JP6224918B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置や液晶表示装置などの平面表示装置は、各種分野で利用されている。近年、携帯電話やPDA(personal digital assistant)などの携帯情報端末機器では、より薄く且つより軽い表示装置への要求が高まっている。
例えば、表示部の外側において、可撓性を有する第1基板と第2基板との間に配線基板を設けることで、接続部分の剥がれを抑制する技術が提案されている。また、他の例として、フレキシブルな表示パネルモジュールを2枚の樹脂シートで挟み、これらの2枚の樹脂シートを熱圧着するとともに表示パネルモジュールの端部に接続されたフレキシブルプリント回路基板も2枚の樹脂シートで挟むことで、シール性能を向上させて外部環境から保護する技術も提案されている。
その一方で、表示装置の量産を図る上で製造プロセスを簡素化して生産性を向上し、しかも、信頼性を向上することが要望されている。
特開2010−32911号公報 特開2011−221404号公報
本実施形態の目的は、生産性及び信頼性を向上することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することにある。
本実施形態によれば、
第1支持基板の上に延在した第1樹脂層を形成した後に、前記第1樹脂層上において第1領域に第1表示素子部及び第1実装部を形成するとともに前記第1領域に隣接する第2領域に第2表示素子部及び第2実装部を形成した第1基板を用意し、第2支持基板の上に延在した第2樹脂層を形成した後に、前記第2樹脂層上において前記第1表示素子部と対向する第1カラーフィルタ層を形成するとともに前記第2表示素子部と対向する第2カラーフィルタ層を形成した第2基板を用意し、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、前記第1表示素子部と前記第1カラーフィルタ層とを接着するとともに前記第2表示素子部と前記第2カラーフィルタ層とを接着し、前記第2基板に向けて第1レーザー光を照射して、前記第2樹脂層から前記第2支持基板を剥離し、前記第1樹脂層及び前記第2樹脂層に向けて前記第1レーザー光とは異なる波長の第2レーザー光を照射して、前記第1樹脂層及び前記第2樹脂層をカットし、前記第1実装部に対向する前記第2樹脂層が前記第1実装部から離間する方向に反り返った状態で前記第1実装部に信号供給源を実装し、前記第1樹脂層と前記第2樹脂層とをその間に前記信号供給源を挟持した状態で接着する、表示装置の製造方法が提供される。
本実施形態によれば、
第1樹脂基板と、前記第1樹脂基板上に形成された表示素子部及び実装部と、を備えたアレイ基板と、前記第1樹脂基板と同一形状に形成され前記表示素子部及び前記実装部と対向する第2樹脂基板と、前記第2樹脂基板の内面側に形成され前記表示素子部と対向するカラーフィルタ層と、前記第2樹脂基板の内面側に形成され少なくとも前記実装部と対向するバリア層と、を備えた対向基板と、前記表示素子部と前記カラーフィルタ層とを接着する第1接着剤と、前記実装部に実装された信号供給源と、前記第1樹脂基板と前記第2樹脂基板とをその間に前記信号供給源を挟持した状態で接着する第2接着剤と、を備えた表示装置が提供される。
図1Aは、本実施形態の表示装置1の断面構造を概略的に示す図である。 図1Bは、図1Aに示した表示装置1を概略的に示す平面図である。 図1Cは、本実施形態の表示装置1の表示素子部120を含む断面構造を概略的に示す図である。 図1Dは、本実施形態の表示装置1の実装部130を含む断面構造を概略的に示す図である。 図2は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、第1マザー基板M1を用意する工程を説明するための図である。 図3は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、第2マザー基板M1を用意する工程を説明するための図である。 図4は、図3に示した第2マザー基板M2の概略平面図である。 図5は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、第1マザー基板M1と第2マザー基板M2とを貼り合わせる工程を説明するための図である。 図6は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、第2マザー基板M2の第2支持基板200を剥離する工程を説明するための図である。 図7は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、第1樹脂層110及び第2樹脂層210をカットする工程を説明するための図である。 図8は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、信号供給源を実装する工程を説明するための図である。 図9は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、信号供給源を挟んで第1樹脂層110及び第2樹脂層210を接着する工程を説明するための図である。 図10は、本実施形態の表示装置1の製造方法を説明するための図であり、第1マザー基板M1の第1支持基板100を剥離する工程を説明するための図である。 図11は、本実施形態の表示装置1の他の製造方法を説明するための図であり、信号供給源を実装する工程を説明するための図である。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
