JP6217465B2 - 配線構造の作製方法、配線構造、及びこれを用いた電子機器 - Google Patents
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Description
基板上の絶縁膜上にめっき用シード層を形成し、
前記めっき用シード層上に、配線パターンに対応する開口を有するレジストパターンを形成し、
電解めっきにより前記開口内に配線層を形成し、
前記レジストパターンの表面に撥水化処理を施し、
前記撥水化処理の後に、前記配線層の幅方向の断面で両端部を除く領域に、前記配線層と異なる金属材料の無電解めっき層を成長し、
前記レジストパターンを除去してから、前記無電解めっき層をマスクとして、前記配線層の露出する角部と前記シード層の不要部分とを同時にエッチング除去して断面形状が樽型の配線を形成する。
以下の説明に対し、以下の付記を提示する。
(付記1)
基板上の絶縁膜上にめっき用シード層を形成し、
前記めっき用シード層上に、配線パターンに対応する開口を有するレジストパターンを形成し、
電解めっきにより前記開口内に配線層を形成し、
前記レジストパターンの表面に撥水化処理を施し、
前記撥水化処理の後に、前記配線層の幅方向の断面で両端部を除く領域に、前記配線層と異なる金属材料の無電解めっき層を成長し、
前記レジストパターンを除去してから、前記無電解めっき層をマスクとして、前記配線層の露出する角部と前記シード層の不要部分とを同時にエッチング除去して断面形状が樽型の配線を形成する、
ことを特徴とする配線構造の作製方法。
(付記2)
前記エッチング除去はウェットエッチングであり、エッチング液にプラスの電荷を印加し、前記シード層にマイナスの電荷を印加してエッチング速度を制御することを特徴とする付記1に記載の配線構造の作製方法。
(付記3)
前記レジストパターンの除去後に、前記無電解めっき層をマスクとして、前記配線層の露出する角部と前記シード層の不要部分とを酸化して金属酸化物を形成し、前記金属酸化物をウェットエッチングにて除去することを特徴とする付記1に記載の配線構造の作製方法。
(付記4)
前記無電解めっき層は、前記撥水化処理により、前記配線層の上面の幅方向の中央部で盛り上がった断面が円弧状に形成されることを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の配線構造の作製方法。
(付記5)
前記撥水化処理は、フッ化炭素ガスによるプラズマ照射であることを特徴とする付記1〜4のいずれかに記載の配線構造の作製方法。
(付記6)
前記配線層は銅の配線層であり、前記無電解めっき層は、NiP、CoP、CoWP、及びCoWBから選択されることを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の配線構造の作製方法。
(付記7)
幅方向の断面形状が樽型の配線層と、
前記配線層の上面に位置し、前記配線層と異なる金属材料で形成され、前記幅方向に円弧状の断面形状を有する第1金属層と、
を有することを特徴とする配線構造。
(付記8)
前記配線層は銅配線層であり、前記第1金属層は、NiP、CoP、CoWP、及びCoWBから選択されることを特徴とする付記7に記載の配線構造。
(付記9)
前記配線層の底部に位置し、前記配線層と異なる金属材料の第2金属層を有することを特徴とする付記7に記載の配線構造。
(付記10)
付記7〜9のいずれかに記載の配線構造を有する基板と、
前記基板に搭載される電子部品と、
を有する電子機器。
12 密着層
13 金属薄膜
14 レジストパターン
15 シード層
16 配線層
17 無電解めっき層(第1金属層)
18 エッチング後の配線層
19 配線
25 開口
26 エッチング液
Claims (6)
- 基板上の絶縁膜上にめっき用シード層を形成し、
前記めっき用シード層上に、配線パターンに対応する開口を有するレジストパターンを形成し、
電解めっきにより前記開口内に配線層を形成し、
前記レジストパターンの表面に撥水化処理を施し、
前記撥水化処理の後に、前記配線層の幅方向の断面で両端部を除く領域に、前記配線層と異なる金属材料の無電解めっき層を成長し、
前記レジストパターンを除去してから、前記無電解めっき層をマスクとして、前記配線層の露出する角部と前記シード層の不要部分とを同時にエッチング除去して断面形状が樽型の配線を形成する、
ことを特徴とする配線構造の作製方法。 - 前記エッチング除去はウェットエッチングであり、エッチング液にプラスの電荷を印加し、前記シード層にマイナスの電荷を印加してエッチング速度を制御することを特徴とする請求項1に記載の配線構造の作製方法。
- 前記レジストパターンの除去後に、前記無電解めっき層をマスクとして、前記配線層の露出する角部と前記シード層の不要部分とを酸化して金属酸化物を形成し、前記金属酸化物をウェットエッチングにて除去することを特徴とする請求項1に記載の配線構造の作製方法。
- 前記無電解めっき層は、前記撥水化処理により、前記配線層の上面の幅方向の中央部で盛り上がった断面が円弧状に形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線構造の作製方法。
- 幅方向の断面形状が樽型の配線層と、
前記配線層の上面に位置し、前記配線層と異なる金属材料で形成され、前記幅方向に円弧状の断面形状を有する第1金属層と、
を有することを特徴とする配線構造。 - 請求項5に記載の配線構造を有する基板と、
前記基板に搭載される電子部品と、
を有する電子機器。
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