JP6210548B2 - 面発光レーザ素子、レーザ素子アレイ、光源および光モジュール - Google Patents
面発光レーザ素子、レーザ素子アレイ、光源および光モジュール Download PDFInfo
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特許文献1 2009−252758号公報
Claims (16)
- ベース基板の上方に積層され、互いに光を反射する下側反射層および上側反射層と、
前記下側反射層および前記上側反射層の間に設けられた活性層と、
前記活性層および前記上側反射層の間に設けられた電流拡散層と、
最下面の位置が、前記上側反射層の最下面の位置から、前記電流拡散層の最上面の位置までのいずれかの位置となるように、または、最下面の位置が上部反射層の最下面より上方であり上部反射層の周囲に、設けられたコンタクト層と
を備え、
前記下側反射層および前記上側反射層の最下面の間におけるメサポストを含む領域に共振領域が形成され、
前記上側反射層の最下面の少なくとも一部に対応する前記共振領域における前記コンタクト層の吸光度は、前記共振領域以外における前記コンタクト層の吸光度よりも小さく、
前記共振領域の少なくとも一部に対応する前記コンタクト層が、前記共振領域以外における前記コンタクト層より薄い
面発光レーザ素子。 - 前記上側反射層と、前記電流拡散層との光学的距離が、前記面発光レーザ素子の発振波長をλとして、λ/4または3λ/4のいずれかに略等しい
請求項1に記載の面発光レーザ素子。 - 前記上側反射層の最下面と、前記下側反射層の最上面との光学的距離が前記面発光レーザ素子の発振波長をλとして、λに略等しい
請求項1または2に記載の面発光レーザ素子。 - 前記上側反射層はリッジ形状であり、
前記コンタクト層は、前記上側反射層の最下面から予め定められた高さまでの領域を囲んで設けられる
請求項1から3のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 前記共振領域の全体における前記コンタクト層が、前記共振領域以外における前記コンタクト層より薄い
請求項1から4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 前記コンタクト層および前記上側反射層の間に設けられた調整層を更に備え、
前記調整層は、前記上側反射層と、前記電流拡散層との光学的距離が、前記面発光レーザ素子の発振波長をλとして、λ/4または3λ/4のいずれかに略等しくなるように設けられる
請求項5に記載の面発光レーザ素子。 - 前記共振領域の少なくとも一部に対応する前記コンタクト層のキャリア濃度が、前記共振領域以外における前記コンタクト層のキャリア濃度より低い
請求項1から6のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 前記共振領域の全体における前記コンタクト層のキャリア濃度が、前記共振領域以外における前記コンタクト層のキャリア濃度より低い
請求項7に記載の面発光レーザ素子。 - 前記共振領域の少なくとも一部に対応する前記コンタクト層には不純物がドープされていない
請求項6に記載の面発光レーザ素子。 - 前記コンタクト層は、前記コンタクト層の最上面および最下面の間に、前記共振領域における定在波の腹が配置されるように設けられる
請求項1から9のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 前記上側反射層は、前記共振領域の外側における前記下側反射層の上面にも設けられる
請求項1から10のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 前記コンタクト層の最下面が、前記電流拡散層の最上面に接している
請求項1から11のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 前記上部反射層は誘電体からなり、
前記コンタクト層の下側に半導体で形成された中間反射層を更に備える
請求項1から11のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 基材と、
請求項1から13のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が、前記基材に一次元または二次元のアレイ状に設けられたレーザ素子アレイ。 - 請求項1から13のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子と、
前記面発光レーザ素子に印加する電圧を制御する制御回路と
を備える光源。 - 請求項1から13のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子と、
前記面発光レーザ素子が出力するレーザ光を伝搬する光導波路と、
前記面発光レーザ素子及び前記光導波路を光学的に結合する光結合部と
を備える光モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013229185A JP6210548B2 (ja) | 2013-11-05 | 2013-11-05 | 面発光レーザ素子、レーザ素子アレイ、光源および光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013229185A JP6210548B2 (ja) | 2013-11-05 | 2013-11-05 | 面発光レーザ素子、レーザ素子アレイ、光源および光モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015090880A JP2015090880A (ja) | 2015-05-11 |
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ID=53194280
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013229185A Active JP6210548B2 (ja) | 2013-11-05 | 2013-11-05 | 面発光レーザ素子、レーザ素子アレイ、光源および光モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6210548B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109923742B (zh) * | 2016-11-02 | 2021-10-22 | 索尼公司 | 发光元件及其制造方法 |
US20230352910A1 (en) * | 2020-03-27 | 2023-11-02 | Sony Group Corporation | Light emitting element, light emitting element unit, electronic device, light emitting device, sensing device, and communication device |
CN114122912A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-03-01 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种半导体激光器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6044100A (en) * | 1997-12-23 | 2000-03-28 | Lucent Technologies Inc. | Lateral injection VCSEL |
JP4497859B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2010-07-07 | 株式会社リコー | 面発光半導体レーザ装置および光伝送モジュールおよび光伝送システム |
JP2008028120A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体素子 |
-
2013
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015090880A (ja) | 2015-05-11 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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