JP6184697B2 - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置および熱処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6184697B2 JP6184697B2 JP2013010836A JP2013010836A JP6184697B2 JP 6184697 B2 JP6184697 B2 JP 6184697B2 JP 2013010836 A JP2013010836 A JP 2013010836A JP 2013010836 A JP2013010836 A JP 2013010836A JP 6184697 B2 JP6184697 B2 JP 6184697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flash
- heat treatment
- flash lamps
- semiconductor wafer
- flash lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 129
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 66
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 157
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 69
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 56
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 56
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 54
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順についても概ね第1実施形態と同じである。第1実施形態では半導体ウェハーWの面内温度分布の測定結果に基づいてスイッチング素子96の動作およびコンデンサ93の充電電圧を制御していたが、第2実施形態では30本のフラッシュランプFLの配列の照度分布の測定結果に基づいて同様の制御を行っている。具体的には、照度センサー240および照度センサー250の測定結果に基づいて制御部3が30個のスイッチング素子96の動作を制御するとともに、充電ユニット95によるコンデンサ93の充電電圧を制御する。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、制御部3が30個のスイッチング素子96の動作を個別に制御して30本のフラッシュランプFLの発光パターンを個別に規定していたが、30本のフラッシュランプFLを複数のランプ群に分割してゾーン毎に制御するようにしても良い。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
65 熱処理空間
93 コンデンサ
95 充電ユニット
96 スイッチング素子
140,150 放射温度計
240,250 照度センサー
FG1,FG2,FG3,FG4,FG5 フラッシュランプ群
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (10)
- 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板にフラッシュ光を照射する複数のフラッシュランプと、
前記複数のフラッシュランプに1対1で対応して設けられ、対応するフラッシュランプに流れる電流の波形を規定する複数のスイッチング素子と、
前記複数のスイッチング素子の動作を個別に制御して前記複数のフラッシュランプの発光パターンを個別に規定する発光制御手段と、
を備え、
前記複数のフラッシュランプは複数のフラッシュランプ群に分割され、
前記発光制御手段は、前記複数のフラッシュランプ群毎に発光パターンを規定するとともに、前記複数のフラッシュランプ群のうち前記複数のフラッシュランプの配列における端部のフラッシュランプ群に対応するスイッチング素子に出力するパルス信号のオン時間を相対的に長くして前記端部のフラッシュランプ群の発光強度を中央部のフラッシュランプ群の発光強度よりも強くすることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記保持手段に保持された基板の表面の異なる領域の温度を測定する複数の温度センサーをさらに備え、
前記発光制御手段は、前記複数の温度センサーの測定結果に基づいて前記複数のスイッチング素子の動作を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記複数のフラッシュランプに1対1で対応して設けられ、対応するフラッシュランプに電荷を供給する複数のコンデンサと、
前記複数のコンデンサに1対1で対応して設けられ、前記複数のコンデンサに対して個別の電圧にて充電する複数のチャージ部と、
をさらに備え、
前記発光制御手段は、前記複数の温度センサーの測定結果に基づいて前記複数のチャージ部の充電電圧を個別に制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記複数のフラッシュランプの配列の異なる領域の照度を測定する複数の照度センサーをさらに備え、
前記発光制御手段は、前記複数の照度センサーの測定結果に基づいて前記複数のスイッチング素子の動作を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記複数のフラッシュランプに1対1で対応して設けられ、対応するフラッシュランプに電荷を供給する複数のコンデンサと、
前記複数のコンデンサに1対1で対応して設けられ、前記複数のコンデンサに対して個別の電圧にて充電する複数のチャージ部と、
をさらに備え、
前記発光制御手段は、前記複数の照度センサーの測定結果に基づいて前記複数のチャージ部の充電電圧を個別に制御することを特徴とする熱処理装置。 - 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュ光を照射する複数のフラッシュランプに1対1で対応して設けられ、対応するフラッシュランプに流れる電流の波形を規定する複数のスイッチング素子の動作を個別に制御して前記複数のフラッシュランプの発光パターンを個別に規定し、
前記複数のフラッシュランプは複数のフラッシュランプ群に分割され、
前記複数のフラッシュランプ群毎に発光パターンを規定するとともに、前記複数のフラッシュランプ群のうち前記複数のフラッシュランプの配列における端部のフラッシュランプ群に対応するスイッチング素子に出力するパルス信号のオン時間を相対的に長くして前記端部のフラッシュランプ群の発光強度を中央部のフラッシュランプ群の発光強度よりも強くすることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項6記載の熱処理方法において、
フラッシュ光が照射された基板の表面の異なる領域の温度測定結果に基づいて前記複数のスイッチング素子の動作を制御することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項7記載の熱処理方法において、
前記複数のフラッシュランプに1対1で対応して設けられ、対応するフラッシュランプに電荷を供給する複数のコンデンサに対する充電電圧を前記温度測定結果に基づいて個別に制御することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項6記載の熱処理方法において、
前記複数のフラッシュランプの配列の異なる領域の照度測定結果に基づいて前記複数のスイッチング素子の動作を制御することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項9記載の熱処理方法において、
前記複数のフラッシュランプに1対1で対応して設けられ、対応するフラッシュランプに電荷を供給する複数のコンデンサに対する充電電圧を前記照度測定結果に基づいて個別に制御することを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013010836A JP6184697B2 (ja) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | 熱処理装置および熱処理方法 |
TW102142333A TWI528591B (zh) | 2013-01-24 | 2013-11-20 | 熱處理裝置及熱處理方法 |
US14/142,991 US9607870B2 (en) | 2013-01-24 | 2013-12-30 | Heat treatment apparatus and heat treatment method for heating substrate by irradiating substrate with flash of light |
US15/413,786 US9875919B2 (en) | 2013-01-24 | 2017-01-24 | Heat treatment method for heating substrate by irradiating substrate with flash of light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013010836A JP6184697B2 (ja) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | 熱処理装置および熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014143298A JP2014143298A (ja) | 2014-08-07 |
JP6184697B2 true JP6184697B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=51208003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013010836A Active JP6184697B2 (ja) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | 熱処理装置および熱処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9607870B2 (ja) |
JP (1) | JP6184697B2 (ja) |
TW (1) | TWI528591B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106158622B (zh) * | 2014-11-12 | 2020-07-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于热映射和热工艺控制的方法和装置 |
JP6473659B2 (ja) * | 2015-05-13 | 2019-02-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6654374B2 (ja) * | 2015-08-17 | 2020-02-26 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6618336B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2019-12-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板の温度分布調整方法 |
