JP6221456B2 - 発光装置及び照明装置 - Google Patents
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Description
また、特許文献2には、上側主面に発光素子が載置された透光性のサブマウントと、サブマウントの下側主面に蛍光体層と光反射層とが順次形成された発光素子収納用パッケージが記載されている(段落0010〜段落0013及び図2参照)。
また、特許文献2に記載の発光素子収納用パッケージにおいては、光反射層で反射された光は、蛍光体層、サブマウント及び発光素子などを透過して外部に取り出される。
このように透光性層が増加すると、屈折率の異なる層の界面が更に増え、何れかの界面における全反射により、波長変換された光の外部への取り出し効率がむしろ低下する恐れがある。
n1≧n2≧n3
の関係を有するように構成される。
また、本発明の照明装置によれば、発光装置から出力された光を拡散部材で均一に混色した照明光を出力するため、発光効率が良好で、色度むらの少ない照明装置を提供することができる。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
[発光装置の構成]
まず、図1を参照して、第1実施形態に係る発光装置1の構成について説明する。
図1に示すように、発光装置1は、波長変換部材2と、複数の半導体発光素子3(以下、適宜「発光素子」と呼ぶ)と、給電端子4,5と、ワイヤ6と、封止部材7と、を備えて構成されている。発光装置1は、発光素子3が発光した光(例えば、青色光)と、発光素子3が発光した光の一部を波長変換部材2が波長変換した光(例えば、黄色光)とを混色して、主に上方向に出力するものである。
なお、波長変換部材2は、発光素子3が搭載可能な幅であればよく、例えば、発光素子3と同じ幅から数倍〜数十倍程度の幅とすることができる。
また、波長変換部材2の上面の長手方向の両端には、外部電源と接続し、発光素子3に電力を供給するための給電端子4,5が設けられている。
更に、波長変換部材2の上面には、発光素子3を封止する封止部材7が設けられている。
このように材料を選択して構成することにより、反射層24によって反射された光(黄色光)が上方向に伝播する際に、各部材の界面で全反射されることがない。このため、発光装置1は、波長変換された光(黄色光)を効率よく上面から外部に取り出すことができる。
また、第1板状部材21は、発光素子3が発光して下方向に出射される光を透過するとともに、この光を蛍光体層22に広く照射するための導光板としても機能する。
このとき、蛍光体層22が波長変換した光に対する第1板状部材21の屈折率が、蛍光体層22で用いられる樹脂の屈折率以上となるように材料を選択する。
サファイアは、一般的な樹脂材料やガラス材料よりも屈折率が高く、第1板状部材21として好適である。
また、可視光に対する屈折率が比較的に高いガラス材料として、例えば、フリントガラス、重フリントガラス、バリウムクラウンガラスなどを挙げることができる。
また、第1板状部材21の厚さは、支持基板及び導光板としての機能を得られれば特に限定されるものではなく、例えば、50μm〜1000μm程度とすることができる。
これによって、下層から上方向に伝播する光(黄色光)が、第1板状部材21と発光素子3との界面で反射されることなく上層側の発光素子3に伝播することができる。その結果、下層から上方向に伝播する光(黄色光)を、効率よく発光素子3の上面側から外部に取り出すことができる。
このとき、蛍光体層22が波長変換した光に対する蛍光体層22で用いられる樹脂の屈折率が、第1板状部材21の屈折率以下であり、かつ、第2板状部材23の屈折率以上となるように材料を選択する。
第2板状部材23は、前記した第1板状部材21とともに蛍光体層22を挟持し、下面に第2板状部材23を透過する光を上方向に反射するための反射層24が設けられている。また、第2板状部材23は、蛍光体層22が波長変換して下方向に出射された光の一部を、横方向に伝播させる導光板として機能する。これによって、光の一部について、第2板状部材23内を横方向に伝播させ、第2板状部材23の側面から外部に取り出すことができる。
このとき、蛍光体層22が波長変換した光に対する第2板状部材23の屈折率が、蛍光体層22で用いられる樹脂の屈折率以下となるように材料を選択する。
可視光に対する屈折率が比較的低いガラス材料として、例えば、硼珪酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、クラウンガラス、弗珪クラウンガラスなどを挙げることができる。
また、第2板状部材23の厚さは、蛍光体層22の変形から反射層24の割れや剥離などを防止できる剛性及び導光板としての機能を得られれば特に限定されるものではなく、例えば、50μm〜1000μm程度とすることができる。
従って、本実施形態のように、反射層24を、樹脂層である蛍光体層22の下面に直接設けるのではなく、当該樹脂層よりも高い剛性を有するガラス等の材料からなる第2板状部材23を介して設けることにより、反射層24としてDBR膜を用いた場合に、蛍光体層22の変形に伴うDBR膜の割れの発生を防ぎ、割れによる反射層24の反射率の低下を防止することができる。その結果、発光装置1の発光効率の低下や色調変化を抑制した信頼性の高い光源装置とすることができる。
なお、中心波長λ0は、反射させるべき光の波長成分が複数ある場合は、成分の多い波長とすることが好ましい。
図7は、2種類の誘電体層として、SiO2層とNb2O5層とを交互に1〜7ペアを積層した場合の分光反射率特性を測定した結果を示すものである。また、各誘電体層の厚さは、YAG系の蛍光体が発光する黄色光の波長である560nmを中心波長λ0とし、前記したようにλ0/(4ni)となるように設定している。
また、誘電体層の積層数は、屈折率の異なる誘電体層を同数ずつ積層する必要はなく、一方の屈折率の誘電体層が、他方よりも1層だけ多くなるように積層してもよい。すなわち、DBR膜の上下端を当該一方の屈折率の誘電体層となるように積層してもよい。
特に、SiO2及びNb2O5は、可視光域での透光性が高く、両者の屈折率の差が大きいため、これらの材料を組み合わせることで、好適なDBR膜を構成することができる。
光反射材料としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、中空酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素を用いることができる。また、シリコーンパウダーなどの樹脂の粉末を用いることもできる。
樹脂材料としては、前記した蛍光体層22で用いる樹脂と同様のものを用いることができる。
DBR膜によって100%に近い極めて高い反射率を得るためには、例えば、70対(ペア)のように、非常に多数の誘電体層を積層する必要がある。誘電体多層膜は、種類の異なる誘電体層を交互に積層するため、積層数が増加すると製造工程数も増加することとなる。
そこで、DBR膜の積層数を低減することで製造工程数を低減し、反射層24の下端に、少ない工程数で形成することができる金属膜又は樹脂膜を設けることで誘電体の積層数の低減による反射率の低下分を補うように構成してもよい。
また、DBR膜の誘電体の積層数は、7対(ペア)以下とすることが好ましい。これによって、反射層24の製造工程数を低減することができる。
次に、図2を参照して、発光素子3の構成について説明する。
なお、図2(a)に示した平面図においては、後記する保護層36の図示を省略している。また、図2(a)に示す平面図と、図2(b)に示す断面図とは、各部の位置や間隔が厳密には対応していない箇所がある。
なお、発光素子としては、フェイスアップ実装型に限定されず、発光素子に設けられたp側電極及びn側電極を、第1板状部材21の上面に設けた導電部材を介して載置するフェイスダウン実装型のものを用いることもできる。フェイスダウン実装型の発光素子は、ワイヤを使用せずに導電部材を用いて導通を図ることができる。このため、封止部材がワイヤに与える影響(内部応力によるワイヤ断線など)を考慮することなく、当該封止部材の材料を選択することができる。
成長基板31は、半導体積層体32をエピタキシャル成長させるための基板である。成長基板31は、半導体積層体32をエピタキシャル成長させることができる基板材料で形成されればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。例えば、半導体積層体32をGaN(窒化ガリウム)などの窒化物半導体を用いて形成する場合には、基板材料としては、C面、R面、A面の何れかを主面とするサファイアやスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化ケイ素(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。
また、フェイスダウン実装型の発光素子を用いる場合は、成長基板31は、例えば、レーザリフトオフ法やケミカルリフトオフ法などにより最終的に取り除いてもよいし、取り除かなくてもよい。
半導体積層体32は、前記したように、発光層32aを含むn型半導体層32nとp型半導体層32pとが積層された積層体のことである。本実施形態においては、半導体積層体32は、表面の一部において、表面からp型半導体層32p及び発光層32aのすべてと、n型半導体層32nの一部とが除去された段差部32bが設けられている。そして、段差部32bの底面には、n型半導体層32nに電気的に接続されたn側電極33が設けられている。また、段差部32b以外の半導体積層体32の上面であるp型半導体層32pの上面には、p型半導体層32pの略全面と電気的に接続された全面電極35と、全面電極35の上面の一部の領域に設けられたp側電極34と、を積層してなる電極が設けられている。
n型半導体層32n、発光層32a及びp型半導体層32pは、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等のGaN系化合物半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、発光層32aは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
全面電極35は、p型半導体層32pの上面の略全面を覆うように設けられる。全面電極35は、その上面の一部に設けられたp側電極34を介して供給される電流を、p型半導体層32pの全面に均一に拡散するための透光性を有する導体層である。
ここで、透光性を有するとは、発光素子3が発光する波長の光を良好に透過することをいう。更に、波長変換部材2によって変換される波長の光に対しても良好な透光性を有することが好ましい。
また、全面電極35の上面の一部には、p側電極34が設けられており、その他の上面は保護層36により被覆されている。
n側電極33は、n型半導体層32nが露出した半導体積層体32の段差部32bの底面に設けられている。また、p側電極34は、全面電極35の上面の一部に設けられている。n側電極33はn型半導体層32nに、p側電極34は全面電極35を介してp型半導体層32pに、それぞれ電気的に接続して、発光素子3に外部から電流を供給するためのパッド電極である。そのために、n側電極33及びp側電極34は、ワイヤボンディング法等により他の発光素子3の電極又は外部の電極と接合する領域として、保護層36から露出した接合部33a及び接合部34aを有している。
保護層36は、絶縁性及び透光性を有し、成長基板31、n側電極33の接合部33a及びp側電極34の接合部34aを除き、発光素子3の表面全体を被覆する被膜である。保護層36は、発光素子3の保護膜及び帯電防止膜として機能する。
また、保護層36は、光取り出し面側を被覆するため、発光素子3が発光した光及び波長変換部材2が波長変換した光に対して、良好な透光性を有することが好ましい。保護層36としては、前記した反射層24に用いる誘電体材料と同様の材料を用いることができる。
給電端子4,5は、波長変換部材2の第1板状部材21の上面の端部に設けられ、外部の電源と接続して発光装置1に電力を供給するための端子である。また、給電端子4,5は、発光素子3のパッド電極であるn側電極33及びp側電極34と電気的に接続される。図1に示した例では、4個の発光素子3はワイヤ6によって直列に接続されており、右端の発光素子3のn側電極33と給電端子4とがワイヤ6で接続され、左端の発光素子3のp側電極34と給電端子5とがワイヤ6で接続されている。
なお、フェイスダウン実装型の発光素子を用いる場合は、ワイヤ6に代えて、導電性の接合部材を用いる。このような接合部材としては、例えば、Auを挙げることができる。
封止方法は特に限定されるものではないが、例えば、金型を用いた圧縮成形法やトランスファー成形法、あるいは印刷法を用いることができる。また、波長変換部材2の外縁に土手を設け、適度な粘性を有する封止部材7の材料を滴下するポッティング法を用いることもできる。
次に、図3を参照(適宜図1及び図2参照)して、本実施形態に係る発光装置1の動作として、発光装置1から外部に光を取り出す様子について説明する。
なお、ここでは、発光素子3は青色光を発光し、波長変換部材2の蛍光体層22は、発光素子3が発光する青色光を黄色光に変換するものとして説明する。また、図3において、青色光を実線で、黄色光を点線で示す。また、図3において、封止部材7は図示を省略している。
また、発光素子3の下面から出射する青色光は、光線L6〜L8に示すように、第1板状部材21内を下方向に伝播し、下層である蛍光体層22に入射する。また、第1板状部材21を伝播する角度によっては、例えば、光線L9に示すように、第1板状部材21の側面から外部に取り出される。
また、反射位置によっては、光線L20,L21,L22,L23に示すように、蛍光体層22、第1板状部材21、発光素子3及び封止部材7を介して、発光装置1の上面から外部に取り出される。
また、反射層24に対して大きな入射角で入射した黄色光は、光線L15に示すように、横方向に伝播し、第2板状部材23の側面から外部に取り出される。
n1≧n2≧n3
の関係を有するように構成することとした。すなわち、光取り出し面に近い上層ほど屈折率が高いか等しくなるように構成するものである。
