JP6216619B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。 Embodiments described herein relate generally to a plasma processing apparatus.
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、プラズマ処理装置を用いて被処理体に対してプラズマ処理が行われる。プラズマ処理は、処理ガスのプラズマによるエッチングや成膜といった種々の処理を含む。 In the manufacture of an electronic device such as a semiconductor device, plasma processing is performed on an object to be processed using a plasma processing apparatus. The plasma treatment includes various treatments such as etching using a treatment gas plasma and film formation.
プラズマ処理に用いられるプラズマ処理装置は、プラズマ処理空間を画成する処理容器を備えている。この処理容器の側壁には、被処理体の搬入出用の搬送路が形成されている。また、処理容器の側壁内面を保護するシールド部材（デポシールド）が、当該側壁内面に沿って設けられている。このシールド部材には、被処理体の搬入出のために、搬送路に対面する開口が形成されている。さらに、シールド部材の開口を開閉するよう昇降可能なシャッターが、側壁内面とシールド部材との間に設けられている。シャッター及びシールド部材は、通常、アルミニウムから構成されている。また、シャッターは、通常、シールド部材の開口を閉じるときに、シールド部材に接するようになっている。このようなプラズマ処理装置は、例えば、特開２００７−１６５６５９号公報（特許文献１）に記載されている。 A plasma processing apparatus used for plasma processing includes a processing container that defines a plasma processing space. A conveyance path for carrying in / out the object to be processed is formed on the side wall of the processing container. A shield member (depot shield) that protects the inner surface of the side wall of the processing container is provided along the inner surface of the side wall. The shield member is formed with an opening facing the conveyance path for loading and unloading the object to be processed. Further, a shutter that can be moved up and down to open and close the opening of the shield member is provided between the inner surface of the side wall and the shield member. The shutter and the shield member are usually made of aluminum. Further, the shutter is normally in contact with the shield member when closing the opening of the shield member. Such a plasma processing apparatus is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-165659 (Patent Document 1).
プラズマ処理装置では、シャッターとシールド部材との接触が繰り返されると、シールド部材及びシャッターが削られ、アルミニウムから構成されたパーティクルが発生し得る。発生したパーティクルがプラズマに曝されると、当該パーティクルは、例えば、フッ化アルミニウム又は酸化アルミニウムといったパーティクルへと変質する。このように変質したパーティクルは、被処理体に付着し得る。 In the plasma processing apparatus, when the contact between the shutter and the shield member is repeated, the shield member and the shutter are scraped, and particles composed of aluminum can be generated. When the generated particles are exposed to plasma, the particles change into particles such as aluminum fluoride or aluminum oxide. The particles thus altered can adhere to the object to be processed.
このような背景から、シャッター及びシールド部材からのパーティクルの発生を抑制可能なプラズマ処理装置が必要とされている。 From such a background, a plasma processing apparatus capable of suppressing generation of particles from the shutter and the shield member is required.
一側面においては、被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、処理容器、載置台、シールド部材、及びシャッターを備える。処理容器は側壁を有しており、当該側壁には被処理体の搬入出用の搬送路が形成されている。載置台は、処理容器内に設けられている。シールド部材は、載置台を囲むように前記側壁の内面に沿って設けられている。シールド部材には、搬送路に面する開口が形成されている。シャッターは、開口の開閉のための部材であり、昇降可能である。シャッターは、前記開口に対面可能な第１部分、及びシールド部材の下方において該シールド部材に対面する第２部分を有する。シールド部材は、下部を有し、当該下部には、シャッターの第２部分に対面する被接触面が設けられている。同様に、シャッターの第２部分には、シールド部材の被接触面に当接可能な接触部が設けられている。シャッターの第１部分は、シールド部材との間に間隙を介して前記開口を閉鎖するよう構成されている。シールド部材の被接触面及びシャッターの接触部は、ハステロイから構成されている。 In one aspect, a plasma processing apparatus for performing plasma processing on an object to be processed is provided. The plasma processing apparatus includes a processing container, a mounting table, a shield member, and a shutter. The processing container has a side wall, and a transfer path for carrying in and out the object to be processed is formed on the side wall. The mounting table is provided in the processing container. The shield member is provided along the inner surface of the side wall so as to surround the mounting table. The shield member has an opening facing the conveyance path. The shutter is a member for opening and closing the opening and can be moved up and down. The shutter has a first portion that can face the opening, and a second portion that faces the shield member below the shield member. The shield member has a lower portion, and a contacted surface facing the second portion of the shutter is provided in the lower portion. Similarly, the second portion of the shutter is provided with a contact portion that can contact the contacted surface of the shield member. The first portion of the shutter is configured to close the opening with a gap between the first member and the shield member. The contacted surface of the shield member and the contact portion of the shutter are made of Hastelloy.
上記一側面に係るプラズマ処理装置では、シールド部材の開口を閉じる状態において、シャッターの第１部分は、シールド部材との間に間隙を介して当該開口に対面するようになっている。また、この状態では、シャッターの第２部分に設けられた接触部が、シールド部材の被接触面に接するようになっている。これら接触部及び被接触面は、ハステロイから構成されている。したがって、シャッター及びシールド部材からのパーティクルの発生が抑制され得る。 In the plasma processing apparatus according to the one aspect, the first portion of the shutter faces the opening with a gap between the first member and the shield member in a state where the opening of the shield member is closed. In this state, the contact portion provided in the second portion of the shutter is in contact with the contacted surface of the shield member. These contact portions and contacted surfaces are made of Hastelloy. Therefore, the generation of particles from the shutter and the shield member can be suppressed.
一形態においては、シャッターの第２部分には溝が形成されており、接触部は当該溝に嵌め込まれるハステロイ製の弾性部材であってもよい。また、接触部、すなわちハステロイ製の弾性部材は、スパイラル状の部材であってもよい。この形態によれば、接触部が消耗した際に当該接触部を取り替えることができる。また、シャッターの全体をハステロイから構成するよりも、シャッターを安価に提供することができる。 In one embodiment, a groove may be formed in the second portion of the shutter, and the contact portion may be a Hastelloy elastic member fitted into the groove. The contact portion, that is, the elastic member made of Hastelloy may be a spiral member. According to this aspect, when the contact portion is consumed, the contact portion can be replaced. Also, the shutter can be provided at a lower cost than when the entire shutter is made of Hastelloy.
一形態においては、シャッターの第１部分及び前記第２部分は、アルミニウム製であり、且つ、互いに分離可能であってもよい。また、この形態では、接触部、即ち、弾性部材は、スパイラル状の部材であってもよい。 In one form, the first part and the second part of the shutter may be made of aluminum and separable from each other. In this embodiment, the contact portion, that is, the elastic member may be a spiral member.
一形態においては、シャッターの第１部分及び第２部分は、互いに分離可能であり、第１部分はアルミニウムから構成されており、シャッターの第２部分はハステロイから構成されており、前記接触部を提供してもよい。この形態によれば、接触部が消耗した際に当該接触部を構成する第２部分を取り替えることができる。また、シャッターの全体をハステロイから構成するよりも、シャッターを安価に提供することができる。 In one form, the first part and the second part of the shutter are separable from each other, the first part is made of aluminum, the second part of the shutter is made of Hastelloy, and the contact portion is May be provided. According to this aspect, when the contact portion is consumed, the second portion constituting the contact portion can be replaced. Also, the shutter can be provided at a lower cost than when the entire shutter is made of Hastelloy.
一形態においては、シールド部材は、開口が形成され且つ前記下部を含むアルミニウム製の本体を有し、下部において第２部分に対面する領域には溝が形成されており、該下部の該溝には被接触面を提供するハステロイ製のバルク部材が設けられていてもよい。また、バルク部材は、下部から取り外し可能であってもよい。この形態によれば、被接触面が消耗した際に、シールド部材の全体を取り替えることなく、当該被接触面を提供する部分のみを取り替えることができる。したがって、シールド部材を安価に提供することが可能である。 In one embodiment, the shield member has an aluminum main body including an opening and including the lower portion, and a groove is formed in a region facing the second portion in the lower portion. May be provided with a Hastelloy bulk member that provides a contacted surface. The bulk member may be removable from the lower part. According to this aspect, when the contacted surface is consumed, only the portion providing the contacted surface can be replaced without replacing the entire shield member. Therefore, the shield member can be provided at a low cost.
以上説明したように、シャッター及びシールド部材からのパーティクルの発生を抑制可能なプラズマ処理装置が提供される。 As described above, a plasma processing apparatus capable of suppressing the generation of particles from the shutter and the shield member is provided.
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。 Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１においては、プラズマ処理装置の縦断面が概略的に示されている。図１に示すプラズマ処理装置１０は、被処理体（以下、「ウエハＷ」という）にプラズマ処理を行うための装置である。
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a plasma processing apparatus according to an embodiment. FIG. 1 schematically shows a longitudinal section of a plasma processing apparatus. A
プラズマ処理装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、その内部において処理空間Ｓを画成している。プラズマ処理装置１０では、処理空間ＳにウエハＷが収容され、当該ウエハＷに対するプラズマ処理が施される。
The
一実施形態において、処理容器１２は、側壁１２ａ、底部１２ｂ、及び、天部１２ｃを含んでいる。側壁１２ａは、略円筒形状を有している。この側壁１２ａは、その中心軸線である軸線Ｚを中心にして鉛直方向に延在している。以下、本明細書では、軸線Ｚが延在する方向を、「軸線Ｚ方向」、「鉛直方向」、「上下」ということがある。また、軸線Ｚに対して放射方向を「径方向」ということがある。さらに、軸線Ｚを中心とする円弧に沿った方向を「周方向」ということがある。
In one embodiment, the processing container 12 includes a
側壁１２ａの下端側には底部１２ｂが設けられており、当該側壁１２ａの上端側には天部１２ｃが設けられている。また、側壁１２ａには、ウエハＷを処理容器１２内に搬入し、処理容器１２の内部からウエハＷを搬出するための搬送路ＣＰが形成されている。この搬送路ＣＰは、ゲートバルブＧＶによって開閉することが可能となっている。
A
プラズマ処理装置１０は、載置台２０を更に備えている。載置台２０は、処理容器１２内に設けられている。この載置台２０を囲むように、処理容器１２の側壁１２ａの内面に沿ってシールド部材６０が設けられている。シールド部材６０は、プラズマ処理によって発生する反応生成物が側壁１２ａの内面に堆積することを防止するための部材である。シールド部材６０は、略円筒形状の部材であり、その中心軸線は軸線Ｚに略一致している。このシールド部材６０には、搬送路ＣＰに対面する開口ＯＰ（図２及び図３参照）が形成されている。
The
また、図１に示すように、処理容器１２内には、シールド部材６０の開口ＯＰを開閉するためのシャッター７０が設けられている。シャッター７０は、昇降可能である。シャッター７０は、駆動装置４０に接続されている。駆動装置４０は、シャッター７０を上下に移動させる。具体的には、シャッター７０は、プラズマ処理時など、開口ＯＰを閉鎖する場合には、第１領域に位置する。一方、シャッター７０は、ウエハＷの搬入出時など、開口ＯＰを搬送路ＣＰに対して開放する場合には、第２領域に位置する。この第２領域は、第１領域よりも下方の領域である。なお、シールド部材６０及びシャッター７０の詳細については、後述する。
As shown in FIG. 1, a
載置台２０は、下部電極ＬＥ、及び、静電チャックＥＳＣを含んでいる。下部電極ＬＥは、マッチングユニットＭＵを介して、高周波電源ＲＦＧに接続されている。高周波電源ＲＦＧは、イオン引き込み用の高周波電力（高周波バイアス電力）を発生する。静電チャックＥＳＣは、下部電極ＬＥ上に設けられている。静電チャックＥＳＣは、その上面に載置されたウエハＷをクーロン力によって吸着して、当該ウエハＷを保持する。 The mounting table 20 includes a lower electrode LE and an electrostatic chuck ESC. The lower electrode LE is connected to the high frequency power supply RFG through the matching unit MU. The high frequency power supply RFG generates high frequency power (high frequency bias power) for ion attraction. The electrostatic chuck ESC is provided on the lower electrode LE. The electrostatic chuck ESC holds the wafer W by adsorbing the wafer W placed on the upper surface thereof by Coulomb force.
一例において、下部電極ＬＥは、第１プレート２２ａ及び第２プレート２２ｂを含んでいる。第１プレート２２ａは、略円盤状の部材である。また、第１プレート２２ａは、導電性の部材であり、例えば、アルミニウムから構成されている。この第１プレート２２ａは、略筒状の支持部ＳＰ１によって支持されている。支持部ＳＰ１は、底部１２ｂから上方に延びており、第１プレート２２ａの下面の周縁領域に当接している。この支持部ＳＰ１は、石英といった絶縁体から構成されている。
In one example, the lower electrode LE includes a
第２プレート２２ｂは、第１プレート２２ａ上に設けられている。第２プレート２２ｂは、略円盤状の部材である。また、第２プレート２２ｂは、導電性の部材であり、例えば、アルミニウムから構成されている。この第２プレート２２ｂは、第１プレート２２ａに導通している。
The
第１プレート２２ａには、マッチングユニットＭＵを介して高周波電源ＲＦＧが電気的に接続されている。高周波電源ＲＦＧは、ウエハＷに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、１３．６５ＭＨｚの高周波バイアス電力を出力する。マッチングユニットＭＵは、高周波電源ＲＦＧ側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器１２といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容している。この整合器の中に自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。
A high frequency power supply RFG is electrically connected to the
第２プレート２２ｂの内部には、冷媒室ＲＣが設けられている。この冷媒室ＲＣには、チラーユニットから配管ＰＰ１，ＰＰ２を介して所定の温度の冷媒、例えば、冷却水が循環するように供給される。このように循環される冷媒によって、静電チャックＥＳＣ上のウエハＷの温度が、制御され得る。さらに、伝熱ガス供給部からの伝熱ガス、例えば、Ｈｅガスが供給管ＰＰ３を介して静電チャックＥＳＣの上面とウエハＷの裏面との間に供給される。
A refrigerant chamber RC is provided inside the
静電チャックＥＳＣは、第２プレート２２ｂの上面の上に設けられている。静電チャックＥＳＣは、略円盤形状を有している。静電チャックＥＳＣは、ウエハＷを静電吸着力で保持する。そのため、静電チャックＥＳＣは、誘電体膜の間に挟まれた電極膜ＥＦを含んでいる。電極膜ＥＦには、直流電源ＤＳがスイッチＳＷを介して電気的に接続されている。静電チャックＥＳＣは、直流電源ＤＳから印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、その上面にウエハＷを吸着し、当該ウエハＷを保持することができる。
The electrostatic chuck ESC is provided on the upper surface of the
また、静電チャックＥＳＣの誘電体膜内には、ヒータＨＣ及びヒータＨＥが設けられている。ヒータＨＣは、静電チャックＥＳＣの中央領域に設けられている。ヒータＨＣには、ヒータ電源ＨＰ１が接続されている。ヒータ電源ＨＰ１は、ヒータＨＣに対して交流電力を供給する。ヒータＨＥは、ヒータＨＣよりも径方向外側に設けられている。ヒータＨＥには、ヒータ電源ＨＰ２が接続されている。ヒータ電源ＨＰ２は、ヒータＨＥに交流電力を供給する。 A heater HC and a heater HE are provided in the dielectric film of the electrostatic chuck ESC. The heater HC is provided in the central region of the electrostatic chuck ESC. A heater power source HP1 is connected to the heater HC. The heater power supply HP1 supplies AC power to the heater HC. The heater HE is provided radially outside the heater HC. A heater power source HP2 is connected to the heater HE. The heater power supply HP2 supplies AC power to the heater HE.
また、静電チャックＥＳＣ及び下部電極ＬＥには、これらを鉛直方向に貫通する貫通孔が形成されており、当該貫通孔には、プッシャーピンＬＰが通されている。プッシャーピンＬＰは、ウエハＷの搬入出時に上昇し、その上端においてウエハＷを支持する。 Further, the electrostatic chuck ESC and the lower electrode LE are formed with through holes penetrating them in the vertical direction, and pusher pins LP are passed through the through holes. The pusher pin LP rises when the wafer W is loaded / unloaded, and supports the wafer W at the upper end thereof.
また、静電チャックＥＳＣの径方向外側には、フォーカスリングＦＲが設けられている。フォーカスリングＦＲは、静電チャックＥＳＣを囲むように、静電チャックＥＳＣのエッジ及びウエハＷのエッジに沿って環状に延在している。フォーカスリングＦＲは、石英といった誘電体から構成されている。フォーカスリングＦＲは、ウエハＷのエッジの外側におけるシース電位を調整するために設けられており、ウエハＷのプラズマ処理の面内均一性に寄与する。 A focus ring FR is provided on the outer side in the radial direction of the electrostatic chuck ESC. The focus ring FR extends annularly along the edge of the electrostatic chuck ESC and the edge of the wafer W so as to surround the electrostatic chuck ESC. The focus ring FR is made of a dielectric such as quartz. The focus ring FR is provided to adjust the sheath potential outside the edge of the wafer W, and contributes to in-plane uniformity of plasma processing of the wafer W.
フォーカスリングＦＲの下方には、筒状部ＴＰ１が設けられている。筒状部ＴＰ１は、アルミナといった絶縁体から構成されている。筒状部ＴＰ１は、円筒形状を有しており、下部電極ＬＥの外周面に沿って延在している。 A cylindrical portion TP1 is provided below the focus ring FR. The cylindrical portion TP1 is made of an insulator such as alumina. The cylindrical part TP1 has a cylindrical shape and extends along the outer peripheral surface of the lower electrode LE.
筒状部ＴＰ１とフォーカスリングＦＲとの間には、環状部ＡＰが設けられている。環状部ＡＰは、アルミナといった絶縁体から構成されている。環状部ＡＰは、第２プレート２２ｂの外周面に沿って環状に延在している。この環状部ＡＰの上面は、フォーカスリングＦＲの下面に接している。また、環状部ＡＰの下面は、筒状部ＴＰ１の上端に接している。
An annular part AP is provided between the cylindrical part TP1 and the focus ring FR. The annular portion AP is made of an insulator such as alumina. The annular portion AP extends in an annular shape along the outer peripheral surface of the
環状部ＡＰの周縁部の下方には、筒状部ＴＰ２が設けられている。筒状部ＴＰ２は、略円筒形状を有している。この筒状部ＴＰ２は、筒状部ＴＰ１及び支持部ＳＰ１の外周に沿って延在している。筒状部ＴＰ２は、導電性の材料、例えば、アルミニウムから構成されている。なお、筒状部ＴＰ２の表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）製の膜が形成されていてもよい。或いは、筒状部ＴＰ２の表面には、酸化処理が施されていてもよい。 A cylindrical part TP2 is provided below the peripheral part of the annular part AP. The cylindrical part TP2 has a substantially cylindrical shape. The tubular portion TP2 extends along the outer periphery of the tubular portion TP1 and the support portion SP1. The cylindrical portion TP2 is made of a conductive material, for example, aluminum. A film made of yttria (Y 2 O 3 ) may be formed on the surface of the cylindrical portion TP2. Or the oxidation process may be given to the surface of the cylindrical part TP2.
筒状部ＴＰ２の外周面及び環状部ＡＰの外周面から側壁１２ａ及びシールド部材６０までの間の空間は、排気路ＶＬになっている。排気路ＶＬは、底部１２ｂまで延びており、当該底部１２ｂに取り付けられた排気管を介して排気装置３０に接続されている。排気装置３０は、圧力調整器、及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有している。この排気装置３０を動作させることにより、載置台２０の外周から排気路ＶＬを介してガスを排気することが、また、処理容器１２内の処理空間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。
A space between the outer peripheral surface of the cylindrical portion TP2 and the outer peripheral surface of the annular portion AP and the
鉛直方向において排気路ＶＬの中間には、バッフル板ＢＰが設けられている。バッフル板ＢＰは、軸線Ｚを中心として環状に延在する板状の部材である。このバッフル板ＢＰには、複数の貫通孔が形成されている。これら貫通孔は、鉛直方向においてバッフル板ＢＰを貫通している。このバッフル板ＢＰの内側縁部は、筒状部ＴＰ２と環状部ＡＰとの間に設けられている。また、バッフル板ＢＰの外側縁部は、シールド部材６０によって支持されている。
A baffle plate BP is provided in the middle of the exhaust path VL in the vertical direction. The baffle plate BP is a plate-like member that extends in an annular shape about the axis Z. A plurality of through holes are formed in the baffle plate BP. These through holes penetrate the baffle plate BP in the vertical direction. The inner edge portion of the baffle plate BP is provided between the tubular portion TP2 and the annular portion AP. Further, the outer edge portion of the baffle plate BP is supported by the
また、プラズマ処理装置１０は、プラズマ生成部ＰＧ及びガス供給部ＧＳを更に備えている。プラズマ生成部ＰＧは、ガス供給部ＧＳから供給されるガスを励起させるためのエネルギーを処理容器１２内に導入する。一実施形態において、プラズマ生成部ＰＧは、天部１２ｃに設けられている。一例において、プラズマ生成部ＰＧは、マイクロ波を処理容器１２内に導入する。プラズマ生成部ＰＧは、容量結合型のプラズマ源であってもよい。この場合には、プラズマ生成部ＰＧは、上部電極であってもよい。プラズマ生成部ＰＧが上部電極である場合には、プラズマ生成用の高周波電力を発生する高周波電源は、上部電極及び下部電極ＬＥのうち一方に接続され得る。或いは、プラズマ生成部ＰＧは、誘導結合型のプラズマ源であってもよい。或いは、プラズマ生成部ＰＧは、マイクロ波供給部であってもよい。
The
ガス供給部ＧＳは、処理容器１２内にガスを供給する。このガスがプラズマ生成部ＰＧによって与えられるエネルギーによって励起され、励起されたガスによりプラズマ処理が行われる。一例においては、図１に示すように、ガス供給部ＧＳは、ガス導入管５０を有する。ガス導入管５０は、処理容器１２の外部から内部まで延在している。ガス導入管５０には、ガスソース５２が接続されている。ガスソース５２は、ウエハＷに対して行うプラズマ処理に応じたガスを流量制御された状態で供給する。なお、ガス供給部ＧＳは、図１に示された形態に限定されるものではない。例えば、ガス供給部ＧＳは、ガス導入管５０に代えて、又は、これに加えて、天部１２ｃからガスを供給するものであってもよい。また、プラズマ生成部ＰＧが上部電極である場合には、ガス供給部ＧＳは、上部電極によって構成されるシャワーヘッドであってもよい。
The gas supply unit GS supplies gas into the processing container 12. This gas is excited by the energy given by the plasma generator PG, and plasma processing is performed by the excited gas. In one example, as shown in FIG. 1, the gas supply unit GS includes a
以下、シールド部材６０及びシャッター７０の詳細について説明する。図２は、一実施形態に係るシールド部材及びシャッターを示す断面図であり、シャッターが第１領域に位置してシールド部材の開口を閉鎖している状態を示している。また、図３は、一実施形態に係るシールド部材の斜視図であり、図４は、図３に示すシールド部材の一部を拡大して示す破断斜視図である。また、図５は、一実施形態に係るシャッターの分解斜視図であり、図６は、図５に示すシャッターの断面図である。
Hereinafter, details of the
図３に示すように、シールド部材６０は、本体６０ｍを有している。本体６０ｍは、略円筒形状を有しており、図１に示すように、その中心軸線が軸線Ｚに略一致するように側壁１２ａに沿って設けられている。本体６０ｍは、例えば、アルミニウムから構成されている。本体６０ｍの表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）膜が形成されていてもよく、或いは、酸化処理が施されていてもよい。
As shown in FIG. 3, the
一実施形態において、図２、図３、及び図４に示すように、本体６０ｍは、フランジ部６０ｆを含んでいる。フランジ部６０ｆは、本体６０ｍの最上部を構成している。フランジ部６０ｆは、本体６０ｍの外径を当該本体６０ｍの最上部において拡大している。このフランジ部６０ｆは、図２に示すように、側壁１２ａによって支持されている。具体的には、側壁１２ａは上下に分離可能な二つのパーツを含んでおり、これら二つのパーツ間にフランジ部６０ｆは挟持されている。
In one embodiment, as shown in FIGS. 2, 3, and 4, the
また、本体６０ｍは、図２、図３、及び図４に示すように、下部６０ｂを含んでいる。下部６０ｂは、本体６０ｍの最下部を構成している。下部６０ｂは、高さ方向、即ち軸線Ｚが延在する方向（以下、「軸線Ｚ方向」という）に所定の厚みを有し、本体６０ｍの最下部において当該本体６０ｍの内径及び外径を縮小している。
The
本体６０ｍには、開口ＯＰが形成されている。この開口ＯＰは、図２に示すように、搬送路ＣＰに面するように設けられている。図２、図３、及び図４に示すように、本体６０ｍは、この開口ＯＰを上方及び周方向の両側から囲む薄肉部６０ｃを含んでいる。また、本体６０ｍは、薄肉部６０ｃの上側及び周方向の両側において本体６０ｍを構成する厚肉部６０ｄを含んでいる。この薄肉部６０ｃの径方向の厚みは、厚肉部６０ｄの当該径方向の厚みよりも薄くなっている。また、薄肉部６０ｃの内周面及び厚肉部６０ｄの内周面は連続しており、本体６０ｍの内周面６０ｉを構成している。したがって、薄肉部６０ｃの外周面は、厚肉部６０ｄの外周面よりも、軸線Ｚに近づけられている。
An opening OP is formed in the
薄肉部６０ｃは、端面６０ｔ１及び一対の端面６０ｔ２を有している。端面６０ｔ１は、開口ＯＰの上方において周方向に延びており、下方を向いた面となっている。また、一対の端面６０ｔ２は、端面６０ｔ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。これら端面６０ｔ１，６０ｔ２と本体６０ｍの内周面６０ｉとの間の境界である縁６０ｅは、開口ＯＰを上方から画成するよう周方向に延在しており、また、開口ＯＰを周方向の両側から画成するよう鉛直方向に延在している。また、開口ＯＰは、下部６０ｂの縁６０ｇによって下方から画成されている。この縁６０ｇは、下部６０ｂの外周面の上縁を構成している。
The
図４に示すように、厚肉部６０ｄは、端面６０ｐ１及び一対の端面６０ｐ２を有している。端面６０ｐ１は、周方向に延びる面であり、下方を向いた面となっている。端面６０ｐ１は、端面６０ｔ１よりも上方且つ径方向外側において延在している。また、一対の端面６０ｐ２は、端面６０ｐ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。一対の端面６０ｐ１は、一対の端面６０ｔ１よりも周方向において開口ＯＰから離れており、また、一対の端面６０ｔ１よりも径方向外側において延在している。
As shown in FIG. 4, the
下部６０ｂの外周面は、薄肉部６０ｃの内周面、即ち内周面６０ｉよりも軸線Ｚに若干近づけられている。即ち、下部６０ｂの外周面の軸線Ｚからの距離は、内周面６０ｉの軸線Ｚからの距離よりも小さくなっている。この下部６０ｂの外周面、薄肉部６０ｃの端面６０ｔ１，６０ｔ２、及び、厚肉部６０ｄの端面６０ｐ１，６０ｐ２は、シャッター７０が上下動して当該シャッター７０の第１部分７０ａが収容される空間を画成している。
The outer peripheral surface of the
また、図２及び図４に示すように、下部６０ｂの下面側には、周方向に延在する溝が形成されている。この溝内には、ハステロイ製のバルク部材６２が嵌め込まれている。このバルク部材６２の下面は、被接触面６２ｂを構成している。また、バルク部材６２は、下部６０ｂに対してねじ留めすることが可能となっている。即ち、バルク部材６２は、下部６０ｂから取り外し可能となっている。
Further, as shown in FIGS. 2 and 4, a groove extending in the circumferential direction is formed on the lower surface side of the
図５及び図６に示すように、シャッター７０は、第１部分７０ａ及び第２部分７０ｂを有している。第１部分７０ａは、シャッター７０が開口ＯＰを閉鎖するときに、当該開口ＯＰに対面する部分である。第１部分７０ａは、例えば、アルミニウムから構成されている。第１部分７０ａの表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）製の膜が形成されていてもよい。或いは、第１部分７０ａの表面には、酸化処理が施されていてもよい。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
第１部分７０ａは、周方向に延在する板状をなしている。一実施形態では、第１部分７０ａは、厚肉部７０ｃ及び薄肉部７０ｄを含んでいる。厚肉部７０ｃは、内面、及び、当該内面よりも軸線Ｚから遠い外面とを含んでいる。厚肉部７０ｃの内面の曲率半径は、軸線Ｚからの開口ＯＰまでの距離と略一致している。また、厚肉部７０ｃは、端面７０ｔ１及び一対の端面７０ｔ２を含んでいる。端面７０ｔ１は、厚肉部７０ｃの上端の面であり、周方向に延びており、上方を向いた面となっている。また、一対の端面７０ｔ２は、端面７０ｔ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。
The
薄肉部７０ｄは、厚肉部７０ｃの径方向外側の領域から周方向及び上方に突出するように設けられている。この薄肉部７０ｄは、端面７０ｐ１及び一対の端面７０ｐ２を含んでいる。端面７０ｐ１は、薄肉部７０ｄの上端の面であり、周方向に延びており、上方を向いた面となっている。この端面７０ｐ１は、端面７０ｔ１よりも上方且つ径方向外側において延在している。また、一対の端面７０ｐ２は、端面７０ｐ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。一対の端面７０ｐ２は、一対の端面７０ｔ２よりも径方向外側に設けられており、第１部分７０ａの周方向の中心に対して、一対の端面７０ｔ２よりも離れている。
The thin-
第２部分７０ｂは、第１部分７０ａの下端に結合している。第２部分７０ｂは、一実施形態では、アルミニウムから構成されている。第２部分７０ｂの表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）製の膜が形成されていてもよい。或いは、第２部分７０ｂの表面には、酸化処理が施されていてもよい。この第２部分７０ｂは、周方向に延在する板状をなしている。第２部分７０ｂの径方向の長さは、第１部分７０ａの径方向の長さよりも長くなっている。第１部分７０ａは、当該第１部分７０ａの下端が第２部分７０ｂの径方向外側の領域上に位置するように、設置される。即ち、第２部分７０ｂは、径方向内側の領域７０ｒにおいて、その上面が露出するように、第１部分７０ａをその上に搭載する。第１部分７０ａと第２部分７０ｂは、互いにねじ留めされることにより、結合される。換言すると、第１部分７０ａ及び第２部分７０ｂは、互いに分離可能な構造となっている。
The
第２部分７０ｂの領域７０ｒの上面側には、溝７０ｇが形成されている。この溝７０ｇは、周方向に延在している。溝７０ｇには、ハステロイ製の接触部７２が嵌め込まれている。この接触部７２は、一実施形態では、弾性部材である。一例においては、接触部７２は、周方向に延びる弧を中心としたスパイラル状に形成されている。
A
かかるシャッター７０によって開口ＯＰを閉鎖する際には、当該シャッター７０は、第２領域から上方に移動され第１領域に配置される。第１領域においてシャッター７０が配置されると、図２に示すように、シャッター７０の第１部分７０ａは、開口ＯＰに対面するようになっている。具体的には、第１部分７０ａの厚肉部７０ｃの内面が開口ＯＰに沿うようになっている。この状態において、第１部分７０ａの端面７０ｔ１は、シールド部材６０の端面６０ｔ１に対して間隙を介して対面する。また、第１部分７０ａの一対の端面７０ｔ２はそれぞれ、シールド部材６０の一対の端面６０ｔ２に間隙を介して対面する。また、第１部分７０ａの端面７０ｐ１は、シールド部材６０の端面６０ｐ１に対して間隙を介して対面する。また、第１部分７０ａの一対の端面７０ｐ２はそれぞれ、シールド部材６０の一対の端面６０ｐ２に間隙を介して対面する。さらに、シャッター７０の端面７０ｔ１と端面７０ｐ１の間、及び、一対の端面７０ｐ１と一対の端面７０ｐ２の間を接続する面が、シールド部材６０の端面６０ｔ１と端面６０ｐ１の間、及び、一対の端面６０ｔ２と一対の端面６０ｐ２の間を接続する面と、径方向において間隙を介して対面する。これにより、開口ＯＰの上方及び周方向の両側においては、ラビリンス構造の間隙が形成される。
When the opening OP is closed by the
また、シャッター７０が第１領域に配置されているときには、シャッター７０の第２部分７０ｂが、シールド部材６０の下部６０ｂに下方から対面する。また、接触部７２のみが被接触面６２ｂに当接する。このように、シャッター７０とシールド部材６０は、接触部７２と被接触面６２ｂのみにおいて互いに接するので、シャッター７０及びシールド部材６０からのパーティクルの発生が抑制される。
Further, when the
また、シャッター７０によれば、接触部７２が消耗した際には、接触部７２のみを取り替えることができる。したがって、シャッター７０の全体をハステロイから構成するよりも、シャッター７０を安価に提供することができる。
Further, according to the
以下、別の実施形態について説明する。図７は、別の実施形態に係るシャッターを示す分解斜視図である。図７に示すシャッター１７０は、シャッター７０と同様に第１部分７０ａを有している。シャッター１７０は、第２部分１７０ｂを備えている。シャッター１７０の第２部分１７０ｂは、シャッター７０の第２部分７０ｂと異なり、その全体がハステロイから構成されている。また、シャッター１７０の第２部分１７０ｂには、溝７０ｇは形成されていない。このシャッター１７０では、第２部分１７０ｂがハステロイ製の接触部を提供している。かかるシャッター１７０によれば、接触部が消耗した際に、第２部分１７０ｂのみを交換することができる。したがって、シャッター１７０を安価に提供することができる。
Hereinafter, another embodiment will be described. FIG. 7 is an exploded perspective view showing a shutter according to another embodiment. The
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、シャッターの全体がハステロイから構成されていてもよい。この場合には、シャッターの第１部分及び第２部分は、分離可能でなくてもよく、一体化されたものであってもよい。また、シールド部材の全体がハステロイ空構成されていてもよい。この場合には、シールド部材の下部が被接触面を提供することになる。したがって、シールド部材はバルク部材を備える必要がなく、また、シールド部材にバルク部材を装着するために溝は形成されていなくてもよい。 Although various embodiments have been described above, various modifications can be made without being limited to the above-described embodiments. For example, the entire shutter may be made of hastelloy. In this case, the first part and the second part of the shutter may not be separable and may be integrated. Further, the entire shield member may be configured as hastelloy. In this case, the lower part of the shield member provides the contacted surface. Therefore, the shield member does not need to include a bulk member, and the groove may not be formed in order to attach the bulk member to the shield member.
１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、ＣＰ…搬送路、１２ａ…側壁、２０…載置台、４０…駆動装置（シャッター駆動用）、６０…シールド部材、６０ｍ…本体、ＯＰ…開口、６０ｃ…薄肉部、６０ｔ１，６０ｔ２…端面、６０ｄ…厚肉部、６０ｐ１，６０ｐ２…端面、６０ｅ…縁、６０ｂ…下部、６０ｇ…縁、６２…バルク部材、６２ｂ…被接触面、７０…シャッター、７０ａ…第１部分、７０ｂ…第２部分、７０ｃ…厚肉部、７０ｔ１，７０ｔ２…端面、７０ｄ…薄肉部、７０ｐ１，７０ｐ２…端面、７０ｇ…溝、７２…接触部。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
被処理体の搬入出用の搬送路が形成された側壁を有する処理容器と、
前記処理容器内に設けられた載置台と、
前記載置台を囲むように前記側壁の内面に沿って設けられたシールド部材であり、前記搬送路に面する開口が形成された該シールド部材と、
前記開口用の昇降可能なシャッターと、
を備え、
前記シャッターは、前記開口に対面可能な第１部分、及び前記シールド部材の下方において該シールド部材に対面する第２部分を有し、
前記シールド部材は、前記第２部分に対面する被接触面を含む下部を有し、
前記第２部分には、前記被接触面に当接可能な接触部が設けられており、
前記シャッターの前記第１部分は、前記シールド部材との間に間隙を介して前記開口を閉鎖し、
前記被接触面及び前記接触部は、ハステロイから構成されている、
プラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus for performing plasma processing on an object to be processed,
A processing container having a side wall in which a conveyance path for carrying in and out the object to be processed is formed;
A mounting table provided in the processing container;
A shield member provided along the inner surface of the side wall so as to surround the mounting table, the shield member having an opening facing the transport path, and
A vertically movable shutter for the opening;
With
The shutter has a first portion that can face the opening, and a second portion that faces the shield member below the shield member,
The shield member includes a lower portion including a contacted surface facing the second portion;
The second portion is provided with a contact portion capable of contacting the contacted surface,
The first portion of the shutter closes the opening with a gap between the first member and the shield member,
The contacted surface and the contact portion are made of Hastelloy,
Plasma processing equipment.
前記接触部は、前記溝に嵌め込まれるハステロイ製の弾性部材である、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 A groove is formed in the second portion,
The contact portion is an elastic member made of Hastelloy that is fitted into the groove.
The plasma processing apparatus according to claim 1.
請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。 The elastic member is a spiral member,
The plasma processing apparatus according to claim 2 or 3.
前記第１部分はアルミニウムから構成されており、
前記第２部分はハステロイから構成されており、前記接触部を提供する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The first part and the second part are separable from each other;
The first portion is made of aluminum;
The second part is made of Hastelloy and provides the contact portion;
The plasma processing apparatus according to claim 1.
前記下部において前記第２部分に対面する領域には溝が形成されており、該下部の該溝には前記被接触面を提供するハステロイ製のバルク部材が設けられており、
前記バルク部材は、前記下部から取り外し可能である、
請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 The shield member has an aluminum body in which the opening is formed and includes the lower part,
A groove is formed in a region facing the second part in the lower portion, and a bulk member made of Hastelloy that provides the contacted surface is provided in the groove in the lower portion,
The bulk member is removable from the lower part,
The plasma processing apparatus as described in any one of Claims 1-5.
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