US20180053666A1 (en) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier with array of independently controllable heater elements |
JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6770915B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2020-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6824080B2 (ja) | 2017-03-17 | 2021-02-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および放射温度計の測定位置調整方法 |
JP7032947B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2022-03-09 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP7041594B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP7011980B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-01-27 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP7307563B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-07-12 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
US10925146B1 (en) * | 2019-12-17 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ion source chamber with embedded heater |
JP2022187213A (ja) * | 2021-06-07 | 2022-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61198735A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Fujitsu Ltd | フラツシユランプアニ−ル装置 |
US4727297A (en) * | 1986-07-17 | 1988-02-23 | Peak Systems, Inc. | Arc lamp power supply |
JPS63188940A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Nikon Corp | 光加熱装置 |
US5620624A (en) * | 1988-05-19 | 1997-04-15 | Quadlux, Inc. | Cooking method and apparatus controlling cooking cycle |
US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
US5781693A (en) * | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
DE19923400A1 (de) | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten |
JP3896395B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2007-03-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4029613B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2008-01-09 | ウシオ電機株式会社 | 閃光放射装置および光加熱装置 |
JP4024764B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2007-12-19 | 松下電器産業株式会社 | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
JP4893159B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2012-03-07 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 |
JP5465373B2 (ja) | 2007-09-12 | 2014-04-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP5221099B2 (ja) | 2007-10-17 | 2013-06-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
CA2754773C (en) * | 2009-03-09 | 2017-06-13 | Thermedx, Llc | Surgical fluid management system having default operating parameters associated with a plurality of medical procedures |
JP5562572B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-07-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
TWI435391B (zh) * | 2010-09-16 | 2014-04-21 | Dainippon Screen Mfg | 閃光熱處理裝置 |
JP5606852B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-10-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2012199470A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP5855353B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN103123906A (zh) * | 2011-11-18 | 2013-05-29 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法 |
US9754807B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | High density solid state light source array |
-
2013
- 2013-01-24 JP JP2013010836A patent/JP6184697B2/ja active Active
- 2013-11-20 TW TW102142333A patent/TWI528591B/zh active
- 2013-12-30 US US14/142,991 patent/US9607870B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-24 US US15/413,786 patent/US9875919B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201431120A (zh) | 2014-08-01 |
US9607870B2 (en) | 2017-03-28 |
TWI528591B (zh) | 2016-04-01 |
JP2014143298A (ja) | 2014-08-07 |
US20140206108A1 (en) | 2014-07-24 |
US9875919B2 (en) | 2018-01-23 |
US20170133247A1 (en) | 2017-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6184697B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
CN106340451B (zh) | 热处理方法以及热处理装置 | |
JP6539568B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5507274B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5951241B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP6473659B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP6598630B2 (ja) | 熱処理方法 | |
JP5731230B2 (ja) | 熱処理装置 | |
US10643850B2 (en) | Dopant introduction method and thermal treatment method | |
JP5507227B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5944131B2 (ja) | 熱処理方法 | |
KR102521782B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
JP2012199470A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5698040B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5944152B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP6005946B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2018101760A (ja) | 熱処理方法 | |
JP2018029128A (ja) | ドーパント導入方法 | |
JP5701651B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5801575B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5801574B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6184697 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |