JP6179790B2 - 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6179790B2 JP6179790B2 JP2012207566A JP2012207566A JP6179790B2 JP 6179790 B2 JP6179790 B2 JP 6179790B2 JP 2012207566 A JP2012207566 A JP 2012207566A JP 2012207566 A JP2012207566 A JP 2012207566A JP 6179790 B2 JP6179790 B2 JP 6179790B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- vapor phase
- gas receiving
- phase growth
- growth apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 12
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 234
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiHCl 3 Chemical class 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
- C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、シリコン単結晶基板等の半導体基板の主表面にシリコン単結晶薄膜等の半導体薄膜を気相成長させるための気相成長装置と、それを用いて実現されるエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。
シリコン単結晶基板（以下、単に「基板」と略称する）の主表面に、気相成長法によりシリコン単結晶薄膜（以下、単に「薄膜」と略称する）を形成したシリコンエピタキシャルウェーハは、バイポーラＩＣやＭＯＳ−ＩＣ等の電子デバイスに広く使用されている。そして、電子デバイスの微細化等に伴い、素子を作りこむエピタキシャルウェーハ主表面のフラットネスに対する要求がますます厳しくなりつつある。フラットネスに影響を及ぼす因子としては、基板の平坦度と薄膜の膜厚分布とがある。ところで、近年、たとえば直径が２００ｍｍないしそれ以上のエピタキシャルウェーハの製造においては、複数枚のウェーハをバッチ処理する方法に代えて、枚葉式気相成長装置が主流になりつつある。これは、反応容器内に１枚の基板を水平に回転保持し、反応容器の一端から他端へ原料ガスを略水平かつ一方向に供給しながら薄膜を気相成長させるものである。
上記のような枚葉式気相成長装置において、形成される薄膜の膜厚均一化を図る上で重要な因子として、反応容器内における原料ガスの流量あるいは流量分布がある。枚葉式気相成長装置においては、通常、ガス供給管を介して反応容器の一端部に形成されたガス導入口から原料ガスが供給され、基板表面に沿って原料ガスが流れた後、容器他端側の排出口から排出される構造となっている。このような構造の気相成長装置において、流量ムラを減ずるために、ガス導入口の下流側に多数の孔を形成した分散板を設けたり、あるいはガス流を幅方向に仕切る仕切板を設けたりした装置が提案されている。
また、下記特許文献１では、このような構造の気相成長装置において、流量ムラを減ずるために、反応容器本体の第一端部からサセプタの回転軸線と直交して第二端部に至る原料ガスの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線とし、該水平基準線を含んで回転軸線と直交する仮想的な平面を基準平面としたときに、堤部材のガス受入領域が、基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において、幅方向における中央位置が両縁位置よりもガス排出口側に引っ込んだ凹状の外形線を有する、１つ又は堤部材の周方向に沿って隣接する複数のガス受入凹部からなる装置が提案されている。これによれば、ガス受入凹部にてガス流が幅方向に大きくにげようとする傾向が和らげられ、流量ムラを解消できるとしている。
ところが、本発明者が検討を行ったところ、特許文献１の構造では、ガス流ムラの解消効果が不十分であることが分かった。すわなち、堤部材をガスが通過する際、堤部材のガス受入凹部の壁近傍でガス流が流れにくい領域が存在し、壁間の中心でガス流が流れやすい領域が存在するため、堤部材形状とガス受入凹部の配置に起因したガス流ムラが発生する。上記特許文献1に記載されている装置ではこの堤部材に起因したガス流ムラにより、ウェーハ外周部分でガス流垂直方向の膜厚分布にムラができ、ウェーハ全体の膜厚分布を悪化させている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、比較的単純な機構によりながら、堤部材でのガス流ムラを効果的に低減することができ、ひいては良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置と、それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明は、半導体基板の主表面に半導体薄膜を気相成長させる気相成長装置であって、水平方向における第一端部側にガス導入口が形成され、同じく第二端部側にガス排出口が形成された反応容器本体を有し、半導体薄膜形成のための原料ガスが前記ガス導入口から前記反応容器本体内に導入され、該反応容器本体の内部空間にて略水平に回転保持される前記半導体基板の前記主表面に沿って前記原料ガスが流れた後、前記ガス排出口から排出されるように構成され、前記内部空間内にて回転駆動される円盤状のサセプタ上に前記半導体基板が配置される一方、前記サセプタを取り囲むとともに、上面が該サセプタの上面と一致する位置関係にて堤部材が配置され、さらに、前記ガス導入口は前記堤部材の外周面に対向する形にて開口し、該ガス導入口からの前記原料ガスが、前記堤部材の外周面に形成されたガス受入領域に当たって上面側に乗り上げた後、前記サセプタ上の前記半導体基板の主表面に沿って流れるように構成された気相成長装置において、
