシンク２１の斜視図である。図５は、ヒートシンク２１の下面を示す平面図である。

ヒートシンク２１には、収容部２１ｓが設けられている。収容部２１ｓは、平面２１Ｒを略円筒形状の壁で囲んだ構造となっている。なお、上述したホルダ４は、平面２１Ｒに取り付けられるので、この平面２１Ｒを「取付面２１Ａ」と定義する。なお、平面２１Ｒを囲んでいる壁の形状を略円筒形状としたが、この形状は一例である。

取付面２１Ａは、水平方向Ｈに対して平行に形成されている。取付面２１Ａには、ネジ孔（図示せず）が上下方向Ｖに対して平行に設けられている。また、ホルダ４には、ネジ孔と重なる位置に貫通孔（図示せず）が設けられている。このため、ホルダ４は、貫通孔を介したネジ４Ｓによって取付面２１Ａに固定されることとなる。なお、ホルダ４には、光源体１１を保持するために、該光源体１１を構成する基板１２の形状に合わせて凹部４ｄが形成されている。このため、光源体１１は、凹部４ｄに嵌め込まれた状態で取付面２１Ａに固定されることとなる。つまり、光源体１１は、基板１２の裏面１２ｂの少なくとも一部が取付面２１Ａに接した状態で、ヒートシンク２１に取り付けられるのである（図６参照）。

更に、取付面２１Ａには、基板１２の一部と重なる位置に溝部２１ｄ・２１ｄが形成されている。つまり、ヒートシンク２１には、基板１２の裏面１２ｂの一部と重なる部分に局所的に溝部２１ｄ・２１ｄが形成されている。このように、本実施形態に係る照明器具１００は、基板１２の裏面１２ｂの一部と重なる部分に局所的に溝部２１ｄ・２１ｄを設けたことを特徴の一つとしている。以下に、溝部２１ｄ・２１ｄを設けたことによる技術的な効果について説明する。なお、本実施形態における２つの溝部２１ｄ・２１ｄは、互いに独立している。また、「局所的」とは、取付面２１Ａにおける基板１２と重なる一部分を指している。本実施形態で「局所的」とは、少なくとも導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）と重なる位置を指しているが、基板１２における導電体以外の部分が多少含まれていてもよい。なお、溝部２１ｄを光源体１１の外周縁部の全てに重なる位置に形成した場合、本実施形態の構成に比して基板１２とヒートシンク２１との接触面積が狭くなり、本実施形態の構成に比して光源体１１の放熱性が低くなる。本実施形態は、光源体１１の高い放熱性を確保しつつ、光源体１１からヒートシンク２１への放電を抑制するために、溝部２１ｄを局所的に形成している。

本実施形態において、溝部２１ｄ・２１ｄは、基板１２の形状に倣って形成されている。具体的に説明すると、溝部２１ｄ・２１ｄは、平面視したときの形状が、矩形状である基板１２の形状に合わせて直角に曲がった鉤状に形成されている（図４、図５参照）。また、溝部２１ｄ・２１ｄは、基板１２に設けられた導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）と重なる位置に形成されている（図６、図７参照）。

このように、光源体１１は、基板１２の裏面１２ｂが取付面２１Ａに接した状態で、ヒートシンク２１に取り付けられている。また、ヒートシンク２１には、基板１２の裏面１２ｂの一部と重なる部分に局所的に溝部２１ｄ・２１ｄが形成されている。これにより、本照明器具１００は、基板１２の導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）を構成する部分とヒートシンク２１との間に空間を設けることができるので、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することが可能となる。特に、基板１２の導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）に過電流が流れた際に、導電体からヒートシンク２１へ放電が発生することを抑制することができる。また、本照明器具１００は、絶縁シートを必要としない構造であるので、光源体１１の熱を効率よくヒートシンク２１へ伝達させることも可能となる。

本実施形態の技術的思想は、基板１２の導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）を構成する部分とヒートシンク２１との間に空間を設け、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制する点にある。即ち、溝部２１ｄの形状および位置は、少なくとも基板１２の導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）に重なる形状および位置であれば、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することができる。従って、溝部２１ｄ・２１ｄの位置や形状は、導電体の配置などによって適宜変更することが可能であり、本実施形態の態様に限定するものではない。

また、本実施形態では、溝部２１ｄは、基板１２に局所的に形成したことを、特徴の一つとしている。具体的には、溝部２１ｄは、基板１２における少なくとも導電体に重なる位置に形成されている。このような構成とすることで、導電体とヒートシンク２１との間に空間を形成することができ、導電体からヒートシンク２１への放電を抑制することができる。また、基板１２とヒートシンク２１との接触面積を極力大きく確保することができるので、光源体１１の放熱性を確保することができる。

なお、仮に、溝部２１ｄを光源体１１の外周縁部の全てに重なる位置に形成した場合、本実施形態の構成に比して基板１２とヒートシンク２１との接触面積が狭くなり、本実施形態の構成に比して光源体１１の放熱性が低くなる。光源体１１の放熱性が低いと、光源体１１を点灯させた際に光源体１１自身が発生する温度が高温に達する場合がある。光源体１１が高温になると、光が弱くなったり、発光素子の寿命が短くなったり、発光素子が破損したりする可能性が高くなる。このような構成において放熱性を確保しようとすると、例えば基板１２とヒートシンク２１との間に絶縁シート（熱は伝達するが、電気は絶縁するシート）を挟む構成が考えられるが、部品点数が増加し、コストアップや組立工数増加などのデメリットが生じうる。

これに対して、本実施形態は、溝部２１ｄを局所的に形成しているため、基板１２とヒートシンク２１との接触面積を極力大きく確保することができるため、絶縁シートを用いずに光源体１１の放熱性を確保することができる。したがって、光源体１１の温度上昇を抑制することができるので、発光素子が発する光が弱くなることを抑制したり、発光素子の寿命が短くなることを抑制したり、発光素子の破損を抑制したりすることができる。また、本実施形態は、溝部２１ｄを局所的に形成しているため、光源体１１からヒートシンク２１への放電を抑制することができる。また、ヒートシンク２１は、取付面２１Ａにおける少なくとも基板１２が接する領域（溝部２１ｄを除く）が、平滑化処理された構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、基板１２の裏面と取付面２１Ａとの接触面積が大きくなり、光源体１１が発生する熱を効率良くヒートシンク２１へ伝えることができる。

次に、本実施形態における溝部２１ｄ・２１ｄの形状を具体的に特定し、それによる技術的な効果について説明する。

図６は、図３におけるＣ１−Ｃ１断面およびＣ２−Ｃ２断面を示す図である。図７は、図６における矢印Ｘｂおよび矢印Ｘｃの方向から見た図である。

上述したように、溝部２１ｄ・２１ｄは、平面視したときの形状が、矩形状である基板１２の形状に合わせて直角に曲がった鉤状に形成されている。即ち、溝部２１ｄ・２１ｄは、基板１２が取り付けられる領域の周囲の一部に形成されている。従って、溝部２１ｄ・２１ｄを構成する内側の壁面を「内側面２１ｉｗ」、溝部２１ｄ・２１ｄを構成する外側の壁面を「外側面２１ｏｗ」と定義する。また、内側面２１ｉｗと外側面２１ｏｗに交わる壁面を「底側面２１ｂｗ」と定義する。

本実施形態において、内側面２１ｉｗは、取り付けられた光源体１１の基板１２に対して交わる位置に設けられている。つまり、溝部２１ｄ・２１ｄは、該溝部２１ｄ・２１ｄを構成する内側面２１ｉｗが基板１２の側面１２ｓよりも、取付面２１Ａの面方向の内側に形成されているのである。

このような形状とすることで、基板１２は、該基板１２の一部が溝部２１ｄ・２１ｄの一部を覆う位置に固定されることとなる。詳細に説明すると、基板１２の導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）と重なる位置に溝部２１ｄ・２１ｄが形成されていることから、基板１２は、導電体が設けられた部分が溝部２１ｄ・２１ｄを覆う位置に固定されるのである。

このように、溝部２１ｄ・２１ｄは、該溝部２１ｄ・２１ｄを構成する内側面２１ｉｗが基板１２の側面１２ｓよりも、取付面２１Ａの面方向の内側に形成されている。これにより、本照明器具１００は、基板１２に設けられた導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）から内側面２１ｉｗまでの沿面距離Ｄｘを確保できるので、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することが可能となる。

なお、本照明器具１００において、溝部２１ｄ・２１ｄは、基板１２に設けられた導電体（電極１２Ａ・１２Ｃおよび回路１２Ａｃ・１２Ｃｃ）から内側面２１ｉｗまでの沿面距離Ｄｘが所定の値よりも長く形成されている。「所定の値」は、雷サージ試験における印加電圧に応じて定めることができる。例えば印加電圧を４ｋＶとした場合は、沿面距離Ｄｘを４ｍｍ以上とし、印加電圧を６ｋＶとした場合は、沿面距離Ｄｘを６ｍｍ以上とすることができる。これは、印加電圧が１ｋＶ増す毎に沿面距離Ｄｘを１ｍｍ長くする関係となっているが、この印加電圧と沿面距離Ｄｘとの関係は一例である。

また、本実施形態において、外側面２１ｏｗは、取り付けられた光源体１１の基板１２に対して、平面視したときに交わらない位置に設けられている。つまり、溝部２１ｄ・２１ｄは、該溝部２１ｄ・２１ｄを構成する外側面２１ｏｗが基板１２の側面１２ｓよりも、取付面２１Ａの面方向の外側に形成されているのである。

このような形状とすることで、基板１２は、周囲の一部に溝部２１ｄ・２１ｄが形成された領域に固定されることとなる。詳細に説明すると、基板１２の形状に倣って溝部２１ｄ・２１ｄが形成されていることから、基板１２は、周囲の一部に溝部２１ｄ・２１ｄが形成された内側の領域に固定されるのである。

このように、溝部２１ｄ・２１ｄは、該溝部２１ｄ・２１ｄを構成する外側面２１ｏｗが基板１２の側面１２ｓよりも、取付面２１Ａの面方向の外側に形成されている。これにより、本照明器具１００は、基板１２の側面１２ｓから外側面２１ｏｗまでの空間距離Ｄｙを確保できるので、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することが可能となる。詳細に説明すると、本照明器具１００は、基板１２の側面１２ｓから取付面２１Ａと外側面２１ｏｗで形成される角部分までの空間距離Ｄｙを確保できるので、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することが可能となる。

なお、本照明器具１００において、溝部２１ｄ・２１ｄは、基板１２の側面１２ｓから外側面２１ｏｗ（取付面２１Ａと外側面２１ｏｗで形成される角部分）までの空間距離Ｄｙが所定の値よりも長くなるように形成されている。「所定の値」は、雷サージ試験における印加電圧に応じて定めることができる。例えば印加電圧を４ｋＶとした場合は、空間距離Ｄｙを４ｍｍ以上とし、印加電圧を６ｋＶとした場合は、空間距離Ｄｙを６ｍｍ以上とすることができる。これは、印加電圧が１ｋＶ増す毎に空間距離Ｄｙを１ｍｍ長くする関係となっているが、この印加電圧と空間距離Ｄｙとの関係は一例である。

更に、本実施形態において、底側面２１ｂｗは、取り付けられた光源体１１の基板１２に対して平行に設けられている。つまり、溝部２１ｄ・２１ｄは、該溝部２１ｄ・２１ｄを構成する底側面２１ｂｗが基板１２の裏面１２ｂに対して平行に形成されているのである。

このような形状とすることで、基板１２は、溝部２１ｄ・２１ｄを構成する底側面２１ｂｗに対して平行に固定されることとなる。詳細に説明すると、基板１２の裏面１２ｂは平らに形成されていることから、基板１２は、溝部２１ｄ・２１ｄを構成する底側面２１ｂｗに対して平行に固定されるのである。

このように、溝部２１ｄ・２１ｄは、該溝部２１ｄ・２１ｄを構成する底側面２１ｂｗが基板１２の裏面１２ｂに対して平行に形成されている。これにより、本照明器具１００は、基板１２の裏面１２ｂから底側面２１ｂｗまでの空間距離Ｄｚが一定となるので、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することが可能となる。詳細に説明すると、本照明器具１００は、基板１２の裏面１２ｂから底側面２１ｂｗまでの空間距離Ｄｚが変わらずに電界集中が生じないので、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することが可能となる。

すなわち、本願に開示する照明器具１００は、基板１２の表面に発光素子１３を備えた光源体１１と、前記光源体１１の熱を発散させるヒートシンク２１と、を備える照明器具１００であって、前記光源体１１は、前記基板１２の裏面１２ｂが接した状態で前記ヒートシンク２１に取り付けられ、前記ヒートシンク２１には、前記基板１２における少なくとも導電体と重なる部分に溝部２１ｄ・２１ｄが形成され、前記溝部２１ｄ・２１ｄは、該溝部２１ｄ・２１ｄを構成する底側面２１ｂｗが前記基板１２の裏面１２ｂに対して平行に形成され、前記溝部２１ｄ・２１ｄは、前記基板１２の裏面１２ｂから前記底側面２１ｂｗまでの空間距離Ｄｚが雷サージによるリーク電流の発生を抑制できる距離よりも長くなるように形成されるものである。