このように構成することにより、第1板状部材21、蛍光体層22及び第2板状部材23の各界面で全反射されることなく、上方向に伝播する光線L16,L17,L20,L21を、それぞれの上層側に伝播させることができる。これによって、黄色光を波長変換部材2の上面側から効率よく外部に取り出すことができる。
このように構成することによって、黄色光の一部を発光素子3を介さずに外部に取り出すことができるため、黄色光の外部取り出し効率が向上する。
また、波長変換部材2は、最下層に反射層24を有するため、蛍光体層22で蛍光体に吸収されずに下方向に透過した青色光を、反射層24で反射して再び蛍光体層22に入射させることができるため、発光素子3の下面から出射した青色光を高効率で黄色光に波長変換することができる。
次に、本発明の実施形態に係る発光装置1の製造方法について、図4を参照(適宜図1及び図2参照)して説明する。
なお、製造する発光装置として、発光素子3の半導体材料に窒化物半導体を用いた場合を例として説明する。
発光素子準備工程S11は、図2に示した構成の発光素子3を準備(作製)する工程である。
なお、以下では、発光素子3を作製して準備する工程について説明するが、この工程は必須ではない。すなわち、既成の発光素子(例えば、発光素子メーカー作製によるもの等)を用いるようにしてもよい。
このとき同時に、各発光素子3を区画する分割領域(不図示)についても、半導体積層体32をエッチングにより除去するようにしてもよい。なお、分割領域については、段差部32bと同様に、n型半導体層32nの一部まで除去してもよいし、n型半導体層32nの全部を除去して、成長基板31を露出させるようにしてもよい。
更に、ウエハの表面全体に、例えば、スパッタリングにより、絶縁性のSiO2などの保護層36を形成する。
そして、n側電極33及びp側電極34の外部との接続領域上の保護層36をエッチングにより除去し、接合部33a及び接合部34aを形成する。
次に、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハ状態の発光素子3を分割領域で割断することにより各発光素子3が個片化されたLEDチップを作製する。
なお、ウエハを割断する前に、成長基板31の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。これにより、容易に割断することができる。
波長変換部材準備工程S12は、波長変換部材2を準備(作製)する工程である。
ここでは、蛍光体層22として、紫外線硬化型又は熱硬化型の樹脂を用いる場合について説明する。
まず、所定形状の第1板状部材21及び第2板状部材23を準備する。
次に、第2板状部材23の一方の面に、スパッタリング法やCVD法などにより、屈折率の異なる2種以上の所定の誘電体材料を交互に成膜する。この誘電体材料の交互成膜を所定回数繰り返すことで、反射層24として誘電体多層膜であるDBR膜を形成する。
更にまた、反射層24として樹脂膜を設ける場合は、光反射材料を含有した樹脂材料を、第2板状部材23の一方の面に塗布し、UV照射などにより当該樹脂材料を硬化させることにより形成することができる。
また、蛍光体層22の樹脂層が、誘電体多層膜又は/及び金属膜を成膜する際に印加される熱に対して十分な耐熱性を有する場合は、第1板状部材21、蛍光体層22及び第2板状部材23を一体化した後に、第2板状部材23の裏面側に反射層24であるDBR膜又は/及び金属膜を形成するようにしてもよい。また、反射層24として、樹脂膜を成膜する場合も、第1板状部材21、蛍光体層22及び第2板状部材23を一体化した後に、第2板状部材23の裏面側に反射層24である樹脂膜を形成するようにしてもよい。
次に、発光素子接合工程S13において、発光素子3を、波長変換部材2の第1板状部材21側の上面に接合する。ここで、発光素子3の光取り出し面と反対側の面である成長基板31側の面が第1板状部材21の上面と対向するように接合する。また、このとき、発光素子3が発光する光が第1板状部材21に良好に伝播するように、発光素子3と第1板状部材21とを接合する。
また、接着剤を用いずに両者を直接接合する方法として、表面活性化接合法(例えば、参考文献1参照)、水酸基接合法(例えば、参考文献2参照)などを用いることもできる。
(参考文献1)国際公開第2011/152262号
(参考文献2)高木秀樹,「ウエハ直接接合技術」,オンライン,独立行政法人産業技術総合研究所,[2013年1月31日検索],インターネット(URL:http://staff.aist.go.jp/takagi.hideki/waferbonding.html)
