JP6219522B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP6219522B2 JP6219522B2 JP2016538284A JP2016538284A JP6219522B2 JP 6219522 B2 JP6219522 B2 JP 6219522B2 JP 2016538284 A JP2016538284 A JP 2016538284A JP 2016538284 A JP2016538284 A JP 2016538284A JP 6219522 B2 JP6219522 B2 JP 6219522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- substrate
- pin
- support
- protrusions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Description
本明細書で開示される技術は、基板処理装置に関する。 The technology disclosed in this specification relates to a substrate processing apparatus.
従来、液晶表示装置の主要構成部品である液晶パネルを製造する際には、絶縁性基板であるガラス基板の表面にフォトリソグラフィ法により導電膜や絶縁膜を成膜してＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の半導体素子をパターニングしている。ガラス基板上に導電膜や絶縁膜を成膜するに際しては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やエッチング装置、スパッタリング装置等の種々の基板処理装置が用いられる。このような基板処理装置には、基板に対して処理を施すための複数の処理室と、処理室内に配されてガラス基板が支持されるステージと、処理室外に配されたロボットアームとが備えられており、ステージ上においてガラス基板を昇降させる昇降ピンと、ロボットアーム上でガラス基板を支持するための支持パッドとの間でガラス基板が受け渡しされるようになっている。 Conventionally, when manufacturing a liquid crystal panel, which is a main component of a liquid crystal display device, a conductive film or an insulating film is formed on the surface of a glass substrate which is an insulating substrate by a photolithography method, and a TFT (Thin Film Transistor) The semiconductor element such as is patterned. When forming a conductive film or an insulating film on a glass substrate, various substrate processing apparatuses such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, an etching apparatus, and a sputtering apparatus are used. Such a substrate processing apparatus includes a plurality of processing chambers for processing a substrate, a stage disposed in the processing chamber and supporting a glass substrate, and a robot arm disposed outside the processing chamber. The glass substrate is delivered between a lift pin for raising and lowering the glass substrate on the stage and a support pad for supporting the glass substrate on the robot arm.
ところで、このようなガラス基板の受け渡しにおいて、ガラス基板が上記昇降ピンや上記支持パッドから剥離する際、ガラス基板に剥離帯電が発生し、ガラス基板上にパターニングされている半導体素子の静電破壊が起こることがある。特に近年需要が増加している中小型の液晶パネルにおいては、大画面化、高精細化に伴い、従来よりもガラス基板に静電気が溜まり易くなっており、このような静電破壊が問題となっている。 By the way, in the delivery of such a glass substrate, when the glass substrate is peeled off from the lifting pins or the support pads, peeling electrification occurs in the glass substrate, and electrostatic breakdown of the semiconductor element patterned on the glass substrate is caused. May happen. Especially for small and medium-sized liquid crystal panels, for which demand has been increasing in recent years, static electricity is more likely to accumulate on the glass substrate than ever with the increase in screen size and resolution, and such electrostatic breakdown becomes a problem. ing.
そこで下記特許文献１には、絶縁性基板を搬送アームから剥離する際に発生する剥離帯電の低減を図った基板処理装置が開示されている。この基板処理装置では、搬送アームにおける基板載置部の表面を微細な山型の凹凸形状とすることで、絶縁性基板と基板載置部との間の接触面積が小さくなるようにし、絶縁性基板を搬送アームの基板載置部から剥離する際の剥離帯電の低減を図っている。 Therefore, Patent Document 1 below discloses a substrate processing apparatus that reduces the peeling electrification generated when the insulating substrate is peeled from the transfer arm. In this substrate processing apparatus, the surface of the substrate mounting portion in the transfer arm is formed into a fine mountain-shaped uneven shape so that the contact area between the insulating substrate and the substrate mounting portion is reduced, and the insulating property It is intended to reduce the peeling charge when the substrate is peeled from the substrate mounting portion of the transfer arm.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記特許文献１に開示される基板処理装置では、基板載置部を表面加工することで、サンドペーパー等の表面の凹凸形状に相当するような微細な凹凸形状を基板載置部に形成している。このように表面粗さを大きくすることで形成される微細な凹凸形状は不均一であり、凸部の先端が揃い難い。このため、絶縁性基板の板面において搬送アームの基板載置部と接触する箇所が少なく、絶縁性基板と基板載置部との間で十分なグリップ力を確保できないことがある。その結果、絶縁性基板が搬送アーム上において位置ずれすることがある。(Problems to be solved by the invention)
However, in the substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, by forming a surface of the substrate mounting portion, a fine uneven shape corresponding to the uneven shape of the surface of sandpaper or the like is formed on the substrate mounting portion. doing. Thus, the fine uneven | corrugated shape formed by enlarging surface roughness is uneven, and the front-end | tip of a convex part is hard to align. For this reason, there are few places which contact the board | substrate mounting part of a conveyance arm in the board surface of an insulating board | substrate, and sufficient grip force may not be ensured between an insulating board | substrate and a board | substrate mounting part. As a result, the insulating substrate may be displaced on the transfer arm.
本明細書で開示される技術は、上記の課題に鑑みて創作されたものであって、基板の位置ずれを防止ないし抑制しながら、基板の剥離帯電を防止ないし抑制することを目的とする。 The technology disclosed in the present specification has been created in view of the above-described problems, and an object thereof is to prevent or suppress peeling electrification of a substrate while preventing or suppressing displacement of the substrate.
（課題を解決するための手段）
本明細書で開示される技術は、基板に処理を施すための複数の処理部と、前記複数の処理部の間で前記基板を受け渡す受け渡し部と、前記受け渡し部の複数箇所に点在して設けられて前記基板の板面を下側から支持する複数の支持部であって、前記基板の板面と対向する部位に複数の突起が設けられるとともに該突起の先端が前記基板の板面と接触される複数の支持部と、を備え、前記複数の突起の各々は、その先端が同一平面上に位置するものとされる基板処理装置に関する。(Means for solving the problem)
The technology disclosed in this specification is dotted with a plurality of processing units for processing a substrate, a transfer unit that transfers the substrate between the plurality of processing units, and a plurality of locations of the transfer unit. A plurality of support portions that support the plate surface of the substrate from the lower side, wherein a plurality of protrusions are provided at portions facing the plate surface of the substrate, and the tips of the protrusions are disposed on the plate surface of the substrate. Each of the plurality of protrusions is related to a substrate processing apparatus whose tips are located on the same plane.
上記の基板処理装置では、支持部において、基板との対向部位に設けられた突起の先端のみが基板の板面と接触する構成とされる。このため、例えば先端が半球面状とされた従来の支持ピン等の支持部と比べて、基板と支持部との間の接触面積を大幅に小さくすることができる。その結果、支持部から基板を剥離する際の基板の帯電量を小さくすることができ、基板の剥離帯電を防止ないし抑制することができる。 In the substrate processing apparatus, only the tip of the protrusion provided at the portion facing the substrate is in contact with the plate surface of the substrate. For this reason, the contact area between a board | substrate and a support part can be made small significantly compared with support parts, such as the conventional support pin etc. by which the front-end | tip was hemispherical, for example. As a result, the amount of charge on the substrate when the substrate is peeled off from the support portion can be reduced, and peeling charge on the substrate can be prevented or suppressed.
さらに上記の基板処理装置では、各突起の先端が同一平面上に位置するものとされる。このため、各突起が不規則に配されて各突起の先端が揃っていない構成と比べて、基板の板面がより多くの箇所で突起と接触することとなる。その結果、基板と突起との間で良好なグリップ力を確保することができ、支持部によって支持された基板が振動等によって位置ずれすることを防止ないし抑制することができる。以上のように上記の基板処理装置では、基板の位置ずれを防止ないし抑制しながら、基板の剥離帯電を防止ないし抑制することができる。 Furthermore, in the above substrate processing apparatus, the tips of the protrusions are located on the same plane. For this reason, the board surface of the substrate comes into contact with the protrusions at more places than in a configuration in which the protrusions are irregularly arranged and the tips of the protrusions are not aligned. As a result, it is possible to ensure a good grip force between the substrate and the protrusion, and to prevent or suppress the displacement of the substrate supported by the support portion due to vibration or the like. As described above, the substrate processing apparatus described above can prevent or suppress peeling electrification of the substrate while preventing or suppressing the displacement of the substrate.
上記の基板処理装置において、前記複数の突起の各々が錐状であってもよい。 In the substrate processing apparatus, each of the plurality of protrusions may be conical.