図1Aは、本実施形態の表示装置1の断面構造を概略的に示す図である。ここでは、シート状の表示装置1の一例として、有機EL表示装置について説明する。
すなわち、表示装置1は、アレイ基板ARと、対向基板CTとを備えている。アレイ基板ARは、第1樹脂基板10を用いて形成されている。アレイ基板ARは、第1樹脂基板10の内面つまり対向基板CTと対向する側に、表示素子部120と、実装部130とを備えている。表示素子部120には、複数の有機EL素子OLEDが配置されている。各有機EL素子OLEDは、例えば白色に発光する。実装部130には、有機EL素子OLEDを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源として、ICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3などが実装されている。
対向基板CTは、透明な第2樹脂基板30を用いて形成されている。第2樹脂基板30は、表示素子部120及び実装部130と対向している。対向基板CTは、第2樹脂基板30の内面つまりアレイ基板ARと対向する側に、カラーフィルタ層220を備えている。カラーフィルタ層220は、異なる色の複数種類のカラーフィルタによって構成されている。カラーフィルタ層220は、表示素子部120と対向しており、各色のカラーフィルタがそれぞれ有機EL素子OLEDと対向している。
アレイ基板ARと対向基板CTとは、接着剤41及び接着剤42によって貼り合わせられている。より具体的には、接着剤41は、表示素子部120とカラーフィルタ層220とを接着している。また、接着剤41は、表示素子部120の周囲にも延在し、第1樹脂基板10と第2樹脂基板30とを接着している。接着剤42は、第1樹脂基板10と第2樹脂基板30とをその間に信号供給源(ICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3)を挟持した状態で接着している。これらの接着剤41及び接着剤42は、いずれも低透湿性の材料からなり、水分バリア膜あるいは封止膜として機能する。
図1Bは、図1Aに示した表示装置1を概略的に示す平面図である。
アレイ基板AR及び対向基板CTは、同一の外形を有しており、それぞれの端部が重なっている。すなわち、第1樹脂基板10と第2樹脂基板30とは、同一形状に形成されており、第1樹脂基板10の端部と第2樹脂基板30の端部とがそれらの四方でそれぞれ重なっている。有機EL素子などの図示を省略しているが、表示素子部120は矩形状に形成され、カラーフィルタ層220は表示素子部120と重なるように配置されている。接着剤41は、表示素子部120とカラーフィルタ層220との間のみならず、表示素子部120及びカラーフィルタ層220を囲むように配置されている。接着剤42は、実装部130において、ICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3が実装された領域を覆うように配置されている。
図1Cは、本実施形態の表示装置1の表示素子部120を含む断面構造を概略的に示す図である。
すなわち、アレイ基板ARは、第1樹脂基板10の内面10A側に、スイッチング素子SW1乃至SW3、有機EL素子OLED1乃至OLED3などを備えている。第1樹脂基板10の内面10Aは、第1絶縁膜11によって覆われている。第1絶縁膜11は、第1樹脂基板10からのイオン性の不純物の浸入や、第1樹脂基板10を介した水分などの浸入を抑制する内面バリア膜として機能する。このような第1絶縁膜11は、シリコン窒化物(SiN)やシリコン酸化物(SiO)やシリコン酸窒化物(SiON)などの無機系材料によって形成され、単層もしくは積層体によって構成されている。なお、第1樹脂基板10の内面10A側に位置する他の絶縁膜が内面バリア膜として機能する場合には、この第1絶縁膜11を省略しても良い。
スイッチング素子SW1乃至SW3は、第1絶縁膜11の上に形成されている。スイッチング素子SW1乃至SW3は、例えば、それぞれ半導体層SCを備えた薄膜トランジスタ(TFT)である。スイッチング素子SW1乃至SW3は、いずれも同一構造であるが、ここでは、スイッチング素子SW1に着目してその構造をより具体的に説明する。
図示した例では、スイッチング素子SW1は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。半導体層SCは、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコンの他に、酸化物半導体などで形成されている。半導体層SCは、第1絶縁膜11の上に形成され、第2絶縁膜12によって覆われている。第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。第2絶縁膜12の上には、スイッチング素子SW1のゲート電極WGが形成されている。ゲート電極WGは、第3絶縁膜13によって覆われている。第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上にも配置されている。第3絶縁膜13の上には、スイッチング素子SW1のソース電極WS及びドレイン電極WDが形成されている。ソース電極WS及びドレイン電極WDは、それぞれ半導体層SCにコンタクトしている。ソース電極WS及びドレイン電極WDは、第4絶縁膜14によって覆われている。第4絶縁膜14は、第3絶縁膜13の上にも配置されている。
有機EL素子OLED1乃至OLED3は、第4絶縁膜14の上に形成されている。図示した例では、有機EL素子OLED1はスイッチング素子SW1と電気的に接続され、有機EL素子OLED2はスイッチング素子SW2と電気的に接続され、有機EL素子OLED3はスイッチング素子SW3と電気的に接続されている。有機EL素子OLED1乃至OLED3は、いずれも対向基板CTの側に向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機EL素子OLED1乃至OLED3は、いずれも同一構造である。
有機EL素子OLED1は、第4絶縁膜14の上に形成された陽極PE1を備えている。陽極PE1は、スイッチング素子SW1のドレイン電極WDとコンタクトし、スイッチング素子SW1と電気的に接続されている。同様に、有機EL素子OLED2はスイッチング素子SW2と電気的に接続された陽極PE2を備え、有機EL素子OLED3はスイッチング素子SW3と電気的に接続された陽極PE3を備えている。
有機EL素子OLED1乃至OLED3は、さらに、有機発光層ORG及び陰極CEを備えている。有機発光層ORGは、陽極PE1乃至PE3の上にそれぞれ位置している。また、有機発光層ORGは、有機EL素子OLED1乃至OLED3に亘って途切れることなく連続的に形成されている。陰極CEは、有機発光層ORGの上に位置している。また、陰極CEは、有機EL素子OLED1乃至OLED3に亘って途切れることなく連続的に形成されている。
つまり、有機EL素子OLED1は、陽極PE1、有機発光層ORG、及び、陰極CEによって構成されている。同様に、有機EL素子OLED2は、陽極PE2、有機発光層ORG、及び、陰極CEによって構成され、また、有機EL素子OLED3は、陽極PE3、有機発光層ORG、及び、陰極CEによって構成されている。
なお、有機EL素子OLED1乃至OLED3において、陽極PE1乃至PE3の各々と有機発光層ORGとの間には、さらに、ホール注入層やホール輸送層が介在していても良いし、また、有機発光層ORGと陰極CEとの間には、さらに、電子注入層や電子輸送層が介在していても良い。
図示した例では、有機EL素子OLED1乃至OLED3は、それぞれリブ15によって区画されている。リブ15は、第4絶縁膜14の上に形成され、陽極PE1乃至PE3のそれぞれのエッジをカバーしている。なお、リブ15については、詳述しないが、例えば、第4絶縁膜14の上において格子状またはストライプ状に形成されている。
なお、図示しないが、有機EL素子OLED1乃至OLED3は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。封止膜としては、透明な無機系材料(例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物など)の単層膜あるいは積層体が適用可能であり、無機系材料の薄膜と有機系材料の薄膜とを交互に積層した積層体も適用可能である。
表示素子部120とは、アレイ基板ARのうち、複数の有機EL素子OLEDが並んだ領域に相当し、実質的に画像を表示する表示領域である。
対向基板CTは、第2樹脂基板30の内面30A側に、カラーフィルタ層220、バリア層31などを備えている。
本実施形態では、第1樹脂基板10及び第2樹脂基板30は、例えば、ポリイミド(PI)を主成分とする材料によって形成されている。第1樹脂基板10及び第2樹脂基板30は、例えば、5乃至30μmの厚さを有している。第1樹脂基板10及び第2樹脂基板30を形成する材料としては、ポリイミドの他に、ポリアミドイミド、ポリアラミドなど耐熱性が高い樹脂材料を用いることが望ましい。特に、第2樹脂基板30は、トップエミッションタイプの有機EL素子OLED1乃至OLED3から出射された光が透過するため、透明性の高い材料(上記した材料の中ではポリイミド)で形成されることが望ましい。
カラーフィルタ層220は、カラーフィルタCF1、カラーフィルタCF2、及び、カラーフィルタCF3を備えている。カラーフィルタCF1は、有機EL素子OLED1と対向し、白色のうちの青色波長の光を透過する青色カラーフィルタである。カラーフィルタCF2は、有機EL素子OLED2と対向し、白色のうちの緑色波長の光を透過する緑色カラーフィルタである。カラーフィルタCF3は、有機EL素子OLED3と対向し、白色のうちの赤色波長の光を透過する赤色カラーフィルタである。
バリア層31は、カラーフィルタ層220を覆っている。このようなバリア層31は、透明な無機系材料(例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物など)の単層膜あるいは積層体が適用可能であり、無機系材料の薄膜と有機系材料の薄膜とを交互に積層した積層体も適用可能である。なお、バリア層31は、第2樹脂基板30とカラーフィルタ層220との間に配置されていても良い。
このようなアレイ基板ARの表示素子部120と対向基板CTとは、透明な接着剤41によって接着されている。
このような表示装置1においては、有機EL素子OLED1乃至OLED3のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光(白色光)は、カラーフィルタCF1、カラーフィルタCF2、カラーフィルタCF3を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機EL素子OLED1から放射された白色光のうち、青色波長の光がカラーフィルタCF1を透過する。また、有機EL素子OLED2から放射された白色光のうち、緑色波長の光がカラーフィルタCF2を透過する。また、有機EL素子OLED3から放射された白色光のうち、赤色波長の光がカラーフィルタCF3を透過する。これにより、カラー表示が実現される。
図1Dは、本実施形態の表示装置1の実装部130を含む断面構造を概略的に示す図である。
図示した例では、アレイ基板ARの実装部130は、第1樹脂基板10の上に、第1絶縁膜11、第2絶縁膜、第3絶縁膜13、第4絶縁膜14を積層した構成であって、ICチップ2が実装されるパッド部EA、及び、フレキシブルプリント回路基板3が実装されるパッド部EBを備えている。なお、実装部130には、図示していないが、ゲート電極やソース電極、陽極などと同一層に形成された各種配線、各種回路などが形成されている。実装部130のパッド部EA及びパッド部EBは、これらの各種配線や各種回路に電気的に接続されている。
対向基板CTについて、第2樹脂基板30の内面30Aは、バリア層31によって覆われている。このような対向基板CTは、アレイ基板ARの実装部130と接着剤42によって接着されている。
次に、本実施形態における表示装置1の製造方法の一例について説明する。
まず、図2に示すように、第1マザー基板M1を用意する。すなわち、無アルカリガラスなどからなる第1支持基板100の上に、ポリイミド前駆体化合物をスリットコーター等の成膜装置を用いて5〜30μmの厚さで成膜した後に、加熱することによって硬化させ、第1樹脂層110を形成する。一例として、第1樹脂層110の厚さは10μmとした。第1樹脂層110は、上記の第1樹脂基板10に相当する。第1樹脂層110は、第1支持基板100の上で、途切れることなく連続的に延在している。つまり、第1樹脂層110の外形は、第1支持基板100の外形と同一サイズである。
そして、第1樹脂層110の上において、第1領域A1に第1表示素子部121及び第1実装部131を形成し、第1領域A1に隣接する第2領域A2に第2表示素子部122及び第2実装部132を形成し、第2領域A2に隣接する第3領域A3に第3表示素子部123及び第3実装部133を形成する。
第1表示素子部121、第2表示素子部122、及び、第3表示素子部123のそれぞれは同一構造であり、上記した表示素子部120に相当するものであって、詳細な構造を図示しないが、それぞれマトリクス状に配置された複数の有機EL素子OLEDを備えている。また、第1実装部131、第2実装部132、及び、第3実装部133のそれぞれは同一構造であり、上記した実装部130に相当するものであって、詳細な構造を図示しないが、それぞれパッド部EA及びパッド部EBを備えている。
続いて、図3に示すように、第2マザー基板M2を用意する。すなわち、無アルカリガラスなどからなる第2支持基板200の内面200Aに、透明な第2樹脂層210を形成する。第2樹脂層210の形成方法については第1樹脂層110と同様であり、説明を省略する。一例として、第2樹脂層210の厚さは10μmとした。第2樹脂層210は、上記の第2樹脂基板30に相当する。この第2樹脂層210は、第2支持基板200の内面200Aで、途切れることなく連続的に延在している。つまり、第2樹脂層210の外形は、第2支持基板200の外形と同一サイズである。
そして、第2樹脂層210の上において、第1カラーフィルタ層221、第2カラーフィルタ層222、及び、第3カラーフィルタ層223を形成する。第1カラーフィルタ層221は、第1マザー基板M1と第2マザー基板M2とを貼り合わせた際に、第1表示素子部121と対向する位置に形成されている。同様に、第2カラーフィルタ層222は第2表示素子部122と対向する位置に形成され、第3カラーフィルタ層223は第3表示素子部123と対向する位置に形成されている。第1カラーフィルタ層221、第2カラーフィルタ層222、及び、第3カラーフィルタ層223は、いずれも同一構造であり、それぞれ第1カラーフィルタ(青色カラーフィルタ)CF1、第2カラーフィルタ(緑色カラーフィルタ)CF2、第3カラーフィルタ(赤色カラーフィルタ)CF3からなる。