前記反応容器本体の前記第一端部から前記サセプタの回転軸線と直交して前記第二端部に至る前記原料ガスの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線としたとき、
前記ガス受入領域は、前記水平基準線を中心として対称形を形成し、該対称形の片側において前記堤部材の周方向に沿って隣接する７段以上３０段以下に分割され区分された分割構造を有し、
前記水平基準線と前記回転軸線との双方と直交する向きを幅方向とし、前記水平基準線を含んで前記回転軸線と直交する仮想的な平面を基準平面としたとき、
前記分割構造は、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において、前記幅方向における中央位置が両縁位置よりも前記ガス排出口側に引っ込んだ凹状の外形線を有するガス受入凹部であり、
前記ガス受入凹部には、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において前記水平基準線と垂直となる外形線を有する垂直ガス受面が形成されており、
前記半導体基板は直径が２００ｍｍであり、
前記堤部材の内周縁に沿って均熱用の予熱リングが配置され、その内側に前記サセプタが配置され、
前記ガス受入凹部の前記幅方向における全長は、前記半導体基板の直径以上、前記予熱リングの外径以下であることを特徴とする。
前記反応容器本体の前記第一端部から前記サセプタの回転軸線と直交して前記第二端部に至る前記原料ガスの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線としたとき、
前記ガス受入領域は、前記水平基準線を中心として対称形を形成し、該対称形の片側において前記堤部材の周方向に沿って隣接する７段以上３０段以下に分割され区分された分割構造を有し、
前記水平基準線と前記回転軸線との双方と直交する向きを幅方向とし、前記水平基準線を含んで前記回転軸線と直交する仮想的な平面を基準平面としたとき、
前記分割構造は、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において、前記幅方向における中央位置が両縁位置よりも前記ガス排出口側に引っ込んだ凹状の外形線を有するガス受入凹部であり、
前記ガス受入凹部には、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において前記水平基準線と垂直となる外形線を有する垂直ガス受面が形成されており、
前記半導体基板は直径が２００ｍｍであり、
前記堤部材の内周縁に沿って均熱用の予熱リングが配置され、その内側に前記サセプタが配置され、
前記ガス受入凹部の前記幅方向における全長は、前記半導体基板の直径以上、前記予熱リングの外径以下であることを特徴とする。
本発明によれば、堤部材のガス受入領域は、ガス流方向を反映した水平基準線を中心として対称形を形成し、該対称形の片側において堤部材の周方向に沿って隣接する複数段に分割され区分された分割構造となっているので、ガス流を堤部材の周方向（ガス流垂直方向）に均一に分散できる。また、本発明者が鋭意検討を重ねた結果、分割構造の段数が７段以上３０段以下のときに、ガス流ムラを効果的に解消できることが分かった。これにより、半導体基板上に流れる原料ガスのガス流垂直方向の流量分布の均一化を図ることができ、ひいては極めて均一な膜厚分布の半導体薄膜が得られる。
なお、堤部材の上面は、サセプタの上面と一致する位置関係であるとしているが、これは堤部材の上面とサセプタの上面とが完全に一致することを必ずしも意味するのではなく、２ｍｍ程度までの位置の違いは一致しているとみなす。
また、本発明において、前記水平基準線と前記回転軸線との双方と直交する向きを幅方向とし、前記水平基準線を含んで前記回転軸線と直交する仮想的な平面を基準平面としたとき、
前記分割構造は、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において、前記幅方向における中央位置が両縁位置よりも前記ガス排出口側に引っ込んだ凹状の外形線を有するガス受入凹部とするのが好ましい。
前記分割構造は、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において、前記幅方向における中央位置が両縁位置よりも前記ガス排出口側に引っ込んだ凹状の外形線を有するガス受入凹部とするのが好ましい。
これによれば、ガス受入凹部において凹状をなす断面外形線の幅方向中央位置が両縁位置より引っ込んでいるので、ガス流が幅方向に大きく逃げようとする傾向を和らげることができる。
また、本発明において、前記ガス受入凹部には、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において前記水平基準線と垂直となる外形線を有する垂直ガス受面が形成されているのが好ましい。
これによれば、垂直ガス受面において、ガス流が幅方向に対して常に垂直となるように当たるので、幅方向外側にガス流が逃げる傾向を効果的に抑制できる。
