JP6196123B2 - チャッククリーナ及びクリーニング方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、チャッククリーナ及びクリーニング方法に関する。
例えば、粘着性の物質を固着した基板を搬送することにより、半導体処理装置内の搬送系及び処理ユニットなど（チャックなど）の異物を除去するクリーニング方法がある。異物を確実に除去できるチャッククリーナ及びクリーニング方法が望まれる。
特開平１０−１５４６８６号公報
本発明の実施形態は、異物を確実に除去できるチャッククリーナ及びクリーニング方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、支持体と、粘着層と、支持基板と、を含むチャッククリーナが提供される。前記支持体は、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分と、を含む。前記支持基板は、前記支持体と前記粘着層との間に設けられる。前記支持基板は、前記第１部分に固定された第１領域と、前記第２部分に固定された第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ前記第３部分との距離が可変の第３領域と、前記第１領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第４領域と、前記第２領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第５領域と、を含む。前記支持体は、前記第１部分と第３部分との間、及び、前記第２部分と前記第３部分との間の少なくともいずれかに設けられ前記支持体を貫通する貫通孔を有する。被保持体を保持するチャック部に着した異物に前記粘着層を接触させ、前記粘着層を前記チャック部から離して前記異物を前記チャック部から前記粘着層に移動させる。
本発明の別の実施形態によれば、クリーニング方法は、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分と、を含む支持体と、粘着層と、前記支持体と前記粘着層との間に設けられ、前記第１部分に固定された第１領域と、前記第２部分に固定された第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ前記第３部分との距離が可変の第３領域と、前記第１領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第４領域と、前記第２領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第５領域と、を含む支持基板と、を含み、前記支持体は、前記第１部分と第３部分との間、及び、前記第２部分と前記第３部分との間の少なくともいずれかに設けられ前記支持体を貫通する貫通孔を有するチャッククリーナの前記粘着層を被保持体を保持するチャック部に付着した異物に接触させることを含む。前記クリーニング方法は、前記粘着層を前記チャック部から離して前記異物を前記チャック部から前記粘着層に移動させることを含む。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係るチャッククリーナを示す模式図である。 図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１の実施形態に係るチャッククリーナを用いたクリーニング方法を示す模式図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第２の実施形態に係るチャッククリーナを示す模式図である。 第３の実施形態に係るチャッククリーナを示す模式的断面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
本発明の実施形態は、装置のクリーニングに用いられるチャッククリーナに関する。チャッククリーナを用いたクリーニング方法に関する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係るチャッククリーナを例示する模式図である。
図１（ａ）は、チャッククリーナ１００を例示する透視平面図である。図１（ｂ）は、チャッククリーナ１００を例示する模式的断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面を例示している。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、チャッククリーナ１００は、支持体１０と、粘着層２０と、支持基板３０と、を含む。支持基板３０は、支持体１０と、粘着層２０と、の間に設けられている。粘着層２０は、例えば、支持基板３０上に積層されている。
支持体１０は、面１０ｐを有する。例えば、支持体１０には、複数の凸部１１が設けられる。支持体１０には、第１部分１１ａと、第２部分１１ｂと、第３部分１１ｃと、を含む。第３部分１１ｃは、第１部分１１ａと、第２部分１１ｂとの間に設けられている。
支持体１０から粘着層２０に向かう方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して、垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直で、Ｚ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
第１部分１１ａ、第２部分１１ｂ及び第３部分１１ｃは、それぞれ、第１凸部、第２凸部、第３凸部である。第１凸部は、第２凸部と連続していても良い。第３凸部は、第１凸部と連続していても良く、第２凸部と連続していても良い。
例えば、Ｚ軸方向を含む平面で支持体１０を切断したときに、第１凸部（第１部分１１ａ）は、第２凸部（第２部分１１ｂ）と離れている。例えば、Ｚ軸方向を含む平面で支持体１０を切断したときに、第３凸部（第３部分１１ｃ）は、第１凸部（第１部分１１ａ）と離れている。Ｚ軸方向を含む平面で支持体１０を切断したときに、第３凸部（第３部分１１ｃ）は、第２凸部（第２部分１１ｂ）と離れている。
この例では、第１部分１１ａ及び第２部分１１ｂは、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、支持体１０の外側に設けられている。
支持基板３０は、第１領域３１ａと、第２領域３１ｂと、第３領域３１ｃと、第４領域３１ｄと、第５領域３１ｅとを含む。第１部分１１ａの上に、第１領域３１ａが配置される。第２部分１１ｂの上に、第２領域３１ｂが配置される。第３部分１１ｃの上に、第３領域３１ｃが配置される。
この例では、第１領域３１ａは、第１部分１１ａに固定されている。第２領域３１ｂは、第２部分１１ｂに固定されている。第３領域３１ｃは、第１領域３１ａと第２領域３１ｂとの間に設けられる。第３領域３１ｃと第３部分１１ｃとの間の距離は、可変である。第４領域３１ｄは、第１領域３１ａと第３領域３１ｃとの間に設けられる。第４領域３１ｄは、支持体１０と離間する。第５領域３１ｅは、第２領域３１ｂと第３領域３１ｃとの間に設けられる。第５領域３１ｅは、支持体１０と離間する。
例えば、各凸部１１同士の間隔が等しくなるように、凸部１１が設けられる。複数の凸部１１を、Ｘ−Ｙ平面において、同心円上に配置しても良い。各凸部１１同士の間隔は、一定でなくても良い。
支持体１０には、例えば、金属、樹脂、クオーツまたはセラミック等が用いられる。これらに限定されず、支持体１０には、平滑に加工でき、剛性の高い材料が用いられる。
支持基板３０は、変形可能である。例えば、支持基板３０は、可撓性を有する。支持基板３０には、例えば、ガラス基板またはシリコンウェーハが用いられる。ガラス基板またはシリコンウェーハに限定されず、支持基板３０には、平滑なシート状に加工できる材料、または、平滑なフィルム状に加工できる材料が用いられる。支持基板３０には、樹脂を用いても良い。樹脂には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、エチレンビニルアルコール、ポリウレタン、アイオノマー、ポリアミド、ポリイミドまたはポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）などが用いられる。支持基板３０には、複数の樹脂の溶融混合物、または、複数の樹脂の共重合体を用いても良い。支持基板３０は、複数の樹脂層を含む多層構造を有しても良い。
粘着層２０は、粘着性を有する。粘着層２０には、例えば粘着剤が用いられる。粘着剤は、例えば、メタアクリル酸エステル系重合体を主成分とする粘着剤である。粘着剤は、例えば、ウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、ポリ塩化ビニル系、メラニン系、ポリイミド系、及びシリコーン系などの粘着剤である。粘着剤中に、粘着付与剤、硬化剤、可塑剤、重合禁止剤または老化防止剤などを添加してもよい。
支持基板３０上の粘着層２０は、例えば、スピンコート法によって形成される。スピンコート法による粘着層２０の形成には、例えば、トルエン酢酸エチル溶液が用いられる。トルエン酢酸エチル溶液の主成分は、例えば、アクリル酸エステル共重合体である。トルエン酢酸エチル溶液の架橋剤として、例えば、イソシアネート化合物が用いられる。粘着層２０の形成には、グラビアコータ、コンマコータ、バーコータ、ナイフコータ、ロールコータ、キャピラリコータ、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷またはスプレーなどを用いても良い。
また、粘着層２０の形成には、予めフィルム上に塗布された粘着剤を基板に転写する方法を用いても良い。
支持基板３０上に塗布された粘着剤を乾燥し、粘着層２０を形成する。乾燥後の粘着層２０の厚さは、例えば、０．５μｍ以上１５．０μｍ以下である。好ましくは、２μｍ以上５μｍ以下である。
本実施形態に係るチャッククリーナ１００は、例えば、半導体処理装置（半導体製造装置または半導体検査装置）などのクリーニングに用いられる。半導体処理装置は、例えば、極端紫外線（Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ）露光装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、ドライエッチング装置、ウェーハプローバ、オゾンアッシャ、レジストコータ、酸化拡散炉、常圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置、減圧ＣＶＤ装置、パターン描画装置、ナノインプリント装置またはプラズマＣＶＤ装置などである。
例えば、チャッククリーナ１００の粘着層２０を装置の被洗浄部（後述する）に接触させる。その後、粘着層を被洗浄部から離す（剥離する）。これにより、装置の被洗浄部に付着していた異物を、粘着層２０に付着させる。このようにして、装置のクリーニングを行うことができる。
本実施形態に係るチャッククリーナを用いた、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニング方法の例について説明する。
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１の実施形態に係るチャッククリーナを用いたクリーニング方法を例示する模式図である。
図２（ａ）に表したように、チャッククリーナ１００は、被洗浄部４０をクリーニングする。被洗浄部４０は、例えば、チャック部である。チャック部は、例えば、被保持体（レチクルなど）を保持する。被洗浄部４０は、例えば、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャック（チャック部）である。粘着層２０の面積は、例えば、被洗浄部の面積と同程度、または、被洗浄部の面積よりも大きい。
チャッククリーナ１００は、例えば、ＥＵＶ露光装置の機構によって、装置内に搬送される。この時、例えば、ＥＵＶ露光装置の内部は、排気された状態（真空状態）である。ＥＵＶ露光装置には、例えば、被洗浄部（レチクルチャック、チャック部）が設けられている。被洗浄部４０の表面には、異物４１が付着している。
図２（ａ）に表したように、チャッククリーナ１００は、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャック４０の下方に搬送される。
図２（ｂ）に表したように、チャッククリーナ１００は、被洗浄部４０に下方から押し当てられる。チャッククリーナ１００の粘着層２０と、被洗浄部４０とが接触する。例えば、粘着層２０は、被洗浄部４０に密着させて貼り付けられる。被洗浄部４０に付着していた異物４１は、粘着層２０に付着する。粘着層２０に付着した異物４１は、粘着層２０の粘着剤にめり込む。異物４１は、粘着層２０に取り込まれる。
チャッククリーナ１００を被洗浄部４０へ押し当てる圧力を除く。チャッククリーナ１００の支持体１０は、降下する。第１部分１１ａ及び第２部分１１ｂは、降下する。この際に、図２（ｃ）に表したように、第１部分１１ａに固定された第１領域３１ａ、及び、第２部分１１ｂに固定された第２領域３１ｂは、降下する。一方、第３領域３１ｃは、支持を失う。支持体１０と支持基板３０との間に隙間が生じる。粘着層２０の剥離の際に、支持基板３０が変形する。例えば、第３領域３１ｃと第３部分１１ｃとの間の第１距離Ｌ１が長くなる。例えば、粘着層２０を被洗浄部４０から離した状態における（剥離するときの）第１距離Ｌ１は、粘着層２０を被洗浄部４０へ接触させている状態における（押し当てているときの）第１距離Ｌ１よりも長い。支持基板３０に撓みが生じる。
支持基板３０の上に設けられた粘着層２０に撓みが生じる。生じた撓みは、粘着層２０と被洗浄部４０との剥離のきっかけとなる。粘着層２０と被洗浄部４０との剥離が進行する。
図２（ｄ）に表したように、被洗浄部４０から粘着層２０が完全に剥離されると、異物は粘着層２０に付着しており、被洗浄部４０から異物４１が除去される。すなわち、異物４１を被洗浄部４０（チャック部）から粘着層２０に移動させる。
このように、凸部１１と凹部１２とが設けられ、粘着層２０に撓みが生じる。生じた撓みが剥離のきっかけとなり、チャッククリーナ１００を被洗浄部４０から剥がし易くなる。
近年、半導体の微細化が進んでいる。半導体装置の製造及び検査工程において、ウェーハ表面のみならず、ウェーハの裏面やウェーハ処理装置内部にも異物が付着する。例えば、ウェーハの洗浄工程において、処理装置内部やウェーハ裏面に付着した異物がウェーハの表面へ乗り移る場合がある。異物によって、例えば、フォトリソグラフィ工程でのデフォーカスなどの不良が生じる場合がある。
例えば、ウェーハのエッチング処理工程やウェーハのスパッタ処理工程においては、ウェーハの温度コントロールが行われる。これにより、例えば、ウェーハ面内のプロセスの均一性が高まる。例えば、ウェーハ裏面や処理装置内部に異物が付着していると、ウェーハとウェーハステージとの間隔が不均一となり、十分な温度コントロールができなくなる場合がある。
例えば、ナノインプリント装置を用いたパターン形成においては、テンプレートとウェーハとの間にインプリント剤を充填する。インプリント剤を硬化させ、テンプレートを離型する。これにより、パターンが形成される。テンプレートとウェーハの間隔によって、パターンの厚さが制御される。例えば、ウェーハ裏面やテンプレート裏面に異物が付着していると、ウェーハとテンプレートとの間隔が不均一となる。これにより、パターンの厚さを十分にコントロールすることができなくなる場合がある。
処理装置内部に付着した異物のクリーニングをする際、処理装置を停止させてから、クリーニングする参考例の方法がある。この方法では、処理装置の稼働率が低下する。処理装置を停止させ、クリーニングした後、再び装置を稼働させる場合、多くの手間がかかる。
例えば、ＥＵＶ露光装置を停止し、ＥＵＶ露光装置の真空チャンバ内を大気圧に戻す。次に、レチクルチャックを真空チャンバから取り出し、クリーニングする。この方法では、装置を長時間停止させる。装置の稼働率が低下し、半導体デバイスの製造効率が低下する。
一方、本実施形態に係るチャッククリーナ１００を用いたクリーニングにおいては、処理装置を停止させない。チャッククリーナ１００は、処理装置の機構によって、装置内部に搬送される。例えば、ＥＵＶ露光装置の真空チャンバ内を大気圧に戻すことなく、チャッククリーナ１００は、ＥＵＶ露光装置内へ搬送される。搬送されたチャッククリーナ１００を、被洗浄部４０に接触させ、剥離する。被洗浄部４０をクリーニングすることができる。
本実施形態に係るチャッククリーナ１００を用いれば、処理装置を長時間停止させることなく、処理装置内をクリーニングすることができる。処理装置の稼働率を改善し、半導体デバイスの製造効率を向上させることができる。
例えば、本実施形態に係るチャッククリーナ１００と同様に支持体、粘着層、支持基板が設けられ、支持基板に凹部及び凸部が設けられていない参考例のチャッククリーナがある。このチャッククリーナを用いた場合、チャッククリーナをレチクルチャックに押し当てた後、剥離ができなくなる場合がある。凹部及び凸部が設けられていない場合は、剥離する時に、支持基板及び粘着層が撓まず、剥離のきっかけが生じない。チャッククリーナとレチクルチャックが剥離せず、続けてチャッククリーナを搬送することができなくなる場合がある。
一方、このような問題が生じないようにするために、粘着層２０の粘着強度を弱めると、異物の除去は不十分となる。すなわち、確実な異物の除去が困難になる。
これに対して、本実施形態に係るチャッククリーナ１００においては、凸部１１が設けられている。支持基板３０と支持体１０との間に隙間が設けられている。これにより、粘着層２０を被洗浄部に接触させ、剥離する際に、支持基板３０及び粘着層２０に撓みが生じる。粘着層２０に生じた撓みは、剥離のきっかけとなる。粘着層２０と被洗浄部とが強く接着しても容易に剥離することができる。チャッククリーナ１００を続けて搬送することができる。
凸部１１が設けられたチャッククリーナ１００は、処理装置を停止させることなく処理装置内をクリーニングすることができ、被洗浄部から容易に剥離することができる。本実施形態によれば、異物を確実に除去できるチャッククリーナが提供される。そして、容易な剥離が実現でき、簡便なクリーニングが実現できる。
例えば、凸部１１は、高さ１１ｈを有する。高さ１１ｈは、例えば、凸部１１のＺ軸上の位置と、凹部１２のＺ軸上の位置と、の差である。高さ１１ｈは、０．０１ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましい。凸部１１の高さ１１ｈは、０．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。
凸部１１の高さ１１ｈが０．０１ｍｍ以下の場合、チャッククリーナ１００を被洗浄部から剥がす際に、粘着層２０及び支持基板３０の変形が不十分となる場合がある。粘着層２０の剥離のきっかけが生じず、チャッククリーナを剥離しにくくなる場合がある。
凸部１１の高さ１１ｈが、５０ｍｍ以上の場合、粘着層２０と被洗浄部とを接触させる際に、支持基板３０が大きく変形し過ぎる場合がある。粘着層２０を被洗浄部に均一に密着させにくくなり、異物を除去しにくくなる場合がある。
（第２の実施形態）
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第２の実施形態に係るチャッククリーナを例示する模式図である。
図３（ａ）は、チャッククリーナ１０１を例示する透視平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面を例示している。
図３（ａ）に表したように、チャッククリーナ１０１は、支持体１０ａと、粘着層２０と、支持基板３０と、を含む。図３（ｂ）に表したように、支持基板３０は、支持体１０ａと、粘着層２０と、の間に設けられている。支持体１０ａは、面１０ｐと貫通孔１３とを含む。
支持体１０ａは、第１部分１１ａと、第２部分１１ｂと、第３部分１１ｃと、を含む。支持基板３０は、第１領域３１ａと、第２領域３１ｂと、第３領域３１ｃと、第４領域３１ｄと、第５領域３１ｅと、を含む。
粘着層２０、支持基板３０、第１部分１１ａ、第２部分１１ｂ、第３部分１１ｃ、第１領域３１ａ、第２領域３１ｂ、第３領域３１ｃ、第４領域３１ｄ及び第５領域３１ｅには、チャッククリーナ１００に関して説明した構成が適用できる。
貫通孔１３は、支持体１０ａを貫通している。貫通孔１３は、例えば、面１０ｐにおいて、第１部分１１ａが設けられた領域と第３部分１１ｃが設けられた領域との間の領域に設けられる。貫通孔１３は、複数設けられても良い。例えば、貫通孔１３は、第１部分１１ａと第３部分１１ｃとの間、及び、第２部分１１ｂと第３部分１１ｃとの間に設けられる。
チャッククリーナ１０１を用いた処理装置のクリーニング方法などは、第１の実施形態と同様である。
チャッククリーナ１０１を用いたクリーニングにおいて、粘着層２０を被洗浄部に接触させ、剥離する際、貫通孔１３を気体が通ることができる。これにより、剥離する際に、支持基板３０に撓みが生じやすくなる。支持基板３０の上に設けられた粘着層２０に撓みが生じやすくなる。粘着層２０に生じた撓みが剥離のきっかけとなり、粘着層２０と被洗浄部とが強く接着しても容易に剥離することができる。
チャッククリーナ１０１は、処理装置を停止させることなく処理装置内をクリーニングすることができ、被洗浄部から容易に剥離することができる。本実施形態によれば、異物を確実に除去できるチャッククリーナが提供される。そして、剥離が容易になり、簡便なクリーニングが実現できる。
（第３の実施形態）
図４は、第３の実施形態に係るチャッククリーナを例示する模式的断面図である。
図４に表したように、チャッククリーナ１０２は、支持体１０ｂと、粘着層２０と、支持基板３０と、を含む。
支持体１０ｂは、面１０ｐと貫通孔１３とを含む。例えば、支持体１０ｂには、複数の凸部１１が設けられている。支持体１０ｂは、第１部分１１ａと、第２部分１１ｂと、第３部分１１ｃと、を含む。支持基板３０は、第１領域３１ａと、第２領域３１ｂと、第３領域３１ｃと、第４領域３１ｄと、第５領域３１ｅと、を含む。
粘着層２０、支持基板３０、第１部分１１ａ、第２部分１１ｂ、第３部分１１ｃ、貫通孔１３、第１領域３１ａ、第２領域３１ｃ、第３領域３１ｃ、第４領域３１ｄ及び第５領域３１ｅには、チャッククリーナ１０１に関して説明した構成が適用できる。
第３部分１１ｃの高さ１１ｃｈは、第１部分１１ａの高さ１１ａｈと異なる。例えば、第３部分１１ｃは、第１部分１１ａよりも高い。
第３部分１１ｃの第３領域３１ｃ側の端１１ｃｅのＺ軸上の位置１１ｃｅｐは、第１部分１１ａの第１領域側の端１１ａｅのＺ軸上の位置１１ａｅｐと、粘着層２０のＺ軸上の位置との間に配置される。
位置１１ｃｅｐは、第２部分１１ｂの第２領域側の端１１ｂｅのＺ軸上の位置１１ｂｅｐと、粘着層２０のＺ軸上の位置との間に配置される。
例えば、第３部分１１ｃの高さ１１ｃｈを調整することができる。例えば、端１１ｃｅｐは、可変である。高さの調整には、例えば、予め高さを変えて作製された凸部１１を、交換する方法が用いられる。凸部１１の高さをネジなどによって調整する機構を支持体１０ｂに設けても良い。
チャッククリーナ１０２を用いた処理装置のクリーニング方法などは、第１の実施形態と同様である。
例えば、複数の凸部１１のうち、Ｘ−Ｙ平面において面１０ｐの中心付近に位置する凸部１１を高く調整する。これにより、例えば、粘着層２０の一部を被洗浄部に押し当てることができる。
各凸部１１の高さ１１ｈを個々に調整し、予め中心部が凸状となるように、支持基板３０を撓ませる。これにより、例えば、粘着層２０の一部のみを被洗浄部に接触させることができる。例えば、被洗浄部の一部にのみ粘着層２０を接触させることができる。例えば、レチクルチャックの中心部にのみ異物が付着した場合、粘着層２０をレチクルチャックの中心部のみに接触させる。レチクルチャックの中心部のみをクリーニングすることができる。被洗浄部の所望の位置を選択的にクリーニングすることができる。本実施形態によると、異物を確実に除去できるチャッククリーナが提供される。そして、剥離が容易になり、簡便なクリーニングが実現できる。
実施形態によると、異物を確実に除去できるチャッククリーナ及びクリーニング方法が提供される。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、支持体、粘着層、支持基板などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述したチャッククリーナ及びクリーニング方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのチャッククリーナ及びクリーニング方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例、及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例、及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…支持体、 １０ａ…支持体、 １０ｂ…支持体、 １０ｐ…面、 １１…凸部、 １１ａ…第１部分、 １１ａｅ…端、 １１ａｅｐ…位置、 １１ａｈ…高さ、 １１ｂ…第２部分、 １１ｂｅ…端、 １１ｂｅｐ…位置、 １１ｃ…第３部分、 １１ｃｅ…端、 １１ｃｅｐ…位置、 １１ｃｈ…高さ、 １１ｈ…高さ、 １２…凹部、 １３…貫通孔、 ２０…粘着層、 ３０…支持基板、 ３１ａ…第１領域、 ３１ｂ…第２領域、 ３１ｃ…第３領域、 ３１ｄ…第４領域、 ３１ｅ…第５領域、 ４０…被洗浄部、 ４１…異物、 １００、１０１、１０２…チャッククリーナ、 Ｌ１…第１距離

Claims (6)

  1. 第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分と、を含む支持体と、
    粘着層と、
    前記支持体と前記粘着層との間に設けられ、前記第１部分に固定された第１領域と、前記第２部分に固定された第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ前記第３部分との距離が可変の第３領域と、前記第１領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第４領域と、前記第２領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第５領域と、を含む支持基板と、
    を備え、
    前記支持体は、前記第１部分と第３部分との間、及び、前記第２部分と前記第３部分との間の少なくともいずれかに設けられ前記支持体を貫通する貫通孔を有し、
    被保持体を保持するチャック部に付着した異物に前記粘着層を接触させ、前記粘着層を前記チャック部から離して前記異物を前記チャック部から前記粘着層に移動させるチャッククリーナ。
  2. 前記粘着層を前記チャック部から離した状態における前記第３領域と前記第３部分との間の第１距離は、前記粘着層と前記チャック部とを接触させている状態における前記第１距離よりも長い請求項１記載のチャッククリーナ。
  3. 前記第３部分の前記第３領域側の端の、前記第１部分から前記第１領域に向かう第１方向上の位置は、前記第１部分の前記第１領域側の端の、前記第１方向上の位置と、前記粘着層の前記第１方向上の位置との間に配置され、
    前記第３部分の前記第３領域側の前記端の、前記第１方向上の前記位置は、前記第２部分の前記第２領域側の端の、前記第１方向上の位置と、前記粘着層の前記第１方向上の前記位置との間に配置される請求項１または２に記載のチャッククリーナ。
  4. 前記第３部分の前記第３領域側の端の、前記第１部分から前記第１領域に向かう第１方向上の位置は、可変である請求項１〜３のいずれか１つに記載のチャッククリーナ。
  5. 第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分と、を含む支持体と、粘着層と、前記支持体と前記粘着層との間に設けられ、前記第１部分に固定された第１領域と、前記第２部分に固定された第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ前記第３部分との距離が可変の第３領域と、前記第１領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第４領域と、前記第２領域と前記第３領域との間に設けられ前記支持体と離間する第５領域と、を含む支持基板と、を含み、前記支持体は、前記第１部分と第３部分との間、及び、前記第２部分と前記第３部分との間の少なくともいずれかに設けられ前記支持体を貫通する貫通孔を有するチャッククリーナの前記粘着層を被保持体を保持するチャック部に付着した異物に接触させ、
    前記粘着層を前記チャック部から離して前記異物を前記チャック部から前記粘着層に移動させるクリーニング方法。
  6. 前記剥離における前記第３領域と前記第３部分との間の第１距離は、前記接触における前記第１距離よりも長い請求項５記載のクリーニング方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6196123B2 (ja) * 2013-10-18 2017-09-13 東芝メモリ株式会社 チャッククリーナ及びクリーニング方法
JP2015176934A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 株式会社東芝 静電チャッククリーナ、クリーニング方法、および露光装置
US10768534B2 (en) * 2018-08-14 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photolithography apparatus and method and method for handling wafer
US11448955B2 (en) * 2018-09-27 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mask for lithography process and method for manufacturing the same
CN112955822A (zh) * 2018-11-09 2021-06-11 Asml控股股份有限公司 利用具有可控几何形状和组成的清洁衬底进行刻蚀支撑件清洁
US20220066332A1 (en) * 2018-12-28 2022-03-03 Asml Holding N.V. Apparatus and method for cleaning a support structure in a lighographic system

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0888209A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Nitto Denko Corp 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法
JPH0888206A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Nitto Denko Corp 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法
JPH10154686A (ja) 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JP4614626B2 (ja) * 2003-02-05 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 薄肉半導体チップの製造方法
US20060162739A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Cleaning chuck in situ
DE102006031434B4 (de) * 2006-07-07 2019-11-14 Erich Thallner Handhabungsvorrichtung sowie Handhabungsverfahren für Wafer
JP2008147337A (ja) 2006-12-08 2008-06-26 Canon Inc 露光装置
JP4418476B2 (ja) * 2007-03-20 2010-02-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写装置および微細構造体の製造方法
US8284379B2 (en) * 2007-04-06 2012-10-09 Nikon Corporation Devices and methods for reducing residual reticle chucking forces
JP2008300683A (ja) 2007-05-31 2008-12-11 Canon Inc 洗浄装置及び方法、洗浄装置を有する露光装置
JP2009146959A (ja) 2007-12-12 2009-07-02 Canon Inc 露光装置及び洗浄装置
EP2419929B8 (en) * 2009-04-14 2021-08-18 International Test Solutions, LLC. Wafer manufacturing cleaning apparatus, process and method of use
JP5743450B2 (ja) 2010-07-28 2015-07-01 株式会社東芝 レチクルチャッククリーナー
WO2013035415A1 (ja) * 2011-09-05 2013-03-14 株式会社 東芝 レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法
JP2013074125A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP6196123B2 (ja) * 2013-10-18 2017-09-13 東芝メモリ株式会社 チャッククリーナ及びクリーニング方法

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