JP6178683B2 - Adsorption stage, pasting device, and pasting method - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to an adsorption stage, a bonding apparatus, and a bonding method.
ウェーハなどの基板を吸着する吸着ステージがある。
この様な吸着ステージは、例えば、半導体装置の製造における基板の貼合工程において用いられている（例えば、特許文献１を参照）。
基板の貼合工程においては、２枚の基板の貼り合わせ面同士を貼り合わせて１枚の基板を形成している。
例えば、いわゆるＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェーハの製造や、陽極接合法を用いてガラス基板とシリコン基板との接合を行う場合などにおいて、２枚の基板の貼り合わせ面同士を貼り合わせて１枚の基板を形成している。
There is an adsorption stage that adsorbs a substrate such as a wafer.
Such an adsorption stage is used, for example, in a substrate bonding step in manufacturing a semiconductor device (see, for example, Patent Document 1).
In the substrate bonding step, the bonding surfaces of the two substrates are bonded together to form one substrate.
For example, when manufacturing a so-called SOI (Silicon on Insulator) wafer or bonding a glass substrate and a silicon substrate using an anodic bonding method, the bonding surfaces of two substrates are bonded to each other. A substrate is formed.
この様な技術によれば、基板間に接着剤などを介在させることなく基板同士を貼り合わせることができる。そのため、貼り合わせ後の処理（例えば、プラズマ処理、熱処理、化学処理など）におけるプロセス条件の多様化を図ることができる。また、ｐｎ接合や絶縁膜の埋め込みなども容易とすることができる。
しかしながら、任意の形状となるように基板を吸着ステージに吸着させるのは困難であった。
According to such a technique, the substrates can be bonded to each other without interposing an adhesive or the like between the substrates. For this reason, it is possible to diversify the process conditions in the treatment after the bonding (for example, plasma treatment, heat treatment, chemical treatment, etc.). In addition, pn junctions and embedding of an insulating film can be facilitated.
However, it has been difficult to adsorb the substrate to the adsorption stage so as to have an arbitrary shape.
本発明が解決しようとする課題は、任意の形状となるように基板を吸着させることができる吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide an adsorption stage, a bonding apparatus, and a bonding method that can adsorb a substrate so as to have an arbitrary shape.
実施形態に係る吸着ステージは、第１の載置部と、第２の載置部と、を備えた吸着ステージである。前記第１の載置部は、第１の本体部の一方の端面の外縁側に設けられ、環状を呈する第１の壁部と、前記第１の本体部の前記第１の壁部が設けられる側とは反対側の端面の外縁側に設けられ、環状を呈する第２の壁部と、前記第１の本体部を厚み方向に貫通する孔部と、を有する。
前記第２の載置部は、前記第１の本体部に対峙する第２の本体部と、前記第２の本体部から突出し、前記孔部に挿入された支持部と、を有する。
The suction stage according to the embodiment is a suction stage including a first placement unit and a second placement unit. The first placement portion is provided on an outer edge side of one end surface of the first main body portion, and is provided with a first wall portion having an annular shape and the first wall portion of the first main body portion. A second wall portion having an annular shape and a hole portion penetrating through the first main body portion in the thickness direction.
The second mounting portion includes a second main body portion facing the first main body portion, and a support portion protruding from the second main body portion and inserted into the hole portion.
本発明の実施形態によれば、任意の形状となるように基板を吸着させることができる吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法が提供される。 According to the embodiment of the present invention, an adsorption stage, a bonding apparatus, and a bonding method that can adsorb a substrate so as to have an arbitrary shape are provided.
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、以下の図２、図５、図６、図７、図８、図１０においては、煩雑となるのを避けるために、孔部１２ａ４と支持部１２ｂ２の一部を省略している。
図１は、本実施の形態に係る吸着ステージ１２および貼合装置１００を例示するための模式図である。
図２は、吸着ステージ１２を例示するための模式図である。
図３は、第１の載置部１２ａを例示するための模式平面図である。
図４は、第２の載置部１２ｂを例示するための模式平面図である。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
In FIG. 2, FIG. 5, FIG. 6, FIG. 7, FIG. 8, and FIG. 10, in order to avoid complication, a part of the hole 12a4 and the support 12b2 is omitted.
FIG. 1 is a schematic view for illustrating an
FIG. 2 is a schematic diagram for illustrating the
FIG. 3 is a schematic plan view for illustrating the
FIG. 4 is a schematic plan view for illustrating the
図１に示すように、貼合装置１００には、処理容器１１、吸着ステージ１２、基板支持部１３、押圧部１４、排気部１５、および制御部１６が設けられている。
処理容器１１は、箱状を呈し、気密構造となっている。
処理容器１１の側壁には、基板Ｗ１（第１の基板の一例に相当する）や基板Ｗ２（第２の基板の一例に相当する）などの搬入搬出を行うための開口部１１ａが設けられている。また、開口部１１ａを気密に開閉可能な開閉扉１１ｂが設けられている。
As shown in FIG. 1, the
The
An opening 11a for carrying in / out the substrate W1 (corresponding to an example of the first substrate) and the substrate W2 (corresponding to an example of the second substrate) is provided on the side wall of the
吸着ステージ１２は、台座１７を介して処理容器１１の内部の底面に設けられている。 なお、台座１７は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。
図２〜図４に示すように、吸着ステージ１２には第１の載置部１２ａおよび第２の載置部１２ｂが設けられている。第１の載置部１２ａは、第２の載置部１２ｂの上に着脱自在に設けられていてもよいし、固定されていてもよい。
The
As shown in FIGS. 2 to 4, the
第１の載置部１２ａは、本体部１２ａ１（第１の本体部の一例に相当する）、壁部１２ａ２（第１の壁部の一例に相当する）、壁部１２ａ３（第２の壁部の一例に相当する）、および孔部１２ａ４を有する。
図２などに示したように、第１の載置部１２ａは、別個の要素である本体部１２ａ１、壁部１２ａ２、および壁部１２ａ３が接合されたものとすることができる。
また、第１の載置部１２ａは、本体部１２ａ１、壁部１２ａ２、および壁部１２ａ３が、一体的に成形されたものとすることもできる。
本体部１２ａ１は、平面形状が円形を呈する板状体とすることができる。
なお、平面形状が円形を呈する本体部１２ａ１を例示したが、本体部１２ａ１の平面形状は載置される基板Ｗ１の形状などに応じて適宜変更することができる。例えば、本体部１２ａ１は、平面形状が矩形を呈するものであってもよい。
The
As shown in FIG. 2 and the like, the
Further, the
The main body 12a1 can be a plate-like body having a circular planar shape.
In addition, although the main body portion 12a1 having a circular planar shape is illustrated, the planar shape of the main body portion 12a1 can be appropriately changed according to the shape of the substrate W1 to be placed. For example, the main body 12a1 may have a rectangular planar shape.
壁部１２ａ２は、本体部１２ａ１の基板Ｗ１が載置される側の端面１２ａ１ａに設けられている。壁部１２ａ２は、環状を呈し、本体部１２ａ１の外縁を囲んでいる。
壁部１２ａ３は、本体部１２ａ１の端面１２ａ１ａとは反対側の端面１２ａ１ｂに設けられている。壁部１２ａ３は、環状を呈し、本体部１２ａ１の外縁を囲んでいる。
なお、第１の載置部１２ａの載置面は、壁部１２ａ２、および後述する複数の支持部１２ｂ２のそれぞれの頂面を含む面である。
The wall portion 12a2 is provided on the end surface 12a1a on the side on which the substrate W1 of the main body portion 12a1 is placed. The wall portion 12a2 has an annular shape and surrounds the outer edge of the main body portion 12a1.
Wall part 12a3 is provided in end surface 12a1b on the opposite side to end surface 12a1a of main-body part 12a1. The wall portion 12a3 has an annular shape and surrounds the outer edge of the main body portion 12a1.
The placement surface of the
孔部１２ａ４は、本体部１２ａ１を厚み方向に貫通している。孔部１２ａ４は、複数設けられている。隣接する孔部１２ａ４同士の間の寸法は、等しくなっている。すなわち、複数の孔部１２ａ４は、等間隔に設けられている。孔部１２ａ４には後述する支持部１２ｂ２が挿入される。孔部１２ａ４の内壁と、支持部１２ｂ２の側壁との間には、僅かな隙間が設けられている。そのため、支持部１２ｂ２は孔部１２ａ４に沿って移動できるようになっている。また、孔部１２ａ４の内壁と、支持部１２ｂ２の側壁との間の隙間を介して、基板Ｗ１と本体部１２ａ１との間の空間を排気できるようになっている。 The hole 12a4 penetrates the main body 12a1 in the thickness direction. A plurality of holes 12a4 are provided. The dimension between adjacent hole 12a4 is equal. That is, the plurality of hole portions 12a4 are provided at equal intervals. A support portion 12b2 described later is inserted into the hole portion 12a4. A slight gap is provided between the inner wall of the hole 12a4 and the side wall of the support 12b2. Therefore, the support part 12b2 can move along the hole 12a4. Further, the space between the substrate W1 and the main body 12a1 can be exhausted through a gap between the inner wall of the hole 12a4 and the side wall of the support 12b2.
支持部１２ｂ２の間隔、すなわち孔部１２ａ４の間隔を広くしすぎると、基板Ｗ１を吸着した際に基板Ｗ１が局部的に撓むおそれがある。孔部１２ａ４の間隔は、実験やシミュレーションを行うことで適宜設定することができる。
複数の孔部１２ａ４の配置は、例えば、同心円状、千鳥状などとすることができる。
If the interval between the support portions 12b2, that is, the interval between the hole portions 12a4 is too large, the substrate W1 may be locally bent when the substrate W1 is sucked. The space | interval of the hole 12a4 can be set suitably by performing experiment or simulation.
The arrangement of the plurality of holes 12a4 can be, for example, concentric or staggered.
第２の載置部１２ｂは、本体部１２ｂ１（第２の本体部の一例に相当する）、支持部１２ｂ２、および孔部１２ｂ３を有する。
本体部１２ｂ１は、平面形状が円形を呈する板状体とすることができる。
本体部１２ｂ１は、第１の載置部１２ａの本体部１２ａ１と対峙している。
なお、本体部１２ｂ１の平面形状は円形に限定されるわけではない。この場合、本体部１２ｂ１の平面形状は、本体部１２ａ１の平面形状と同じとすることができる。
The
The main body 12b1 can be a plate-like body having a circular planar shape.
The main body 12b1 faces the main body 12a1 of the
The planar shape of the main body 12b1 is not limited to a circle. In this case, the planar shape of the main body portion 12b1 can be the same as the planar shape of the main body portion 12a1.
支持部１２ｂ２は、柱状を呈し、本体部１２ｂ１の一方の端面側から突出している。
支持部１２ｂ２は、孔部１２ａ４に挿入されている。
なお、本実施の形態における吸着ステージ１２においては、支持部１２ｂ２と孔部１２ａ４の数は同じとなっている。
図２に示すように、支持部１２ｂ２は、円柱状を呈するものとすることができる。なお、支持部１２ｂ２は、角柱状を呈するものであってもよい。ただし、支持部１２ｂ２の断面形状を円形とすれば、孔部１２ａ４の加工を容易とすることができる。
また、支持部１２ｂ２の基板Ｗ１が載置される側の端部は、先端になるに従い断面積が小さくなるようにすることができる。
The support portion 12b2 has a columnar shape and protrudes from one end face side of the main body portion 12b1.
The support portion 12b2 is inserted into the hole portion 12a4.
In the
As shown in FIG. 2, the support portion 12b2 can have a cylindrical shape. In addition, the support part 12b2 may exhibit a prism shape. However, if the cross-sectional shape of the support portion 12b2 is circular, the processing of the hole portion 12a4 can be facilitated.
Further, the end portion of the support portion 12b2 on the side on which the substrate W1 is placed can have a cross-sectional area that becomes smaller as it becomes the tip.
この様にすれば、基板Ｗ１との接触面積を減らすことができる。その結果、基板Ｗ１の汚れの発生やパーティクルの発生などを抑制することができる。
また、支持部１２ｂ２の頂面の面積を小さくすることができるので、基板Ｗ１の載置面である支持部１２ｂ２の頂面にパーティクルが付着する確率を減らすことができる。そのため、パーティクルによる吸着性性能の低下を抑制することができる。
In this way, the contact area with the substrate W1 can be reduced. As a result, it is possible to suppress the occurrence of dirt on the substrate W1 and the generation of particles.
In addition, since the area of the top surface of the support portion 12b2 can be reduced, the probability that particles adhere to the top surface of the support portion 12b2 that is the mounting surface of the substrate W1 can be reduced. Therefore, it is possible to suppress a decrease in adsorptive performance due to particles.
複数の支持部１２ｂ２の高さ寸法（本体部１２ｂ１から頂面までの寸法）は、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状に応じて適宜変更することができる。
例えば、図２に示す様に、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状を平坦な形状とする場合には、複数の支持部１２ｂ２の高さ寸法を同じにし、且つ、支持部１２ｂ２の端面１２ａ１ａからの突出寸法を壁部１２ａ２の高さ寸法と同じにする。
また、例えば、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状を中央部が基板Ｗ２の方向に突出した形状とする場合には、中央部側に配置される支持部１２ｂ２の高さ寸法を周縁部側に配置される支持部１２ｂ２の高さ寸法より高くする。
The height dimension (the dimension from the main body part 12b1 to the top surface) of the plurality of support parts 12b2 can be appropriately changed according to the shape of the substrate W1 at the time of bonding.
For example, as shown in FIG. 2, when the shape of the substrate W1 at the time of bonding is flat, the heights of the plurality of support portions 12b2 are the same, and from the end surface 12a1a of the support portion 12b2 Is made the same as the height of the wall 12a2.
For example, when the shape of the substrate W1 at the time of bonding is a shape in which the central portion protrudes in the direction of the substrate W2, the height dimension of the support portion 12b2 disposed on the central portion side is set to the peripheral portion side. It is made higher than the height dimension of the support part 12b2 to be arranged.
この様に、複数の支持部１２ｂ２の本体部１２ｂ１からの突出寸法を異なるものとすることができる。
すなわち、複数の支持部１２ｂ２の高さ寸法を適宜変更することで、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状を任意の形状とすることができる。
そのため、基板Ｗ１が所望の形状でない場合であっても任意の形状に矯正することができるので、基板Ｗ２と歪みなく貼り合わせることができる。
Thus, the protrusion dimension from the main-body part 12b1 of the some support part 12b2 can be made different.
That is, by appropriately changing the height dimension of the plurality of support portions 12b2, the shape of the substrate W1 at the time of bonding can be changed to an arbitrary shape.
Therefore, even if the substrate W1 is not in a desired shape, it can be corrected to an arbitrary shape, and can be bonded to the substrate W2 without distortion.
また、第１の載置部１２ａおよび第２の載置部１２ｂを有する吸着ステージ１２とすることで、基板Ｗ１の形状に対する対応性を向上させることができる。
例えば、基板Ｗ１の形状に応じて、適正な高さ寸法を有し、且つ適正な配置がされた支持部１２ｂ２を有する第２の載置部１２ｂを選定することで、基板Ｗ１の種々の形状に対応することができる。
In addition, by using the
For example, various shapes of the substrate W1 can be selected by selecting the
また、第１の載置部１２ａおよび第２の載置部１２ｂを有する吸着ステージ１２とすることで、メンテナンス性を向上させることができる。
例えば、第１の載置部１２ａに設けられた要素、または第２の載置部１２ｂに設けられた要素のいずれかが破損した場合には、破損した側を交換することで修理を完了させることができる。
また、基板Ｗ１を任意の形状とすることで、基板Ｗ２の貼り合わせの際の接合開始位置を任意の位置とすることができる。例えば、平面視における押圧部の位置に合わせて基板Ｗ２を突出させるように変形することで、基板Ｗ１への押圧力を小さくすることができるので、基板Ｗ１の歪みを小さくすることができる。
Moreover, maintainability can be improved by setting it as the adsorption |
For example, when either the element provided in the
Further, by setting the substrate W1 to an arbitrary shape, the bonding start position when the substrate W2 is bonded can be set to an arbitrary position. For example, since the pressing force to the substrate W1 can be reduced by deforming the substrate W2 so as to protrude in accordance with the position of the pressing portion in plan view, the distortion of the substrate W1 can be reduced.