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、本発明の気相成長装置の前記反応容器本体内に半導体基板を配置し、該反応容器本体内に前記原料ガスを流通させて該半導体基板上に半導体薄膜を気相エピタキシャル成長させることによりエピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする。これにより、ガス流垂直方向における膜厚分布が均一なエピタキシャルウェーハを得ることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係る気相成長装置１の側面断面図である。図２は、図１のガス導入部付近の拡大図である。図３は、図１の要部を取り出して示す気相成長装置１の平面図である。気相成長装置１は、図１に示すように、水平方向における第一端部３１側にガス導入口２１が形成され、同じく第二端部３２側にガス排出口３６が形成された反応容器本体２を有する。薄膜形成のための原料ガスＧは、ガス導入口２１から反応容器本体２内に導入され、該反応容器本体２の内部空間５にて略水平に回転保持される基板Ｗの主表面に沿って流れた後、ガス排出口３６から排出管７を経て排出されるように構成されている。
原料ガスＧは、上記の基板Ｗ上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させるためのものであり、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６等のシリコン化合物の中から選択される。原料ガスＧには、ドーパントガスとしてのＢ２Ｈ６あるいはＰＨ３や、希釈ガスとしてのＨ２、Ｎ２、Ａｒ等が適宜配合される。また、薄膜の気相成長処理に先立って基板前処理（例えば自然酸化膜や付着有機物の除去処理）を行う際には、ＨＣｌ、ＨＦ、ＣｌＦ３、ＮＦ３等から適宜選択された腐蝕性ガスを希釈ガスにて希釈した前処理用ガスを反応容器本体２内に供給するか、又は、Ｈ２雰囲気中で高温熱処理を施す。
図１に示すように、反応容器本体２の内部空間５には、垂直な回転軸線Ｏの周りにモータ１３により回転駆動される円盤状のサセプタ１２が配置され、その上面に形成された浅い座ぐり１２ｂ内に、シリコンエピタキシャルウェーハを製造するための基板Ｗが１枚のみ配置される。すなわち、該気相成長装置１は水平枚葉型気相成長装置として構成されている。基板Ｗは、例えば直径が１００ｍｍあるいはそれ以上のものである。また、基板Ｗの配置領域に対応して反応容器本体２の上下には、基板加熱のための赤外線加熱ランプ１１が所定間隔にて配置されている。
内部空間５内には、図３に示すようにサセプタ１２を取り囲むように堤部材２３が配置されている。その堤部材２３は、図２に示すように、堤部材２３の上面２３ａがサセプタ１２の上面１２ａ（ひいては基板Ｗの主表面）と略一致する位置関係にて配置される。図１に示すように、ガス導入口２１は、堤部材２３の外周面２３ｂに対向する形にて開口している。該ガス導入口２１からの原料ガスＧは、図２、図３に示すように、堤部材２３の外周面２３ｂに形成されたガス受入領域６０に当たって上面２３ａ側に乗り上げた後、サセプタ１２上の基板Ｗの主表面に沿って流れるようになっている。なお、堤部材２３の内周縁に沿って、板状に形成された均熱用の予熱リング２２が配置され、その内側に配置されるサセプタ１２の上面１２ａが、該予熱リング２２の上面２２ａと略面一となっている。
次に、図１、図３に示すように、反応容器本体２の第一端部３１からサセプタ１２の回転軸線Ｏと直交して第二端部３２に至る原料ガスＧの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線ＨＳＬとして定める。また、図３に示すように、該水平基準線ＨＳＬと回転軸線Ｏとの双方に直交する方向を幅方向ＷＬとして定義する。さらに、図１に示すように、該水平基準線ＨＳＬを含んで回転軸線Ｏと直交する仮想的な平面を基準平面ＲＰとして定める。
図３に示すように、堤部材２３のガス受入領域６０には、堤部材２３の周方向に沿って隣接する形で分割され区分された複数のガス受入凹部７０（分割構造）が形成されている。ここで、図４は、図３の破線部１００の拡大図であり、水平基準線ＨＳＬ近傍に位置するガス受入凹部７０の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ断面図である。図６は、図５のＢ−Ｂ断面図である。なお、図５のＢ−Ｂ線は、基準平面ＲＰと平行な任意の仮想平面ＲＰＡに相当する線である。それら図４〜図６を参照して、ガス受入凹部７０の形状について説明する。
ガス受入凹部７０は、上記特許文献１（特開２００２−２３１６４１号公報）と同様の形状となっている。すなわち、各ガス受入凹部７０は、図６に示すように、仮想平面ＲＰＡによる断面において、幅方向ＷＬにおける中央位置ＣＱが両縁位置ＥＱ、ＥＱよりもガス排出口３６（図３参照）側に引っ込んだ凹状の外形線を有する。ガス受入凹部７０は、凹状の内周面底部に対応する垂直ガス受面６１と、その垂直ガス受面６１の幅方向ＷＬにおける両端部に隣接しガス導入口２１（図１参照）側に延出したガス案内面６２、６２とから構成されている。詳細には、図４に示すように、垂直ガス受面６１の幅方向ＷＬにおける両端部には、ガス導入口２１側に延出したガス案内壁部６３が形成され、そのガス案内壁部６３の左右側面がガス案内面６２となっている。隣接するガス受入凹部７０、７０は１つのガス案内壁部６３で区切られている。ガス案内面６２、６２により、幅方向ＷＬに沿って横方向に逃げようとする原料ガスの流れが有効に抑制される。その結果、個々のガス受入凹部７０に分配された原料ガスの流れが、垂直ガス受面６１を乗り越えた後も良好に保存され、幅方向ＷＬにおける流速ムラが軽減される。
垂直ガス受面６１は、図６に示すように、仮想平面ＲＰＡによる断面において、水平基準線ＨＳＬと垂直となる外形線６１ｓを有する。これにより、幅方向ＷＬに対して原料ガスが常に垂直ガス受面６１に垂直に当たるので、幅方向外側にガス流が逃げる傾向を効果的に抑制できる。さらに、図５に示すように、垂直ガス受面６１は、水平基準線ＨＳＬに沿う方向にてガス導入口２１（図１参照）側に下り勾配の傾斜ガス受面となっている。傾斜ガス受面６１（垂直ガス受面）により、原料ガスを堤部材２３の上面２３ａにスムーズに乗り上げさせることができ、ガス流の分散を適度に図ることが可能となる。
図３に示すように、ガス受入凹部７０（ガス受入領域６０）は、水平基準線ＨＳＬを中心として対称形に形成されている。詳細には、ガス受入凹部７０は、幅方向ＷＬにおける内側領域（水平基準線ＨＳＬ付近）に形成された１つのガス受入凹部７１（以下、中央凹部という）と、その中央凹部７１の左側（図３の紙面方向で左側、幅方向ＷＬにおける左外側領域）に形成された複数のガス受入凹部７２（以下、左側凹部という）と、中央凹部７１の右側（図３の紙面方向に右側、幅方向ＷＬにおける右外側領域）に形成された複数のガス受入凹部７３とを有している。左側凹部７２と右側凹部７３とが水平基準線ＨＳＬに対して（中央凹部７１に対して）対称形に形成されている。
また、ガス受入凹部７０（垂直ガス受面６１）は、水平基準線ＨＳＬの左右両側に階段状に配列されている。図４に示すように、階段状に隣接する垂直ガス受面６１、６１の間には、水平基準線ＨＳＬに平行な方向に延びた連結面部６１ｊが形成されている。そして、それら隣接する垂直ガス受面６１、６１のガス排出口３６（図１参照）に近い側、つまりガス流方向下流側に位置するものから見て、該連結面部６１ｊは、幅方向ＷＬへのガス流の逃げを阻止ないし抑制するガス案内面６２としても機能する。換言すれば、階段状の垂直ガス受面６１により副産物に形成される連結面部６１ｊを、ガス案内面６２として流用することで、堤部材２３の構造の簡略化あるいはコンパクト化を図ることができる。
本実施形態では、図３に示すように、ガス受入凹部７０（左側凹部７２、右側凹部７３）は、水平基準線ＨＳＬから離れるに従いガス排出口３６側に近づくように階段状に配列されている。この構成によれば、堤部材２３の形状が、サセプタ１２の外周縁に対応した単純なものとなるので作製が容易であり、かつ、ガス受入凹部７０をこれに倣う階段状に形成することで、ガス流垂直方向（幅方向ＷＬ）におけるガスの流速ムラの解消を効果的に図ることができる。この場合、ガス受入凹部７０は、図３に示すように、サセプタ１２の回転軸線Ｏを中心とする円周状経路に沿って配列しておくとなお望ましい。
本発明では、左側凹部７２、右側凹部７３の段数に特徴を有し、具体的には、左側凹部７２、右側凹部７３は、互いに同じ数だけ形成され、かつ、それぞれ、７段以上３０段以下の数だけ形成されている。なお、図３では、左側凹部７２、右側凹部７３がそれぞれ７段形成された例を示している。左側凹部７２、右側凹部７３の段数を７段以上３０段以下とすることで、１つ当たりの左側凹部７２、右側凹部７３の幅が狭くなるので、左側凹部７２、右側凹部７３の壁近傍領域と壁間の中心領域との間で、ガス流の流れやすさの差異を小さくできる（ガス流ムラを抑制できる）。その結果、ガス流垂直方向（幅方向ＷＬ）における原料ガスの流量分布の均一化を図ることができ、下記実施例で示すように、ガス流垂直方向における膜厚分布が極めて均一なエピタキシャル膜を得ることができる。
次に、本実施形態の気相成長装置１においては、図３に示すように、ガス導入口２１（図１参照）と堤部材２３の間に、基板Ｗに向かう原料ガスＧの流れを、幅方向ＷＬにおける複数箇所（本実施形態では２箇所）にて仕切る仕切板３４Ｒ、３４Ｌが設けられている。これら仕切板３４Ｒ、３４Ｌは、幅方向ＷＬにおいて水平基準線ＨＳＬに対し左右に振り分けた形にて、各々堤部材２３のガス受入領域６０に向かって延びるように配置されている。
図３に示すように、右側の仕切板３４Ｒと左側の仕切板３４Ｌとのそれぞれに個別に対応してガス導入口２１Ａ、２１Ｂが形成されている。具体的には、原料ガスＧは、ガス配管５０を経て各ガス導入口２１Ａ、２１Ｂから内部空間５（図１参照）に導かれる。本実施形態では、ガス配管５０は、幅方向ＷＬにおける内側領域（中央凹部７１）にガスを供給する内側配管５３と同じく外側領域（左側凹部７２、右側凹部７３）にガスを供給する外側配管５１とに分岐している。内側配管５３は、水平基準線ＨＳＬに対し左右両側に設けられている。それら内側配管５３、５３は、それぞれ、内側ガス導入口２１Ａ、２１Ａを開口している。同様に、外側配管５１は、水平基準線ＨＳＬに対して左右両側に設けられている。右側の外側配管５１は、主に右側凹部７３にガスを供給する外側ガス導入口２１Ｂを開口している。左側の外側配管５１は、主に左側凹部７２にガスを供給する外側ガス導入口２１Ｂを開口している。なお、各配管５１、５３にはマスフローコントローラ（図示外）が設けられており、そのマスフローコントローラにより各配管５１、５３に流れる原料ガスの流量を独立に制御できるようになっている。
図１〜図３に示すように、気相成長装置１には、内部にガス案内空間２４ｓが形成されたガス案内部材２４がガス導入口２１と堤部材２３との間に配置されている。具体的には、原料ガスを堤部材２３の外周面２３ｂに向けて導く１対のガス案内部材２４Ｒ、２４Ｌが、幅方向ＷＬにおいて水平基準線ＨＳＬに対し左右に振り分けた形にて、ガス導入口２１と堤部材２３との間に配置されている。そして、ガス案内部材２４Ｒ、２４Ｌの内側に形成されたガス案内空間２４ｓ、２４ｓの各々に仕切板３４Ｒ、３４Ｌが配置されている。なお、ガス案内部材２４Ｒ、２４Ｌの、堤部材２３の外周面２３ｂ（ガス受入領域６０）との対向面は、外周面２３ｂに対応した円筒面状に形成されている。
