JP6200835B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
一実施の形態に係る半導体装置は、裏面照射型の光電変換素子と、マーク状外観部と、パッド電極と、接続部とを含むチップ領域を備えている。マーク状外観部は、半導体基板内に形成された溝部の側面の全体を覆う絶縁膜を含んでいる。パッド電極は、マーク状外観部と重なる位置に配置されている。接続部は、パッド電極とマーク状外観部とを接続する。パッド電極の半導体基板の他方の主表面側の少なくとも一部は、半導体基板の他方の主表面側からパッド電極まで到達する開口部により露出されている。マーク状外観部および接続部は、平面視における開口部の外周の少なくとも一部を囲むように配置される。
一実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、裏面照射型の光電変換素子が形成される。半導体基板に形成した溝部の側面の全体を覆う絶縁膜を形成することによりマーク状外観部が形成される。パッド電極とマーク状外観部とを接続する接続部が形成される。パッド電極はマーク状外観部と重なる位置に形成される。パッド電極の半導体基板の他方の主表面側の少なくとも一部を露出するように、半導体基板の他方の主表面側からパッド電極まで到達する開口部が形成される。マーク状外観部および接続部は、平面視における開口部の外周の少なくとも一部を囲むように形成される。
(実施の形態1)
まず図1〜図2を用いて、本実施の形態としてウェハ状態の半導体装置について説明する。
チップ領域IMCのパッド領域Bにおいては、半導体基板SIの一方の主表面S1から他方の主表面S2側に向けて延びるマーク状外観部MKが形成されている。マーク状外観部MKは、周囲絶縁膜IF(絶縁膜)と内部導電膜CF(導電膜)とにより形成されている。
パッド領域Bにおいては、たとえば固体撮像素子領域Aにおける最上層(半導体基板SIの主表面S1から最も離れた層)の金属配線M3と同一の層としてパッド電極PAが形成されている。このパッド電極PAは、半導体基板SIの主表面S1側において平面視においてマーク状外観部MKと重なる位置に配置されている。
まず図21を用いて、本実施の形態の半導体装置の、特に固体撮像素子領域Aおよびパッド領域Bの構成について説明する。
まず図31を用いて、本実施の形態の半導体装置の、特に固体撮像素子領域Aおよびパッド領域Bの構成について説明する。
本実施の形態においては、パッド電極PAが半導体基板SIにより近い側(図の下側の層)に形成されており、開口部THが他の実施の形態に比べて浅く形成されている。このためカラーフィルタCFTおよびマイクロレンズLNSの形成時の加工がより容易になる。これは開口部THが浅いことにより、カラーフィルタCFTおよびマイクロレンズLNSを塗布膜にて形成する際、被覆性(段差に対する埋め込み性および塗布膜の膜厚均質性)が向上するためである。
図36を参照して、本実施の形態においては、パッド領域Bに加えて、シールリング領域Cにも、(シールリングSRの主表面S2側(図の下側)には)半導体基板SIの主表面S1から主表面S2まで(主表面S2を超えて)半導体基板SI内を貫通するように延びるマーク状外観部MKが形成されている。
以下の図39〜図44においては説明の便宜上、領域A,B,Dの構成を示している。
上記の各実施の形態においては、基本的に図5および図32に示すように、パッド領域Bの開口部THの周囲の接続部SR(およびマーク状外観部MK)は平面視において開口部THの外周の全体を囲むように、たとえば矩形の平面形状を有するように形成される。しかし図45〜図50に示すように、パッド領域Bの開口部THの周囲の接続部SR(およびマーク状外観部MK)は平面視において開口部THの外周の一部のみを囲むように形成されてもよい。図45〜図47はたとえば図5のパッド領域Bの態様の変形例を、図48〜図50はたとえば図32のパッド領域Bの態様の変形例を、それぞれ示している。また図示されないが、本実施の形態の上記各図の態様は、実施の形態1〜5のいずれの構成に適用してもよい。
Claims (17)
- チップ領域を備え、
前記チップ領域は、
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された光電変換素子と、
前記半導体基板の一方の前記主表面から、前記一方の主表面の反対側の、前記光電変換素子に光を照射する他方の前記主表面側に向けて延びるマーク状外観部と、
前記半導体基板の前記一方の主表面側において前記マーク状外観部と重なる位置に配置されるパッド電極と、
前記パッド電極と前記マーク状外観部とを接続する接続部とを含み、
前記マーク状外観部は、前記半導体基板内に形成された溝部の側面の全体を覆う絶縁膜を含み、
前記パッド電極の前記他方の前記主表面側の少なくとも一部は、前記半導体基板の前記他方の主表面側から前記パッド電極まで到達する開口部により露出されており、
前記マーク状外観部および前記接続部は、平面視における前記開口部の外周の少なくとも一部を囲むように配置され、
前記半導体基板の前記一方の主表面側に、前記一方の主表面に沿うように拡がるように配置される層間絶縁膜をさらに備え、
前記マーク状外観部は、前記層間絶縁膜と同一の層として前記一方の主表面に沿うように拡がる第1の部分と、前記絶縁膜として前記溝部の側面の全体を覆う第2の部分と、前記溝部内から前記第1の部分内まで前記溝部の側面が延びる方向に延びる第3の部分とを有する、半導体装置。 - 前記マーク状外観部は、前記半導体基板の前記一方の主表面から前記他方の主表面まで前記半導体基板を貫通する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記マーク状外観部および前記接続部は、平面視における前記開口部の外周の全体を囲むように配置される、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記マーク状外観部は、前記絶縁膜の内側に配置された導電膜を含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電膜は金属材料により形成される、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記チップ領域内の最外部には、前記光電変換素子および前記パッド電極を平面視において囲むシールリングが配置され、
前記シールリングの前記他方の主表面側には前記マーク状外観部と同一の層としての他のマーク状外観部が配置される、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記光電変換素子は、複数の金属配線を有する配線層と電気的に接続され、
前記接続部の少なくとも一部は、前記金属配線の少なくとも一部と同一の層を含むように形成される、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記チップ領域は前記半導体基板において互いに間隔をあけてアレイ状に複数配置され、
互いに隣り合う1対の前記チップ領域に挟まれたダイシング領域には、前記一方の主表面から前記他方の主表面まで前記半導体基板を貫通するように延びるアライメントマーク部が配置され、
前記アライメントマーク部は、前記マーク状外観部と同一の層として形成される、請求項1に記載の半導体装置。 - チップ領域を含む半導体装置の製造方法であって、
主表面を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板内に光電変換素子を形成する工程と、
前記半導体基板の一方の前記主表面から、前記一方の主表面の反対側の、前記光電変換素子に光を照射する他方の前記主表面側に向けて延びる溝部を形成する工程と、
前記溝部の側面の全体を覆う絶縁膜を形成することによりマーク状外観部を形成する工程と、
前記マーク状外観部と接続される接続部を形成する工程と、
前記半導体基板の前記一方の主表面側において前記マーク状外観部と重なる位置に、前記接続部に接続されるパッド電極を形成する工程と、
前記パッド電極の前記他方の主表面側の少なくとも一部を露出するように、前記半導体基板の前記他方の主表面側から前記パッド電極まで到達する開口部を形成する工程とを備え、
前記マーク状外観部および前記接続部は、平面視における前記開口部の外周の少なくとも一部を囲むように形成され、
前記半導体基板の前記一方の主表面側に、前記一方の主表面に沿うように拡がるように配置される層間絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記マーク状外観部は、前記層間絶縁膜と同一の層として前記一方の主表面に沿うように拡がる第1の部分と、前記絶縁膜として前記溝部の側面の全体を覆う第2の部分と、前記溝部内から前記第1の部分内まで前記溝部の側面が延びる方向に延びる第3の部分とを有するように形成される、半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板には、前記光電変換素子および前記パッド電極を含む前記チップ領域が、互いに間隔をあけてアレイ状に複数形成され、
互いに隣り合う1対の前記チップ領域に挟まれたダイシング領域に、前記一方の主表面から前記他方の主表面まで前記半導体基板を貫通するように延びるアライメントマーク部が形成される工程をさらに備え、
前記アライメントマーク部を形成するための第1の溝部は前記マーク状外観部を形成するための第2の溝部と同時に形成される、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板には、前記光電変換素子および前記パッド電極を含む前記チップ領域が、互いに間隔をあけてアレイ状に複数形成され、
互いに隣り合う1対の前記チップ領域に挟まれたダイシング領域に、前記一方の主表面から前記他方の主表面に向かう方向に延びるアライメントマーク部が形成される工程をさらに備え、
前記アライメントマーク部を形成するための第1の溝部は前記マーク状外観部を形成するための第2の溝部と異なる工程により形成される、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マーク状外観部を形成する工程は、前記光電変換素子を形成する工程の前になされ、
前記マーク状外観部を形成する工程は、前記絶縁膜の内側に導電膜を形成する工程を含む、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マーク状外観部を形成する工程は、前記光電変換素子を形成する工程の後になされ、
前記マーク状外観部を形成する工程は、前記絶縁膜の内側に金属材料の導電膜を形成する工程を含む、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記光電変換素子と電気的に接続されるコンタクト導電層を構成する導電膜を形成する工程をさらに備え、
前記金属材料の導電膜を形成する工程は、前記光電変換素子と電気的に接続される前記コンタクト導電層を構成する導電膜を形成する工程と同時になされる、請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記チップ領域の最外部に、前記光電変換素子および前記パッド電極を平面視において囲むシールリングを形成する工程と、
前記シールリングの前記他方の主表面側に前記マーク状外観部と同一の層としての他のマーク状外観部を形成する工程とをさらに備え、
前記他のマーク状外観部を形成する工程は前記溝部の内壁面を覆う絶縁膜を形成することによりマーク状外観部を形成する工程と同時になされる、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の前記一方の主表面側に、光電変換素子と電気的に接続される、複数の金属配線が積層された構成を有する配線層を形成する工程をさらに備え、
前記接続部を形成する工程の少なくとも一部は前記配線層を形成する工程と同時になされることにより、前記接続部の少なくとも一部は、前記金属配線の少なくとも一部と同一の層を含むように形成される、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記パッド電極は、積層された複数の前記金属配線のうち最も前記一方の主表面から離れた層の前記金属配線以外の前記金属配線と同一の層として形成される、請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
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