JP6216279B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、多種類の基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング処理の終了後、基板上のレジストを除去したり基板を洗浄する処理も行われる。

例えば、特許文献１の薬液塗布装置では、ウエハの外縁部の下方に筒状の遮蔽部材が配置される。ウエハの上面にレジスト液が塗布される際には、遮蔽部材が上昇し、遮蔽部材の上端がウエハの下面に近接する。遮蔽部材の上端とウエハの下面との間の距離は数ｍｍである。これにより、レジストの飛沫がウエハ下面へと向かうことを抑制する。

また、特許文献２の基板処理装置では、基板を保持する回転テーブルの周囲に、基板から飛散する処理液を受けるカップ体が設けられる。また、回転テーブルとカップ体との間には、上下方向に移動可能な可動仕切体が設けられる。可動仕切体が上側に移動して回転テーブルの周囲に位置する状態では、基板から飛散する処理液は可動仕切体により受けられる。

特開２００１−１１０７１４号公報 特開２０１０−１０５５５号公報

ところで、処理液による基板の処理を低酸素雰囲気にて行う場合、基板処理装置内に形成された密閉空間に基板を収容し、当該密閉空間を不活性ガス雰囲気等として基板に処理液を供給することが考えられる。この場合、回転する基板から飛散する処理液は、密閉空間を形成する密閉空間形成部材の内側に設けられたカップ部により受けられる。一方、カップ部により受けられなかった処理液は、カップ部の周囲に位置する密閉空間形成部材の外側壁部に付着する。外側壁部に付着した処理液は、乾燥することによりパーティクルを発生させたり、外側壁部の下端から密閉空間の外部へと漏出するおそれがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理液が外側壁部に付着することを抑制することを目的としている。

請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、筒状の本体側壁部を有する空間形成部本体と、前記本体側壁部の径方向内側に位置する筒状の蓋側壁部を有し、前記空間形成部本体の上方を覆う空間形成蓋部と、前記空間形成蓋部を第１位置と前記第１位置よりも上方の第２位置との間で前記空間形成部本体に対して上下方向に相対的に移動する空間形成部移動機構と、前記本体側壁部の径方向外側に位置し、上端部が前記空間形成蓋部に接続され、下端部が前記空間形成部本体に接続され、前記空間形成部移動機構による相対移動に追随して変形する外側壁部と、前記蓋側壁部と前記本体側壁部との間に配置される筒状のガード部と、前記空間形成部本体内に配置され、水平状態で基板を保持する基板支持部と、前記基板を前記基板支持部と共に回転する基板回転機構と、前記基板上に処理液を供給する処理液供給部とを備え、前記空間形成蓋部が前記第１位置に位置する状態では、前記蓋側壁部と前記本体側壁部とが径方向に重なり、前記ガード部が前記本体側壁部に支持され、前記空間形成蓋部が前記第１位置から前記第２位置へと移動する際に、前記ガード部が前記空間形成蓋部の移動に伴って上方へと移動し、前記空間形成蓋部が前記第２位置に位置する状態では、前記蓋側壁部の下端が前記本体側壁部の上端よりも上方に位置し、前記ガード部が前記蓋側壁部の前記下端と前記本体側壁部の前記上端との間の間隙を覆う。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記空間形成蓋部が前記第１位置から前記第２位置へと移動する際に、前記ガード部が前記蓋側壁部により吊り下げられて上方へと移動する。

請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記外側壁部が、それぞれが周状の複数の山折り線とそれぞれが周状の複数の谷折り線とが前記上下方向に交互に並ぶベローズである。

請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記空間形成蓋部が前記第２位置に位置する状態では、前記ガード部の下端部が前記本体側壁部の上端部と径方向に重なる。

請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記空間形成蓋部が、前記蓋側壁部の径方向内側に位置する筒状の内側蓋側壁部を有し、前記空間形成蓋部が前記第１位置に位置する状態では、前記内側蓋側壁部が前記空間形成部本体に接することにより、内部に密閉空間が形成され、前記空間形成蓋部が前記第２位置に位置する状態では、前記内側蓋側壁部が前記空間形成部本体から離間して前記内側蓋側壁部と前記空間形成部本体との間に環状開口が形成され、前記蓋側壁部が、前記基板から飛散した処理液を前記環状開口を介して受ける。

請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記処理液供給部が、前記内側蓋側壁部と前記蓋側壁部との間において前記空間形成蓋部に取り付けられ、前記環状開口を介して前記基板の上方へと移動して前記基板上に処理液を供給するノズルを備える。

本発明では、処理液が外側壁部に付着することを抑制することができる。

一の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。 ベローズ近傍の拡大断面図である。 気液供給部および気液排出部を示すブロック図である。 基板処理装置における処理の流れを示す図である。 基板処理装置の断面図である。 ベローズ近傍の拡大断面図である。 基板処理装置の一部を示す平面図である。 基板処理装置の断面図である。 基板処理装置の断面図である。

図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１を示す断面図である。基板処理装置１は、略円板状の半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に処理液を供給して基板９を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図１では、基板処理装置１の一部の構成の断面には、平行斜線の付与を省略している（他の断面図においても同様）。

基板処理装置１は、チャンバ１２と、トッププレート１２３と、チャンバ開閉機構１３１と、基板保持部１４と、基板回転機構１５と、液受け部１６と、外側壁部１６４と、ガード部１６６と、カバー１７とを備える。カバー１７は、チャンバ１２の上方および側方を覆う。

チャンバ１２は、チャンバ本体１２１と、チャンバ蓋部１２２とを備える。チャンバ１２は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。チャンバ本体１２１は、チャンバ底部２１０と、チャンバ側壁部２１４と、カップ対向部２１８とを備える。チャンバ底部２１０は、略円板状の底中央部２１１と、底中央部２１１の外縁部から下方へと拡がる略円筒状の底内側壁部２１２と、底内側壁部２１２の下端から径方向外方へと拡がる略円環板状の環状底部２１３と、環状底部２１３の外縁部から上方へと拡がる略円筒状の底外側壁部２１５と、底外側壁部２１５の上端部から径方向外方へと拡がる略円環板状のベース部２１６とを備える。

チャンバ側壁部２１４は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。チャンバ側壁部２１４は、ベース部２１６の内縁部から上方へと突出する。カップ対向部２１８は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状である。カップ対向部２１８は、チャンバ側壁部２１４の下端部から径方向外方へと拡がる。図１に示す例では、チャンバ側壁部２１４とカップ対向部２１８とは１つの部材により形成される。以下の説明では、チャンバ側壁部２１４と底外側壁部２１５と環状底部２１３と底内側壁部２１２と底中央部２１１の外縁部とに囲まれた空間を下部環状空間２１７という。

基板保持部１４の基板支持部１４１（後述）に基板９が支持された場合、基板９の下面９２は、チャンバ底部２１０の底中央部２１１の上面と対向する。以下の説明では、チャンバ底部２１０の底中央部２１１を「下面対向部２１１」と呼び、底中央部２１１の上面２１９を「対向面２１９」という。下面対向部２１１の対向面２１９は撥水性を有する。対向面２１９は、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系樹脂により形成される。対向面２１９は、中心軸Ｊ１から径方向に離れるに従って下方に向かう傾斜面であり、中心軸Ｊ１を中心とする略円錐面の一部である。

チャンバ蓋部１２２は中心軸Ｊ１に垂直な略有蓋円筒状であり、チャンバ１２の上部を含む。チャンバ蓋部１２２は、略円板状の天蓋部２２７と、天蓋部２２７の外縁部から下方に拡がる略円筒状の蓋下筒部２２８とを備える。チャンバ蓋部１２２は、チャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する。図１では、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間した状態を示す。チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する際には、蓋下筒部２２８の下端部がチャンバ側壁部２１４の上部と接する。

チャンバ開閉機構１３１は、チャンバ１２の可動部であるチャンバ蓋部１２２を、チャンバ１２の他の部位であるチャンバ本体１２１に対して上下方向に相対的に移動する。チャンバ開閉機構１３１は、チャンバ蓋部１２２を昇降する蓋部昇降機構である。チャンバ開閉機構１３１によりチャンバ蓋部１２２が上下方向に移動する際には、トッププレート１２３もチャンバ蓋部１２２と共に上下方向に移動する。チャンバ蓋部１２２の蓋下筒部２２８がチャンバ本体１２１のチャンバ側壁部２１４と接して上部開口を閉塞し、さらに、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１に向かって押圧されることにより、後述する図９に示すように、密閉空間であるチャンバ空間１２０がチャンバ１２の内部に形成される。

図１に示す基板保持部１４は、チャンバ蓋部１２２とチャンバ本体１２１との間の空間であるチャンバ空間１２０に配置され、基板９を水平状態で保持する。すなわち、基板９は、上面９１を中心軸Ｊ１に垂直に上側を向く状態で基板保持部１４により保持される。基板保持部１４は、基板支持部１４１と、基板押さえ部１４２とを備える。基板支持部１４１は、チャンバ本体１２１内に配置され、水平状態の基板９の外縁部（すなわち、外周縁を含む外周縁近傍の部位）を下側から支持する。基板押さえ部１４２は、基板支持部１４１に支持された基板９の外縁部を上側から押さえる。図１に示す状態では、基板押さえ部１４２は使用されていない。

基板支持部１４１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状の部材である。基板支持部１４１の径方向内側には、上述の下面対向部２１１が配置される。基板支持部１４１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の支持部ベース４１３と、支持部ベース４１３の上面に固定される複数の第１接触部４１１とを備える。基板押さえ部１４２は、トッププレート１２３の下面に固定される複数の第２接触部４２１を備える。複数の第２接触部４２１の周方向の位置は、実際には、複数の第１接触部４１１の周方向の位置と異なる。

トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１に垂直な略円板状である。トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２の下方、かつ、基板支持部１４１の上方に配置される。トッププレート１２３は中央に開口を有する。基板９が基板支持部１４１に支持されると、基板９の上面９１は、中心軸Ｊ１に垂直なトッププレート１２３の下面と対向する。トッププレート１２３の直径は、基板９の直径よりも大きく、トッププレート１２３の外周縁は、基板９の外周縁よりも全周に亘って径方向外側に位置する。

図１に示す状態において、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２により吊り下げられて支持される。チャンバ蓋部１２２は、中央部に略環状のプレート保持部２２２を有する。プレート保持部２２２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の筒部２２３と、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状のフランジ部２２４とを備える。フランジ部２２４は、筒部２２３の下端から径方向内方へと拡がる。

トッププレート１２３は、環状の被保持部２３７を備える。被保持部２３７は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の筒部２３８と、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状のフランジ部２３９とを備える。筒部２３８は、トッププレート１２３の上面から上方に拡がる。フランジ部２３９は、筒部２３８の上端から径方向外方へと拡がる。筒部２３８は、プレート保持部２２２の筒部２２３の径方向内側に位置する。フランジ部２３９は、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上方に位置し、フランジ部２２４と上下方向に対向する。被保持部２３７のフランジ部２３９の下面が、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上面に接することにより、トッププレート１２３が、チャンバ蓋部１２２から吊り下がるようにチャンバ蓋部１２２に取り付けられる。

トッププレート１２３の外縁部の下面には、複数の第１係合部２４１が周方向に配列され、支持部ベース４１３の上面には、複数の第２係合部２４２が周方向に配列される。実際には、第１係合部２４１および第２係合部２４２は、基板支持部１４１の複数の第１接触部４１１、および、基板押さえ部１４２の複数の第２接触部４２１とは、周方向において異なる位置に配置される。これらの係合部は３組以上設けられることが好ましく、本実施の形態では４組設けられる。第１係合部２４１の下部には上方に向かって窪む凹部が設けられる。第２係合部２４２は支持部ベース４１３から上方に向かって突出する。

図１に示す基板回転機構１５は、いわゆる中空モータである。基板回転機構１５は、中心軸Ｊ１を中心とする環状のステータ部１５１と、環状のロータ部１５２とを備える。ロータ部１５２は、略円環状の永久磁石を含む。永久磁石の表面は、ＰＴＦＥ樹脂にてモールドされる。ロータ部１５２は、チャンバ１２のチャンバ空間１２０において下部環状空間２１７内に配置される。ロータ部１５２の上部には、接続部材を介して基板支持部１４１の支持部ベース４１３が取り付けられる。支持部ベース４１３は、ロータ部１５２の上方に配置される。

ステータ部１５１は、チャンバ１２外においてロータ部１５２の周囲に配置される。換言すれば、ステータ部１５１は、チャンバ空間１２０の外側においてロータ部１５２の径方向外側に配置される。本実施の形態では、ステータ部１５１は、チャンバ底部２１０の底外側壁部２１５およびベース部２１６に固定され、液受け部１６の下方に位置する。ステータ部１５１は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に配列された複数のコイルを含む。

ステータ部１５１に電流が供給されることにより、ステータ部１５１とロータ部１５２との間に、中心軸Ｊ１を中心とする回転力が発生する。これにより、ロータ部１５２が、中心軸Ｊ１を中心として水平状態で回転する。ステータ部１５１とロータ部１５２との間に働く磁力により、ロータ部１５２は、チャンバ１２内において直接的にも間接的にもチャンバ１２に接触することなく浮遊し、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部１４の基板支持部１４１と共に浮遊状態にて回転する。

液受け部１６は、カップ部１６１と、カップ部移動機構１６２とを備える。カップ部１６１は中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、チャンバ１２の径方向外側に全周に亘って位置する。カップ部移動機構１６２はカップ部１６１を上下方向に移動する。換言すれば、カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１をチャンバ本体１２１に対して上下方向に相対的に移動する。カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１の径方向外側に配置される。カップ部移動機構１６２は、上述のチャンバ開閉機構１３１と周方向に異なる位置に配置される。

カップ部１６１は、カップ側壁部６１１と、カップ上面部６１２とを備える。カップ側壁部６１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。カップ上面部６１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、カップ側壁部６１１の上端部から径方向内方および径方向外方へと拡がる。カップ側壁部６１１の断面形状は、後述するスキャンノズル１８８が収容される部位（図１中の右側の部位）と、その他の部位（図１中の左側の部位）とで異なる。カップ側壁部６１１の図１中の右側の部位は、図１中の左側の部位よりも径方向の厚さが少し薄い。

ガード部１６６は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。ガード部１６６は、カップ側壁部６１１の径方向外側に位置する。ガード部１６６はカップ側壁部６１１により吊り下げられている。カップ部１６１およびガード部１６６は、カップ対向部２１８の上方に位置し、カップ対向部２１８と上下方向にて対向する。

外側壁部１６４は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、上下方向に伸縮可能である。図１に示す例では、外側壁部１６４は、それぞれが周状の複数の山折り線とそれぞれが周状の複数の谷折り線とが上下方向に交互に並ぶベローズである。以下の説明では、外側壁部１６４をベローズ１６４と呼ぶ。ベローズ１６４は、チャンバ側壁部２１４、カップ対向部２１８、カップ側壁部６１１およびガード部１６６の径方向外側に位置し、チャンバ側壁部２１４、カップ対向部２１８、カップ側壁部６１１およびガード部１６６の周囲に全周に亘って設けられる。ベローズ１６４は、気体や液体を通過させない材料にて形成される。

ベローズ１６４の上端部は、カップ部１６１のカップ上面部６１２の外縁部下面に全周に亘って接続される。換言すれば、ベローズ１６４の上端部は、カップ上面部６１２を介してカップ側壁部６１１に間接的に接続される。ベローズ１６４とカップ上面部６１２との接続部はシールされており、気体の通過が防止される。ベローズ１６４の下端部は、カップ対向部２１８の外縁部に全周に亘って接続される。換言すれば、ベローズ１６４の下端は、カップ対向部２１８を介してチャンバ本体１２１に間接的に接続される。ベローズ１６４の下端部とカップ対向部２１８との接続部でも、気体の通過が防止される。ベローズ１６４は、カップ部移動機構１６２によるカップ部１６１の移動（すなわち、カップ部１６１のカップ対向部２１８およびチャンバ本体１２１に対する相対移動）に追随して変形し、上下方向の高さが変更される。

図２は、ベローズ１６４およびその近傍を拡大して示す部分断面図である。図２に示すように、カップ対向部２１８は、傾斜底部２５１と、液受け側壁部２５３と、ベローズ固定部２５４とを備える。傾斜底部２５１は、中心軸Ｊ１（図１参照）を中心とする略円環板状であり、チャンバ側壁部２１４から径方向外方に拡がる。傾斜底部２５１の上面は、径方向外方に向かうに従って下方へと向かう傾斜面である。液受け側壁部２５３は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、傾斜底部２５１の周方向外側に配置される。液受け側壁部２５３の上端は、例えば、傾斜底部２５１の上面の外縁および内縁よりも上方に位置する。

傾斜底部２５１と液受け側壁部２５３との間には、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状の液受け凹部２５２が設けられる。液受け凹部２５２の底面は、傾斜底部２５１の上面の外縁よりも下方に位置する。ベローズ固定部２５４は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。ベローズ固定部２５４は、液受け側壁部２５３の径方向外側に位置する。ベローズ固定部２５４の上端部には、ベローズ１６４の下端部が固定される。

液受け凹部２５２の上方には、カップ側壁部６１１およびガード部１６６が位置する。換言すれば、カップ側壁部６１１およびガード部１６６は、液受け凹部２５２と上下方向に対向する。カップ側壁部６１１およびガード部１６６は、液受け側壁部２５３の径方向内側に位置する。カップ側壁部６１１は、ガード部１６６の径方向内側に位置する。すなわち、ガード部１６６は、径方向において、液受け側壁部２５３とカップ側壁部６１１との間に配置される。

図２に示す状態では、ガード部１６６の上端部から径方向内方および径方向外方に拡がるフランジ部６６１が、カップ側壁部６１１の下端部から径方向外方に拡がるフランジ部６１３により支持されることにより、ガード部１６６がカップ側壁部６１１により吊り下げられる。カップ側壁部６１１の下端は、液受け側壁部２５３の上端よりも上方に位置する。ガード部１６６は、カップ側壁部６１１の下端よりも下方へと拡がる。ガード部１６６は、カップ側壁部６１１の下端と液受け側壁部２５３の上端との間の間隙を覆う。これにより、ベローズ１６４が、カップ側壁部６１１、ガード部１６６および液受け側壁部２５３よりも径方向内側の空間と、径方向において直接的に対向することが防止される。ガード部１６６の下端は、好ましくは、液受け側壁部２５３の上端よりも下側に位置する。換言すれば、ガード部１６６の下端部は、好ましくは、液受け側壁部２５３の上端部と径方向に重なる。

図１に示すように、カップ部１６１のカップ上面部６１２には、スキャンノズル１８８が取り付けられる。換言すれば、スキャンノズル１８８は、蓋下筒部２２８とカップ側壁部６１１との間においてカップ部１６１に取り付けられる。スキャンノズル１８８は、処理液を吐出する吐出ヘッド８８１と、ヘッド支持部８８２とを備える。ヘッド支持部８８２は、略水平方向に延びる棒状の部材である。ヘッド支持部８８２の一方の端部である固定端部は、カップ部１６１のカップ上面部６１２の下面に取り付けられる。ヘッド支持部８８２の他方の端部である自由端部には、吐出ヘッド８８１が固定される。

カップ部１６１の上部には、ヘッド移動機構１８９が設けられる。ヘッド移動機構１８９は、ヘッド支持部８８２の固定端部の上方にて、カップ部１６１のカップ上面部６１２の上面に固定される。ヘッド移動機構１８９は、ヘッド回転機構８９１と、ヘッド昇降機構８９２とを備える。ヘッド回転機構８９１は、カップ上面部６１２を貫通してヘッド支持部８８２の固定端部に接続され、固定端部を中心としてヘッド支持部８８２を吐出ヘッド８８１と共に略水平方向に回転する。ヘッド回転機構８９１によるカップ部１６１の貫通部はシールされており、気体や液体の通過が防止される。ヘッド昇降機構８９２は、ヘッド支持部８８２の固定端部を上下方向に移動することにより、ヘッド支持部８８２および吐出ヘッド８８１を昇降する。ヘッド移動機構１８９は、カップ部移動機構１６２により、カップ部１６１と共に上下方向に移動する。

チャンバ蓋部１２２の中央部には、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の上部ノズル１８１が固定される。上部ノズル１８１は、トッププレート１２３の中央部の開口に挿入可能である。上部ノズル１８１は下端中央に液吐出口を有し、その周囲にガス噴出口を有する。チャンバ底部２１０の下面対向部２１１の中央部には、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の下部ノズル１８２が取り付けられる。下部ノズル１８２は、上端中央に液吐出口を有する。

図３は、基板処理装置１が備える気液供給部１８および気液排出部１９を示すブロック図である。気液供給部１８は、上述のスキャンノズル１８８、上部ノズル１８１および下部ノズル１８２に加えて、薬液供給部８１３と、純水供給部８１４と、ＩＰＡ供給部８１５と、不活性ガス供給部８１６とを備える。薬液供給部８１３は、弁を介してスキャンノズル１８８に接続される。純水供給部８１４およびＩＰＡ供給部８１５は、それぞれ弁を介して上部ノズル１８１に接続される。下部ノズル１８２は、弁を介して純水供給部８１４に接続される。上部ノズル１８１は、弁を介して不活性ガス供給部８１６にも接続される。上部ノズル１８１は、チャンバ１２の内部にガスを供給するガス供給部の一部である。

液受け凹部２５２に接続される第１排出路１９１は、気液分離部１９３に接続される。気液分離部１９３は、外側排気部１９４、薬液回収部１９５および排液部１９６にそれぞれ弁を介して接続される。チャンバ底部２１０に接続される第２排出路１９２は、気液分離部１９７に接続される。気液分離部１９７は、内側排気部１９８および排液部１９９にそれぞれ弁を介して接続される。気液供給部１８および気液排出部１９の各構成は、制御部１０により制御される。チャンバ開閉機構１３１、基板回転機構１５、カップ部移動機構１６２およびヘッド移動機構１８９（図１参照）も制御部１０により制御される。

薬液供給部８１３からスキャンノズル１８８を介して基板９上に供給される薬液は、例えば、ポリマー除去液、あるいは、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液である。純水供給部８１４は、上部ノズル１８１および下部ノズル１８２を介して基板９に純水（ＤＩＷ：deionized water）を供給する。ＩＰＡ供給部８１５は、上部ノズル１８１を介して基板９上にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給する。

上述の薬液、純水およびＩＰＡをまとめて処理液と呼ぶと、薬液供給部８１３、純水供給部８１４、ＩＰＡ供給部８１５、上部ノズル１８１およびスキャンノズル１８８は、基板９の上面９１に処理液を供給する処理液供給部に含まれる。基板処理装置１では、上記薬液、純水およびＩＰＡ以外の処理液を供給する他の供給部が、当該処理液供給部に含まれてもよい。純水供給部８１４から下部ノズル１８２に供給される純水は、基板９の下面９２の中央部に、下面９２を洗浄する洗浄液として供給される。純水供給部８１４および下部ノズル１８２は、洗浄液を供給する洗浄液供給部に含まれる。

不活性ガス供給部８１６は、上部ノズル１８１を介してチャンバ１２内に不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部８１６から供給されるガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。当該ガスは、窒素ガス以外であってもよい。

図４は、基板処理装置１における基板９の処理の流れの一例を示す図である。基板処理装置１では、図５に示すように、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間して上方に位置し、カップ部１６１がチャンバ蓋部１２２から離間して下方に位置する状態にて、基板９が外部の搬送機構によりチャンバ１２内に搬入され、基板支持部１４１により下側から支持される（ステップＳ１１）。以下、図５に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「オープン状態」と呼ぶ。チャンバ蓋部１２２の蓋下筒部２２８がチャンバ本体１２１から上方に離間し、蓋下筒部２２８とチャンバ側壁部２１４との間に形成される開口は、中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、以下、「環状開口８１」という。基板処理装置１では、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間することにより、基板９の周囲（すなわち、径方向外側）に環状開口８１が形成される。ステップＳ１１では、基板９は環状開口８１を介して搬入される。

基板９の搬入時には、スキャンノズル１８８は、カップ部１６１とカップ対向部２１８との間に形成される空間１６０に予め収容されている。空間１６０は、チャンバ１２の外周を全周に亘って囲む略円環状の空間である。以下の説明では、空間１６０を「側方空間１６０」という。側方空間１６０では、カップ側壁部６１１の下部、および、ガード部１６６の下部は、カップ対向部２１８の液受け凹部２５２内に位置する。

図６は、図５中のベローズ１６４およびその近傍を拡大して示す部分断面図である。図６に示す状態では、カップ側壁部６１１とガード部１６６と液受け側壁部２５３とが径方向に重なる。ガード部１６６の上端部のフランジ部６６１は、液受け側壁部２５３の上端に接する。これにより、ガード部１６６が液受け側壁部２５３に支持される。

図７は、基板処理装置１の平面図である。図７では、上述の側方空間１６０におけるスキャンノズル１８８の収容状態の理解を容易にするために、チャンバ蓋部１２２やカップ部１６１等の図示を省略している。また、ベローズ１６４に平行斜線を付す。図７に示すように、スキャンノズル１８８のヘッド支持部８８２は、平面視において、径方向外側に凸となるように湾曲している。換言すれば、スキャンノズル１８８は略円弧状である。側方空間１６０では、スキャンノズル１８８は、ヘッド支持部８８２がベローズ１６４およびカップ部１６１のカップ側壁部６１１（図５参照）に沿うように配置される。

スキャンノズル１８８が収容される際には、カップ部１６１が図１に示す位置に位置する状態で、ヘッド回転機構８９１によりスキャンノズル１８８が回転し、環状開口８１を介してチャンバ１２の外側へと移動する。これにより、スキャンノズル１８８は、カップ部１６１とカップ対向部２１８との間の側方空間１６０に収容される。その後、カップ部移動機構１６２によりカップ部１６１が図５に示す位置まで下降する。カップ部１６１の下降に伴い、側方空間１６０は小さくなる。

基板９が搬入されると、カップ部１６１が、図５に示す位置から図８に示す位置まで上昇し、環状開口８１の径方向外側に全周に亘って位置する。以下の説明では、図８に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「第１密閉状態」という（図１の状態も同様）。また、図８に示すカップ部１６１の位置を「液受け位置」といい、図５に示すカップ部１６１の位置を「退避位置」という。カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１を、環状開口８１の径方向外側の液受け位置と、液受け位置よりも下方の退避位置との間で上下方向に移動する。

液受け位置に位置するカップ部１６１では、カップ側壁部６１１が、カップ側壁部６１１の径方向内側に位置する蓋下筒部２２８とチャンバ側壁部２１４との間に形成される環状開口８１と径方向に対向する。また、液受け位置に位置するカップ部１６１では、カップ上面部６１２の内縁部の上面が、チャンバ蓋部１２２の外縁部下端（すなわち、蓋下筒部２２８の下端）のリップシール２３２に全周に亘って接する。チャンバ蓋部１２２とカップ部１６１のカップ上面部６１２との間には、気体や液体の通過を防止するシール部が形成される。これにより、チャンバ蓋部１２２、カップ部１６１、ベローズ１６４およびチャンバ本体１２１により囲まれる密閉された空間（以下、「拡大密閉空間１００」という。）が形成される。拡大密閉空間１００は、チャンバ蓋部１２２とチャンバ本体１２１との間のチャンバ空間１２０と、カップ部１６１とベローズ１６４とカップ対向部２１８とに囲まれる側方空間１６０とが、環状開口８１を介して連通することにより形成された１つの空間である。

カップ部１６１が図５に示す退避位置から図８に示す液受け位置へと上昇する際には、カップ側壁部６１１が図６に示す位置から所定の位置に上昇するまで、ガード部１６６は液受け側壁部２５３に支持された状態で静止している。カップ側壁部６１１が当該所定の位置まで上昇すると、ガード部１６６の上端部のフランジ部６６１が、カップ側壁部６１１の下端のフランジ部６１３に接する。そして、カップ側壁部６１１がさらに上昇することにより、ガード部１６６がカップ側壁部６１１により吊り下げられてカップ側壁部６１１と共に図２に示す位置まで上昇する。これにより、ガード部１６６が、カップ側壁部６１１の下端と液受け側壁部２５３の上端との間の間隙を覆う。なお、ガード部１６６は、カップ部１６１の上方への移動に伴って上方へと移動するのであれば、必ずしも、カップ側壁部６１１により吊り下げられて移動する必要はない。

続いて、図８に示す基板回転機構１５により一定の回転数（比較的低い回転数であり、以下、「定常回転数」という。）での基板９の回転が開始される。さらに、不活性ガス供給部８１６（図３参照）から拡大密閉空間１００への不活性ガス（ここでは、窒素ガス）の供給が開始されるとともに、外側排気部１９４（図３参照）による拡大密閉空間１００内のガスの排出が開始される。これにより、所定時間経過後に、拡大密閉空間１００が、不活性ガスが充填された不活性ガス充填状態（すなわち、酸素濃度が低い低酸素雰囲気）となる。なお、拡大密閉空間１００への不活性ガスの供給、および、拡大密閉空間１００内のガスの排出は、図５に示すオープン状態から行われていてもよい。

次に、制御部１０（図３参照）の制御により、側方空間１６０においてカップ部１６１に取り付けられたスキャンノズル１８８へと、薬液供給部８１３から所定量の薬液が供給される。これにより、スキャンノズル１８８が側方空間１６０に収容された状態（すなわち、スキャンノズル１８８全体が側方空間１６０内に位置する状態）で、吐出ヘッド８８１からのプリディスペンスが行われる。吐出ヘッド８８１からプリディスペンスされた薬液は、液受け凹部２５２にて受けられる。

プリディスペンスが終了すると、拡大密閉空間１００の外側に配置されたヘッド回転機構８９１によりヘッド支持部８８２が回転することにより、図１に示すように、スキャンノズル１８８の吐出ヘッド８８１が環状開口８１を介して基板９の上方へと移動する。さらに、ヘッド回転機構８９１が制御部１０に制御され、基板９の上方における吐出ヘッド８８１の往復移動が開始される。吐出ヘッド８８１は、基板９の中心部と外縁部とを結ぶ所定の移動経路に沿って水平方向に継続的に往復移動する。

そして、薬液供給部８１３から吐出ヘッド８８１へと薬液が供給され、水平方向に揺動する吐出ヘッド８８１から基板９の上面９１へと薬液が供給される（ステップＳ１２）。吐出ヘッド８８１からの薬液は、回転する基板９の上面９１に連続的に供給される。薬液は、基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１全体が薬液により被覆される。水平方向に揺動する吐出ヘッド８８１から回転中の基板９へと薬液が供給されることにより、基板９の上面９１に薬液をおよそ均一に供給することができる。また、基板９上の薬液の温度の均一性を向上することもできる。その結果、基板９に対する薬液処理の均一性を向上することができる。

拡大密閉空間１００では、回転する基板９の上面９１から飛散する薬液が、環状開口８１を介してカップ部１６１のカップ側壁部６１１にて受けられ、液受け凹部２５２へと導かれる。液受け凹部２５２へと導かれた薬液は、図３に示す第１排出路１９１を介して気液分離部１９３に流入する。薬液回収部１９５では、気液分離部１９３から薬液が回収され、フィルタ等を介して薬液から不純物等が除去された後、再利用される。

薬液の供給開始から所定時間（例えば、６０〜１２０秒）経過すると、スキャンノズル１８８からの薬液の供給が停止される。続いて、基板回転機構１５により、所定時間（例えば、１〜３秒）だけ基板９の回転数が定常回転数よりも高くされ、基板９から薬液が除去される。また、ヘッド回転機構８９１により、スキャンノズル１８８が回転し、図８に示すように、チャンバ空間１２０から環状開口８１を介して側方空間１６０へと移動する。

スキャンノズル１８８が側方空間１６０へと移動すると、チャンバ蓋部１２２およびカップ部１６１が同期して下方へと移動する。そして、図９に示すように、チャンバ蓋部１２２の外縁部下端（すなわち、蓋下筒部２２８の下端）のリップシール２３１が、チャンバ側壁部２１４の上部と接することにより環状開口８１が閉じられ、チャンバ空間１２０が、側方空間１６０と隔絶された状態で密閉される。カップ部１６１は、図５と同様に、退避位置に位置する。したがって、図６と同様に、カップ側壁部６１１とガード部１６６と液受け側壁部２５３とが径方向に重なる。また、ガード部１６６は液受け側壁部２５３に支持される。

以下の説明では、図９に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「第２密閉状態」という。第２密閉状態では、基板９は、チャンバ１２の内壁と直接対向し、これらの間に他の液受け部は存在しない。また、スキャンノズル１８８は、チャンバ空間１２０から隔離されて側方空間１６０内に収容される。

第２密閉状態では、基板押さえ部１４２の複数の第２接触部４２１が基板９の外縁部に接触する。トッププレート１２３の下面、および、基板支持部１４１の支持部ベース４１３上には、上下方向にて対向する複数対の磁石（図示省略）が設けられる。以下、各対の磁石を「磁石対」ともいう。基板処理装置１では、複数の磁石対が、周方向において第１接触部４１１、第２接触部４２１、第１係合部２４１および第２係合部２４２とは異なる位置に、等角度間隔にて配置される。基板押さえ部１４２が基板９に接触している状態では、磁石対の間に働く磁力（引力）により、トッププレート１２３に下向きの力が働く。これにより、基板押さえ部１４２が基板９を基板支持部１４１へと押圧する。

基板処理装置１では、基板押さえ部１４２が、トッププレート１２３の自重、および、磁石対の磁力により基板９を基板支持部１４１へと押圧することにより、基板９を基板押さえ部１４２と基板支持部１４１とで上下から挟んで強固に保持することができる。

第２密閉状態では、被保持部２３７のフランジ部２３９が、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上方に離間しており、プレート保持部２２２と被保持部２３７とは接触しない。換言すれば、プレート保持部２２２によるトッププレート１２３の保持が解除されている。このため、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２から独立して、基板保持部１４、および、基板保持部１４に保持された基板９と共に、基板回転機構１５により回転する。

また、第２密閉状態では、第１係合部２４１の下部の凹部に第２係合部２４２が嵌る。これにより、トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向において基板支持部１４１の支持部ベース４１３と係合する。換言すれば、第１係合部２４１および第２係合部２４２は、トッププレート１２３の基板支持部１４１に対する回転方向における相対位置を規制する（すなわち、周方向においてトッププレート１２３を基板支持部１４１に固定する）位置規制部材である。チャンバ蓋部１２２が下降する際には、第１係合部２４１と第２係合部２４２とが嵌り合うように、基板回転機構１５により支持部ベース４１３の回転位置が制御される。

チャンバ空間１２０および側方空間１６０がそれぞれ独立して密閉されると、外側排気部１９４（図３参照）によるガスの排出が停止されるとともに、内側排気部１９８によるチャンバ空間１２０内のガスの排出が開始される。そして、純水供給部８１４による基板９への純水の供給が開始される（ステップＳ１３）。

純水供給部８１４からの純水は、上部ノズル１８１および下部ノズル１８２から吐出されて基板９の上面９１および下面９２の中央部に連続的に供給される。純水は、基板９の回転により上面９１および下面９２の外周部へと拡がり、基板９の外周縁から径方向外側へと飛散する。基板９から飛散する純水は、チャンバ１２の内壁（すなわち、蓋下筒部２２８の内壁およびチャンバ側壁部２１４の内壁）にて受けられ、図３に示す第２排出路１９２、気液分離部１９７および排液部１９９を介して廃棄される（後述する基板９の乾燥処理においても同様）。これにより、基板９の上面９１のリンス処理および下面９２の洗浄処理と共に、チャンバ１２内の洗浄も実質的に行われる。

純水の供給開始から所定時間経過すると、純水供給部８１４（図３参照）からの純水の供給が停止される。そして、チャンバ空間１２０内において、基板９の回転数が定常回転数よりも十分に高くされる。これにより、純水が基板９上から除去され、基板９の乾燥処理が行われる（ステップＳ１４）。基板９の乾燥開始から所定時間経過すると、基板９の回転が停止する。基板９の乾燥処理は、内側排気部１９８によりチャンバ空間１２０が減圧され、大気圧よりも低い減圧雰囲気にて行われてもよい。

その後、チャンバ蓋部１２２とトッププレート１２３とが上昇して、図５に示すように、チャンバ１２がオープン状態となる。ステップＳ１４では、トッププレート１２３が基板支持部１４１と共に回転するため、トッププレート１２３の下面に液体はほとんど残存せず、チャンバ蓋部１２２の上昇時にトッププレート１２３から液体が基板９上に落下することが防止される。基板９は、外部の搬送機構によりチャンバ１２から搬出される（ステップＳ１５）。なお、純水供給部８１４による純水の供給後、基板９の乾燥前に、ＩＰＡ供給部８１５から基板９上にＩＰＡを供給して基板９上において純水がＩＰＡに置換されてもよい。

基板処理装置１では、チャンバ蓋部１２２およびカップ部１６１は、拡大密閉空間１００の蓋部である「空間形成蓋部」である。また、チャンバ本体１２１は、空間形成蓋部により上方を覆われる「空間形成部本体」である。液受け側壁部２５３は、空間形成部本体の外周部に位置する「本体側壁部」である。カップ側壁部６１１は、空間形成蓋部の外周部に位置する「蓋側壁部」であり、本体側壁部の径方向内側に位置する。蓋下筒部２２８は、空間形成蓋部において蓋側壁部の径方向内側に位置する「内側蓋側壁部」である。

図９に示す空間形成蓋部（すなわち、チャンバ蓋部１２２およびカップ部１６１）の位置を「第１位置」と呼び、図１に示す空間形成蓋部の位置を「第２位置」と呼ぶと、チャンバ開閉機構１３１およびカップ部移動機構１６２は、第１位置と第１位置よりも上方の第２位置との間で、空間形成蓋部を空間形成部本体に対して上下方向に相対的に移動する空間形成部移動機構である。

上述のように、基板処理装置１では、空間形成蓋部が第１位置に位置する状態では、蓋側壁部であるカップ側壁部６１１と本体側壁部である液受け側壁部２５３とが径方向に重なり、ガード部１６６が本体側壁部に支持される。空間形成蓋部が第１位置から第２位置へと移動する際には、ガード部１６６が蓋側壁部により吊り下げられて上方へと移動する。そして、空間形成蓋部が第２位置に位置する状態では、蓋側壁部の下端が本体側壁部の上端よりも上方に位置し、ガード部１６６が蓋側壁部の下端と本体側壁部の上端との間の間隙を覆う。

これにより、回転する基板９からの処理液がカップ側壁部６１１よりも下方へと飛散した場合であっても、処理液が外側壁部１６４に付着することを抑制することができる。その結果、外側壁部１６４に付着した処理液が乾燥してパーティクルが発生することを抑制することができる。また、外側壁部１６４とベローズ固定部２５４との接続部から、処理液が拡大密閉空間１００の外部へと漏出することを抑制することもできる。

さらに、上述のように、ガード部１６６の上下方向の移動は、カップ部移動機構１６２によるカップ部１６１の上下方向の移動と共に行われる。したがって、ガード部１６６を上下方向に移動するための機構を設ける必要がないため、基板処理装置１を小型化することができる。

基板処理装置１では、空間形成蓋部が第２位置に位置する状態では、ガード部１６６の下端部が本体側壁部の上端部と径方向に重なる。これにより、ガード部１６６よりも径方向内側の空間と、本体側壁部である液受け側壁部２５３と外側壁部１６４との間の空間との間に、いわゆるラビリンス構造が形成される。その結果、処理液が外側壁部１６４に付着することをより一層抑制することができる。

上述のように、空間形成蓋部が第１位置に位置する状態では、内側蓋側壁部である蓋下筒部２２８が空間形成部本体であるチャンバ本体１２１のチャンバ側壁部２１４に接することにより、内部に密閉空間であるチャンバ空間１２０が形成される。また、空間形成蓋部が第２位置に位置する状態では、内側蓋側壁部が空間形成部本体から離間して内側蓋側壁部と空間形成部本体との間に環状開口８１が形成され、蓋側壁部が、基板９から飛散した処理液を環状開口８１を介して受ける。

このように、基板処理装置１では、基板９に対する処理の内容に合わせて２種類の処理空間（すなわち、チャンバ空間１２０および拡大密閉空間１００）を選択的に使用することができる。また、外側壁部１６４が処理空間を形成する部材に含まれる場合（すなわち、拡大密閉空間１００にて処理を行う場合）であっても、外側壁部１６４に処理液が付着することを抑制することができる。したがって、基板処理装置１の構造は、環状開口８１を介して基板９の上方へと移動して基板９上に処理液を供給するスキャンノズル１８８が設けられる基板処理装置に特に適している。

上述のように、基板処理装置１では、処理液が外側壁部１６４に付着することを抑制することができる。このため、基板処理装置１の構造は、付着した処理液の除去が比較的難しいベローズを外側壁部１６４として備える基板処理装置に特に適している。

上記基板処理装置１は、様々な変更が可能である。

基板処理装置１では、上述のラビリンス構造は必ずしも形成される必要はなく、例えば、空間形成蓋部が第２位置に位置する状態において、ガード部１６６の下端と液受け側壁部２５３の上端とが、上下方向にておよそ同じ位置に位置してもよい。また、ガード部１６６がカップ側壁部６１１の下端と液受け側壁部２５３の上端との間の間隙を実質的に覆うのであれば、ガード部１６６の下端は、液受け側壁部２５３の上端よりも上方に位置していてもよい。

チャンバ蓋部１２２、カップ部１６１、外側壁部１６４およびチャンバ本体１２１により形成される拡大密閉空間１００は、必ずしも厳密に気密な密閉空間である必要はない。また、外側壁部１６４はベローズには限定されず、他の様々な部材（例えば、上下方向の高さが小さくなると径方向外方に凸となるように弾性変形する部材）が外側壁部１６４として利用されてもよい。

基板処理装置１では、スキャンノズル１８８に代えて、側方空間１６０内に固定されるノズルが設けられ、当該ノズルから環状開口８１を介して斜め下方に処理液が吐出されることにより、当該処理液が基板９の上面９１に供給されてもよい。

上述の空間形成蓋部は、必ずしも、互いに独立して上下方向に移動するチャンバ蓋部１２２およびカップ部１６１を備える必要はなく、一繋がりの部材であってもよい。この場合、例えば、空間形成蓋部から内側蓋側壁部が省略されてもよい。

基板処理装置１では、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

１ 基板処理装置
９ 基板
１４ 基板保持部
１５ 基板回転機構
８１ 環状開口
１００ 拡大密閉空間
１２０ チャンバ空間
１２１ チャンバ本体
１２２ チャンバ蓋部
１３１ チャンバ開閉機構
１６１ カップ部
１６２ カップ部移動機構
１６４ 外側壁部（ベローズ）
１６６ ガード部
１８１ 上部ノズル
１８２ 下部ノズル
１８８ スキャンノズル
２２８ 蓋下筒部
２５３ 液受け側壁部
６１１ カップ側壁部
８１３ 薬液供給部
８１４ 純水供給部
８１５ ＩＰＡ供給部
Ｊ１ 中心軸
Ｓ１１〜Ｓ１５ ステップ

Claims (6)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   筒状の本体側壁部を有する空間形成部本体と、
   前記本体側壁部の径方向内側に位置する筒状の蓋側壁部を有し、前記空間形成部本体の上方を覆う空間形成蓋部と、
   前記空間形成蓋部を第１位置と前記第１位置よりも上方の第２位置との間で前記空間形成部本体に対して上下方向に相対的に移動する空間形成部移動機構と、
   前記本体側壁部の径方向外側に位置し、上端部が前記空間形成蓋部に接続され、下端部が前記空間形成部本体に接続され、前記空間形成部移動機構による相対移動に追随して変形する外側壁部と、
   前記蓋側壁部と前記本体側壁部との間に配置される筒状のガード部と、
   前記空間形成部本体内に配置され、水平状態で基板を保持する基板支持部と、
   前記基板を前記基板支持部と共に回転する基板回転機構と、
   前記基板上に処理液を供給する処理液供給部と、
   を備え、
   前記空間形成蓋部が前記第１位置に位置する状態では、前記蓋側壁部と前記本体側壁部とが径方向に重なり、前記ガード部が前記本体側壁部に支持され、
   前記空間形成蓋部が前記第１位置から前記第２位置へと移動する際に、前記ガード部が前記空間形成蓋部の移動に伴って上方へと移動し、
   前記空間形成蓋部が前記第２位置に位置する状態では、前記蓋側壁部の下端が前記本体側壁部の上端よりも上方に位置し、前記ガード部が前記蓋側壁部の前記下端と前記本体側壁部の前記上端との間の間隙を覆うことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記空間形成蓋部が前記第１位置から前記第２位置へと移動する際に、前記ガード部が前記蓋側壁部により吊り下げられて上方へと移動することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記外側壁部が、それぞれが周状の複数の山折り線とそれぞれが周状の複数の谷折り線とが前記上下方向に交互に並ぶベローズであることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記空間形成蓋部が前記第２位置に位置する状態では、前記ガード部の下端部が前記本体側壁部の上端部と径方向に重なることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記空間形成蓋部が、前記蓋側壁部の径方向内側に位置する筒状の内側蓋側壁部を有し、
   前記空間形成蓋部が前記第１位置に位置する状態では、前記内側蓋側壁部が前記空間形成部本体に接することにより、内部に密閉空間が形成され、
   前記空間形成蓋部が前記第２位置に位置する状態では、前記内側蓋側壁部が前記空間形成部本体から離間して前記内側蓋側壁部と前記空間形成部本体との間に環状開口が形成され、前記蓋側壁部が、前記基板から飛散した処理液を前記環状開口を介して受けることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記処理液供給部が、前記内側蓋側壁部と前記蓋側壁部との間において前記空間形成蓋部に取り付けられ、前記環状開口を介して前記基板の上方へと移動して前記基板上に処理液を供給するノズルを備えることを特徴とする基板処理装置。

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