また、図１に示すように、反応容器本体２は、下部ケース３と上部ケース４とからなり、堤部材２３は下部ケース３の内周面に沿って配置されている。図２に示すように、堤部材２３には、垂直ガス受面６１の下端上流側に続く形で、ガス導入面２３ｃが形成されている。ガス導入面２３ｃは、ガス案内部材２４の下端板２４ｂの内面の延長に略一致する形となっており、ガス流を垂直ガス受面６１に向けてスムーズに導く役割を果たす。なお、上部ケース４は、堤部材２３の上面２３ａに対向する第一面４ａと、垂直ガス受面６１に対向する第二面４ｂと、同じくガス導入面２３ｃに対向する第三面４ｃとを有する段部を有する。それら第一面４ａ、第二面４ｂ、第三面４ｃで堤部材２３との間にガス通路５５を形成している。
以下、気相成長装置１の作用について説明する。図１、図２、図３に示すように、サセプタ１２上に基板Ｗをセットし、必要に応じて酸化膜除去等の前処理を行った後、基板Ｗを回転させながら赤外線加熱ランプ１１により所定の反応温度に加熱する。その状態で、各ガス導入口２１Ａ、２１Ｂから原料ガスを所定の流速にて導入する。原料ガスは、仕切板３４Ｒ、３４Ｌの間を通る内側ガス流と、同じく外側を通る外側ガス流とに仕切られて、さらに堤部材２３の外周面２３ｂに向けて流れる。外周面２３ｂに当たった内側ガス流及び外側ガス流は、堤部材２３の上面２３ａに乗り上げて、基板Ｗの主表面に沿って流れ、排出側ガス案内部材２５（図１参照）を経て排出管７に集められ、排出される。上述したように、外周面２３ｂ（ガス受入領域６０）には、７段以上３０段以下の数の左側凹部７２及び右側凹部７３が形成されているので、ガス流垂直方向（幅方向ＷＬ）におけるガス流のムラを効果的に抑制でき、極めて均一なエピタキシャル膜を得ることができる。
本発明の効果を確認するために以下の試験を行った。ＣＺ法により作製した直径２００ｍｍのシリコン単結晶基板Ｗを、図１〜図６に示す気相成長装置１内に配置した。他方、比較例として、図７に示すように、堤部材の外周面（ガス受入領域）を、片側３分割とした気相成長装置１０も用意し、シリコン単結晶基板Ｗを同様に配置した。図７の堤部材２３０の外周面（ガス受入領域６００）には、本発明のガス受入凹部７０（図４〜図６参照）と同様の形状のガス受入凹部７００が形成されている。そのガス受入凹部７００は、幅方向ＷＬの中央付近（水平基準線ＨＳＬ付近）に配置されたガス受入凹部７０１（中央凹部）と、その中央凹部７０１の左側に配置された３段のガス受入凹部７０２（左側凹部）と、中央凹部７０１に右側に配置された３段のガス受入凹部７０３（右側凹部）とを有する。図７の気相成長装置１０は、図１〜図６の気相成長装置１に対して、左側凹部７０２及び右側凹部７０３の段数のみが異なっている。
そして、試験を下記の手順で行った。まず、赤外線加熱ランプ１１（図１参照）に通電し、基板Ｗの温度が１２００℃になった後に、基板Ｗ表面の自然酸化膜を除去した。その後、基板Ｗの温度を１１３０℃に保持したまま内側ガス導入口２１Ａ及び外側ガス導入口２１Ｂ（図３参照）から原料ガスとしてトリクロロシランガスを含有する水素ガスを流通して、基板Ｗ上にシリコン単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長させた。なお、内側ガス導入口２１Ａと外側ガス導入口２１Ｂとの原料ガスの合計供給流量は５０リットル／分に固定した。また、ガス導入口２１Ａと外側ガス導入口２１Ｂとの供給流量比は種々に変えてシリコン単結晶薄膜の成長を行い、膜厚分布が最適となるものを選択するようにした。
そして、得られた薄膜付きの基板すなわちエピタキシャルウェーハのガス流垂直方向（幅方向ＷＬ）の膜厚分布プロファイルをＦＴ−ＩＲ法により測定し、グラフにプロットした。図８は、その膜厚分布プロファイルを示した図である。詳細には、図８のプロット点「○」は、図１〜図６の気相成長装置１（ガス受入凹部：片側７段）における膜厚分布プロファイルを示している。また、図８のプロット点「□」は、図７の気相成長装置１０（ガス受入凹部：片側３段）における膜厚分布プロファイルを示している。なお、図８の横軸は、エピタキシャルウェーハの中心（図１の回転軸線Ｏとエピタキシャルウェーハの交点）を原点とし、その原点からの幅方向ＷＬにおける距離（ｍｍ）を示している。図８の縦軸は、各ポジションでの膜厚を目標膜厚で規格化した規格化膜厚を示している。規格化膜厚が１に近いほど目標膜厚に近いことを示しており、規格化膜厚＝１は目標膜厚と一致していることを示している。なお、膜厚分布プロファイルを測定するときには、シリコン単結晶基板Ｗは回転停止としている。
図８のプロット点「□」が示すように、従来の気相成長装置１０では、ガス流垂直方向（幅方向ＷＬ）の成長速度分布（膜厚分布）が大きく波打っている。特に、左側凹部７０２、右側凹部７０３（図７参照）に対応する領域（ポジションが４０ｍｍ以上、−４０ｍｍ以下の領域）で、膜厚分布が大きく波打っている。このことから、ガス受入凹部の段数が「３」の場合には、ガス流垂直方向におけるガス流ムラの抑制効果が不十分であると言える。これに対し、プロット点「○」が示すように、本発明の気相成長装置１では、ガス流垂直方向の成長速度分布（膜厚分布）は小さい波打ちを繰り返す結果となった。
また、本発明にかかる気相成長装置１で作製したシリコンエピタキシャルウェーハは、従来の気相成長装置１０で作製したシリコンエピタキシャルウェーハよりも均一な膜厚分布を示した。具体的には、シリコン単結晶薄膜の最大膜厚値をｔmax、同じく最小膜厚値をｔminとし、以下の式１で定義される値Ｔをシリコン単結晶薄膜の膜厚分布（±％）とする。
Ｔ＝１００×（ｔmax−ｔmin）／（ｔmax＋ｔmin） ・・・（式１）
Ｔ＝１００×（ｔmax−ｔmin）／（ｔmax＋ｔmin） ・・・（式１）
そして、図８のプロファイルから最大膜厚値ｔmax、最小膜厚値ｔminを読み取って、それらｔmax、ｔminを上記式１に代入すると、本発明の気相成長装置１で作製したシリコンエピタキシャルウェーハは、Ｔ＝±０．９９（％）となった。これに対し、従来の気相成長装置１０で作製したシリコンエピタキシャルウェーハは、Ｔ＝±３．２４（％）であった。
また、ガス受入凹部の分割段数を種々変更したときに、ガス流垂直方向における膜厚分布がどのように推移するかを調べた。図９はその結果であり、ガス受入凹部の分割段数に対するガス流垂直方向における膜厚分布の推移を示している。なお、図９の横軸は、ガス受入凹部の分割段数を示している。また、図９の縦軸は、ガス流垂直方向の膜厚分布として、上記式１で与えられる膜厚分布Ｔ（±％）を示している。なお、図９の●のプロット点は、本発明の実施例として、分割段数＝７、１２、２０、３０での膜厚分布を示している。図９の◆のプロット点は、比較例として、図７の気相成長装置１０（分割段数＝３）での膜厚分布及び分割段数２、４での膜厚分布を示している。図９に示すように、分割段数が７未満の場合には、膜厚分布（％）は大きな値（２．５％以上）を示している。これに対し、分割段数が７段以上３０段以下の場合には、膜厚分布（％）は１．００近辺の小さい値を示している。この結果から、ガス受入凹部の片側の分割段数を７段以上３０段以下にすると、ガス流ムラ低減の効果が顕著になり、極めて均一な膜厚分布が得られる。なお、分割段数が３０段を超えると、ガス受入凹部の壁幅が加工限界（１ｍｍ）以下となり作業困難となる。
以上、本発明の気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載を逸脱しない限度で種々の変更が可能である。例えば、垂直ガス受面を傾斜面ではなく切立面（水平面に対して垂直な面）として形成しても良い。また、ガス受入凹部の内周面底部を垂直ガス受面とせず、湾曲面として形成しても良い。また、シリコンエピタキシャルウェーハ以外の半導体エピタキシャルウェーハを作製するための気相成長装置に本発明を適用しても良い。
１ 気相成長装置
２ 反応容器本体
５ 内部空間
７ 排出管
１２ サセプタ
１２ａ サセプタの上面
２１ ガス導入口
２３ 堤部材
２３ａ 堤部材の上面
２３ｂ 堤部材の外周面
３１ 第一端部側
３２ 第二端部側
３６ ガス排出口
６０ ガス受入領域
６１ 垂直ガス受面
６２ ガス案内面
７０ ガス受入凹部
Ｗ 基板
Ｇ 原料ガス
Ｏ 回転軸線
ＨＳＬ 水平基準線
ＷＬ 幅方向
２ 反応容器本体
５ 内部空間
７ 排出管
１２ サセプタ
１２ａ サセプタの上面
２１ ガス導入口
２３ 堤部材
２３ａ 堤部材の上面
２３ｂ 堤部材の外周面
３１ 第一端部側
３２ 第二端部側
３６ ガス排出口
６０ ガス受入領域
６１ 垂直ガス受面
６２ ガス案内面
７０ ガス受入凹部
Ｗ 基板
Ｇ 原料ガス
Ｏ 回転軸線
ＨＳＬ 水平基準線
ＷＬ 幅方向
Claims (9)
- 半導体基板の主表面に半導体薄膜を気相成長させる気相成長装置であって、水平方向における第一端部側にガス導入口が形成され、同じく第二端部側にガス排出口が形成された反応容器本体を有し、半導体薄膜形成のための原料ガスが前記ガス導入口から前記反応容器本体内に導入され、該反応容器本体の内部空間にて略水平に回転保持される前記半導体基板の前記主表面に沿って前記原料ガスが流れた後、前記ガス排出口から排出されるように構成され、前記内部空間内にて回転駆動される円盤状のサセプタ上に前記半導体基板が配置される一方、前記サセプタを取り囲むとともに、上面が該サセプタの上面と一致する位置関係にて堤部材が配置され、さらに、前記ガス導入口は前記堤部材の外周面に対向する形にて開口し、該ガス導入口からの前記原料ガスが、前記堤部材の外周面に形成されたガス受入領域に当たって上面側に乗り上げた後、前記サセプタ上の前記半導体基板の主表面に沿って流れるように構成された気相成長装置において、
前記反応容器本体の前記第一端部から前記サセプタの回転軸線と直交して前記第二端部に至る前記原料ガスの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線としたとき、
前記ガス受入領域は、前記水平基準線を中心として対称形を形成し、該対称形の片側において前記堤部材の周方向に沿って隣接する７段以上３０段以下に分割され区分された分割構造を有し、
前記水平基準線と前記回転軸線との双方と直交する向きを幅方向とし、前記水平基準線を含んで前記回転軸線と直交する仮想的な平面を基準平面としたとき、
前記分割構造は、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において、前記幅方向における中央位置が両縁位置よりも前記ガス排出口側に引っ込んだ凹状の外形線を有するガス受入凹部であり、
前記ガス受入凹部には、前記基準平面と平行な任意の仮想平面による断面において前記水平基準線と垂直となる外形線を有する垂直ガス受面が形成されており、
前記半導体基板は直径が２００ｍｍであり、
前記堤部材の内周縁に沿って均熱用の予熱リングが配置され、その内側に前記サセプタが配置され、
前記ガス受入凹部の前記幅方向における全長は、前記半導体基板の直径以上、前記予熱リングの外径以下であることを特徴とする気相成長装置。 - 前記垂直ガス受面の前記幅方向における両端部に隣接して前記ガス導入口側に延出するガス案内面が形成され、
前記ガス案内面と前記垂直ガス受面とで前記ガス受入凹部を構成していることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。 - 前記ガス受入凹部は、前記幅方向において前記水平基準線の左右両側に階段状に配列されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の気相成長装置。
- 前記ガス受入凹部は、前記水平基準線から離れるに従い前記ガス排出口側に近づくよう階段状に配列されていることを特徴とする請求項３に記載の気相成長装置。
- 前記ガス受入凹部は、前記サセプタの回転軸線を中心とする円周状経路に沿って配列されていることを特徴とする請求項４に記載の気相成長装置。
- 前記ガス受入領域には、前記水平基準線に沿う方向において前記ガス導入口側に下り勾配となる傾斜ガス受面が形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の気相成長装置。
- 前記垂直ガス受面が前記傾斜ガス受面として形成されていることを特徴とする請求項６に記載の気相成長装置。
- 前記ガス受入凹部の上流側に配置されて前記ガス受入凹部に繋がるガス流路の分割数は、前記ガス受入凹部の分割数より少ないことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の気相成長装置。
- 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の気相成長装置の前記反応容器本体内に半導体基板を配置し、該反応容器本体内に前記原料ガスを流通させて該半導体基板上に半導体薄膜を気相エピタキシャル成長させることによりエピタキシャルウェーハを得ることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012207566A JP6179790B2 (ja) | 2012-09-20 | 2012-09-20 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| PCT/JP2013/072170 WO2014045779A1 (ja) | 2012-09-20 | 2013-08-20 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| TW102130721A TW201417147A (zh) | 2012-09-20 | 2013-08-28 | 氣相成長裝置及磊晶晶圓之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012207566A JP6179790B2 (ja) | 2012-09-20 | 2012-09-20 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014063855A JP2014063855A (ja) | 2014-04-10 |
| JP6179790B2 true JP6179790B2 (ja) | 2017-08-16 |
Family
ID=50341103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012207566A Active JP6179790B2 (ja) | 2012-09-20 | 2012-09-20 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6179790B2 (ja) |
| TW (1) | TW201417147A (ja) |
| WO (1) | WO2014045779A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111850515B (zh) * | 2020-07-02 | 2022-09-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于外延反应腔室的衬里装置及外延反应腔室 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4588894B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2010-12-01 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP4320574B2 (ja) * | 2003-08-21 | 2009-08-26 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャル成長装置 |
| JP5069424B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-11-07 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 成膜反応装置及び同方法 |
| JP5268766B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-08-21 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 成膜反応装置及び成膜基板製造方法 |
-
2012