この構成によると、各突起の先端が先細り状となるので、各突起が例えば柱状とされた構成と比べて各突起の先端と基板との間の接触面積を小さくすることができ、支持部から基板を剥離する際の基板の帯電量を小さくすることができる。このため、基板の剥離帯電を一層防止ないし抑制することができる。 According to this configuration, since the tip of each projection is tapered, the contact area between the tip of each projection and the substrate can be reduced as compared with a configuration in which each projection has a columnar shape. The amount of charge of the substrate when peeling off the substrate can be reduced. For this reason, peeling electrification of the substrate can be further prevented or suppressed.
上記の基板処理装置において、前記複数の突起の各々が四角錐状であってもよい。 In the substrate processing apparatus, each of the plurality of protrusions may have a quadrangular pyramid shape.
四角錐状の突起は他の錐状の突起と比べて簡単な加工で形成することができる。このため上記の構成では、複数の突起が設けられた支持部を製造し易いものとすることができる。 The quadrangular pyramidal projections can be formed by simple processing compared to other pyramidal projections. For this reason, in said structure, it can be made easy to manufacture the support part provided with the some protrusion.
上記の基板処理装置において、前記複数の突起の各々は、隣り合う該突起との間隔が等しいものとされてもよい。 In the substrate processing apparatus, each of the plurality of protrusions may have an equal interval between the adjacent protrusions.
この構成によると、基板の板面における各突起の先端との接触部位が均等な間隔で点在することとなるため、基板と突起との間に働くグリップ力が基板の板面において偏ることなく、基板の板面に均一にグリップ力が働く。このため、支持部によって支持された基板が振動等によって位置ずれすることを一層防止ないし抑制することができる。 According to this configuration, contact portions with the tips of the protrusions on the plate surface of the substrate are scattered at equal intervals, so that the grip force acting between the substrate and the protrusions is not biased on the plate surface of the substrate. The grip force works uniformly on the plate surface of the substrate. For this reason, it is possible to further prevent or suppress the displacement of the substrate supported by the support portion due to vibration or the like.
上記の基板処理装置において、前記基板はガラス基板であり、前記複数の突起の各々は、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂で形成されていてもよい。 In the substrate processing apparatus, the substrate may be a glass substrate, and each of the plurality of protrusions may be formed of a polyimide resin containing biphenyltetracarboxylic dianhydride.
この構成によると、各突起が上記のポリイミド樹脂以外の材料で形成されている場合と比べて、支持部から基板を剥離する際の基板の帯電量を小さくすることができる。このため、基板の剥離帯電を一層防止ないし抑制することができる。 According to this configuration, the amount of charge of the substrate when the substrate is peeled from the support portion can be reduced as compared with the case where each protrusion is formed of a material other than the polyimide resin. For this reason, peeling electrification of the substrate can be further prevented or suppressed.
（発明の効果）
本明細書で開示される技術によれば、基板の位置ずれを防止ないし抑制しながら、基板の剥離帯電を防止ないし抑制することができる。(Effect of the invention)
According to the technology disclosed in the present specification, it is possible to prevent or suppress the peeling electrification of the substrate while preventing or suppressing the displacement of the substrate.
＜実施形態１＞
図１から図１５を参照して実施形態１を説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０の構成部品である液晶パネル１１の製造過程において、ガラス基板（基板の一例）３０Ａ上に主としてSi系の薄膜を成膜する際に用いられるＣＶＤ装置（基板処理装置の一例）６０（図７参照）について例示する。なお、図１から図５にはＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で共通した方向となるように描かれている。また、図１、図３、及び図５では、図の上側を液晶表示装置１０の上側（表側）とする。<Embodiment 1>
Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, a CVD apparatus (substrate processing) used mainly for forming a Si-based thin film on a glass substrate (an example of a substrate) 30A in the manufacturing process of the
先に液晶表示装置１０、及び液晶パネル１１の構成について説明する。液晶表示装置１０は、図１及び図２に示すように、液晶パネル１１と、液晶パネル１１に実装されて当該液晶パネル１１を駆動する電子部品であるＩＣチップ１７と、ＩＣチップ１７に対して各種入力信号を外部から供給するコントロール基板１９と、液晶パネル１１と外部のコントロール基板１９とを電気的に接続するフレキシブル基板１８と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置１４と、を備えている。また、液晶表示装置１０は、相互に組み付けた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容して保持するための表裏一体の外部部材１５，１６を備えており、このうち表側の外部部材１５には、液晶パネル１１に表示された画像を外部から視認させるための開口部１５Ａが設けられている。
First, the configurations of the liquid
バックライト装置１４は、図１に示すように、表側に向けて開口した略箱型をなすシャーシ１４Ａと、シャーシ１４Ａ内に配された図示しない光源（冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬ等）と、シャーシ１４Ａの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材と、を備えている。光学部材は、光源から出射される光を面状の光に変換する等の機能を有している。光学部材を通過して面状となった光は、液晶パネル１１に入射し、液晶パネル１１において画像を表示するために利用される。
As shown in FIG. 1, the
液晶パネル１１は、図２に示すように、全体として縦長の矩形状をなしており、その長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致し、その短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致している。液晶パネル１１では、その大部分に画像を表示可能な表示領域Ａ１が配され、その長辺方向における一方の端部側（図２に示す下側）に偏った位置に画像が表示されない非表示領域Ａ２が配されている。非表示領域Ａ２の一部には、ＩＣチップ１７及びフレキシブル基板１８が異方性導電膜（不図示）を介した圧着接続によって実装されている。なお、液晶パネル１１では、図１に示すように、後述するカラーフィルタ基板２０よりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示領域Ａ１の外形をなしており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域Ａ２となっている。
As shown in FIG. 2, the