そして、第1カラーフィルタ層221、第2カラーフィルタ層222、及び、第3カラーフィルタ層223をそれぞれ覆うバリア層31を形成する。このバリア層31を形成する際には、圧縮応力を有するような条件で成膜される。バリア層31は、途切れることなく連続的に延在しており、第2樹脂層210の上にも延在している。第1カラーフィルタ層221、第2カラーフィルタ層222、及び、第3カラーフィルタ層223のそれぞれと重なるバリア層31の表面には、接着剤41が塗布されている。
図4に示すように、第1カラーフィルタCF1、第2カラーフィルタCF2、及び、第3カラーフィルタCF3は、いずれもストライプ状に形成され、この順に繰り返し並んでいる。
続いて、図5に示すように、第1マザー基板M1と第2マザー基板M2とを貼り合わせる。すなわち、バリア層31を介して、第1表示素子部121と第1カラーフィルタ層221とを接着剤41により接着し、第2表示素子部122と第2カラーフィルタ層222とを接着剤41により接着し、第3表示素子部123と第3カラーフィルタ層223とを接着剤41により接着する。
続いて、図6に示すように、第2マザー基板M2について、第2樹脂層210から第2支持基板200を剥離し、第2支持基板200を除去する。すなわち、第2マザー基板M2について、第2支持基板200の外面200Bの側から第2支持基板200の略全面に亘ってレーザー光を照射し、アブレーションを行う。このとき、照射するレーザー光の光源としては、第2支持基板200と第2樹脂層210との界面において局所的なエネルギーの吸収を示す光源(レーザー装置)や熱源(電磁波照射装置)を用いることができ、ここでは、エキシマレーザー装置を用いた。
このようなレーザー光の照射により、第2樹脂層210においては、レーザー光は適度に吸収され、熱エネルギーとなって第2樹脂層210と第2支持基板200との界面付近で、第2樹脂層210の一部が気化するなどして、第2支持基板200と第2樹脂層210とが分離する。これにより、第1マザー基板M1の上に、第2樹脂層210、バリア層31、第1カラーフィルタ層221、第2カラーフィルタ層222、第3カラーフィルタ層223が転写される。このような手法は、レーザーアブレーションなどと称されている。
続いて、図7に示すように、第1樹脂層110及び第2樹脂層210をカットする。すなわち、第2樹脂層210の側からレーザー光を照射し、第1領域A1、第2領域A2、及び、第3領域A3のそれぞれにおいて、第1樹脂層110及び第2樹脂層210を同時にカットする。このとき、照射するレーザー光の光源としては、レーザーアブレーションで適用した光源とは波長の異なる光源が適用される。特に、第1樹脂層110や第2樹脂層210に積層された各種薄膜や電極層のマイクロクラックの発生を極力回避することが重要であり、パルス幅が非常に狭い高エネルギーピコ秒レーザー装置などを用いることが望ましい。一例として、第3高調波(THG)レーザー装置が適用可能である。第3高調波レーザー装置の発振波長は例えば355nmであり、周波数は100MHzとした。
このようなレーザー光の照射により、第1樹脂層110及び第2樹脂層210は、第1領域A1、第2領域A2、及び、第3領域A3のそれぞれにおいて、同一形状にカットされる。
その後、レーザー光を照射したカットラインに沿って、第1支持基板100をスクライブすることによって割断する。これにより、それぞれ分離されたチップC1乃至C3が得られる。第1領域A1から得られたチップC1には、第1表示素子部121及び第1実装部131が含まれる。第2領域A2から得られたチップC2には、第2表示素子部122及び第2実装部132が含まれる。第3領域A3から得られたチップC3には、第3表示素子部123及び第3実装部133が含まれる。
続いて、図8に示すように、分離したチップC1について、第1実装部131に信号供給源であるICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3を実装する。このとき、第1実装部131に対向する第2樹脂層210は、第1実装部131から離間する方向に反り返っている。これは、第2樹脂層210の第1実装部131側に形成されたバリア層31が、成膜時に圧縮応力を有するように形成されていたため、第2樹脂層210とともにバリア層31がカットされた際に、バリア層31の圧縮応力が開放され、延伸しようとする内部応力が作用するためである。そして、第2樹脂層210が反り返った状態で、第1実装部131にICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3をそれぞれ実装する。第1樹脂層110の下地として第1支持基板100が残っているため、ICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3を実装する際に印加される押圧力に対して、第1実装部131の支持強度を十分に確保することができる。図示しないが、チップC2の第2実装部132及びチップC3の第3実装部133にもそれぞれ信号供給源を実装する。
