JP6189164B2 - Growth equipment - Google Patents

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Description

本発明は成長装置に関するものである。   The present invention relates to a growth apparatus.

半導体の成長に用いられる半導体成長装置は、ウエハを加熱するためのヒータが設けられている。ヒータから発せられる熱により、ウエハを保持するサセプタの温度が上昇し、これにより、ウエハが加熱される。例えば半導体の成長には有機金属気相成長法（Metal
Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）法が用いられる（特許文献１）。ＭＯＣＶＤ法では、成長装置のチェンバーに原料ガスを流入し、かつ加熱することにより半導体を成長させる。半導体にはｐ型またはｎ型のドーパントをドープすることがある。 A semiconductor growth apparatus used for semiconductor growth is provided with a heater for heating a wafer. Due to the heat generated from the heater, the temperature of the susceptor holding the wafer rises, whereby the wafer is heated. For example, metalorganic vapor phase epitaxy (Metal) is used for semiconductor growth.
Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method is used (Patent Document 1). In the MOCVD method, a semiconductor gas is grown by flowing a source gas into a chamber of a growth apparatus and heating it. The semiconductor may be doped with a p-type or n-type dopant.

特開２０００−２５２２１７号公報JP 2000-252217 A

しかしながら、半導体のドーパント濃度にムラが生じることがある。本発明は、半導体のドーパント濃度の均一性を高めることができる成長装置を提供することを目的とする。   However, the semiconductor dopant concentration may be uneven. An object of this invention is to provide the growth apparatus which can improve the uniformity of the dopant concentration of a semiconductor.

本発明に係る成長装置は、ウェハポケットを有するサセプタと、前記サセプタの前記ウェハポケットとは反対側に配置された、熱源となるヒータと、を具備し、前記サセプタの厚さは、前記ウェハポケットの中心部よりも前記ウェハポケットの周縁部において小さいことを特徴とするものである。   A growth apparatus according to the present invention includes a susceptor having a wafer pocket, and a heater serving as a heat source disposed on the opposite side of the susceptor from the wafer pocket, and the thickness of the susceptor is equal to the wafer pocket. It is characterized in that it is smaller at the peripheral part of the wafer pocket than at the center part.

前記ヒータは、前記サセプタに対応した領域において複数配置されたランプヒータとすることができる。   The heater may be a lamp heater arranged in a plurality in a region corresponding to the susceptor.

前記ウェハポケットの下における前記サセプタの下面は、傾斜部を有する凸部形状とすることができる。   A lower surface of the susceptor under the wafer pocket may have a convex shape having an inclined portion.

前記凸部形状の底面に対する前記傾斜部の角度は２０°以上３０°以下とすることができる。   The angle of the inclined portion with respect to the bottom surface of the convex shape can be 20 ° or more and 30 ° or less.

前記サセプタは複数の前記ウェハポケットを有してもよい。   The susceptor may have a plurality of the wafer pockets.

本発明によれば、半導体のドーパント濃度の均一性を高めることができる成長装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the growth apparatus which can improve the uniformity of the dopant concentration of a semiconductor can be provided.

図１（ａ）は実施例１に係る成長装置を例示する断面図である。図１（ｂ）はサセプタおよびランプヒータを例示する平面図である。図１（ｃ）はサセプタの拡大図である。FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating a growth apparatus according to the first embodiment. FIG. 1B is a plan view illustrating a susceptor and a lamp heater. FIG. 1C is an enlarged view of the susceptor. 図２（ａ）はウェハポケットにおける加熱および放熱を例示する模式図である。図２（ｂ）は中心部における温度を例示する模式図である。図２（ｃ）は周縁部における温度を例示する模式図である。図２（ｄ）は温度と熱量との関係を示す模式図である。FIG. 2A is a schematic view illustrating heating and heat dissipation in the wafer pocket. FIG. 2B is a schematic view illustrating the temperature at the center. FIG. 2C is a schematic view illustrating the temperature at the peripheral edge. FIG. 2D is a schematic diagram showing the relationship between temperature and heat quantity. 図３は比較例に係る成長装置のサセプタを例示する拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view illustrating a susceptor of a growth apparatus according to a comparative example. 図４（ａ）は実施例２に係る成長装置を例示する断面図である。図４（ｂ）はサセプタの拡大図である。FIG. 4A is a cross-sectional view illustrating a growth apparatus according to the second embodiment. FIG. 4B is an enlarged view of the susceptor. 図５（ａ）は温度と熱量との関係を例示する模式図である。図５（ｂ）は実施例２における温度と熱量との関係を例示する模式図である。FIG. 5A is a schematic view illustrating the relationship between temperature and heat quantity. FIG. 5B is a schematic view illustrating the relationship between the temperature and the heat amount in the second embodiment.

以下、本発明の実施例について説明する。   Examples of the present invention will be described below.

図１（ａ）は実施例１に係る成長装置１００を例示する断面図である。図１（ｂ）はサセプタ１０およびランプヒータ１２を例示する平面図である。図１（ｃ）はサセプタ１０の拡大図である。図１（ａ）においてハッチングは省略している。図１（ｂ）においてランプヒータに格子斜線を記載した。   FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating a growth apparatus 100 according to the first embodiment. FIG. 1B is a plan view illustrating the susceptor 10 and the lamp heater 12. FIG. 1C is an enlarged view of the susceptor 10. In FIG. 1A, hatching is omitted. In FIG. 1B, grid oblique lines are shown on the lamp heater.

図１（ａ）に示すように、成長装置１００は、サセプタ１０、歯車１１、ランプヒータ１２、回転軸１３、ベアリング１４、歯車１５、インジェクタ１６、およびモータ１７を備える。図１（ｂ）に示すように、サセプタ１０の上面には３つのウェハポケット２０が設けられている。ランプヒータ１２はサセプタ１０の下に、同心円状に配置されている。図１（ａ）に示したモータ１７は回転軸１３を回転させ、回線軸１３と接続している歯車１１を回転させる。歯車１５は、中央部が刳り貫かれたドーナツ形状をしており、該中央部にサセプタ１０が接触している。歯車１１の歯と歯車１５の歯が噛み合わさって動力が伝達する。これにより、モータ１７はサセプタ１０を回転させる。インジェクタ１６から半導体の原料ガスが成長装置１００内に投入される。サセプタ１０は例えば炭素により形成されている。ランプヒータ１２は例えばハロゲンランプを用いたヒータである。複数のインジェクタ１６はハニカム状に配置されている。   As shown in FIG. 1A, the growth apparatus 100 includes a susceptor 10, a gear 11, a lamp heater 12, a rotating shaft 13, a bearing 14, a gear 15, an injector 16, and a motor 17. As shown in FIG. 1B, three wafer pockets 20 are provided on the upper surface of the susceptor 10. The lamp heater 12 is arranged concentrically below the susceptor 10. The motor 17 shown in FIG. 1A rotates the rotating shaft 13 and rotates the gear 11 connected to the line shaft 13. The gear 15 has a donut shape in which the central portion is perforated, and the susceptor 10 is in contact with the central portion. The teeth of the gear 11 and the teeth of the gear 15 mesh with each other to transmit power. Thereby, the motor 17 rotates the susceptor 10. A semiconductor source gas is introduced into the growth apparatus 100 from the injector 16. The susceptor 10 is made of carbon, for example. The lamp heater 12 is a heater using a halogen lamp, for example. The plurality of injectors 16 are arranged in a honeycomb shape.

ＭＯＣＶＤ法により半導体層２６を成長させる。具体的には、図１（ｃ）に示すように、ウェハポケット２０に半導体基板２４を配置する。ランプヒータ１２が発生する輻射熱によりサセプタ１０を介して半導体基板２４を加熱させながら、原料ガスを流入させることにより半導体基板２４上に半導体層２６をエピタキシャル成長させる。半導体基板２４は例えばインジウムリン（ＩｎＰ）により形成されている。半導体層２６は例えばシリコン（Ｓｉ）をドーパントとするＩｎＰとして成長する。原料ガスは例えばトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、フォスフィン（ＰＨ３）およびジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などを含む。半導体基板２４の温度が高くなると半導体層２６のＳｉの取り込み効率は高くなる。 The semiconductor layer 26 is grown by MOCVD. Specifically, as shown in FIG. 1C, a semiconductor substrate 24 is disposed in the wafer pocket 20. While the semiconductor substrate 24 is heated via the susceptor 10 by the radiant heat generated by the lamp heater 12, the semiconductor layer 26 is epitaxially grown on the semiconductor substrate 24 by introducing the source gas. The semiconductor substrate 24 is made of, for example, indium phosphide (InP). The semiconductor layer 26 is grown as InP using, for example, silicon (Si) as a dopant. The source gas includes, for example, trimethylindium (TMI), phosphine (PH 3 ), disilane (Si 2 H 6 ), and the like. As the temperature of the semiconductor substrate 24 increases, the Si incorporation efficiency of the semiconductor layer 26 increases.

図１（ｃ）に示すように、サセプタ１０の下面のうち、ウェハポケット２０の中心部下には凸部２２が設けられている。ウェハポケット２０の中心部におけるサセプタ１０の厚さＨ１は例えば１３ｍｍである。ウェハポケット２０の周縁部におけるサセプタ１０の厚さＨ２は例えば２ｍｍであり、厚さＨ１より小さい。ウェハポケット２０の周縁部とは、凸部２２より外側の部分である。破線の円で示す領域２３は実施例２で後述する。   As shown in FIG. 1C, a convex portion 22 is provided below the center portion of the wafer pocket 20 on the lower surface of the susceptor 10. The thickness H1 of the susceptor 10 at the center of the wafer pocket 20 is, for example, 13 mm. The thickness H2 of the susceptor 10 at the peripheral edge of the wafer pocket 20 is 2 mm, for example, and is smaller than the thickness H1. The peripheral portion of the wafer pocket 20 is a portion outside the convex portion 22. A region 23 indicated by a broken-line circle will be described later in a second embodiment.

実施例１によれば、ウェハポケット２０の周縁部におけるサセプタ１０の厚さＨ２が小さいため、周縁部においてサセプタ１０を伝導する熱量は多くなる。それにより、半導体基板２４において周縁部の温度は中心部の温度に比較して高くなる。その結果、半導体層２６のＳｉの取り込み効率が均一に近付く。この結果、半導体層２６のドーパント濃度は均一に近付く。   According to the first embodiment, since the thickness H2 of the susceptor 10 at the peripheral portion of the wafer pocket 20 is small, the amount of heat conducted through the susceptor 10 at the peripheral portion increases. Thereby, the temperature of the peripheral portion of the semiconductor substrate 24 becomes higher than the temperature of the central portion. As a result, the Si incorporation efficiency of the semiconductor layer 26 approaches uniformly. As a result, the dopant concentration of the semiconductor layer 26 approaches a uniform level.

図２（ａ）はウェハポケット２０における加熱および放熱を例示する模式図である。図２（ａ）に示すように、ウェハポケット２０の中心部の上面を２０ａ１、周縁部の上面を２０ａ２とする。ランプヒータ１２の輻射により、凸部２２の下面２０ｂ１に熱量Ｑ１ａが加わり、ウェハポケット２０の周縁部における下面２０ｂ２に熱量Ｑ１ｂが加わる。加わった熱量はサセプタ１０から放出される。下面２０ｂ１および２０ｂ２からは熱量Ｑ２が放出される。ウェハポケット２０の上面２０ａ１および２０ａ２からは熱量Ｑ３が放出される。   FIG. 2A is a schematic view illustrating heating and heat dissipation in the wafer pocket 20. As shown in FIG. 2A, the upper surface of the central portion of the wafer pocket 20 is 20a1, and the upper surface of the peripheral portion is 20a2. Due to the radiation of the lamp heater 12, the amount of heat Q1a is applied to the lower surface 20b1 of the convex portion 22, and the amount of heat Q1b is applied to the lower surface 20b2 of the peripheral portion of the wafer pocket 20. The applied heat is released from the susceptor 10. The amount of heat Q2 is released from the lower surfaces 20b1 and 20b2. The amount of heat Q3 is released from the upper surfaces 20a1 and 20a2 of the wafer pocket 20.