- 2012-09-20 JP JP2012207566A patent/JP6179790B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-20 WO PCT/JP2013/072170 patent/WO2014045779A1/ja active Application Filing
- 2013-08-28 TW TW102130721A patent/TW201417147A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014045779A1 (ja) | 2014-03-27 |
| JP2014063855A (ja) | 2014-04-10 |
| TW201417147A (zh) | 2014-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4379585B2 (ja) | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| TWI642330B (zh) | 電漿生成裝置、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
| KR102453245B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 컴퓨터 프로그램 및 처리 용기 | |
| TWI715572B (zh) | 用於沉積低ｋ及低濕式蝕刻率介電薄膜的方法 | |
| JP6435967B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| KR20080033965A (ko) | 균일한 배치식 막 증착법 및 그 방법에 의해 제조된 막 | |
| JP4588894B2 (ja) | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| KR101928969B1 (ko) | 성막 장치 | |
| JP2010219494A (ja) | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 | |
| US20190145006A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| JP2005183511A (ja) | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2009164570A (ja) | 気相処理装置、気相処理方法および基板 | |
| JP3801957B2 (ja) | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2008047785A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6179790B2 (ja) | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP3893615B2 (ja) | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP4581868B2 (ja) | エピタキシャル成長装置およびその製造方法 | |
| JP6153489B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
| JP3516654B2 (ja) | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2003203866A (ja) | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| TWI752452B (zh) | 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式 | |
| WO2020158657A1 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP2010040541A (ja) | エピタキシャル装置 | |
| JP2010040590A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法 | |
| JP6924593B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160411 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160908 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170313 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170525 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170602 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170623 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170706 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6179790 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |