JP6196789B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6196789B2
JP6196789B2 JP2013053521A JP2013053521A JP6196789B2 JP 6196789 B2 JP6196789 B2 JP 6196789B2 JP 2013053521 A JP2013053521 A JP 2013053521A JP 2013053521 A JP2013053521 A JP 2013053521A JP 6196789 B2 JP6196789 B2 JP 6196789B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
buffer
unit
charge
portions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013053521A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014179871A (ja
Inventor
慎也 大塚
慎也 大塚
久則 鈴木
久則 鈴木
村松 雅治
雅治 村松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2013053521A priority Critical patent/JP6196789B2/ja
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to CN201480015834.8A priority patent/CN105103538B/zh
Priority to EP14765033.7A priority patent/EP2975840B1/en
Priority to KR1020157027575A priority patent/KR102237260B1/ko
Priority to US14/774,141 priority patent/US9635293B2/en
Priority to PCT/JP2014/053789 priority patent/WO2014141826A1/ja
Priority to TW103108478A priority patent/TWI604732B/zh
Publication of JP2014179871A publication Critical patent/JP2014179871A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6196789B2 publication Critical patent/JP6196789B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14806Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/72Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、固体撮像装置に関するものであり、特に、双方向に電荷を転送可能な固体撮像装置に関する。
CCDを用いた固体撮像装置として、垂直方向において双方向に電荷を転送可能なものが知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の固体撮像装置では、1画素当たり3つのゲートが設けられ、3つのゲートに、互いに位相が異なる3相の電圧がそれぞれ印加される。これにより、撮像領域において、光の入射に応じて発生した電荷が垂直方向において双方向に移動可能とされている。特許文献1に記載の固体撮像装置には、撮像領域から垂直方向に転送された電荷を水平方向に転送するための水平シフトレジスタが設けられている。水平シフトレジスタにより転送された電荷は、読み出し増幅器によって電圧信号に変換され、固体撮像装置の外部に読み出される。特許文献1に記載の固体撮像装置では、水平方向に複数の読み出し増幅器が並べて設けられることにより、出力がマルチポート化され、電荷の読み出しの高速化が実現されている。しかしながら、特許文献1に記載の技術のように水平方向のシフトレジスタを用いた場合、出力をマルチポート化したとしても、電荷の読み出しの高速化に限界がある。近年では、電荷の読み出しの更なる高速化が求められている。
電荷の読み出しの更なる高速化のための技術として、2次元配列された画素列のうち、隣接する2列ごとに1個の出力アンプを設け、この出力アンプを用いて電荷を読み出す技術が知られている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2に記載の固体撮像素子では、撮像領域及びバッファ領域において、6相の駆動電圧が印加される。駆動電圧により、半導体基板内のポテンシャルの深さが制御され、電荷が撮像領域からバッファ領域に転送され、転送された電荷がアンプにより電圧信号として読み出される。
国際公開第2007/064910号 国際公開第2003/107661号
特許文献2に記載の技術を特許文献1に記載の固体撮像装置に適用した場合、撮像領域とバッファ領域とがいずれも6相の駆動電圧により駆動される。このような構成の固体撮像装置において、電荷を転送するためには、6相の電圧をそれぞれ順に変化させる必要がある。したがって、垂直転送に時間がかかり、電荷の読み出しの高速化の妨げになる。
本発明は、双方向に電荷を転送でき、かつ電荷を高速に読み出すことができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明に係る固体撮像装置は、第一方向に沿うように設けられ、光入射に応じて電荷を発生する光電変換部と、光電変換部で発生した電荷を、3相又は4相の駆動信号に応じて、第一方向又は第一方向とは反対の第二方向に転送する転送部と、光電変換部に対応して配置され、転送部により光電変換部から第一方向に転送された電荷を取得し、2相の駆動信号に応じて、取得した電荷を第一方向に転送する第一バッファ部と、光電変換部に対応して配置され、転送部により光電変換部から第二方向に転送された電荷を取得し、2相の駆動信号に応じて、取得した電荷を第二方向に転送する第二バッファ部と、第一バッファ部に対応して配置され、第一バッファ部から転送された電荷を取得し、取得した電荷に応じた信号を出力する第一出力部と、第二バッファ部に対応して配置され、第二バッファ部から転送された電荷を取得し、取得した電荷に応じた信号を出力する第二出力部と、を備える。
本発明に係る固体撮像装置によれば、光電変換部で発生した電荷が、転送部により、第一方向又は第二方向の双方向に転送される。転送部は、3相又は4相の駆動信号に応じて電荷を転送し、第一バッファ部又は第二バッファ部の各々は、2相の駆動信号に応じて電荷を転送する。したがって、本発明に係る固体撮像装置は、電荷の第一方向における転送を高速に行うことができる。このように、本発明に係る固体撮像装置によれば、双方向に電荷を転送でき、かつ電荷を高速に読み出すことができる。
転送部は、第一方向に並置され、3相又は4相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、光電変換部で発生した電荷を転送する複数の転送電極を有していてもよい。この場合には、転送部が有する複数の転送電極のそれぞれに、3相又は4相の駆動信号のうち対応する駆動信号が与えられる。これにより、転送部は、第一方向又は第二方向の双方向に電荷を転送することができ、かつ高速に電荷を転送することができる。
第一バッファ部は、第一方向に並置され、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、取得した電荷を転送する複数の転送電極を有し、第二バッファ部は、第二方向に並置され、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、取得した電荷を転送する複数の転送電極を有していてもよい。この場合には、第一バッファ部及び第二バッファ部が有する複数の転送電極のそれぞれに、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号が与えられる。これにより、第一バッファ部及び第二バッファ部は、2相の駆動信号によって高速に電荷を転送することができる。
第一及び第二方向に直交する第三方向に並置された複数の光電変換部を備えており、転送部と、第一及び第二バッファ部とは、各光電変換部に対応してそれぞれ配置され、第一出力部は、複数の第一バッファ部のうち、第三方向で隣り合う二つの第一バッファ部に対応して配置され、第三方向で隣り合う二つの第一バッファ部から交互に転送された電荷を取得し、交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力し、第二出力部は、複数の第二バッファ部のうち、第三方向で隣り合う二つの第二バッファ部に対応して配置され、交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力してもよい。この場合には、第一出力部は、第三方向で隣り合う二つの第一バッファ部から交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力する。第二出力部は、第三方向で隣り合う二つの第二バッファ部から交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力する。このため、隣り合う二つの第一又は第二バッファ部のうち一方が電荷を出力していない時間に、他方が電荷を出力することができる。このため、電荷の出力に要する時間を長くすることなく、高速に電荷を読み出すことができる。
本発明によれば、双方向に電荷を転送でき、かつ電荷を高速に読み出すことができる固体撮像装置が得られる。
本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置における転送部、第1バッファ部及び第1出力部を模式的に示す平面図である。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置において第一方向での電荷転送時に印加される電圧を示すタイミングチャートである。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置における転送部、第2バッファ部及び第2出力部を模式的に示す平面図である。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置において第二方向での電荷転送時に印加される電圧を示すタイミングチャートである。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置における転送部、第1バッファ部及び第1出力部を模式的に示す平面図である。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置において第一方向での電荷転送時に印加される電圧を示すタイミングチャートである。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の構成を模式的に示す図である。以下の説明では、図1のX軸の正方向を第一方向とし、第一方向とは反対の図1のX軸の負方向を第二方向とし、第一方向及び第二方向に直交する図1のY軸の正方向を第三方向と称する場合がある。
固体撮像装置1は、複数の光電変換部11,12と、複数の転送部21,22と、複数の第一バッファ部31,32と、複数の第二バッファ部51,52と、複数の第一出力部40と、複数の第二出力部60と、を備える。
光電変換部11,12は、X軸の正方向(第一方向)に沿うように設けられている。光電変換部11,12は、光入射に応じて、入射光強度に応じた電荷を発生する。光電変換部11,12は、Y軸の正方向(第三方向)に沿って、複数並置されている。1つの光電変換部11と、1つの光電変換部12とが、Y軸方向で隣り合って配置されている。光電変換部11,12は、例えば、半導体基板上において、p型半導体層とn型半導体層とを接合させて形成されたフォトダイオードである。
各光電変換部11,12に対応して、転送部21,22が設けられている。転送部21,22は、光電変換部11,12に沿うように、X軸方向に延びている。転送部21,22は、光電変換部11で発生した電荷を、3相又は4相の駆動信号に応じて、X軸の正方向又はその反対の方向であるX軸の負方向(第二方向)に転送する。特に、転送部21,22が、移動する対象物を撮像する際に、電荷の転送速度を対象物の移動速度に一致させて電荷を転送する場合には、固体撮像装置1はTDI動作を行うこととなる。
転送部21,22は、転送電極23を有している。転送電極23は、光電変換部11,12の上面に架け渡されるようにY軸方向に延び、X軸方向に並置され、3相又は4相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、光電変換部11,12で発生した電荷を転送する。転送電極23は、光電変換部11,12に対して光を透過させることができるように、例えばポリシリコン等の透明な材料により形成される。本実施形態では、駆動信号は3相とされ、転送電極23としては、転送電極23A,23B,23Cが3本1組としてX軸方向に並置されている。複数の転送電極23Aは、X軸方向に延びる配線によって互いに接続されるとともに、入力端子24Aに接続されている。同様に、複数の転送電極23Bは、X軸方向に延びる配線によって互いに接続されるとともに、入力端子24Bに接続されている。複数の転送電極23Cは、X軸方向に延びる配線によって互いに接続されるとともに、入力端子24Cに接続されている。入力端子24A,24B,24Cには、転送電極23A,23B,23Cに3相の駆動信号を与えるための信号処理回路70が接続されている。転送部21,22においては、上述した転送電極23A,23B,23Cの組が複数、X軸正方向に並置されている。
光電変換部11,12に対応して、第一バッファ部31,32が配置されている。第一バッファ部31,32は、光電変換部11,12に対して、X軸正方向に隣接して配置されている。第一バッファ部31,32は、転送部21,22によりX軸正方向に転送された電荷を取得し、2相の駆動信号に応じて、取得した電荷をX軸正方向に転送する。第一バッファ部31,32では、2相の駆動信号により電荷をX軸正方向に転送するためのポテンシャル分布が形成されている。このようなポテンシャル分布の一例として、第一バッファ部31,32では、例えば、半導体基板中の不純物濃度の調整などにより、ポテンシャルのX軸方向への分布が、例えばX軸正方向に向かってポテンシャルが深くなる階段状分布となるように形成されている。
第一バッファ部31,32は、X軸正方向に並置された転送電極33A〜33Dを有している。転送電極33A〜33Dは、Y軸方向に延びている。転送電極33Aと転送電極33Cとは、X軸方向に延びる配線によって互いに接続されるとともに、入力端子34Aに接続されている。転送電極33Bと転送電極33Dとは、X軸方向に延びる配線によって互いに接続されるとともに、入力端子34Bに接続されている。転送電極33A〜33Dは、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、光電変換部11,12から取得した電荷を転送する。転送電極33A〜33Dは、転送電極23A,23B,23Cと同様に、例えばポリシリコン等の透明な材料により形成される。
第一バッファ部31,32に対応して、第一出力部40が配置されている。第一出力部40は、第一バッファ部31,32に対して、X軸正方向に隣接して配置されている。より詳細には、第一出力部40は、Y軸方向で隣り合う第一バッファ部31,32に対応して配置される。第一出力部40は、これらの対応する第一バッファ部31,32から交互に転送された電荷を取得し、この交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力する。第一出力部40は、第一バッファ部31,32から転送された電荷を取得し、取得された電荷に応じた信号を出力する。第一出力部40が出力する信号は、例えば電圧信号であるが、電荷に応じた信号であれば、例えば電流信号などの他の信号であってもよい。第一出力部40は、出力端子45を介して信号を出力する。
光電変換部11,12に対応して、第二バッファ部51,52が配置されている。第二バッファ部51,52は、光電変換部11,12に対して、X軸負方向に隣接して配置されている。第二バッファ部51,52は、転送部21,22によりX軸負方向に転送された電荷を取得し、2相の駆動信号に応じて、取得した電荷をX軸負方向に転送する。第二バッファ部51,52では、2相の駆動信号により電荷をX軸負方向に転送するためのポテンシャル分布が形成されている。このようなポテンシャル分布の一例として、第二バッファ部51,52では、例えば、半導体基板中の不純物濃度の調整などにより、ポテンシャルのX軸方向への分布が、例えばX軸負方向に向かってポテンシャルが深くなる階段状分布となるように形成されている。
第二バッファ部51,52は、X軸正方向に並置された転送電極53A〜53Dを有している。転送電極53A〜53Dは、Y軸方向に延びている。転送電極53Aと転送電極53Cとは、X軸方向に延びる配線によって互いに接続されるとともに、入力端子54Aに接続されている。転送電極53Bと転送電極53Dとは、X軸方向に延びる配線によって互いに接続されるとともに、入力端子54Bに接続されている。転送電極53A〜53Dは、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、光電変換部11,12から取得した電荷を転送する。転送電極53A〜53Dは、転送電極23A,23B,23Cと同様に、例えばポリシリコン等の透明な材料により形成される。
図2に、転送部21,22のX軸正方向の側の端部と、第一バッファ部31,32と、第一出力部40とを拡大して示す。
部分21A,22Aは、それぞれ、転送部21,22のうち、転送電極23Aの下方に位置する部分である。部分21B,22Bは、それぞれ、転送部21,22のうち、転送電極23Bの下方に位置する部分である。部分21C,22Cは、それぞれ、転送部21,22のうち、転送電極23Cの下方に位置する部分である。
部分31A,32Aは、それぞれ、第一バッファ部31,32のうち、転送電極33Aの下方に位置する部分である。部分31B,32Bは、それぞれ、第一バッファ部31,32のうち、転送電極33Bの下方に位置する部分である。部分31C,32Cは、それぞれ、第一バッファ部31,32のうち、転送電極33Cの下方に位置する部分である。部分32Dは、第一バッファ部32のうち、転送電極33Dの下方に位置する部分である。
ここで、第一バッファ部31,32と第一出力部40との境界は、Y軸に対して傾斜している。第一バッファ部32は、第一バッファ部31と比較して、X軸方向に長くなるように設けられている。
第一出力部40は、アウトプットゲート41、フローティングディフュージョン42、リセットゲート43及びリセットドレイン44を有している。
アウトプットゲート41は、部分31C,32Dに蓄積された電荷をフローティングディフュージョン42に転送するための駆動信号としての電圧が印加される電極である。
フローティングディフュージョン42は、部分31C,32Dに蓄積された電荷を受け取る部分である。フローティングディフュージョン42は、半導体基板上において、例えばn型不純物を拡散して得られる半導体層である。フローティングディフュージョン42が部分31C,32Dからの電荷を受け取ると、フローティングディフュージョン42の電位は、受け取った電荷に比例した電位となる。フローティングディフュージョン42は、不図示の出力回路の入力端子(例えばソースフォロワ回路のゲート端子)に接続され、この出力回路の出力端子が出力端子45に接続されている。
リセットゲート43は、リセット信号RGが印加される電極である。リセットゲート43は、リセット信号RGに応じてリセットドレイン44とフローティングディフュージョン42とを短絡し、フローティングディフュージョン42の電位をリセットドレイン44の電位にリセットするための電極である。
リセットドレイン44は、半導体基板上において、例えばn型不純物を拡散して得られる半導体層である。リセットドレイン44は、時間に対して一定に保たれた基準電位(例えばグランド電位)に接続されている。
次に、図3を参照して、3相の駆動信号を用いて、X軸正方向に電荷を転送する場合の固体撮像装置1の動作について説明する。以下の説明では、転送電極23A,23B,23Cに印加される駆動信号としての電圧をそれぞれV1,V2,V3とする。転送電極33A,33B,33C,33Dに印加される駆動信号としての電圧をそれぞれBG1,BG2,BG3,BG4とする。リセットゲート43に印加される電圧をRGとし、フローティングディフュージョン42の電位をOSとする。
まず、時刻t以前には、電圧V1がHレベル、電圧V2がLレベル、電圧V3がLレベルである。このとき、部分21A,22Aのポテンシャルは深く、部分21B,22B,21C,22Cのポテンシャルは浅い。このため、電荷は部分21A,22Aに蓄積されている。
時刻tで、電圧V2がHレベルとされる。すると、部分21B,22Bのポテンシャルが深くなる。これにより、部分21A,22Aに蓄積されていた電荷の一部は、部分21B,22Bに転送される。
時刻tで、電圧V1がLレベルとされる。すると、部分21A,22Aのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分21A,22Aに蓄積されていた電荷は全て、部分21B,22Bに転送される。
時刻tで、電圧V3がHレベルとされる。すると、部分21C,22Cのポテンシャルが深くなる。これにより、部分21B,22Bに蓄積されていた電荷の一部は、部分21C,22Cに転送される。
時刻tで、電圧V2がLレベルとされる。すると、部分21B,22Bのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分21B,22Bに蓄積されていた電荷は全て、部分21C,22Cに転送される。
時刻tで、電圧BG1がHレベルとされる。すると、部分31A,32Aのポテンシャルが深くなる。これにより、部分21C,22Cに蓄積されていた電荷の一部は、部分21C,22Cに転送される。
時刻tで、電圧V3がLレベルとされる。すると、部分21C,22Cのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分21C,22Cに蓄積されていた電荷は全て、部分31A,32Aに転送される。
時刻tで、電圧BG1がLレベルとされるとともに、電圧BG2がHレベルとされる。すると、部分31A,32Aのポテンシャルが浅くなるとともに、部分31B,32Bのポテンシャルが深くなる。これにより、部分31A,32Aに蓄積されていた電荷は全て、部分31B,32Bに転送される。
時刻tで、電圧BG2がLレベルとされるとともに、電圧BG3がHレベルとされる。すると、部分31B,32Bのポテンシャルが浅くなるとともに、部分31C,32Cのポテンシャルが深くなる。これにより、部分31B,32Bに蓄積されていた電荷は全て、部分31C,32Cに転送される。
時刻tで、電圧RGがHレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン42の電位が、リセットドレイン44の電位と同電位にリセットされる。
時刻t10で、電圧RGがLレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン42の電位は、電荷無しの場合の電位とされる。
時刻t11で、電圧BG3がLレベルとされるとともに、電圧BG4がHレベルとされる。すると、部分31C,32Cのポテンシャルが浅くなるとともに、部分32Dのポテンシャルが深くなる。これにより、部分31Cに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョン42に転送されるとともに、部分32Cに蓄積されていた電荷が部分32Dに転送される。これにより、フローティングディフュージョン42の電位は、転送部21及び第一バッファ部31により転送されてきた電荷に対応する電位とされる。
時刻t12で、電圧RGがHレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン42の電位が、リセットドレイン44の電位と同電位にリセットされる。
時刻t13で、電圧RGがLレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン42の電位は、電荷無しの場合の電位とされる。
時刻t14で、電圧BG4がLレベルとされる。すると、部分32Dのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分31Dに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョン42に転送される。これにより、フローティングディフュージョン42の電位は、転送部22及び第一バッファ部32により転送されてきた電荷に対応する電位とされる。
上記の説明において、時刻tからt14にかけての部分で説明したように、第一出力部40は、Y軸方向で隣り合う二つの第一バッファ部31,32から交互に転送された電荷を取得し、交互に転送された電荷毎に応じた電荷を出力する。
次に、図4に、転送部21,22のX軸負方向の側の端部と、第二バッファ部51,52と、第二出力部60とを拡大して示す。部分21A〜23A,21B〜23Bについては、図2を参照して既に説明したのと同様である。
部分51A,52Aは、それぞれ、第二バッファ部51,52のうち、転送電極53Aの下方に位置する部分である。部分51B,52Bは、それぞれ、第二バッファ部51,52のうち、転送電極53Bの下方に位置する部分である。部分51C,52Cは、それぞれ、第二バッファ部51,52のうち、転送電極53Cの下方に位置する部分である。部分52Dは、第二バッファ部52のうち、転送電極53Dの下方に位置する部分である。
ここで、第二バッファ部51,52と第二出力部60との境界は、Y軸に対して傾斜している。第二バッファ部52は、第一バッファ部51と比較して、X軸方向に長くなるように設けられている。
第二出力部60は、アウトプットゲート61、フローティングディフュージョン62、リセットゲート63及びリセットドレイン64を有している。第二出力部60の構成は、第一出力部40の構成と比較すると、X軸方向に関して逆方向に配置されている点で異なるが、その他の点については同様である。
次に、図5を参照して、3相の駆動信号を用いて、X軸負方向に電荷を転送する場合の固体撮像装置1の動作について説明する。以下の説明では、転送電極23A,23B,23Cに印加される駆動信号としての電圧をそれぞれV1,V2,V3とする。転送電極53A,53B,53C,53Dに印加される駆動信号としての電圧をそれぞれBG1,BG2,BG3,BG4とする。リセットゲート63に印加される電圧をRGとし、フローティングディフュージョン62の電位をOSとする。
まず、時刻t21以前には、電圧V1がHレベル、電圧V2がLレベル、電圧V3がHレベルである。このとき、部分21A,22A,21B,22Bのポテンシャルは浅く、部分21C,22Cのポテンシャルは深い。このため、電荷は部分21C,22Cに蓄積されている。
時刻t21で、電圧V2がHレベルとされる。すると、部分21B,22Bのポテンシャルが深くなる。これにより、部分21C,22Cに蓄積されていた電荷の一部は、部分21B,22Bに転送される。
時刻t22で、電圧V3がLレベルとされる。すると、部分21C,22Cのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分21C,22Cに蓄積されていた電荷は全て、部分21B,22Bに転送される。
時刻t23で、電圧V1がHレベルとされる。すると、部分21A,22Aのポテンシャルが深くなる。これにより、部分21B,22Bに蓄積されていた電荷の一部は、部分21A,22Aに転送される。
時刻t24で、電圧V2がLレベルとされる。すると、部分21B,22Bのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分21B,22Bに蓄積されていた電荷は全て、部分21A,22Aに転送される。
時刻t25で、電圧BG1がHレベルとされる。すると、部分51A,52Aのポテンシャルが深くなる。これにより、部分21A,22Aに蓄積されていた電荷の一部は、部分21C,22Cに転送される。
時刻t26で、電圧V1がLレベルとされる。すると、部分21A,22Aのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分21A,22Aに蓄積されていた電荷は全て、部分51A,52Aに転送される。
時刻t27で、電圧BG1がLレベルとされるとともに、電圧BG2がHレベルとされる。すると、部分51A,52Aのポテンシャルが浅くなるとともに、部分51B,52Bのポテンシャルが深くなる。これにより、部分51A,52Aに蓄積されていた電荷は全て、部分51B,52Bに転送される。
時刻t28で、電圧BG2がLレベルとされるとともに、電圧BG3がHレベルとされる。すると、部分51B,52Bのポテンシャルが浅くなるとともに、部分51C,52Cのポテンシャルが深くなる。これにより、部分51B,52Bに蓄積されていた電荷は全て、部分51C,52Cに転送される。
時刻t29で、電圧RGがHレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン62の電位が、リセットドレイン64の電位と同電位にリセットされる。
時刻t30で、電圧RGがLレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン62の電位は、電荷無しの場合の電位とされる。
時刻t31で、電圧BG3がLレベルとされるとともに、電圧BG4がHレベルとされる。すると、部分51C,52Cのポテンシャルが浅くなるとともに、部分52Dのポテンシャルが深くなる。これにより、部分51Cに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョン62に転送されるとともに、部分52Cに蓄積されていた電荷が部分52Dに転送される。これにより、フローティングディフュージョン62の電位は、転送部21及び第二バッファ部51により転送されてきた電荷に対応する電位とされる。
時刻t32で、電圧RGがHレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン62の電位が、リセットドレイン44の電位と同電位にリセットされる。
時刻t33で、電圧RGがLレベルとされる。これにより、フローティングディフュージョン62の電位は、電荷無しの場合の電位とされる。
時刻t34で、電圧BG4がLレベルとされる。すると、部分52Dのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分51Dに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョン62に転送される。これにより、フローティングディフュージョン62の電位は、転送部22及び第二バッファ部52により転送されてきた電荷に対応する電位とされる。
上記の説明において、時刻tからt14にかけての部分で説明したように、第二出力部60は、Y軸方向で隣り合う二つの第一バッファ部51,52から交互に転送された電荷を取得し、交互に転送された電荷毎に応じた電荷を出力する。
以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置1によれば、光電変換部11,12で発生した電荷が、転送部21,22により、X軸正方向又はX軸負方向の双方向に転送される。転送部21,22は、3相又は4相の駆動信号に応じて電荷を転送し、第一バッファ部31,32又は第二バッファ部51,52の各々は、2相の駆動信号に応じて電荷を転送する。したがって、本実施形態に係る固体撮像装置1は、電荷のX軸方向における転送を高速に行うことができる。このように、本実施形態に係る固体撮像装置1によれば、双方向に電荷を転送でき、かつ電荷を高速に読み出すことができる。
本実施形態では、転送部21,22は、X軸方向に並置され、3相又は4相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、光電変換部11,12で発生した電荷を転送する複数の転送電極23A〜23Cを有している。これにより、転送部21,22が有する複数の転送電極23A〜23Cのそれぞれに、3相又は4相の駆動信号のうち対応する駆動信号が与えられる。これにより、転送部21,22は、X軸正方向又はX軸負方向の双方向に電荷を転送することができ、かつ高速に電荷を転送することができる。
本実施形態では、第一バッファ部31,32は、X軸方向に並置され、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、取得した電荷を転送する複数の転送電極33A〜33Dを有し、第二バッファ部51,52は、X軸方向に並置され、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、取得した電荷を転送する複数の転送電極53A〜53Dを有していてもよい。この場合には、第一バッファ部31,32及び第二バッファ部51,52が有する複数の転送電極33A〜33D,53A〜53Dのそれぞれに、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号が与えられる。これにより、第一バッファ部31,32及び第二バッファ部51,52は、2相の駆動信号によって高速に電荷を転送することができる。
本実施形態では、X軸方向に直交するY軸方向に並置された複数の光電変換部11,12を備えており、転送部21,22と、第一バッファ部31,32及び第二バッファ部51,52とは、各光電変換部11,12に対応してそれぞれ配置され、第一出力部40は、複数の第一バッファ部31,32のうち、Y軸方向で隣り合う二つの第一バッファ部31,32に対応して配置され、Y軸方向で隣り合う二つの第一バッファ部31,32から交互に転送された電荷を取得し、交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力し、第二出力部60は、複数の第二バッファ部51,52のうち、Y軸方向で隣り合う二つの第二バッファ部51,52に対応して配置され、交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力する。これにより、第一出力部40は、Y軸方向で隣り合う二つの第一バッファ部31,32から交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力する。第二出力部60は、Y軸方向で隣り合う二つの第二バッファ部51,52から交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力する。このため、隣り合う二つの第一バッファ部31,32又は第二バッファ部51,52のうち一方が電荷を出力していない時間に、他方が電荷を出力することができる。このため、電荷の出力に要する時間を長くすることなく、高速に電荷を読み出すことができる。
(第2実施形態)
第2実施形態の固体撮像装置101は、第1実施形態の固体撮像装置1とは、転送部における駆動信号の相数が異なる。すなわち、第1実施形態の転送部21が、3相の駆動信号に応じて電荷を転送していたのに対し、第2実施形態の転送部121は、4相の駆動信号に応じて電荷を転送する。
図6に示すように、第2実施形態の固体撮像装置101は、転送部121以外は、図1に示した第1実施形態の固体撮像装置1とほぼ同様の構成を有している。具体的には、転送部121は、3本の転送電極23A〜23Cに代えて、4本の転送電極123A〜123Dを有している。
図7に、第2実施形態の固体撮像装置101の転送部121,122のX軸正方向の側の端部と、第一バッファ部31,32と、第一出力部40とを拡大して示す。
部分121A,122Aは、それぞれ、転送部121,122のうち、転送電極123Aの下方に位置する部分である。部分121B,122Bは、それぞれ、転送部121,122のうち、転送電極123Bの下方に位置する部分である。部分121C,122Cは、それぞれ、転送部121,122のうち、転送電極123Cの下方に位置する部分である。部分121D,122Dは、それぞれ、転送部121,122のうち、転送電極123Dの下方に位置する部分である。
部分31A〜31C,32A〜32D及び第1出力部40については、図2を参照して説明した第1実施形態と同様なので、説明を省略する。
次に、図8を参照して、4相の駆動信号を用いて、X軸正方向に電荷を転送する場合の固体撮像装置101の動作について説明する。以下の説明では、転送電極123A,123B,123C,123Dに印加される駆動信号としての電圧をそれぞれV1,V2,V3,V4とする。転送電極33A,33B,33C,33Dに印加される駆動信号としての電圧をそれぞれBG1,BG2,BG3,BG4とする。リセットゲート43に印加される電圧をRGとし、フローティングディフュージョン42の電位をOSとする。
まず、時刻t41以前には、電圧V1がLレベル、電圧V2がLレベル、電圧V3がHレベル、電圧V4がHレベルである。このとき、部分121A,122Aのポテンシャルは浅い。このため、電荷は部分121A,122Aには蓄積されていない。
時刻t41で、電圧V1がHレベルとされる。すると、部分121A,122Aのポテンシャルが深くなる。これにより、部分121A,122Aに電荷が転送される。
時刻t42で、電圧V2がHレベルとされる。すると、部分121B,122Bのポテンシャルが深くなる。これにより、部分121B,122Bに電荷が転送される。
時刻t43で、電圧V3がHレベルとされる。すると、部分121C,122Cのポテンシャルが深くなる。これにより、部分121C,122Cに電荷が転送される。
時刻t44で、電圧V1がLレベルとされる。すると、部分121A,122Aのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分121A,122Aに蓄積されていた電荷は、全て部分121B,122Bに転送される。
時刻t45で、電圧V4がHレベルとされる。すると、部分121D,122Dのポテンシャルが深くなる。これにより、部分121D,122Dに電荷が転送される。
時刻t46で、電圧V2がLレベルとされる。すると、部分121B,122Bのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分121B,122Bに蓄積されていた電荷は、全て部分121C,122Cに転送される。
時刻t47で、電圧V3がLレベルとされる。すると、部分121C,122Cのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分121C,122Cに蓄積されていた電荷は、全て部分121D,122Dに転送される。同時に、電圧BG1がHレベルとされる。すると、部分31A,32Aのポテンシャルが深くなる。これにより、部分121D,122Dに蓄積されていた電荷の一部は、部分31A,32Aに転送される。
時刻t48で、電圧V4がLレベルとされる。すると、部分121D,122Dのポテンシャルが浅くなる。これにより、部分121D,122Dに蓄積されていた電荷は、全て部分31A,32Aに転送される。
時刻t49で、電圧BG1がLレベルとされるとともに、電圧BG2がHレベルとされる。すると、部分31A,32Aのポテンシャルが浅くなるとともに、部分31B,32Bのポテンシャルが深くなる。これにより、部分31A,32Aに蓄積されていた電荷は全て、部分31B,32Bに転送される。
時刻t50〜t56における動作については、図3を参照して説明した、第1実施形態における時刻t〜t14における動作と同様であるので、説明を省略する。
第2実施形態の固体撮像装置101においても、上述したX軸正方向への電荷の転送に加えて、X軸負方向への電荷の転送も可能である。X軸負方向への電荷の転送を行う場合には、転送部121,122の転送電極123A〜123Dに、それぞれ、図8に示した駆動信号V4,V3,V2,V1を印加し、第二バッファ部51,52の転送電極53A〜53Dにそれぞれ図8に示した駆動信号BG1〜BG4を印加すればよい。
第2実施形態の固体撮像装置101によっても、第1実施形態の固体撮像装置1とほぼ同様の作用効果が得られる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
例えば、上述の実施形態では、隣り合う2つの第一バッファ部31,32に対応して第一出力部40が配置されることとした。しかしながら、3つ以上、例えば4つの第一バッファ部31,32,31,32など、に対応して第一出力部40が配置されることとしてもよい。1つの第一バッファ部31又は第一バッファ部32に対応して第一出力部40が配置されることとしてもよい。第二バッファ部51,52及び第二出力部60についても同様である。
1,101…固体撮像装置、11,12…光電変換部、21,22,121,122…転送部、23A〜23C,33A〜33D,53A〜53D,123A〜123D…転送電極、31,32…第一バッファ部、40…第一出力部、51,52…第二バッファ部、60…第二出力部。

Claims (4)

  1. 第一方向に沿うように設けられ、光入射に応じて電荷を発生する光電変換部と、
    前記光電変換部で発生した電荷を、3相又は4相の駆動信号に応じて、前記第一方向又は前記第一方向とは反対の第二方向に転送する転送部と、
    前記光電変換部に対応して配置され、前記転送部により前記光電変換部から前記第一方向に転送された電荷を取得し、2相の駆動信号に応じて、取得した電荷を前記第一方向に転送する第一バッファ部と、
    前記光電変換部に対応して配置され、前記転送部により前記光電変換部から前記第二方向に転送された電荷を取得し、2相の駆動信号に応じて、取得した電荷を前記第二方向に転送する第二バッファ部と、
    前記第一バッファ部に対応して配置され、前記第一バッファ部から転送された電荷を取得し、取得した電荷に応じた信号を出力する第一出力部と、
    前記第二バッファ部に対応して配置され、前記第二バッファ部から転送された電荷を取得し、取得した電荷に応じた信号を出力する第二出力部と、
    を備える固体撮像装置。
  2. 前記転送部は、前記第一方向に並置され、3相又は4相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、前記光電変換部で発生した電荷を転送する複数の転送電極を有する請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記第一バッファ部は、前記第一方向に並置され、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、取得した電荷を転送する複数の転送電極を有し、
    前記第二バッファ部は、前記第二方向に並置され、2相の駆動信号のうち対応する駆動信号がそれぞれ与えられることにより、取得した電荷を転送する複数の転送電極を有する請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第一及び第二方向に直交する第三方向に並置された複数の前記光電変換部を備えており、
    前記転送部と、前記第一及び第二バッファ部とは、各前記光電変換部に対応してそれぞれ配置され、
    前記第一出力部は、複数の前記第一バッファ部のうち、前記第三方向で隣り合う二つの第一バッファ部に対応して配置され、前記第三方向で隣り合う前記二つの第一バッファ部から交互に転送された電荷を取得し、交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力し、
    前記第二出力部は、複数の前記第二バッファ部のうち、前記第三方向で隣り合う二つの第二バッファ部に対応して配置され、交互に転送された電荷毎に応じた信号を出力する請求項1〜3のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
JP2013053521A 2013-03-15 2013-03-15 固体撮像装置 Active JP6196789B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013053521A JP6196789B2 (ja) 2013-03-15 2013-03-15 固体撮像装置
EP14765033.7A EP2975840B1 (en) 2013-03-15 2014-02-18 Solid-state imaging device
KR1020157027575A KR102237260B1 (ko) 2013-03-15 2014-02-18 고체 촬상 장치
US14/774,141 US9635293B2 (en) 2013-03-15 2014-02-18 Solid-state imaging device
CN201480015834.8A CN105103538B (zh) 2013-03-15 2014-02-18 固体摄像装置
PCT/JP2014/053789 WO2014141826A1 (ja) 2013-03-15 2014-02-18 固体撮像装置
TW103108478A TWI604732B (zh) 2013-03-15 2014-03-11 Solid-state imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013053521A JP6196789B2 (ja) 2013-03-15 2013-03-15 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014179871A JP2014179871A (ja) 2014-09-25
JP6196789B2 true JP6196789B2 (ja) 2017-09-13

Family

ID=51536501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013053521A Active JP6196789B2 (ja) 2013-03-15 2013-03-15 固体撮像装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9635293B2 (ja)
EP (1) EP2975840B1 (ja)
JP (1) JP6196789B2 (ja)
KR (1) KR102237260B1 (ja)
CN (1) CN105103538B (ja)
TW (1) TWI604732B (ja)
WO (1) WO2014141826A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10778925B2 (en) 2016-04-06 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology
US10313622B2 (en) * 2016-04-06 2019-06-04 Kla-Tencor Corporation Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4598321A (en) * 1983-12-19 1986-07-01 Rca Corporation CCD imagers with registers partitioned for simultaneous charge transfers in opposing directions
JPH01255273A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Fujitsu Ltd 固体撮像素子
JP2949861B2 (ja) * 1991-01-18 1999-09-20 日本電気株式会社 Ccdリニアイメージセンサ
JP2888719B2 (ja) * 1993-02-15 1999-05-10 株式会社東芝 固体撮像装置の駆動方法
JPH06276441A (ja) * 1993-03-22 1994-09-30 Nikon Corp 撮像装置
JP2003051987A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
WO2003107661A1 (ja) 2002-06-12 2003-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像方法および撮像装置
US7609309B2 (en) * 2004-11-18 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuous clocking of TDI sensors
US7952633B2 (en) 2004-11-18 2011-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
JP4506684B2 (ja) * 2006-02-15 2010-07-21 ソニー株式会社 負荷を駆動する駆動方法および駆動装置、並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US9635293B2 (en) 2017-04-25
KR102237260B1 (ko) 2021-04-07
WO2014141826A1 (ja) 2014-09-18
CN105103538B (zh) 2018-08-31
KR20150128824A (ko) 2015-11-18
US20160044260A1 (en) 2016-02-11
EP2975840A1 (en) 2016-01-20
TWI604732B (zh) 2017-11-01
EP2975840A4 (en) 2016-08-10
CN105103538A (zh) 2015-11-25
TW201448601A (zh) 2014-12-16
JP2014179871A (ja) 2014-09-25
EP2975840B1 (en) 2019-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107113387B (zh) 固态成像装置及电子设备
JP4380439B2 (ja) データ処理方法およびデータ処理装置並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器
JP5764783B2 (ja) 固体撮像装置
JP5573978B2 (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2014120858A (ja) 固体撮像装置
US8896736B2 (en) Solid-state imaging device, imaging apparatus and signal reading method having photoelectric conversion elements that are targets from which signals are read in the same group
WO2019044569A1 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP5764784B2 (ja) 固体撮像装置
JP2007174600A (ja) 固体撮像装置
TW201204032A (en) Solid-state imaging device
JP6196789B2 (ja) 固体撮像装置
JPWO2018116523A1 (ja) Tdi方式リニアイメージセンサ
JP4677377B2 (ja) 固体撮像装置
JP2010177564A (ja) 固体撮像装置
JPWO2017212693A1 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
JP6018396B2 (ja) 裏面照射型撮像素子、それを備えた駆動装置及び撮像装置並びに裏面照射型撮像素子の駆動方法
JP3241828B2 (ja) 固体撮像装置
JP2010123707A (ja) 固体撮像装置およびその読み出し方法
JP2009290722A (ja) 固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP2006157624A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
JP2008244738A (ja) 撮像装置および撮像素子の駆動制御方法
JP2017152921A (ja) 撮像素子及びその駆動制御回路
JP2008109335A (ja) 電荷転送装置及び固体撮像装置、並びにエリアセンサ及びリニアセンサ
JP2005243946A (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法
JP2000050170A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170815

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170821

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6196789

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250