液晶パネル１１は、図３に示すように、透光性に優れた一対のガラス製の基板２０、３０と、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１１Ａと、を備えている。液晶パネル１１を構成する両基板２０，３０は、液晶層１１Ａの厚さ分のセルギャップを維持した状態で図示しないシール材によって貼り合わされている。両基板２０，３０のうち、表側（正面側）の基板２０がカラーフィルタ基板２０とされ、裏側（背面側）の基板３０がアレイ基板３０とされる。両基板２０，３０の内面側には、図３に示すように、液晶層１１Ａに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１１Ｂ，１１Ｃがそれぞれ形成されている。また、両基板２０，３０を構成するガラス基板２０Ａ，３０Ａの外面側には、それぞれ偏光板１１Ｄ，１１Ｅが貼り付けられている。
As shown in FIG. 3, the
カラーフィルタ基板２０は、図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板３０とほぼ同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板３０よりも小さく、アレイ基板３０に対して長辺方向についての一方の端部（図２に示す上側）を揃えた状態で貼り合わされている。従って、アレイ基板３０のうち長辺方向についての他方の端部（図１に示す下側）は、所定範囲に亘ってカラーフィルタ基板２０が重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにＩＣチップ１７及びフレキシブル基板１８の実装領域が確保されている。アレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａは、その主要部分にカラーフィルタ基板２０及び偏光板１１Ｅが貼り合わされており、ＩＣチップ１７及びフレキシブル基板１８の実装領域が確保された部分がカラーフィルタ基板２０及び偏光板１１Ｅと非重畳とされている。
As shown in FIG. 2, the
続いてアレイ基板３０及びカラーフィルタ基板２０における表示領域Ａ１内の構成について説明する。アレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａの内面側（液晶層１１Ａ側）には、図３及び図４に示すように、３つの電極３２Ａ〜３２Ｃを有するスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）３２及びＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる画素電極３３が多数個並んで設けられている。これらＴＦＴ３２及び画素電極３３の周りには、図４に示すように、格子状をなすゲート配線３４及びソース配線３５が取り囲むようにして配設されている。ゲート配線３４とソース配線３５はそれぞれＴＦＴ３２のゲート電極３２Ａとソース電極３２Ｂとに接続され、画素電極３３がドレイン配線（不図示）を介してＴＦＴ３２のドレイン電極３２Ｃに接続されている。
Next, the configuration in the display area A1 of the
また、アレイ基板３０には、ゲート配線３４に並行するとともに画素電極３３に対して平面に視て重畳する容量配線３６が設けられている。容量配線３６は、Ｙ軸方向についてゲート配線３４と交互に配されている。ゲート配線３４がＹ軸方向に隣り合う画素電極３３の間に配されているのに対し、容量配線３６は、各画素電極３３におけるＹ軸方向のほぼ中央部を横切る位置に配されている。このアレイ基板３０の端部には、ゲート配線３４及び容量配線３６から引き回された端子部及びソース配線３５から引き回された端子部が設けられており、これらの各端子部には、図１に示すコントロール基板１９から各信号または基準電位が入力されるようになっており、それによりＴＦＴ３２の駆動が制御される。
The
一方、カラーフィルタ基板２０を構成するガラス基板２０Ａの内面側（液晶層１１Ａ側）には、図３に示すように、アレイ基板３０の各画素電極３３と平面に視て重畳する位置に多数個のカラーフィルタが並んで設けられている。カラーフィルタは、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）を呈する各着色部２２がＸ軸方向に沿って交互に並ぶ配置とされる。カラーフィルタを構成する各着色部２２間には、混色を防ぐための略格子状の遮光部（ブラックマトリクス）２３が形成されている。遮光部２３は、アレイ基板３０側のゲート配線３４、ソース配線３５、及び容量配線３６に対して平面に視て重畳する配置とされる。また、各着色部２２及び遮光部２３の表面には、アレイ基板３０側の画素電極３３と対向する対向電極２４が設けられている。液晶パネル１１では、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色部２２及びそれらと対向する３つの画素電極３３の組によって表示単位である１つの表示画素が構成されている。
On the other hand, on the inner surface side (
ここで、アレイ基板３０に設けられたスイッチング素子であるＴＦＴ３２について詳しく説明する。ＴＦＴ３２は、図４及び図５に示すように、アレイ基板３０上に複数の膜を積層した構成とされている。具体的には、図５に示すように、下層側（ガラス基板３０Ａ側）から順に、ゲート配線３４に接続されたゲート電極３２Ａ、ゲート絶縁膜３７、半導体膜３８、ソース配線３５に接続されたソース電極３２Ｂ及び画素電極３３に接続されたドレイン電極３２Ｃ、層間絶縁膜３９、保護膜４０が積層されている。
Here, the
ゲート電極３２Ａは、ゲート配線３４と同一材料からなるとともにゲート配線３４と同一工程にてアレイ基板３０上にパターニングされており、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、タンデル（Ta）、チタン（Ti）、銅（Cu）等の金属膜単体又はこれらの金属窒化物との積層膜で形成することができる。ゲート絶縁膜３７は、例えばシリコン酸化膜（SiOx）からなり、ゲート電極３２Ａと半導体膜３８との間を絶縁する。半導体膜３８は、例えばアモルファスシリコン（a−Si）又は透明なアモルファス酸化物半導体（InGaZnOx）からなり、一端側がドレイン電極３２Ｃに、他端側がソース電極３２Ｂにそれぞれ接続されることで、相互間の導通を図るチャネル領域として機能する。
The
ソース電極３２Ｂ及びドレイン電極３２Ｃは、ソース配線３５と同一材料を含むとともにソース配線３５と同一工程にてアレイ基板３０上にパターニングされている。ソース電極３２Ｂ及びドレイン電極３２Ｃは、下層側（半導体膜３８側）の第１導電膜３２Ｂ１，３２Ｃ１と上層側（層間絶縁膜３９側）の第２導電膜３２Ｂ２，３２Ｃ２とを積層した構成とされる。下層側の第１導電膜３２Ｂ１，３２Ｃ１は、リン（P）等のｎ型不純物を高濃度にドーピングしたアモルファスシリコン（n+Si）からなり、オーミックコンタクト層として機能する。上層側の第２導電膜３２Ｂ２，３２Ｃ２は、異なる金属膜を積層してなる２層構造とされており、そのうち下層側の金属膜がチタン（Ti）からなり、上層側の金属膜がアルミニウム（Al）からなる。
The source electrode 32 </ b> B and the
上記したソース電極３２Ｂ及びドレイン電極３２Ｃは、所定の間隔（開口領域）を挟んで対向状に配されているため、相互が直接的には電気的に接続されていない。しかし、ソース電極３２Ｂ及びドレイン電極３２Ｃは、その下層側の半導体膜３８を介して間接的に電気的に接続されており、この半導体膜３８における両電極３２Ｂ，３２Ｃ間のブリッジ部分が、ドレイン電流が流れるチャネル領域として機能する。
Since the
層間絶縁膜３９は、例えばシリコン酸化膜（SiOx）からなり、上記したゲート絶縁膜３７と同一材料とされる。保護膜４０は、有機材料であるアクリル樹脂（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（PMMA））やポリイミド樹脂からなる。従って、この保護膜４０は、他の無機材料からなるゲート絶縁膜３７、層間絶縁膜３９に比べて膜厚が厚いものとされるとともに、平坦化膜として機能する。なお、ＴＦＴ３２における各絶縁膜（ゲート絶縁膜３７、層間絶縁膜３９及び保護膜４０）は、それぞれアレイ基板３０においてＴＦＴ３２の形成領域以外の領域を含みつつ概ね全域に亘って均一な膜厚で形成されている。
The
上記したＴＦＴ３２、画素電極３３、及び各配線３４，３５，３６等の薄膜をアレイ基板３０上に形成するに際しては、既知のフォトリソグラフィ法が用いられ、そのために各種製造装置５０〜５６が用いられている。具体的には、製造装置５０〜５６としては、図６に示すように、洗浄装置５０、成膜装置５１、レジスト塗布装置５２、露光装置５３、現像装置５４、エッチング装置５５、及びレジスト剥離装置５６が用いられる。そして、アレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａには、洗浄装置５０による洗浄工程、成膜装置５１による成膜工程、レジスト塗布装置５２によるレジスト塗布工程、露光装置５３による露光工程、現像装置５４による現像工程、エッチング装置５５によるエッチング工程、レジスト剥離装置５６によるレジスト剥離工程を経ることで、目的の薄膜が所定のパターンで形成され、この手順を各薄膜について繰り返し行うことで、各薄膜が順に積層されて形成される。
In forming thin films such as the
具体的には、洗浄工程では、洗浄装置５０により、各薄膜を形成する前のガラス基板３０Ａ上に洗浄液を供給することでガラス基板３０Ａを洗浄し、ガラス基板３０Ａ上の塵や埃等を除去する。成膜工程では、成膜装置５１により、形成する薄膜の材料をガラス基板３０Ａの板面に対して均一な膜厚となるように成膜する。この成膜装置５１としては、具体的には、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、真空蒸着装置等が用いられる。レジスト塗布工程では、レジスト塗布装置５２により、成膜装置５１によって成膜された材料膜に対してフォトレジストを均一な膜厚となるように塗布して積層形成する。このとき、フォトレジストとしては、ポジ型、またはネガ型のものが用いられる。露光工程では、露光装置５３により、レジスト塗布装置５２により塗布されたフォトレジストに対して、所定のパターンを有するフォトマスクを介してＵＶ光等を照射することで、フォトマスクのパターンに応じた範囲を露光する。
Specifically, in the cleaning process, the
現像工程では、現像装置５４により、ガラス基板３０Ａの板面上に現像液を供給することで、フォトレジストを現像し、露光領域又は非露光領域のいずれかを除去する。エッチング工程では、エッチング装置５５により、材料膜のうち残されたフォトレジストによって覆われていない領域をエッチングして除去することで、材料膜をパターニングする。エッチング装置５５としては、具体的には、エッチングガスやイオン、ラジカルによって材料膜をエッチングするドライエッチング装置やエッチング液によって材料膜をエッチングするウェットエッチング装置等が用いられる。このうちウェットエッチング装置では、ガラス基板３０Ａの板面上にエッチング液を供給することで、材料膜をエッチングする。レジスト剥離工程では、レジスト剥離装置５６により、ガラス基板３０Ａの板面上にレジスト剥離液を供給することで、残されたフォトレジストを除去する。
In the development process, the developing
さて、上述した成膜工程で用いられる各種成膜装置５１のうち、ガラス基板３０Ａ上にゲート絶縁膜３７や層間絶縁膜３９等のSi系の薄膜を形成するためには、ＣＶＤ装置６０が用いられる。以下では、このＣＶＤ装置６０の構成について詳しく説明する。ＣＶＤ装置６０は、図７に示すように、ガラス基板３０Ａを収容して当該ガラス基板３０Ａに対して化学気相蒸着を施す複数の処理室（処理部の一例）６２と、処理室６２に隣接して設けられ、減圧部７２を有する複数のロードロック室６４と、各処理室６２内を加熱するヒータ室６６と、各処理室６２と各ロードロック室６４とヒータ室６６とに囲まれた形で設けられ、内部にロボットアーム（受け渡し部の一例）６８が配されたロボット移載室６９と、を備えている。なお、図７では、説明のため、ロボット移載室６９について、内部のロボットアーム６８を露出させた形で示している。
Of the various
上述したＣＶＤ装置６０の構成のうち、ロードロック室６４について説明する。各ロードロック室６４は、処理室６２を大気に開放しないために設けられており、ロードロック室６４と処理室６２との間は図示しないゲートバルブで仕切られている。ロードロック室６４内には、図８に示すように、処理対象物であるガラス基板３０Ａが載置されるステージ（受け渡し部の一例）７０が設けられている。ステージ７０は、上記ゲートバルブが開かれた状態で、ロードロック室６４と処理室６２との間を移動可能とされている。また、ロードロック室６４の外部には、図８に示すように、減圧部７２と、排気配管７４と、圧力調整弁７６とが設けられている。減圧部７２は、排気配管７４を介してロードロック室６４に接続されており、ロードロック室６４内の空気を吸引する真空ポンプを有している。圧力調整弁７６は、排気配管７４の途中に設けられており、その開度が電気的に制御されることで、ロードロック室６４内の圧力を微調整できるものとされる。
Of the structure of the
上述したステージ７０には、図８に示すように、ステージ７０上においてガラス基板３０Ａを昇降させるための９本の昇降ピン（支持部の一例）８０が内蔵されている。ステージ７０には、各昇降ピン８０を収容する収容孔７０Ａ（図９参照）がそれぞれ形成されている。各収容孔７０Ａは、ステージ７０の上面７０Ｂに開口する形で形成されており、昇降ピン８０をステージ７０の上面７０Ｂから引っ込んだ状態（待機状態）に待機させることができる。各昇降ピン８０は、図示しないモータに対して機械的に接続されることで、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って上下に進退可能とされており、上記した待機位置とステージ７０上に突き出した所定の高さ位置（受け渡し位置）との間を移動することができる。
As shown in FIG. 8, the above-described
ステージ７０は、詳しくは、図１０に示すように、平面視においてガラス基板３０Ａに倣って横長な方形状をなしており、ガラス基板３０Ａが載置される上面７０Ｂの面内に９本の昇降ピン８０が点在して設けられている。具体的には、昇降ピン８０は、ステージ７０においてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って３本ずつ並んで配されており、ガラス基板３０Ａにおける四隅の角部と、中心部と、長辺方向についての２つの中央部と、短辺方向についての２つの中央部との計９箇所を、鉛直方向の下側から支持することが可能とされている。
Specifically, as shown in FIG. 10, the
昇降ピン８０は、図９及び図１１に示すように、シャフト部８０Ａとシャフト部８０Ａに対して着脱可能に取り付けられるヘッド部８０Ｂとからなり、全体として円柱状をなしている。シャフト部８０Ａは、アルミニウム等の金属材料又はハイドログラファイト等の無機材料からなっている。ヘッド部８０Ｂは、合成樹脂、詳しくはビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂からなっている。上記した収容孔７０Ａは、昇降ピン８０の外周面との間に所定の隙間（例えば０．５ｍｍ）を空けた状態で昇降ピン８０を収容できる大きさとされている。昇降ピン８０におけるヘッド部８０Ｂの先端部、即ちガラス基板３０Ａの板面と対向する部位には、複数のピン側突起（突起の一例）８２が設けられている。これらのピン側突起８２は、その先端部（先細り状とされた部位）がガラス基板３０Ａ側（上側）に向けられた正四角錐状となっており、隣り合うピン側突起８２同士が隙間無く隣接した形でマトリクス状に配されている。
As shown in FIGS. 9 and 11, the elevating
また、昇降ピン８０のヘッド部８０Ｂに設けられた複数のピン側突起８２の大きさは、それぞれ等しいものとなっている。このため、図１１に示すように、複数のピン側突起８２の各々は、その先端が同一の平面Ｐ１上に位置するものとされる。従って、ステージ７０の各収容孔７０Ａに収容された各昇降ピン８０が上昇すると、各昇降ピン８０における複数のピン側突起８２の先端がガラス基板３０Ａにおける下側の板面に対してそれぞれ接触され、ガラス基板３０Ａが安定的に支持された状態でステージ７０上に持ち上げられるようになっている。このとき、各昇降ピン８０における複数のピン側突起８２の先端が全てガラス基板３０Ａと接触されるため、仮に各昇降ピンにおける一部のピン側突起の先端のみがガラス基板３０Ａと接触される構成と比べると、各昇降ピン８０とガラス基板３０Ａとの間に働く摩擦力が大きく（グリップ力が大きく）、各昇降ピン８０に支持されたガラス基板３０Ａの板面が各昇降ピン８０上で滑り難いものとされる。
Further, the plurality of pin-
次に、ロボットアーム６８の構成について説明する。ロボットアーム６８は、図１２に示すように、主部６８Ａと、主部６８Ａの両端から二又状に分岐して伸びる一対の分岐部６８Ｂとを備えている。ロボットアーム６８の一対の分岐部６８Ｂは、いずれも平板状とされ、両板面を上下方向に向けた姿勢で、所定の間隔を空けて略平行となるように設けられている。ロボットアーム６８は、ロボット移載室６９に設けられた図示しない駆動機構によって、その主部６８Ａが上下方向及び平面方向に駆動可能とされるともに上下方向に伸びる軸周りに３６０°回転可能とされている。また、一対の分岐部６８Ｂには、分岐部６８Ｂ上においてガラス基板３０Ａの板面を支持するための支持パッド（支持部の一例）９０が点在して設けられている。詳しくは、各分岐部６８Ｂには、支持パッド９０がそれぞれ５枚ずつ設けられており、一対の分岐部６８Ｂの間がガラス基板３０Ａの板面によって架け渡される形でガラス基板３０Ａが支持されるようになっている。従って、ロボットアーム６８では、計１０枚の支持パッド９０によって、ガラス基板３０Ａが支持される。なお、ロボットアーム６８では、主部６８Ａから一対の分岐部６８Ｂがそれぞれ伸びる側（図１２における左下側）がロボットアーム６８の正面側とされる。
Next, the configuration of the
各支持パッド９０は、図１３に示すように、平面視において長方形状をなす平板状とされており、昇降ピン８０のヘッド部８０Ｂと同様に、合成樹脂、詳しくはビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂からなっている。各支持パッド９０の四隅には、取付孔９０Ａがそれぞれ設けられており、これらの取付孔９０Ａにネジ等が挿通されて各分岐部６８Ｂの下側に配される対向パッド９１（図１５参照）との間で各分岐部６８Ｂを挟み込むことで、各支持パッド９０が各分岐部６８Ｂに取り付けられるようになっている。また、各支持パッド９０には、６つのパッド側突起（突起の一例）９２が設けられている。これらのパッド側突起９２は、ピン側突起８２と同様に、その先端部（先細り状とされた部位）が支持対象とされるガラス基板３０Ａ側（上側）に向けられた正四角錐状となっており、隣り合うパッド側突起９２との間に所定の間隔を空けて直線状に配されている（図１３及び図１４参照）。
As shown in FIG. 13, each
各支持パッド９０に設けられた６つのパッド側突起９２の大きさは、それぞれ等しいものとなっている。このため、６つのパッド側突起９２の各々は、その先端が同一の平面上に位置するものとされる。従って、ロボットアーム６８によってガラス基板３０Ａが支持される際、各支持パッド９０における６つのパッド側突起９２の先端がガラス基板３０Ａにおける下側の板面に対してそれぞれ接触され、ガラス基板３０Ａがロボットアーム６８に安定的に支持されるようになっている（図１５参照）。このとき、各支持パッド９０における各パッド側突起９２の先端が全てガラス基板３０Ａと接触されるため、仮に各支持パッドにおける一部のパッド側突起の先端のみがガラス基板３０Ａと接触される構成と比べると、各支持パッド９０とガラス基板３０Ａとの間に働く摩擦力が大きく（グリップ力が大きく）、各支持パッド９０に支持されたガラス基板３０Ａの板面が各支持パッド９０上で滑り難いものとされる。
The six pad-
次に、上記のような構成とされたＣＶＤ装置６０におけるガラス基板３０Ａの受け渡し態様について説明する。ＣＶＤ装置６０において、ガラス基板３０Ａ上に化学気相蒸着を施すためにガラス基板３０Ａを各処理室６２内に収容する際には、まず、上昇された状態のロボットアーム６８にガラス基板３０Ａを支持する。そして、ガラス基板３０Ａが収容される処理室６２と隣接するロードロック室６４側にロボットアーム６８の正面側が向けられるように、ロボットアーム６８を回転する。次に、上述したゲートバルブが閉ざされた状態で、ロボットアーム６８を当該ロードロック室６４内に搬入し、ロボットアームを下降させることで、受け渡し位置までせり上がった各昇降ピン８０上にガラス基板３０Ａを受け渡す。このとき、ロボットアーム６８の各支持パッド９０に設けられた各パッド側突起９２の先端がガラス基板３０Ａから剥離する。このため、仮にロボットアームの各支持パッドに上記パッド側突起が設けられておらず、各支持パッドにおけるガラス基板３０Ａ側に向けられる面が平坦面状や半球面状等とされた構成と比べて、本実施形態では、ガラス基板３０Ａを各昇降ピン８０上に受け渡す際に、各支持パッド９０においてガラス基板３０Ａから剥離する面積が小さく、ガラス基板３０Ａに剥離帯電が発生し難いものとされる。