なお、本照明器具１００において、溝部２１ｄ・２１ｄは、基板１２の裏面１２ｂから底側面２１ｂｗまでの空間距離Ｄｚが所定の値よりも長く形成されている。「所定の値」は、雷サージ試験における印加電圧に応じて定めることができる。例えば印加電圧を４ｋＶとした場合は、空間距離Ｄｚを４ｍｍ以上とし、印加電圧を６ｋＶとした場合は、空間距離Ｄｚを６ｍｍ以上とすることができる。これは、印加電圧が１ｋＶ増す毎に空間距離Ｄｚを１ｍｍ長くする関係となっているが、この印加電圧と空間距離Ｄｚとの関係は一例である。

次に、本照明器具１００の他の特徴点について説明する。

上述したように、本照明器具１００は、基板１２の裏面１２ｂと重なる部分に局所的に溝部２１ｄ・２１ｄを設けたことを特徴としている。これは、基板１２からヒートシンク２１への放電の発生を抑制することを目的としている。すると、溝部２１ｄ・２１ｄに対する基板１２の相対位置や相対角度、即ち、光源体１１の取り付け位置や取り付け角度が重要となる。このため、本照明器具１００は、取付面２１Ａに複数の凸起２１Ｐを設け（図３、図４、図５参照）、ホルダ４を所定の位置および所定の角度で取り付け可能としている。

本照明器具１００において、凸起２１Ｐは、所定の位置および所定の角度に取り付けられたホルダ４の外形に沿うように設けられている。従って、ホルダ４は、全ての凸起２１Ｐに接するように固定されると、必然的に所定の位置および所定の角度に取り付けられることとなる。但し、凸起２１Ｐの配置や形状について限定するものではない。なお、本実施形態は、照明器具に用いることができるヒートシンクについて説明したが、用途は照明器具に限らない。本発明にかかるヒートシンクは、少なくとも電気部品が実装された基板が取り付けられ、電気部品または基板が発生する熱を発散させることができればよい。

１００ 照明器具
１ 光源部
１１ 光源体
１２ 基板
１２ｂ 裏面
１２ｓ 側面
１２Ａ 電極
１２Ａｃ 回路
１２Ｃ 電極
１２Ｃｃ 回路
１３ 発光素子
２ 本体部
２１ ヒートシンク
２１ｄ 溝部
２１ｉｗ 内側面
２１ｏｗ 外側面
２１ｂｗ 底側面
３ 電源部
３１ 電源装置
４ ホルダ
Ｄｘ 沿面距離
Ｄｙ 空間距離
Ｄｚ 空間距離

Claims (4)

1. 基板の表面に発光素子を備えた光源体と、前記光源体の熱を発散させるヒートシンクと、を備える照明器具であって、
   前記光源体は、前記基板の裏面が接した状態で前記ヒートシンクに取り付けられ、
   前記ヒートシンクには、前記基板における少なくとも導電体と重なる部分に溝部が形成され、
   前記溝部は、該溝部を構成する外側面が前記基板の側面よりも外側に形成される、
   ことを特徴とする照明器具。
2. 前記溝部は、前記基板の側面から前記外側面までの空間距離が雷サージによるリーク電流の発生を抑制できる距離よりも長くなるように形成される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
3. 基板の表面に発光素子を備えた光源体と、前記光源体の熱を発散させるヒートシンクと、を備える照明器具であって、
   前記光源体は、前記基板の裏面が接した状態で前記ヒートシンクに取り付けられ、
   前記ヒートシンクには、前記基板における少なくとも導電体と重なる部分に溝部が形成され、
   前記溝部は、該溝部を構成する内側面が前記基板の側面よりも内側に形成され、
   前記溝部は、前記基板に設けられた導電体から前記内側面までの沿面距離が雷サージによるリーク電流の発生を抑制できる距離よりも長くなるように形成される、
   ことを特徴とする照明器具。
4. 電気部品が実装された基板が取り付けられるヒートシンクであって、
   前記基板が取り付けられる取付面を有し、
   前記取付面には、前記基板における少なくとも導電体と重なる部分に溝部が形成され、
   前記溝部は、該溝部を構成する外側面が前記基板の側面よりも外側に形成される、
   ことを特徴とするヒートシンク。

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