続いて、図9に示すように、第1実装部131において、第1樹脂層110と第2樹脂層210とを接着剤42により接着する。これにより、第1実装部131に実装されたICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3は、第1樹脂層110と第2樹脂層210との間に挟持される。図示しないが、チップC2の第2実装部132及びチップC3の第3実装部133についても、接着剤42により第1樹脂層110と第2樹脂層210とを接着する。
続いて、図10に示すように、各チップについて、第1樹脂層110から第1支持基板100を剥離し、第1支持基板100を除去する。詳述しないが、図6に示したレーザーアブレーションと同様に、第1支持基板100の外面の側から第1樹脂層110に向けてレーザー光を照射し、第1支持基板100と第1樹脂層110とを分離する。このときの光源としては、図6で説明したのと同様に、エキシマレーザーを用いた。
これにより、本実施形態の表示装置1が製造される。
上記の本実施形態によれば、第1支持基板100の上にベタの第1樹脂層110を形成した後に表示素子部や実装部などを形成した第1マザー基板M1と、第2支持基板200にベタの第2樹脂層210を形成した後にカラーフィルタ層やバリア層などを形成した第2マザー基板M2とを貼り合わせた後に、レーザー光を照射することで第2樹脂層210から第2支持基板200を剥離し、さらに、別途レーザー光を照射することで第1樹脂層110及び第2樹脂層210を一括してカットする。第1樹脂層110及び第2樹脂層210は同一形状となり、それぞれ最終製品である有機EL表示装置の第1樹脂基板10及び第2樹脂基板30となる。そして、第2樹脂層210のうち、実装部と対向する領域は、接着されていないため、自身の内部応力によって反り返り、実装部を露出する。このため、実装部への信号供給源の実装が容易となる。したがって、表示装置を量産化する上で、生産性を向上することが可能となる。
発明者が検討したところでは、第2樹脂層210の厚さとして30μm以下、望ましくは10μm程度とし、第2樹脂層210の実装部と対向する内面にバリア層を配置することにより、カット直後に適度に自然に反り返ることが確認された。
また、本実施形態によれば、信号供給源を実装した後に、実装部に対向する第2樹脂層210は、第1樹脂層110に接着されるため、信号供給源が第1樹脂層110と第2樹脂層210とで挟持される。このため、信号供給源の実装部からの離脱を抑制することが可能となるとともに、実装強度を向上することが可能となる。また、実装部において、第1樹脂層110と第2樹脂層210とを接着する接着剤は低透湿性であるため、接着剤を介した水分の進入を抑制することが可能となるとともに、水分による信号供給源へのダメージを軽減することが可能となる。したがって、信頼性を向上することが可能となる。
また、本実施形態によれば、第2マザー基板M2において、第2支持基板200の内面200Aの全面には第2樹脂層210が延在している。このため、第2樹脂層210から第2支持基板200を剥離する際に第2マザー基板M2に向けて照射されるレーザー光は、第2樹脂層210で適度に吸収されて第2支持基板200から分離される一方で、第1マザー基板M1に向かう当該レーザー光が第2樹脂層210によって遮光(あるいは吸収)される。これにより、第1マザー基板M1、特に、実装部のレーザー光によるダメージを抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、表示装置1は、第1樹脂基板10及び第2樹脂基板30を適用した構成であるため、ガラス基板を適用した表示装置と比較して、薄型化及び軽量化が可能であるとともに、柔軟性が高く、形状の自由度が高い。また、第1樹脂基板10及び第2樹脂基板30は、それぞれの内面に水分に対するバリア層を備えているため、第1樹脂基板10及び第2樹脂基板30を介した水分の侵入を抑制することが可能となる。このため、有機EL素子OLED1乃至OLED3の水分によるダメージを軽減することが可能となる。したがって、ダークスポットの発生による表示品位の低下を抑制することが可能となる。
次に、本実施形態における表示装置1の他の製造方法について簡単に説明する。なお、上記の製造方法と重複する説明は省略する。
ここで説明する製造方法は、上記の図8を参照して説明した製造方法と比較して、静電吸着することによって第1実装部131に対向する第2樹脂層210を反り返らせる点で相違している。
すなわち、図11に示すように、分離したチップC1の第1実装部131と対向する第2樹脂層210の上方には、静電吸着ヘッド400が設置されている。そして、第1実装部131に信号供給源であるICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3を実装する際には、静電吸着ヘッド400によって静電吸着することにより第2樹脂層210を吸い上げる(つまり、第1実装部131から離間する方向に第2樹脂層210を引き上げる)。これにより、第2樹脂層210は、第1実装部131から離間する方向に反り返る。
そして、第2樹脂層210が反り返った状態で、第1実装部131にICチップ2及びフレキシブルプリント回路基板3をそれぞれ実装する。その後、図9を参照して説明したように、第1実装部131において、第1樹脂層110と第2樹脂層210とを接着剤42により接着し、図10を参照して説明したように、第1樹脂層110から第1支持基板100を剥離する。