図２（ｂ）は中心部における温度を例示する模式図である。横軸はサセプタ１０の厚さ方向における位置、縦軸は温度を表す。図２（ｂ）に示すように、上面２０ａ１における温度はＴａ１、下面２０ｂ１における温度はＴｂ１である。図２（ｃ）は周縁部における温度を例示する模式図である。図２（ｃ）に示すように、上面２０ａ２における温度はＴａ２、下面２０ｂ２における温度はＴｂ２である。先述のようにウェハポケット２０の周縁部におけるサセプタ１０の厚さＨ２が小さいため、周縁部の上面２０ａ２における温度Ｔａ２は、中心部の上面２０ａ１における温度Ｔａ１より高くなる。   FIG. 2B is a schematic view illustrating the temperature at the center. The horizontal axis represents the position of the susceptor 10 in the thickness direction, and the vertical axis represents the temperature. As shown in FIG. 2B, the temperature on the upper surface 20a1 is Ta1, and the temperature on the lower surface 20b1 is Tb1. FIG. 2C is a schematic view illustrating the temperature at the peripheral edge. As shown in FIG. 2C, the temperature on the upper surface 20a2 is Ta2, and the temperature on the lower surface 20b2 is Tb2. As described above, since the thickness H2 of the susceptor 10 at the peripheral portion of the wafer pocket 20 is small, the temperature Ta2 on the upper surface 20a2 of the peripheral portion is higher than the temperature Ta1 on the upper surface 20a1 of the central portion.

サセプタ１０における熱は次の式で表される。κはサセプタ１０の熱伝導率である。

Figure 0006189164
温度Ｔａ０は温度Ｔａ１またはＴａ２である。温度Ｔｂ０は温度Ｔｂ１またはＴｂ２である。数１中の厚さＨはＨ１またはＨ２である。数１を変形すると、Ｔｂ０は次の式により表される。
Figure 0006189164
 数１および数２に基づき、Ｑ２は次の式により表される。
Figure 0006189164
 数３に示すようにＱ２は温度Ｔａ０＝Ｑ３×Ｈ／κ＋Ｔａ０の関数である。 The heat in the susceptor 10 is expressed by the following equation. κ is the thermal conductivity of the susceptor 10.
Figure 0006189164
 The temperature Ta0 is the temperature Ta1 or Ta2. The temperature Tb0 is the temperature Tb1 or Tb2. The thickness H in Equation 1 is H1 or H2. When Equation 1 is transformed, Tb0 is expressed by the following equation.
Figure 0006189164
 Based on Equation 1 and Equation 2, Q2 is expressed by the following equation.
Figure 0006189164
 As shown in Equation 3, Q2 is a function of temperature Ta0 = Q3 × H / κ + Ta0.

図２（ｄ）は温度と熱量との関係を示す模式図である。横軸は上面の温度Ｔａ０、縦軸は熱量を表す。実線はＱ１−Ｑ３を表す。破線は下面２０ｂ１における熱量Ｑ２を表す。点線は下面２０ｂ２における熱量Ｑ２を表す。図２（ｄ）に示すように、数３のＱ１−Ｑ３、およびＱ２のグラフの交点が上面の温度になる。下面２０ｂ１および２０ｂ２において熱量Ｑ１が一定（Ｑ１ａ＝Ｑ１ｂ）ならば、Ｔａ１＜Ｔａ２となる。つまりウェハポケット２０の周縁部の上面２０ａ２の温度Ｔａ２を高めることができる。   FIG. 2D is a schematic diagram showing the relationship between temperature and heat quantity. The horizontal axis represents the upper surface temperature Ta0, and the vertical axis represents the amount of heat. The solid line represents Q1-Q3. A broken line represents the heat quantity Q2 on the lower surface 20b1. The dotted line represents the amount of heat Q2 on the lower surface 20b2. As shown in FIG. 2D, the intersection of the graphs of Q1-Q3 and Q2 in Equation 3 becomes the temperature of the upper surface. If the amount of heat Q1 is constant (Q1a = Q1b) on the lower surfaces 20b1 and 20b2, Ta1 <Ta2. That is, the temperature Ta2 of the upper surface 20a2 at the peripheral edge of the wafer pocket 20 can be increased.

図２（ｄ）に示すように、熱量Ｑ１が増加すると温度Ｔａ１およびＴａ２は上昇し、Ｑ１が減少すると温度Ｔａ１およびＴａ２は低下する。厚さＨ１およびＨ２が小さくなると温度Ｔａ１およびＴａ２は上昇し、厚さＨ１およびＨ２が大きくなると温度Ｔａ１およびＴａ２は低下する。温度Ｔａ１に比べ温度Ｔａ２を高くするため、厚さＨ１を大きくし、厚さＨ２を小さくすればよい。厚さＨ１は厚さＨ２の３倍以上であることが好ましく、より好ましくは６倍以上とする。ウェハポケット２０から２．５ｍｍ以上外側の位置におけるサセプタ１０の厚さＨ３（図１（ｃ））は例えば５．５ｍｍとする。サセプタ１０の強度を高めることができる。   As shown in FIG. 2D, when the amount of heat Q1 increases, the temperatures Ta1 and Ta2 increase, and when Q1 decreases, the temperatures Ta1 and Ta2 decrease. When the thicknesses H1 and H2 are decreased, the temperatures Ta1 and Ta2 are increased, and when the thicknesses H1 and H2 are increased, the temperatures Ta1 and Ta2 are decreased. In order to make the temperature Ta2 higher than the temperature Ta1, the thickness H1 is increased and the thickness H2 is decreased. The thickness H1 is preferably 3 times or more than the thickness H2, more preferably 6 times or more. The thickness H3 (FIG. 1C) of the susceptor 10 at a position outside the wafer pocket 20 by 2.5 mm or more is, for example, 5.5 mm. The strength of the susceptor 10 can be increased.

サセプタ１０を加熱する熱源として、ランプヒータ以外のヒータを用いてもよい。輻射以外に、ヒータからの熱伝導によりサセプタ１０を加熱してもよい。サセプタ１０を効率よく加熱するために、複数のランプヒータ１２を同心円状に配置することが好ましい。   A heater other than the lamp heater may be used as a heat source for heating the susceptor 10. In addition to radiation, the susceptor 10 may be heated by heat conduction from a heater. In order to heat the susceptor 10 efficiently, it is preferable to arrange the plurality of lamp heaters 12 concentrically.

図３は比較例に係る成長装置のサセプタ１０を例示する拡大図である。図３に示すように、凸部が設けられていない。ウェハポケット２０におけるサセプタ１０の厚さはＨ２である。ランプヒータ１２によりウェハポケット２０を均一に加熱する場合、周縁部におけるＳｉの取り込み効率は、中心部における取り込み効率より低くなる。従って、半導体層２６の周縁部におけるドーパント濃度は、中心部におけるドーパント濃度より２〜３％程度低くなる。例えば光半導体などにおいてはドーパント濃度のわずかな違いにより、特性が劣化する。実施例１によれば、ドーパント濃度が均一に近付くため、光半導体などにおける特性の劣化が抑制される。   FIG. 3 is an enlarged view illustrating the susceptor 10 of the growth apparatus according to the comparative example. As shown in FIG. 3, the convex part is not provided. The thickness of the susceptor 10 in the wafer pocket 20 is H2. When the wafer pocket 20 is uniformly heated by the lamp heater 12, the Si capturing efficiency at the peripheral portion is lower than the capturing efficiency at the central portion. Therefore, the dopant concentration at the peripheral portion of the semiconductor layer 26 is about 2-3% lower than the dopant concentration at the central portion. For example, in an optical semiconductor or the like, characteristics are deteriorated due to a slight difference in dopant concentration. According to Example 1, since the dopant concentration approaches a uniform level, deterioration of characteristics in an optical semiconductor or the like is suppressed.

実施例２はサセプタ１０の下面を円錐形にした例である。図４（ａ）は実施例２に係る成長装置２００を例示する断面図である。図４（ｂ）はサセプタ１０の拡大図である。図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、サセプタ１０の下面には円錐形の凸部２８が形成されている。凸部２８の頂点はウェハポケット２０の中心の下に位置する。下面２０ｂ２は凸部２８の底面を形成する。下面２０ｂから凸部２８の頂点までの厚さはＨ１である。下面２０ｂ２から頂点までの角度θは例えば２５°である。実施例２によれば、ウェハポケット２０の周縁部におけるサセプタ１０の厚さＨ２が小さいため、周縁部においてサセプタ１０を伝導する熱量は多くなる。半導体基板２４において周縁部の温度は中心部の温度に比較して高くなる。その結果、半導体層２６のドーパント濃度が均一に近付く。以下、詳しく説明する。   The second embodiment is an example in which the lower surface of the susceptor 10 is conical. FIG. 4A is a cross-sectional view illustrating a growth apparatus 200 according to the second embodiment. FIG. 4B is an enlarged view of the susceptor 10. As shown in FIGS. 4A and 4B, a conical convex portion 28 is formed on the lower surface of the susceptor 10. The apex of the convex portion 28 is located below the center of the wafer pocket 20. The lower surface 20b2 forms the bottom surface of the convex portion 28. The thickness from the lower surface 20b to the apex of the convex portion 28 is H1. An angle θ from the lower surface 20b2 to the apex is, for example, 25 °. According to the second embodiment, since the thickness H2 of the susceptor 10 at the peripheral portion of the wafer pocket 20 is small, the amount of heat conducted through the susceptor 10 at the peripheral portion increases. In the semiconductor substrate 24, the temperature at the peripheral portion is higher than the temperature at the central portion. As a result, the dopant concentration of the semiconductor layer 26 approaches uniformly. This will be described in detail below.

図１（ｃ）に破線の円で示す領域２３が凸部２２の影になる。このため領域２３の輻射の立体角が中心部に比べ小さくなり、領域２３の加熱が十分に行われないことがある。図５（ａ）は領域２３における温度と熱量との関係を例示する模式図である。実線はウェハポケット２０の中心部における熱量Ｑ１ａ−Ｑ３を表す。一点鎖線は周縁部における熱量Ｑ１ｂ−Ｑ３を表す。上述のように領域２３における加熱が不十分であるため熱量Ｑ１ｂが小さくなる。この結果、図５（ａ）に示すように温度Ｔａ２が温度Ｔａ１より低くなる。温度Ｔａ２が低下することにより、半導体層２６の周縁部におけるドーパント濃度が中心部におけるドーパント濃度より低くなる。   A region 23 indicated by a broken-line circle in FIG. For this reason, the solid angle of radiation in the region 23 is smaller than that in the central portion, and the region 23 may not be sufficiently heated. FIG. 5A is a schematic view illustrating the relationship between the temperature and the amount of heat in the region 23. The solid line represents the amount of heat Q1a-Q3 at the center of the wafer pocket 20. The alternate long and short dash line represents the amount of heat Q1b-Q3 at the periphery. As described above, since the heating in the region 23 is insufficient, the amount of heat Q1b is reduced. As a result, as shown in FIG. 5A, the temperature Ta2 becomes lower than the temperature Ta1. As the temperature Ta2 decreases, the dopant concentration at the peripheral portion of the semiconductor layer 26 becomes lower than the dopant concentration at the central portion.

図５（ｂ）は実施例２における温度と熱量との関係を例示する模式図である。図５（ｂ）に示すように、温度Ｔａ２が温度Ｔａ１より高くなる。サセプタ１０に円錐形の凸部２８を設けることで、輻射熱がサセプタ１０の下面の全体に十分に伝わる。このため熱量Ｑ１ｂが大きくなり、図５（ｂ）の一点鎖線のグラフが図５（ａ）の例より上側にシフトする。これによりＴａ２が高くなる。サセプタ１０を均一に加熱するためには、ランプヒータ１２を用いることが好ましい。特に複数のランプヒータ１２を同心円状に配置することが好ましい。   FIG. 5B is a schematic view illustrating the relationship between the temperature and the heat amount in the second embodiment. As shown in FIG. 5B, the temperature Ta2 becomes higher than the temperature Ta1. By providing the conical convex portion 28 on the susceptor 10, the radiant heat is sufficiently transmitted to the entire lower surface of the susceptor 10. For this reason, the amount of heat Q1b increases, and the one-dot chain line graph in FIG. 5B shifts upward from the example in FIG. Thereby, Ta2 becomes high. In order to heat the susceptor 10 uniformly, it is preferable to use a lamp heater 12. In particular, the plurality of lamp heaters 12 are preferably arranged concentrically.

角度θが小さいとウェハポケット２０の中心部におけるサセプタ１０の厚さＨ１が小さくなり、中心部の温度Ｔａ１が高くなってしまう。角度θが大きいとサセプタ１０の下面に凸部２８の影になり輻射熱により加熱されにくい領域が生じてしまう。角度θは２０°以上３０°以下が好ましく、例えば１８°以上、２２°以上、２８°以下、または３２°以下などでもよい。   When the angle θ is small, the thickness H1 of the susceptor 10 at the center portion of the wafer pocket 20 becomes small, and the temperature Ta1 at the center portion becomes high. When the angle θ is large, an area that is shadowed by the convex portion 28 and is difficult to be heated by radiant heat occurs on the lower surface of the susceptor 10. The angle θ is preferably 20 ° or more and 30 ° or less, and may be, for example, 18 ° or more, 22 ° or more, 28 ° or less, or 32 ° or less.

サセプタ１０は４つ以上のウェハポケット２０を有してもよいし、１つまたは２つのウェハポケット２０を有してもよい。半導体基板２４および半導体層２６はインジウムガリウム砒素リン（ＩｎＧａＡｓＰ）またはインジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡｌＡｓ）などでもよい。   The susceptor 10 may have four or more wafer pockets 20 and may have one or two wafer pockets 20. The semiconductor substrate 24 and the semiconductor layer 26 may be indium gallium arsenide phosphorus (InGaAsP), indium aluminum arsenide (InAlAs), or the like.

なお、本発明は係る特定の実施形態および実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   Note that the present invention is not limited to the specific embodiments and examples, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims.

１０ サセプタ
１２ ランプヒータ
２０ ウェハポケット
２０ａ１、２０ａ２ 上面
２０ｂ１、２０ｂ２ 下面
２２、２８ 凸部
２４ 半導体基板
２６ 半導体層
１００、２００ 成長装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Susceptor 12 Lamp heater 20 Wafer pocket 20a1, 20a2 Upper surface 20b1, 20b2 Lower surface 22, 28 Convex part 24 Semiconductor substrate 26 Semiconductor layer 100, 200 Growth apparatus

Claims (1)

ウェハポケットを有し、熱伝導性を有するサセプタと、
前記サセプタの前記ウェハポケットとは反対側のみに配置された、熱源となるヒータと、
前記サセプタの前記ウェハポケット側に配置され、原料ガスを導入するガス導入口と、
を具備し、
前記ヒータは前記サセプタに対応した同心円状に複数配置されたランプヒータであり、
前記サセプタの厚さは、前記ウェハポケットの中心部よりも前記ウェハポケットの周縁部において小さく、前記ウェハポケットの下における前記サセプタの下面は、傾斜部を有する凸部形状であることを特徴とする成長装置。 A susceptor having a wafer pocket and having thermal conductivity;
A heater serving as a heat source, disposed only on the opposite side of the susceptor from the wafer pocket;
A gas introduction port that is disposed on the wafer pocket side of the susceptor and introduces a source gas;
Comprising
The heater is a lamp heater arranged in a plurality of concentric circles corresponding to the susceptor,
The thickness of the susceptor is smaller at the periphery of the wafer pocket than at the center of the wafer pocket, and the lower surface of the susceptor under the wafer pocket has a convex shape having an inclined portion. Growth equipment.
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