次に、発光素子3と給電端子4,5とを電気的に接続可能なようにさせるボンディング工程S14において、給電端子4と、発光素子3のn側電極33及びp側電極34と、給電端子5との間を、ワイヤボンディング法により、所定の回路を構成するように電気的に接続する。図1に示した例では、ワイヤ6を用いて、正負の給電端子4,5の間に、4個の発光素子3を直列に接続する。
次に、封止工程S15において、発光素子3と、給電端子4,5のワイヤ6の接続部とを含む発光装置1の上面側を封止部材7で封止する。封止部材7としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料、ガラスなどの無機材料などを適宜に用いることができる。また、封止方法は特に限定されるものではないが、例えば、金型を用いた圧縮成形法やトランスファー成形法を用いることができる。また、波長変換部材2の外縁に土手を設け、適度な粘性を有する封止部材7の材料を滴下するポッティング法を用いることもできる。
以上の工程により、図1に示した発光装置1が完成する。
次に、図1及び図2を参照して、第1実施形態に係る発光装置1の変形例について説明する。
第1実施形態に係る発光装置1は、成長基板31を有する発光素子3を、当該成長基板31の下面を接合面として、第1板状部材21の上面と接合するものである。
これに対して、第1実施形態の変形例は、成長基板31が第1板状部材21を兼ねるように構成するものである。すなわち、成長基板31を第1板状部材21として用い、成長基板31の裏面側に、蛍光体層22、第2板状部材23及び反射層24をこの順で積層するものである。
次に、図5を参照(適宜図1参照)して、本発明の第2実施形態に係る照明装置について説明する。図5に示す第2実施形態に係る照明装置10は、第1実施形態に係る発光装置1又はその変形例に係る発光装置を光源装置として備えた照明装置である。
以下に、第1実施形態に係る発光装置1を用いた場合を例として説明するが、変形例に係る発光装置を用いた場合も同様である。
図5に示すように、第2実施形態に係る照明装置10は、発光装置1と、枠体11と、光拡散板(拡散部材)12と、を備えて構成されている。
枠体11は、上面が開口する、例えば、直方体形状の基体である。枠体11の開口部の底面には、発光素子3が載置された面を上向きとして発光装置1が設置されている。また、枠体11の上面側には、開口部に蓋をするように、光拡散板12が設けられている。
本実施形態に係る照明装置10は、発光装置1の出力光である発光素子3が発光した光と波長変換部材2が波長変換した光とが混色した光を、光拡散板12を介して出力し、光拡散板12を介して出力した光を照明光とするものである。
なお、発光装置1の給電端子4,5は、図示は省略するが、リード線などの配線部材を介して外部電源と接続される。
前記したように、第1実施形態に係る発光装置1では、発光素子3の上面及び側面に波長変換のための蛍光体を設けないため、これらの面を介して青色光を効率よく、また安定した光量で外部に取り出すことができるとともに、発光素子3の下面から出射される青色光を、波長変換部材2によって高効率で黄色光に波長変換するとともに、上方向に反射して又は波長変換部材2の側面から外部に取り出すことができる。
従って、発光装置1を用いることにより、消費電力に対して効率の高い照明装置10を構成することができる。
発光素子3の配置間隔や配置密度にもよるが、図3に示すように、発光装置1から取り出される青色光の成分は、発光素子3の上方領域Aから多く取り出される。一方、発光素子3間の上方領域Bでは、青色光の成分が少なく、相対的に黄色光成分が多くなる。従って、発光装置1から出射される光は、色調ムラが生じ易くなる。
光拡散板12としては、例えば、アクリル樹脂などの樹脂材料やガラス材料を用いることができる。また、透光性の板状部材に光拡散性を持たせるために、樹脂材料に粒状の光拡散材料を含有させて成形することで作製することができる。光拡散材料としては、例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化珪素、重質炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム等の拡散剤、及び、これらを少なくとも一種以上含む混合物等を挙げることができる。
また、板状部材の少なくとも一方の面を粗面化して擦りガラス状として光拡散性を持たせるようにしてもよい。
引き続き、図5を参照(適宜図1参照)して、照明装置10の動作について説明する。
照明装置10は、発光装置1の給電端子4,5に、不図示の配線部材を介して外部から電力を供給することにより、発光装置1から青色光LB1と黄色光LY1とが混色した光源光を出力する。
光源光である青色光LB1及び黄色光LY1は、発光装置1から直接に、又は内壁11aで反射されて、光拡散板12に入射する。そして、光拡散板12に入射した青色光LB1及び黄色光LY1は、光拡散板12によって拡散され、それぞれ青色拡散光LB2及び黄色拡散光LY2として出力される。これらの青色拡散光LB2及び黄色拡散光LY2は、一様に混色され、色度ムラの低減された白色拡散光LWからなる照明光が生成される。
[照明装置の構成]
なお、照明装置の形状は、直方体形状に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。かかる変形例の一例を、図6に示す。図6に示した第3実施形態の変形例に係る照明装置10Aは、図5に示した照明装置10における枠体11及び光拡散板12に代えて、それぞれ平板状の基体11A、半円筒形状の光拡散板12Aを用いたものであり、直管型の蛍光灯管を模した外観形状をしている。また、照明装置10Aは、発光装置1が基体11Aの上面に、反射層24(図1参照)を基体11Aの上面と対向するように載置され、半円筒形状の光拡散板12Aが平板状の基体11Aの発光装置1を載置した側の面上を覆うように設けられている。
なお、図6は、直管状の照明装置10Aの中ほどの一部を輪切りにして図示したものである。従って、図示は省略したが、直管の両端には蓋部材が設けられ、蓋部材の一方又は両方に、外部から電力の供給を受けるための接続端子を備え、当該接続端子と発光装置1の給電端子4,5とが、不図示の配線部材を介して接続される。
る。
本変形例に係る照明装置10Aは、発光装置1の給電端子4,5(図1参照)に、不図示の配線部材を介して外部から電力を供給することにより、発光装置1から青色光LB1と黄色光LY1とが混色した光源光を出力する。
図6に示すように、照明装置10Aにおいて、発光装置1から出力された青色光LB1及び黄色光LY1は、半円筒形状の光拡散板12Aの内面から入射すると、光拡散板12Aによって拡散され、青色拡散光LB2(実線で図示)及び黄色拡散光LY2(点線で図示)として、光拡散板12Aの外面から出射される。そして、青色拡散光LB2と黄色拡散光LY2とが一様に混色して白色拡散光LWが生成され、照明装置10Aの照明光として、当該白色拡散光LWが光拡散板12Aの外面全体から出力される。
2 波長変換部材
21 第1板状部材
22 蛍光体層(波長変換層)
23 第2板状部材
24 反射層
3 半導体発光素子(発光素子)
31 成長基板
32 半導体積層体
32n n型半導体層
32a 発光層
32p p型半導体層
32b 段差部
33 n側電極
33a 接合部
33b 延長部
34 p側電極
34a 接合部
34b 延長部
35 全面電極
36 保護層
4 給電端子
5 給電端子
6 ワイヤ
7 封止部材
10,10A 照明装置
11 枠体
11A 基体
11a 内壁
12,12A 光拡散板(拡散部材)
Claims (6)
- 半導体発光素子と、当該半導体発光素子が発光する光を異なる波長の光に変換する波長変換材料を含有する波長変換部材とを備えた発光装置であって、
前記波長変換部材は、
透光性を有する第1板状部材と、前記波長変換材料を含有する樹脂からなる波長変換層と、透光性を有する第2板状部材と、反射層とをこの順で積層してなるとともに、前記第1板状部材の前記波長変換層が設けられた側と反対側の主面上に前記半導体発光素子を載置し、
前記波長変換材料による波長変換後の光の波長において、前記第1板状部材の屈折率をn1、前記波長変換層を構成する樹脂の屈折率をn2、前記第2板状部材の屈折率をn3としたときに、
n1≧n2≧n3
の関係を有することを特徴とする発光装置。 - 前記第1板状部材は、前記波長変換層よりも剛性が高い無機材料からなることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記波長変換層を構成する樹脂は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂から選択されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記第2板状部材は、前記波長変換層よりも剛性が高い無機材料からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記第1板状部材の前記波長変換層が設けられた側と反対側の主面上に、2以上の前記半導体発光素子が互いに離間して載置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の発光装置。
- 請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置が発する光を拡散する透光性の拡散部材と、を備え、
前記拡散部材を透過する光を照明光とすることを特徴とする照明装置。
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