このような製造方法においては、上記した製造方法と同様の効果が得られる。
以上説明したように、本実施形態によれば、生産性及び信頼性を向上することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
上記の本実施形態では、表示装置の一例として、有機EL表示装置について説明したが、表示装置の他の例としては液晶表示装置であっても良い。この場合、表示素子部は、陽極の代わりにスイッチング素子に接続された画素電極と、陰極の代わりの共通電極と、有機発光層の代わりに液晶分子を含む液晶層と、を備えて構成され、画素電極と対向電極との間の電界によって液晶分子をスイッチングすることで液晶層を通過する光を変調するものとなる。接着剤41の代わりに閉ループ状のシール材を適用し、第1マザー基板M1と第2マザー基板M2とを貼り合わせる前に液晶材料をシール材で囲まれた内側に滴下する手法などを適用することが可能である。
また、上記の実施形態では、第1支持基板100と第1樹脂層110との剥離や、第2支持基板200と第2樹脂層210との剥離には、上記のようなレーザーアブレーション技術を適用したが、サーマルラピッドアニール技術などの他の技術も適用可能である。
1…表示装置 AR…アレイ基板 CT…対向基板
OLED1乃至OLED3…有機EL素子
10…第1樹脂基板 30…第2樹脂基板 31…バリア層
41…接着剤 42…接着剤

Claims (7)

  1. 第1支持基板の上に延在した第1樹脂層を形成した後に、前記第1樹脂層上において第1領域に第1表示素子部及び第1実装部を形成するとともに前記第1領域に隣接する第2領域に第2表示素子部及び第2実装部を形成した第1基板を用意し、
    第2支持基板の上に第2樹脂層を形成した第2基板を用意し、
    前記第2樹脂層の前記第1基板と対向する側に圧縮応力を有するように成膜されたバリア層を形成し、
    前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、
    前記第2基板に向けて第1レーザー光を照射して、前記第2樹脂層から前記第2支持基板を剥離し、
    前記第1樹脂層及び前記第2樹脂層に向けて前記第1レーザー光とは異なる波長の第2レーザー光を照射して、前記第1樹脂層及び前記第2樹脂層をカットし、
    前記第1実装部に対向する前記第2樹脂層が前記第1実装部から離間する方向に反り返った状態で前記第1実装部に信号供給源を実装し、
    前記第1樹脂層と前記第2樹脂層とをその間に前記信号供給源を挟持した状態で接着する、表示装置の製造方法。
  2. さらに、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる前に、前記第1表示素子部と対向する第1カラーフィルタ層と、前記第2表示素子部と対向する第2カラーフィルタ層と、を形成する、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記信号供給源を実装する工程では、前記第1実装部に対向する前記第2樹脂層を静電吸着することで反り返らせる、請求項1または2に記載の表示装置の製造方法。
  4. さらに、前記信号供給源を実装した後に、前記第1基板に向けて前記第1レーザー光を照射して、前記第1樹脂層から前記第1支持基板を剥離する、請求項1乃至のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  5. 第1樹脂基板と、前記第1樹脂基板上に形成された表示素子部及び実装部と、を備えたアレイ基板と、
    前記第1樹脂基板と同一形状に形成され前記表示素子部及び前記実装部と対向する第2樹脂基板と、前記第2樹脂基板の内面側に形成され圧縮応力を有するバリア層と、を備えた対向基板と、
    前記アレイ基板の前記表示素子部と前記対向基板とを接着する第1接着剤と、
    前記実装部に実装された信号供給源と、
    前記アレイ基板の前記実装部と前記対向基板とをその間に前記信号供給源を挟持した状態で接着する第2接着剤と、
    を備え
    前記バリア層は、前記実装部と対向し、前記第2接着剤と接触している、表示装置。
  6. 前記第2接着剤は、平面視で前記信号供給源とは重ならない位置に延在している、請求項5に記載の表示装置。
  7. 前記対向基板は、さらに、カラーフィルタ層を備え、
    前記カラーフィルタ層は、前記表示素子部と対向し、前記バリア層によって覆われている、請求項5または6に記載の表示装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6182985B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2015156298A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP6445358B2 (ja) * 2015-03-17 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP6462440B2 (ja) * 2015-03-18 2019-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US9799625B2 (en) * 2015-06-12 2017-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
JP6352957B2 (ja) * 2015-12-21 2018-07-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
CN108966693B (zh) * 2016-03-10 2020-08-04 鸿海精密工业股份有限公司 可挠性电子设备的制造方法
KR102467419B1 (ko) 2016-05-13 2022-11-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법
KR102542429B1 (ko) * 2016-05-25 2023-06-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
JP6983039B2 (ja) * 2016-11-29 2021-12-17 住友化学株式会社 ガスバリア性フィルム及びフレキシブル電子デバイス
JP2018120823A (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示パネルの製造方法
WO2018179168A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置
JP6907032B2 (ja) * 2017-06-06 2021-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN108365119A (zh) * 2018-02-07 2018-08-03 上海瀚莅电子科技有限公司 硅基微显示器及其制备方法
JP7434037B2 (ja) * 2020-04-03 2024-02-20 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子の実装方法および表示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4567941B2 (ja) * 2001-12-28 2010-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法
JP4946860B2 (ja) * 2005-02-17 2012-06-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリアフィルム及びその製造方法、並びに該ガスバリアフィルムを用いた、有機el素子用樹脂基材、有機el素子
US7733559B2 (en) * 2006-12-28 2010-06-08 Seiko Epson Corporation Electrophoretic display sheet, electrophoretic display device, and electronic apparatus
JP5258436B2 (ja) * 2008-07-30 2013-08-07 株式会社東芝 表示装置及びその製造方法
EP2374149B1 (en) * 2008-12-05 2018-06-13 Hydis Technologies Co., Ltd Method of forming electronic devices having plastic substrates
JP2010177034A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Sony Corp 表示装置の製造方法および製造装置
JP2011221404A (ja) 2010-04-13 2011-11-04 Bridgestone Corp フレキシブルディスプレイモジュールの製造方法
JP2011227205A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Hitachi Displays Ltd 表示装置
WO2013001771A1 (ja) * 2011-06-28 2013-01-03 シャープ株式会社 表示装置の製造方法
TWI433625B (zh) * 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
JP5685567B2 (ja) * 2012-09-28 2015-03-18 株式会社東芝 表示装置の製造方法
JP2014186169A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toshiba Corp 表示装置の製造方法及び表示装置

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