Next, a delivery mode of the
ガラス基板３０Ａを各昇降ピン８０上に受け渡すと、ロボットアーム６８をロードロック室６４内から引き戻し、次に、昇降ピン８０を下降させて待機位置に至らせることで、ガラス基板３０Ａをステージ７０上に載置することができる。その後、ロードロック室６４を閉じ、ロードロック室６４内を真空状態とした後、ゲートバルブを開いてステージ７０を移動させることで、ロードロック室６４内から処理室６２内へとガラス基板３０Ａを搬送する。処理室６２内でガラス基板３０Ａに対する処理が終了すると、上記と逆の手順で各昇降ピン８０上に支持されたガラス基板３０Ａをロボットアーム６８へと受け渡す。このとき、各昇降ピン８０のヘッド部８０Ｂに設けられたピン側突起８２の先端がガラス基板３０Ａから剥離する。このため、仮に各昇降ピンのヘッド部に上記ピン側突起が設けられておらず、各昇降ピンのヘッド部におけるガラス基板側に向けられる面が平面状や半球面状とされた構成と比べて、本実施形態では、ガラス基板３０Ａをロボットアーム６８へと受け渡す際に、各昇降ピン８０のヘッド部８０Ｂにおいてガラス基板３０Ａから剥離する面積が小さく、ガラス基板３０Ａに剥離帯電が発生し難いものとされる。その結果、ガラス基板３０Ａの剥離帯電に起因してガラス基板３０Ａ上の各種薄膜が静電破壊されることが防止ないし抑制されている。
When the
以上説明したように本実施形態のＣＶＤ装置６０では、昇降ピン８０及び支持パッド９０において、ガラス基板３０Ａとの対向部位に設けられたピン側突起８２及びパッド側突起９２の先端のみがガラス基板３０Ａの板面と接触する構成とされる。このため、例えば先端が半球面状とされた従来の支持ピンや支持パッド等と比べて、ガラス基板３０Ａと昇降ピン８０との間の接触面積、及びガラス基板３０Ａと支持パッド９０との間の接触面積、をそれぞれ大幅に小さくすることができる。その結果、昇降ピン８０からガラス基板３０Ａを剥離する際のガラス基板３０Ａの帯電量、及び支持パッド９０からガラス基板３０Ａを剥離する際のガラス基板３０Ａの帯電量をそれぞれ小さくすることができ、ガラス基板３０Ａの剥離帯電を防止ないし抑制することができる。
As described above, in the
さらに本実施形態のＣＶＤ装置６０では、各ピン側突起８２の先端が同一平面上に位置するものとされるとともに、各パッド側突起９２の先端が同一平面上に位置するものとされる。このため、各ピン側突起や各パッド側突起が不規則に配されてそれらの先端が揃っていない構成と比べて、ガラス基板３０Ａの板面がより多くの箇所で各ピン側突起８２又は各パッド側突起９２と接触することとなる。その結果、ガラス基板３０Ａとピン側突起８２との間、及びガラス基板３０Ａとパッド側突起９２との間でそれぞれ良好なグリップ力を確保することができ、各昇降ピン８０によって支持されたガラス基板３０Ａ及び各支持パッド９０によって支持されたガラス基板３０Ａが振動等によって位置ずれすることを防止ないし抑制することができる。
Furthermore, in the
また、本実施形態では、各ピン側突起８２及び各パッド側突起９２がいずれも四角錐状とされている。このような構成とされていることで、各ピン側突起８２及び各パッド側突起９２の先端が先細り状となるため、各ピン側突起８２及び各パッド側突起９２が例えば柱状とされた構成と比べて各ピン側突起８２の先端とガラス基板３０Ａとの間の接触面積、及び各パッド側突起９２の先端とガラス基板３０Ａとの間の接触面積をそれぞれ小さくすることができる。このため、ガラス基板３０Ａの剥離帯電を一層防止ないし抑制することができる。
In the present embodiment, each pin-
ここで、四角錐状の突起は他の錐状の突起と比べて簡単な加工で形成することができる。本実施形態では、各ピン側突起８２及び各パッド側突起９２がいずれも四角錐状とされていることで、各ピン側突起８２が設けられた昇降ピン８０、及び各パッド側突起９２が設けられた支持パッド９０をそれぞれ製造し易いものとすることができる。
Here, the quadrangular pyramid-shaped protrusions can be formed by simple processing as compared with other conical-shaped protrusions. In the present embodiment, the pin-
また、本実施形態では、隣り合うピン側突起８２同士が隙間無く隣接した形でマトリクス状に配されており、さらに、隣り合うパッド側突起９２同士が間に所定の間隔を空けて直線状に配されている。このため、ガラス基板３０Ａと各ピン側突起８２との間に働くグリップ力、及びガラス基板３０Ａと各パッド側突起９２との間に働くグリップ力がそれぞれガラス基板３０Ａの板面において偏ることがなく、ガラス基板３０Ａの板面に均一にグリップ力が働く。このため、昇降ピン８０や支持パッド９０によって支持されたガラス基板３０Ａが振動等によって位置ずれすることを一層防止ないし抑制することができる。
Further, in the present embodiment, the adjacent
また、本実施形態では、各ピン側突起８２及び各パッド側突起９２がいずれもビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂で形成されている。このような構成とされていることで、仮に各ピン側突起や各パッド側突起がこのようなポリイミド樹脂以外の材料で形成されている場合と比べて、昇降ピン８０や支持パッド９０からガラス基板３０Ａを剥離する際のガラス基板３０Ａの帯電量を小さくすることができる。
In the present embodiment, each pin-
さらに、上記のように各ピン側突起８２及び各パッド側突起９２がいずれもポリイミド樹脂等の樹脂材料で形成されていることで、例えば各ピン側突起及び各パッド側突起がいずれもセラミック等の金属材料で形成されている場合と比べて、各ピン側突起８２及び各パッド側突起９２に支持されるガラス基板３０Ａに傷が付き難いものとなっている。
Further, as described above, each of the pin-
＜実施形態２＞
図１６から図１９を参照して実施形態２を説明する。実施形態２は、液晶パネル１１の製造過程において、ガラス基板３０Ａ上に成膜された各種薄膜にパターンを転写する際に用いられるドライエッチング装置（基板処理装置の一例）１６０（図１６参照）について例示する。このドライエッチング装置１６０は、図１６に示すように、ガラス基板３０Ａを収容して当該ガラス基板３０Ａに対してドライエッチング処理を施す４つのチャンバー室（処理部の一例）１６２と、減圧部を有する１つのロードロック室１６４と、各チャンバー室１６２とロードロック室１６４とに囲まれた形で設けられ、内部にロボットアーム１６８が配されたロボット移載室１６９と、を備えている。なお、図１６では、説明のため、ロボット移載室１６９について、内部のロボットアーム１６８を露出させた形で示している。また、本実施形態のロボットアーム１６８は、実施形態１で説明したロボットアーム６８と外観が多少異なるものの、その構成についてはほぼ同様であるため、構造、作用、及び効果の説明は省略する。<Embodiment 2>
The second embodiment will be described with reference to FIGS. 16 to 19. Embodiment 2 relates to a dry etching apparatus (an example of a substrate processing apparatus) 160 (see FIG. 16) used for transferring a pattern to various thin films formed on a
各チャンバー室１６２内には、図１７に示すように、処理対象物であるガラス基板３０Ａが配されるステージ１７０が設けられている。このステージ１７０は、平面視において長方形状となっており、その四隅側にそれぞれ設けられた４つの支持アーム（受け渡し部の一例）１７２によって、ステージ１７０上においてガラス基板３０Ａが支持されるようになっている。各支持アーム１７２は、細長い軸状をなしており、その一端部がステージ１７０外に設けられたアーム固定部１７４に対して上下方向に伸びる軸周りに回転可能に軸支されている。各チャンバー室１６２では、ステージ１７０上にガラス基板３０Ａが配される場合には、図１７に示すように各支持アーム１７２がステージ１７０上に位置するように回転駆動され、ステージ１７０上にガラス基板３０Ａが配されない場合には、各支持アーム１７２がステージ１７０上に位置しないように回転駆動される。
In each
また、各チャンバー室１６２内に設けられた各支持アーム１７２には、ステージ１７０上においてガラス基板３０Ａを支持するための支持ピン（支持部の一例）１８０が、所定の間隔を空けて２箇所に点在して設けられている。従って、ガラス基板３０Ａは、各チャンバー室１６２内において、その四隅がそれぞれ４つの支持アーム１７２上に位置した状態で、各支持アーム１７２について２箇所ずつ、計８箇所で支持されるようになっている。各支持ピン１８０は、図１８及び図１９に示すように、支持アーム１７２に対して着脱可能に取り付けられるシャフト部１８０Ａと支持アーム１７２の上側に露出するヘッド部１８０Ｂとからなり、シャフト部１８０Ａについては円柱状をなし、ヘッド部１８０Ｂについてはシャフト部１８０Ａよりも径大な円板状をなしている。各支持ピン１８０は、少なくともヘッド部１８０Ｂが、合成樹脂、詳しくはビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂からなっている。また、各支持ピン１８０のシャフト部１８０Ａには、シャフト部１８０Ａを当該シャフト部１８０Ａの柱軸方向と直交する方向に貫通する貫通孔１８０Ａ１が設けられている。各支持ピン１８０は、そのシャフト部１８０Ａが支持アーム１７２に埋め込まれた状態で貫通孔１８０Ａ１にネジ等が挿通されることで、支持アーム１７２に対して取り付けられている。
Further, on each
支持ピン１８０におけるヘッド部１８０Ｂの先端部、即ちガラス基板３０Ａの板面と対向する部位には、図１８及び図１９に示すように、複数のピン側突起（突起の一例）１８２が設けられている。これらのピン側突起１８２は、その先端部（先細り状とされた部位）がガラス基板３０Ａ側（上側）に向けられた正四角錐状となっており、隣り合うピン側突起１８２同士が隙間無く隣接した形でマトリクス状に配されている。また、支持ピン１８０のヘッド部１８０Ｂに設けられた複数のピン側突起１８２の大きさは、それぞれ等しいものとなっており、これにより、複数のピン側突起１８２の各々は、その先端が同一平面上に位置するものとされる。従って、ガラス基板の４隅が各支持アーム状に位置した状態で、各支持ピン１８０における複数のピン側突起１８２の先端がガラス基板３０Ａにおける下側の板面に対してそれぞれ接触され、チャンバー室１６２内でガラス基板３０Ａが安定的に支持されるようになっている。このとき、各支持ピン１８０における複数のピン側突起１８２の先端が全てガラス基板３０Ａと接触されるため、仮に各支持ピンにおける一部のピン側突起の先端のみがガラス基板３０Ａと接触される構成と比べると、各支持ピン１８０とガラス基板３０Ａとの間に働く摩擦力が大きく（グリップ力が大きく）、各支持ピン１８０に支持されたガラス基板３０Ａの板面が各支持ピン１８０上で滑り難いものとされる。
As shown in FIGS. 18 and 19, a plurality of pin-side protrusions (an example of protrusions) 182 are provided at the tip of the
以上説明したように本実施形態のドライエッチング装置１６０では、支持アーム１７２に設けられた支持ピン１８０が上記のような構成とされていることで、実施形態１のＣＶＤ装置６０における昇降ピン８０と同様に、ガラス基板３０Ａと支持ピン１８０との間の接触面積を大幅に小さくすることができる。このため、支持ピン１８０からガラス基板３０Ａを剥離する際のガラス基板３０Ａの帯電量を小さくすることができ、ガラス基板３０Ａの剥離帯電を防止ないし抑制することができる。さらに、支持ピン１８０に設けられた各ピン側突起１８２の先端が同一平面上に位置することで、ガラス基板３０Ａとピン側突起１８２との間で良好なグリップ力を確保することができ、各支持ピン１８０によって支持されたガラス基板３０Ａが振動等によって位置ずれすることを防止ないし抑制することができる。
As described above, in the
＜実施形態３＞
図２０から図２３を参照して実施形態３を説明する。実施形態３は、液晶パネル１１の製造過程において、ガラス基板３０Ａ上に主としてゲート電極３２Ａ等の金属膜を成膜する際に用いられるスパッタリング装置（基板処理装置の一例）２６０（図２０参照）について例示する。このスパッタリング装置２６０は、図２０に示すように、ガラス基板３０Ａを収容して当該ガラス基板３０Ａに対してドライエッチング処理を施すスパッタリング処理を施すための３つのスパッタ室２６２と、スパッタリング処理前のローダーとスパッタリング処理後のアンローダーを行うためのローダー兼アンローダー部２６６と、各スパッタ室２６２とローダー兼アンローダー部２６６との間でガラス基板を搬送するための２つの搬送室２６４と、各スパッタ室２６２と各搬送室２６４とに囲まれた形で設けられ、内部にロボットアーム（受け渡し部の一例）２６８が配されたロボット移載室２６９と、を備えている。なお、図２０では、説明のため、ロボット移載室２６９について、内部のロボットアーム２６８を露出させた形で示している。<Embodiment 3>
Embodiment 3 will be described with reference to FIGS. Embodiment 3 relates to a sputtering apparatus (an example of a substrate processing apparatus) 260 (see FIG. 20) used when a metal film such as a
上述したスパッタリング装置２６０のうち、ロボット移載室２６９に設けられたロボットアーム２６８の構成について説明する。このロボットアーム２６８は、その外観が実施形態１で説明したロボットアーム６８と外観が多少異なるものの、その主要な構成及び駆動態様についてはほぼ同様となっている。即ち、ロボットアーム２６８は、図２１に示すように、主部２６８Ａと、主部２６８Ａの両端から二又状に分岐して伸びる一対の分岐部６８Ｂとを備えている。ロボットアーム２６８の一対の分岐部２６８Ｂは、いずれも平板状とされ、両板面を上下方向に向けた姿勢で、所定の間隔を空けて略平行となるように設けられている。一対の分岐部２６８Ｂには、分岐部２６８Ｂ上においてガラス基板３０Ａの板面を支持するための支持パッド（支持部の一例）２９０が点在して設けられている。詳しくは、各分岐部２６８Ｂには、図２１に示すように、並列して配された一対の支持パッド２９０が所定の間隔を空けて７組設けられており、一対の分岐部２６８Ｂの間がガラス基板３０Ａの板面によって架け渡される形でガラス基板３０Ａが支持されるようになっている。従って、ロボットアーム２６８では、計２８枚の支持パッド２９０によって、ガラス基板３０Ａが支持される。
In the
各支持パッド２９０は、図２２に示すように、円板状とされており、合成樹脂、詳しくはビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂からなっている。支持パッド２９０の中央には取付孔２９０Ａが設けられており、この取付孔２９０Ａにネジ等が挿通されてロボットアーム２６８の分岐部２６８Ｂにネジ留めされることで、各支持パッド２９０が各分岐部２６８Ｂに取り付けられるようになっている。また、各支持パッド２９０には、図２２に示すように、複数のパッド側突起（突起の一例）２９２が設けられている。これらのパッド側突起２９２は、その先端部（先細り状とされた部位）がガラス基板３０Ａ側（上側）に向けられた正四角錐状となっており、隣り合うパッド側突起２９２同士が隙間無く隣接した形でマトリクス状に配されている。また、各支持パッド２９０に設けられた複数のパッド側突起２９２の大きさは、それぞれ等しいものとなっており、これにより、複数のパッド側突起２９２の各々は、その先端が同一平面上に位置するものとされる。このため、実施形態１で説明したロボットアーム６８の支持パッド９０と同様に、各支持パッド２９０に支持されたガラス基板３０Ａの板面が各支持パッド２９０上で滑り難いものとなっている。
Each
また、本実施形態のスパッタリング装置２６０において、各スパッタ室２６２内には、スパッタ室２６２内においてガラス基板３０Ａを支持するための複数の昇降ピン２８０が設けられている。この昇降ピン２８０は、実施形態１で説明した昇降ピン８０とほぼ同様の構成とされており、図２３に示すように、シャフト部２８０Ａとシャフト部２８０Ａに対して着脱可能に取り付けられるヘッド部２８０Ｂとからなり、全体として円柱状をなしている。また、ヘッド部２８０Ｂはシャフト部２８０Ａよりも径小とされている。昇降ピン２８０におけるヘッド部２８０Ｂの先端部、即ちガラス基板３０Ａの板面と対向する部位には、複数のピン側突起（突起の一例）２８２が設けられている。これらのピン側突起２８２は、その先端部（先細り状とされた部位）がガラス基板３０Ａ側（上側）に向けられた正四角錐状となっており、隣り合うピン側突起２８２同士が隙間無く隣接した形でマトリクス状に配されている。
In the
また、昇降ピン２８０のヘッド部２８０Ｂに設けられた複数のピン側突起２８２の大きさは、それぞれ等しいものとなっている。このため、複数のピン側突起２８２の各々は、その先端が同一平面上に位置するものとされる。従って、スパッタ室２６２内において各昇降ピン２８０が上昇すると、各昇降ピン２８０における複数のピン側突起２８２の先端がガラス基板３０Ａにおける下側の板面に対してそれぞれ接触され、ガラス基板３０Ａが安定的に支持された状態で持ち上げられるようになっている。このため、実施形態１で説明した昇降ピン８０と同様に、各昇降ピン２８０に支持されたガラス基板３０Ａの板面が各昇降ピン２８０上で滑り難いものとなっている。
In addition, the sizes of the plurality of pin-
以上説明したように本実施形態のスパッタリング装置２６０では、ロボットアーム２６８に設けられた支持パッド２９０、及び各スパッタ室２６２内に設けられた昇降ピン２８０がそれぞれ上記のような構成とされていることで、実施形態１のＣＶＤ装置６０における昇降ピン８０や支持パッド９０と同様に、ガラス基板３０Ａと昇降ピン２８０との間の接触面積、及びガラス基板３０Ａと支持パッド２９０との間の接触面積をそれぞれ大幅に小さくすることができる。このため、昇降ピン２８０からガラス基板３０Ａを剥離する際のガラス基板３０Ａの帯電量、及び支持パッド２９０からガラス基板３０Ａを剥離する際のガラス基板３０Ａの帯電量をそれぞれ小さくすることができ、ガラス基板３０Ａの剥離帯電を防止ないし抑制することができる。
As described above, in the
さらに本実施形態では、各ピン側突起２８２の先端が同一平面上に位置するものとされるとともに、各パッド側突起２９２の先端が同一平面上に位置するものとされる。このため、ガラス基板３０Ａとピン側突起２８２との間、及びガラス基板３０Ａとパッド側突起２９２との間でそれぞれ良好なグリップ力を確保することができ、各昇降ピン２８０によって支持されたガラス基板３０Ａ及び各支持パッド２９０によって支持されたガラス基板３０Ａが振動等によって位置ずれすることを防止ないし抑制することができる。
Furthermore, in this embodiment, the tip of each pin-
上記の各実施形態の変形例を以下に列挙する。
（１）上記の各実施形態では、ＣＶＤ装置、ドライエッチング装置、スパッタリング装置が備える昇降ピン、支持パッド、及び支持ピンについて例示したが、これらの装置以外の装置が備える昇降ピン、支持パッド、及び支持ピンに本発明の突起を適用してもよい。また、昇降ピン、支持パッド、及び支持ピンに限定されず、基板を支持するための他の部材に本発明の突起を適用してもよい。The modifications of the above embodiments are listed below.
(1) In each of the above embodiments, the lift pins, the support pads, and the support pins included in the CVD apparatus, the dry etching apparatus, and the sputtering apparatus are illustrated. However, the lift pins, the support pads, and the apparatuses included in apparatuses other than these apparatuses. The protrusion of the present invention may be applied to the support pin. Moreover, it is not limited to a raising / lowering pin, a support pad, and a support pin, You may apply the protrusion of this invention to the other member for supporting a board | substrate.
（２）上記の各実施形態では、ピン側突起及びパッド側突起がそれぞれ正四角錐状とされた構成を例示したが、突起とされていればよく、正四角錐状に限定されない。 (2) In each of the above embodiments, the pin-side protrusion and the pad-side protrusion are each illustrated as a regular quadrangular pyramid. However, the configuration is not limited to a regular quadrangular pyramid as long as it is a protrusion.
（３）上記の各実施形態では、昇降ピンや支持パッドによって支持される基板としてガラス基板を例示したが、基板の構成、材質については限定されない。 (3) In each of the above embodiments, the glass substrate is exemplified as the substrate supported by the lifting pins and the support pads, but the configuration and material of the substrate are not limited.
（４）上記の各実施形態では、隣り合うピン側突起同士及び隣り合うパッド側突起同士が等しい間隔で設けられた構成を例示したが、隣り合う突起同士の間隔については限定されず、隣り合う突起同士が不等な間隔で設けられていてもよい。 (4) In each of the above embodiments, the configuration in which the adjacent pin-side protrusions and the adjacent pad-side protrusions are provided at equal intervals is illustrated, but the interval between adjacent protrusions is not limited and is adjacent. The protrusions may be provided at unequal intervals.
（５）上記の各実施形態では、ピン側突起及びパッド側突起がいずれもビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂で形成されている例を示したが、突起の材質については限定されない。 (5) In each of the above embodiments, the pin-side protrusion and the pad-side protrusion are both formed of a polyimide resin containing biphenyltetracarboxylic dianhydride, but the material of the protrusion is not limited.
（６）上記の各実施形態では、処理部の一例として、処理室、チャンバー室、及びスパッタ室をそれぞれ例示したが、基板に対して処理が施されるのは室内に限定されない。 (6) In each of the above embodiments, the processing chamber, the chamber chamber, and the sputtering chamber are illustrated as examples of the processing unit. However, the processing is not limited to the chamber.
以上、本発明の各実施形態について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。 As mentioned above, although each embodiment of this invention was described in detail, these are only illustrations and do not limit a claim. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above.
（実施例）
次に、実施例によって本発明を具体的に説明する。実施例では、まず、スパッタリング装置のロボットアームに設けられた支持パッドについて、実施形態３で例示した支持パッドと従来の支持パッドとの交換前後で、ガラス基板上に成膜された各種薄膜の剥離帯電（ガラス基板を支持パッドから剥離する際のガラス基板の帯電）に起因する静電破壊を検出した。なお、図２４では、ＥＳＤ関連不良（検査を行った総個体数に対する静電破壊による不良品が発生した個体数）を百分率（％）で示しており、「交換前」の欄が従来の支持パッドによる検出結果を示している。また、従来の支持パッドについては、ガラス基板との接触部が平坦面とされた円板状をなし、フッ素樹脂からなる支持パッドを用いた。(Example)
Next, the present invention will be specifically described by way of examples. In the examples, first, with respect to the support pad provided on the robot arm of the sputtering apparatus, various thin films formed on the glass substrate were peeled before and after the support pad exemplified in Embodiment 3 and the conventional support pad were replaced. Electrostatic breakdown due to charging (charging of the glass substrate when the glass substrate was peeled from the support pad) was detected. In FIG. 24, ESD-related defects (number of defective products due to electrostatic breakdown with respect to the total number of tested individuals) are shown in percentage (%). The detection result by a pad is shown. Moreover, about the conventional support pad, the contact part with a glass substrate comprised the disk shape made into the flat surface, and used the support pad which consists of a fluororesin.
図２４に示すように、支持パッドの交換前後におけるＥＳＤ関連不良の検出結果については、支持パッドの交換前後で０．４９％の減少が見られた。従って、実施形態３の支持パッドを適用することにより、従来の支持パッドを適用した場合と比べて、ガラス基板との接触面積が小さくなり、ガラス基板の剥離帯電を防止ないし抑制できることが確認できた。 As shown in FIG. 24, about the detection result of the ESD related defect before and after the support pad replacement, a decrease of 0.49% was observed before and after the support pad replacement. Therefore, by applying the support pad of Embodiment 3, it was confirmed that the contact area with the glass substrate was smaller than when the conventional support pad was applied, and peeling charge of the glass substrate could be prevented or suppressed. .
次に、ＣＶＤ装置のロボットアームに設けられた支持パッドについて、材質及び形状が異なる３種類の支持パッドをそれぞれ用いた場合の、ガラス基板との接触面積に対する発生電荷量を比較評価した。この評価で用いた３種類の支持パッドは、ガラス基板との接触部が平坦面とされた円板状をなし、フッ素樹脂からなる支持パッド（図２５に示す「従来の支持パッド」）と、この従来の支持パッドと同一形状とされ、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂からなる支持パッド（図２５に示す「支持パッドＡ」）と、実施形態１で例示した支持パッド（図２５に示す「支持パッドＢ」）である。 Next, with respect to the support pad provided on the robot arm of the CVD apparatus, the amount of generated charge relative to the contact area with the glass substrate when using three types of support pads having different materials and shapes was compared and evaluated. The three types of support pads used in this evaluation have a disk shape in which the contact portion with the glass substrate is a flat surface, and a support pad made of a fluororesin ("conventional support pad" shown in FIG. 25), A support pad (“support pad A” shown in FIG. 25) having the same shape as this conventional support pad and made of a polyimide resin containing biphenyltetracarboxylic dianhydride, and the support pad illustrated in the first embodiment (FIG. 25). "Support pad B").
この比較評価試験の評価方法について簡単に説明する。この比較評価では、０．７ｍｍ厚のガラス基板の表面に各支持パッドを任意の圧力で押し付け、剥離・接触を繰り返した。圧力の供給には、窒素を利用したエアーユニットを用い、窒素の供給圧力により押圧力を制御した。ガラス基板の裏面にはクーロンメーターを接続し、これにより、ガラス基板上に発生する電荷量を測定・記録した。 The evaluation method of this comparative evaluation test will be briefly described. In this comparative evaluation, each support pad was pressed against the surface of a 0.7 mm thick glass substrate with an arbitrary pressure, and peeling and contact were repeated. An air unit using nitrogen was used to supply pressure, and the pressing force was controlled by the supply pressure of nitrogen. A coulomb meter was connected to the back surface of the glass substrate, whereby the amount of charge generated on the glass substrate was measured and recorded.
図２５に示すように、従来の支持パッドと支持パッドＡとの評価結果を比較すると、形状は同一であるからガラス基板との接触面積が等しいのに対し、材質を変更することで、発生電荷量が大幅に減少（２桁オーダーで減少）していることが確認できた。また、図２５に示すように、支持パッドＡと支持パッドＢとの評価結果を比較すると、ガラス基板との接触部位の形状を平坦面状から先細り状に変更することで接触面積が減少しており、これにより、発生電荷量が減少していることが確認できた。 As shown in FIG. 25, when the evaluation results of the conventional support pad and the support pad A are compared, the shape is the same and the contact area with the glass substrate is the same. It was confirmed that the amount was significantly reduced (decrease by 2 digits). Moreover, as shown in FIG. 25, when the evaluation results of the support pad A and the support pad B are compared, the contact area is reduced by changing the shape of the contact portion with the glass substrate from a flat surface shape to a tapered shape. Thus, it was confirmed that the amount of generated charges was reduced.
以上の結果より、ＣＶＤ装置やスパッタリング装置が備えるロボットアームの支持パッドに本発明を適用することで、ガラス基板が支持パッドから剥離する際のガラス基板の剥離帯電を防止ないし抑制できることを確認することができた。 From the above results, it is confirmed that by applying the present invention to the support pad of the robot arm provided in the CVD apparatus or the sputtering apparatus, it is possible to prevent or suppress the peeling electrification of the glass substrate when the glass substrate peels from the support pad. I was able to.
１０：液晶表示装置、１１：液晶パネル、１４：バックライト装置、２０：カラーフィルタ基板、２０Ａ，３０Ａ：ガラス基板、３０：アレイ基板、３２Ａ：ゲート電極、３２Ｂ：ソース電極、３２Ｃ：ドレイン電極、３３：画素電極、３７：ゲート絶縁膜、３９：層間絶縁膜、５１：成膜装置、５５：エッチング装置、６０：ＣＶＤ装置、６２：処理室、６４，１６４：ロードロック室、６８，２６８：ロボットアーム、７０，１７０：ステージ、８０，２８０：昇降ピン、８２，１８２，２８２：ピン側突起、９０，２９０：支持パッド、９２，１９２，２９２：パッド側突起、１６０：ドライエッチング装置、１６２：チャンバー室、１６８：支持アーム、１８０：支持ピン、２６０：スパッタリング装置、２６２：スパッタ室 10: liquid crystal display device, 11: liquid crystal panel, 14: backlight device, 20: color filter substrate, 20A, 30A: glass substrate, 30: array substrate, 32A: gate electrode, 32B: source electrode, 32C: drain electrode, 33: Pixel electrode, 37: Gate insulating film, 39: Interlayer insulating film, 51: Film forming device, 55: Etching device, 60: CVD device, 62: Processing chamber, 64, 164: Load lock chamber, 68, 268: Robot arm, 70, 170: Stage, 80, 280: Elevating pin, 82, 182, 282: Pin side protrusion, 90, 290: Support pad, 92, 192, 292: Pad side protrusion, 160: Dry etching apparatus, 162 : Chamber chamber, 168: support arm, 180: support pin, 260: sputtering apparatus, 262: sputtering chamber
Claims (4)
前記複数の処理部の間で前記基板を受け渡す受け渡し部と、
前記受け渡し部の複数箇所に点在して設けられて前記基板の板面を下側から支持する複数の支持部であって、前記基板の板面と対向する部位に複数の突起が設けられるとともに該突起の先端が前記基板の板面と接触される複数の支持部と、を備え、
前記複数の突起の各々は、その先端が同一平面上に位置するものとされ、
前記基板はガラス基板であり、
前記複数の突起の各々は、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリイミド樹脂で形成されている基板処理装置。 A plurality of processing units for processing the substrate;
A delivery unit that delivers the substrate between the plurality of processing units;
A plurality of support portions that are provided in a scattered manner at a plurality of locations of the transfer portion and support the plate surface of the substrate from below, and a plurality of protrusions are provided at portions facing the plate surface of the substrate. A plurality of support portions whose tips are contacted with the plate surface of the substrate,
Each of the plurality of protrusions has its tip located on the same plane ,
The substrate is a glass substrate;
Each of the plurality of protrusions is a substrate processing apparatus formed of a polyimide resin containing biphenyltetracarboxylic dianhydride .
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014153655 | 2014-07-29 | ||
| JP2014153655 | 2014-07-29 | ||
| PCT/JP2015/070770 WO2016017485A1 (en) | 2014-07-29 | 2015-07-22 | Substrate processing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2016017485A1 JPWO2016017485A1 (en) | 2017-06-01 |
| JP6219522B2 true JP6219522B2 (en) | 2017-10-25 |
Family
ID=55217386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016538284A Expired - Fee Related JP6219522B2 (en) | 2014-07-29 | 2015-07-22 | Substrate processing equipment |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6219522B2 (en) |
| WO (1) | WO2016017485A1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102301191B1 (en) * | 2019-10-15 | 2021-09-10 | (주)에스티아이 | Substrate processing apparatus |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03286549A (en) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Hitachi Ltd | Retaining device of plate-shaped body |
| JP2005255278A (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Sharp Corp | Substrate carrying device |
| US20120315113A1 (en) * | 2010-02-05 | 2012-12-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate holder, substrate transfer apparatus, and substrate processing apparatus |
| JP2012160491A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Sharp Corp | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
-
2015
- 2015-07-22 WO PCT/JP2015/070770 patent/WO2016017485A1/en active Application Filing
- 2015-07-22 JP JP2016538284A patent/JP6219522B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016017485A1 (en) | 2016-02-04 |
| JPWO2016017485A1 (en) | 2017-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101600306B1 (en) | Array Substrate for Display Device and Manufacturing Method thereof | |
| US9482905B2 (en) | Display with column spacer structures | |
| US9348183B2 (en) | Thin film transistor liquid crystal display panel and color filter substrate | |
| US9595497B2 (en) | Display with low reflectivity alignment structures | |
| US20110187671A1 (en) | Touch-sensitive liquid crystal module and integrated touch-sensitive substrate thereof | |
| US10520761B2 (en) | Method of producing substrate having alignment mark | |
| WO2012114687A1 (en) | Electronic device and method for manufacturing same | |
| US7781243B2 (en) | Method of manufacturing display substrate, method of patterning inorganic layer and method of manufacturing display device using the same | |
| JP6219522B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| US7608541B2 (en) | Method of forming fine pattern, liquid crystal display device having a fine pattern and fabricating method thereof | |
| KR101182570B1 (en) | Method of repairing short defect and method of fabricating liquid crystal display | |
| US20090213315A1 (en) | Liquid crystal on silicon display panel and electronic device using the same | |
| JP2014011166A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JPWO2015178301A1 (en) | Wet process equipment | |
| US20130250200A1 (en) | Array substrate for liquid crystal display panel | |
| JP4342824B2 (en) | Image display panel, image display device, and array substrate manufacturing method | |
| KR20180078660A (en) | Array substrate for display device and display device having the same | |
| US20120037905A1 (en) | Display device and electronic equipment | |
| CN105759526A (en) | Coa type liquid crystal display panel | |
| KR20070056452A (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| JP6240777B2 (en) | Cleaning device | |
| KR101331805B1 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device | |
| JP2019186240A (en) | Substrate support base | |
| US20170278879A1 (en) | Method for manufacturing metal lamination film, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing liquid crystal display device | |
| KR101192048B1 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161214 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170927 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6219522 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |