JP6225067B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents
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Description
また、前記第1処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記液滴状の第1処理液で前記基板の表面を処理する前にSC−1液で前記基板の表面を処理し、さらに、液滴状の第1処理液による前記基板の表面の処理及び前記第2処理液による前記基板の表面の処理の終了後に、二酸化炭素が添加された純水で前記基板の表面を処理することにした。
3 基板
11 基板保持部
12 第1処理液吐出部
13 第2処理液吐出部
25 第1処理液吐出ノズル
31 第2処理液吐出ノズル
Claims (15)
- 基板の表面に向けて純水を含有する液滴状の第1処理液を吐出する第1処理液吐出部と、
前記液滴状の第1処理液で処理した前記基板の表面に向けて、前記基板の表面のゼータ電位を負に反転させる第2処理液を吐出する第2処理液吐出部と
第1処理液吐出部と第2処理液吐出部を制御する制御部と、
を有し、
制御部は、前記第1処理液吐出部から吐出した前記純水を含有する液滴状の第1処理液で基板の表面を処理し、その後、基板の表面に第1処理液の液膜が形成されている状態で前記第2処理液吐出部から前記基板の表面のゼータ電位を負に反転させる前記第2処理液を前記基板の表面に吐出するように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記第2処理液吐出部は、前記液滴状の第1処理液で処理した直後の前記基板の表面に向けて前記第2処理液を吐出することを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 前記基板の表面に向けてSC−1液を吐出するためのSC−1吐出部を有し、
前記第1処理液吐出部は、前記基板の表面に向けて前記SC−1吐出部からSC−1液を吐出した後に液滴状の第1処理液を吐出することを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。 - 前記第1処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第2処理液としてSC−1液を用いることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記基板として表面にシリコン窒化膜が形成された基板を用いることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記液滴状の第1処理液で処理した前記基板の表面に向けて、前記基板に帯電した電荷を放出させる第3処理液を吐出する第3処理液吐出部を有することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記第3処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第2処理液としてSC−1液を用いることを特徴とする請求項6に記載の基板液処理装置。
- 基板の表面に向けて純水を含有する液滴状の第1処理液を吐出する第1処理液吐出部と、
前記基板の表面に第2処理液を吐出する第2処理液吐出部と、
を有する基板液処理装置を用いた基板液処理方法において、
前記純水を含有する液滴状の第1処理液で基板の表面を処理し、その後、基板の表面に第1処理液の液膜が形成されている状態で前記第2処理液吐出部から前記基板の表面のゼータ電位を負に反転させる前記第2処理液を前記基板の表面に吐出することにより前記基板の表面を処理することを特徴とする基板液処理方法。 - 前記液滴状の第1処理液で前記基板の表面を処理した直後に前記第2処理液で前記基板の表面を処理することを特徴とする請求項8に記載の基板液処理方法。
- 前記液滴状の第1処理液で前記基板の表面を処理する前にSC−1液で前記基板の表面を処理することを特徴とする請求項8に記載の基板液処理方法。
- 前記第1処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第2処理液としてSC−1液を用いることを特徴とする請求項8〜請求項10のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記基板として表面にシリコン窒化膜が形成された基板を用いることを特徴とする請求項8〜請求項11のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 液滴状の第1処理液で基板の表面を処理した後に、前記基板に帯電した電荷を放出させる第3処理液で前記基板の表面を処理し、その後、前記第2処理液で前記基板の表面を処理することを特徴とする請求項8〜請求項12のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記第3処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第2処理液としてSC−1液を用いることを特徴とする請求項13に記載の基板液処理方法。
- 基板の表面に向けて純水を含有する液滴状の第1処理液を吐出する第1処理液吐出部と、
前記基板の表面に第2処理液を吐出する第2処理液吐出部と、
を有する基板液処理装置を用いた基板液処理方法において、
前記純水を含有する液滴状の第1処理液で基板の表面を処理した後に、前記基板に帯電した電荷を放出させる第3処理液で前記基板の表面を処理し、その後、基板の表面に第1処理液の液膜が形成されている状態で前記第2処理液吐出部から前記基板の表面のゼータ電位を負に反転させる前記第2処理液を前記基板の表面に吐出することにより前記基板の表面を処理し、
前記第3処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第2処理液としてSC−1液を用い、
前記第1処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、
前記液滴状の第1処理液で前記基板の表面を処理する前にSC−1液で前記基板の表面を処理し、
さらに、液滴状の第1処理液による前記基板の表面の処理及び前記第2処理液による前記基板の表面の処理の終了後に、二酸化炭素が添加された純水で前記基板の表面を処理することを特徴とする基板液処理方法。
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