孔部１２ｂ３は、本体部１２ｂ１を厚み方向に貫通している。孔部１２ｂ３の第１の載置部１２ａ側とは反対側の開口には、配管１５ｃを介して排気部１５が接続されている。すなわち、孔部１２ｂ３は、排気用の接続孔とすることができる。
The hole 12b3 penetrates the main body 12b1 in the thickness direction. The
基板Ｗ１が吸着ステージ１２に載置された際には、基板Ｗ１の外縁近傍が吸着ステージ１２から突出するようになっている。
この場合、基板Ｗ１の吸着ステージ１２から突出した部分を押し上げる図示しないリフトピンなどを設けることができる。
When the substrate W1 is placed on the
In this case, a lift pin (not shown) that pushes up the portion protruding from the
図１に示すように、基板支持部１３には、支持爪１３ａ、移動部１３ｂ、および基部１３ｃが設けられている。
支持爪１３ａは、基板Ｗ２の周縁部を支持する。そして、支持爪１３ａに基板Ｗ２を支持させることで、吸着ステージ１２に載置された基板Ｗ１と対峙する所定の位置に基板Ｗ２が支持されるようになっている。
As shown in FIG. 1, the
The
移動部１３ｂは、基板Ｗ２を支持する位置と、基板Ｗ２の外方向に退避した位置との間で支持爪１３ａを移動させる。移動部１３ｂは、例えば、サーボモータやパルスモータなどの制御モータを有するものとすることができる。
基部１３ｃは、柱状を呈し、処理容器１１の内部の底面に設けられている。基部１３ｃの端部近傍には、支持爪１３ａ、移動部１３ｂが設けられている。なお、支持爪１３ａ、移動部１３ｂ毎に基部１３ｃが設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。例えば、１つの基部１３ｃに複数の支持爪１３ａ、移動部１３ｂが設けられるようにすることもできる。
The moving
The
また、基板支持部１３の配設数には特に限定はないが、基板Ｗ２の周縁の３箇所以上に均等に割り付けられるようにすることが好ましい。その様にすれば基板Ｗ２の支持状態を安定させることができる。
Further, the number of the
押圧部１４には、移動部１４ａ、移動軸１４ｂ、およびパッド１４ｃが設けられている。
押圧部１４は、本体部１２ａ１の端面１２ａ１ａと対峙する位置に設けられている。また、押圧部１４は、支持爪１３ａに支持された基板Ｗ２の略中央部をパッド１４ｃにより押圧することができる位置に設けられている。
押圧部１４は、支持爪１３ａに支持された基板Ｗ２の略中央部をパッド１４ｃで押圧することにより基板Ｗ２を撓ませて、基板Ｗ１の貼り合わせ面の一部と基板Ｗ２の貼り合わせ面の一部とを接触させる。なお、基板Ｗ１、基板Ｗ２の貼り合わせ面とは、互いを対峙させたときに対向する基板Ｗ１、基板Ｗ２のそれぞれの面を指す。
The
The
The
移動部１４ａは、処理容器１１の外部に設けられている。移動部１４ａは、サーボモータやパルスモータなどの制御モータを有するものとすることができる。また、圧力制御された流体により駆動されるもの（例えば、エアシリンダなど）などを有するものとすることもできる。
移動軸１４ｂは、処理容器１１の壁面を貫通するようにして設けられ、一方の端部側が移動部１４ａと接続されている。また、他方の端部側にはパッド１４ｃが取り付けられている。
The moving
The moving
パッド１４ｃの先端部分は、略半球状を呈し、その基部は円柱状を呈している。パッド１４ｃは、軟質の弾性体から形成され、押圧時に接触部分を点接触から面接触へと変化させることができるようになっている。そのため、押圧点（接合開始位置）における応力を緩和させることができるので、基板Ｗ２の損傷を抑制することができる。また、ボイドの発生、割れや欠けの発生、擦り傷の発生、スリップなどによる位置ずれの発生などを抑制することもできる。パッド１４ｃは、例えば、シリコンゴムやフッ素ゴムなどの軟質樹脂により形成することができる。この場合、パッド１４ｃをシリコンゴムあるいはフッ素ゴムから形成すれば、基板Ｗ２が汚染されることを抑制することができる。
The front end portion of the
なお、押圧部１４は必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。
例えば、基板Ｗ２を押圧することなく基板Ｗ２の自重により、基板Ｗ１と基板Ｗ２との貼り合わせを行うようにすることもできる。
また、凸状の基板Ｗ１とすることで、基板Ｗ１と基板Ｗ２とを接触させるようにすることもできる。
また、接合開始位置は必ずしも基板Ｗ１の中央である必要はなく、例えば、基板Ｗ１の周端部であってもよい。
また、載置部１２の内部に押圧部１２と同様の押圧部を設け、基板Ｗ１の裏面を基板Ｗ２の方向に向けて押圧することで、基板Ｗ１を凸状に変形させて基板Ｗ１と基板Ｗ２とを接触させるようにすることもできる。
Note that the
For example, the substrate W1 and the substrate W2 can be bonded together by the weight of the substrate W2 without pressing the substrate W2.
Further, by using the convex substrate W1, the substrate W1 and the substrate W2 can be brought into contact with each other.
Further, the joining start position is not necessarily at the center of the substrate W1, and may be, for example, the peripheral end of the substrate W1.
Further, by providing a pressing portion similar to the
排気部１５には、排気ポンプ１５ａ、制御弁１５ｂ、および配管１５ｃが設けられている。
排気ポンプ１５ａは、例えば、ドライポンプなどとすることができる。
制御弁１５ｂの一端は排気ポンプ１５ａに接続され、制御弁１５ｂの他端は配管１５ｃを介して孔部１２ｂ３に接続されている。
The
The
One end of the
制御部１６は、貼合装置１００に設けられた各要素の動作を制御する。
制御部１６は、例えば、以下のような制御を行うことができる。
制御部１６は、制御弁１５ｂを制御して、基板Ｗ１の吸着と吸着の解除とを切り替える。
なお、本明細書における「吸着の解除」は、吸着の停止（排気の停止）のみならず、外気の導入をも含む。
制御部１６は、排気ポンプ１５ａの起動と停止を制御する。
制御部１６は、移動部１３ｂを制御して、支持爪１３ａの位置を制御する。
制御部１６は、移動部１４ａを制御して、パッド１４ｃの位置を制御する。
制御部１６は、開閉扉１１ｂの開閉動作を制御する。
The
For example, the
The
In addition, “release of adsorption” in this specification includes not only stopping adsorption (stopping exhaust) but also introducing outside air.
The
The
The
The
次に、他の実施形態に係る吸着ステージについて例示をする。
図５は、他の実施形態に係る吸着ステージ２２を例示するための模式図である。
図５に示すように、吸着ステージ２２の構成要素は、前述した吸着ステージ１２の構成要素と同様とすることができる。
ただし、前述した吸着ステージ１２の場合には、孔部１２ａ４の数と支持部１２ｂ２の数が同じとなっていた。つまり、すべての孔部１２ａ４に支持部１２ｂ２が挿入されていた。
これに対して、本実施の形態に係る吸着ステージ２２の場合には、孔部１２ａ４の数が支持部１２ｂ２の数より多くなっている。つまり、支持部１２ｂ２が挿入されていない孔部１２ａ４がある。
Next, a suction stage according to another embodiment is illustrated.
FIG. 5 is a schematic view for illustrating an
As shown in FIG. 5, the constituent elements of the
However, in the case of the
On the other hand, in the case of the
この様に、基板Ｗ１の厚み寸法や形状などによっては、支持部１２ｂ２の数を間引くこともできる。
支持部１２ｂ２の数を間引くことができれば、コストダウンを図ることができる。また、支持部１２ｂ２が挿入されていない孔部１２ａ４を通気孔として用いることができる。
なお、間引かれる支持部１２ｂ２の数や位置などは、基板Ｗ１の厚み寸法や形状などに応じて適宜変更することができる。
Thus, depending on the thickness dimension and shape of the substrate W1, the number of support portions 12b2 can be thinned out.
If the number of support portions 12b2 can be thinned out, the cost can be reduced. Further, the hole 12a4 into which the support 12b2 is not inserted can be used as a vent hole.
Note that the number and position of the thinned support portions 12b2 can be changed as appropriate according to the thickness dimension and shape of the substrate W1.
図６は、他の実施形態に係る吸着ステージ３２を例示するための模式図である。
図６に示すように、吸着ステージ３２には、第１の載置部１２ａ、第２の載置部１２ｂ、および、変形部１８が設けられている。
すなわち、吸着ステージ３２は、前述した吸着ステージ１２に変形部１８をさらに設けた場合である。
FIG. 6 is a schematic view for illustrating an
As shown in FIG. 6, the
That is, the
変形部１８は、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状に応じて、第２の載置部１２ｂの本体部１２ｂ１の形状を変形させる。
すなわち、前述した吸着ステージ１２の場合には、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状に応じて、複数の支持部１２ｂ２の高さ寸法を変更していた。
これに対して、吸着ステージ３２の場合には、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状に応じて、第２の載置部１２ｂの本体部１２ｂ１の形状を変形させ、複数の支持部１２ｂ２の頂面の位置を変化させるようにしている。
この様にすれば、複数の支持部１２ｂ２の高さ寸法を一定としても、基板Ｗ１の種々の形状に対応することができる。すなわち、汎用性を向上させることができる。
この場合、第２の載置部１２ｂの本体部１２ｂ１は、加圧されることで変形し、加圧が終われば元の形状に戻ることができ、かつ、貼り合わせに影響しない程度にパーティクルを発生しないものであればよい。例えば、本体部１２ｂ１は、ゴムや樹脂などの可撓性材料から形成されたものや、薄い金属板などであればよい。
The deforming
That is, in the case of the
On the other hand, in the case of the
In this way, it is possible to cope with various shapes of the substrate W1 even if the height dimensions of the plurality of support portions 12b2 are constant. That is, versatility can be improved.
In this case, the main body portion 12b1 of the
変形部１８には、駆動部１８ａおよび押圧部１８ｂが設けられている。
駆動部１８ａは、例えば、サーボモータやパルスモータなどの制御モータを有し、押圧部１８ｂの頂面の位置を変化させる。
押圧部１８ｂは、例えば、柱状を呈し、頂面が第２の載置部１２ｂの本体部１２ｂ１に接触している。押圧部１８ｂの頂面側とは反対側の端部は、駆動部１８ａと接続されている。
制御部１６は、駆動部１８ａを制御して複数の支持部１２ｂ２のそれぞれの頂面の位置を制御する。
The deforming
The
The
The
変形部１８の数や配置は、吸着ステージ３２の大きさや基板Ｗ１の形状などに応じて適宜変更することができる。
この場合、図６に示すように、複数の支持部１２ｂ２のそれぞれの下に変形部１８を設けるようにすることができる。この様にすれば、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状に対する制御性を向上させることができる。
The number and arrangement of the
In this case, as shown in FIG. 6, the
図７（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る吸着ステージ４２を例示するための模式図である。
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、吸着ステージ４２には、第１の載置部１２ａ、第２の載置部１２ｂ、および、変形部２８が設けられている。
変形部２８には、エアバッグ２８ａ、ガス供給部２８ｂ、ガス制御部２８ｃ、および配管２８ｄが設けられている。
FIGS. 7A and 7B are schematic views for illustrating an
As shown in FIGS. 7A and 7B, the
The
エアバッグ２８ａは、袋状を呈し、ゴムや樹脂などの可撓性材料から形成することができる。
ガス供給部２８ｂは、エアバッグ２８ａの内部にガスを供給する。ガスの種類には特に限定がなく、例えば、空気や窒素ガスなどとすることができる。
ガス制御部２８ｃは、エアバッグ２８ａへのガスの供給、エアバッグ２８ａへのガスの供給の停止、エアバッグ２８ａからのガスの排出を制御する。ガス制御部２８ｃは、例えば、三方弁などとすることができる。
配管２８ｄは、ガス供給部２８ｂとガス制御部２８ｃ、およびエアバッグ２８ａとガス制御部２８ｃを接続している。
制御部１６は、ガス制御部２８ｃおよびガス供給部２８ｂを制御して、エアバッグ２８ａの膨張と収縮を制御する。
The
The
The
The
The
エアバッグ２８ａの内部にガスが供給され、エアバッグ２８ａが膨らむと、第２の載置部１２ｂの本体部１２ｂ１がエアバッグ２８ａにより押圧されて変形する。
エアバッグ２８ａが膨らんだ際の形状は、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状に応じたものとなっている。
例えば、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状が凸状の場合には、図７（ａ）に示す様に、エアバッグ２８ａの本体部１２ｂ１との接触面の形状が、凸状の基板Ｗ１の形状と同様となるようになっている。
例えば、貼り合わせの際の基板Ｗ１の形状が平坦な形状の場合には、図７（ｂ）に示す様に、エアバッグ２８ａの本体部１２ｂ１との接触面の形状が、平坦な形状となるようになっている。
When gas is supplied to the inside of the
The shape when the
For example, when the shape of the substrate W1 at the time of bonding is convex, as shown in FIG. 7A, the shape of the contact surface with the main body 12b1 of the
For example, when the shape of the substrate W1 at the time of bonding is flat, the shape of the contact surface with the main body 12b1 of the
すなわち、エアバッグ２８ａが膨らんだ際の形状を適宜選定することで、基板Ｗ１の種々の形状に対応することができる。
また、エアバッグ２８ａの内部に所定の温度に加熱されたガスを供給することもできる。
エアバッグ２８ａの内部に所定の温度に加熱されたガスを供給すれば、貼り合わせの際に基板Ｗ１の温度を制御することができるので、熱歪みの低減を図ることができる。
この場合、ガス供給部２８ｂや配管２８ｄなどに設けられた図示しないヒータにより、エアバッグ２８ａの内部に供給されるガスを加熱することができる。
That is, it is possible to cope with various shapes of the substrate W1 by appropriately selecting the shape when the
In addition, a gas heated to a predetermined temperature can be supplied into the
If a gas heated to a predetermined temperature is supplied into the
In this case, the gas supplied to the inside of the
図８は、他の実施形態に係る吸着ステージ５２を例示するための模式図である。
図９は、第１の載置部５２ａを例示するための模式平面図である。
図８および図９に示すように、吸着ステージ５２には、第１の載置部５２ａおよび第２の載置部５２ｂが設けられている。
第１の載置部５２ａは、本体部１２ａ１、壁部１２ａ２、壁部１２ａ３、孔部１２ａ４、壁部５２ａ２（第３の壁部の一例に相当する）、および壁部５２ａ３（第４の壁部の一例に相当する）を有する。
すなわち、第１の載置部５２ａは、前述した第１の載置部１２ａに、さらに壁部５２ａ２および壁部５２ａ３を設けた場合である。
壁部５２ａ２は、環状を呈し、壁部１２ａ２の内側に設けられている。
壁部５２ａ３は、環状を呈し、壁部１２ａ３の内側に設けられている。
FIG. 8 is a schematic view for illustrating an
FIG. 9 is a schematic plan view for illustrating the
As shown in FIGS. 8 and 9, the
The
That is, the
The wall 52a2 has an annular shape and is provided inside the wall 12a2.
The wall 52a3 has an annular shape and is provided inside the wall 12a3.
第２の載置部５２ｂは、本体部１２ｂ１、支持部１２ｂ２、孔部１２ｂ３、および孔部５２ｂ３を有する。
すなわち、第２の載置部５２ｂは、前述した第２の載置部１２ｂに、さらに孔部５２ｂ３を設けた場合である。
この場合、孔部１２ｂ３には配管１５ｃを介して制御弁１５ｂが接続されている。制御弁１５ｂには排気ポンプ１５ａが接続されている。
また、孔部５２ｂ３には配管１５ｃ１を介して制御弁１５ｂ１が接続されている。制御弁１５ｂ１には排気ポンプ１５ａが接続されている。
なお、制御弁１５ｂ１は、制御弁１５ｂと同様とすることができる。配管１５ｃは、配管１５ｃ１と同様とすることができる。
なお、本実施の形態に係る吸着ステージ５２の場合には、孔部１２ａ４の数と支持部１２ｂ２の数が同じとなっている。つまり、すべての孔部１２ａ４に支持部１２ｂ２が挿入されている。
The
That is, the
In this case, the
A control valve 15b1 is connected to the hole 52b3 via a pipe 15c1. An
The control valve 15b1 can be the same as the
In the case of the
すなわち、吸着ステージ５２においては、壁部１２ａ２と壁部５２ａ２の間に位置する領域５２ｇ（第１の領域の一例に相当する）と、壁部５２ａ２の内側に位置する領域５２ｈ（第２の領域の一例に相当する）とに区画されている。
そして、基板Ｗ１の外縁側の吸着および中央部側の吸着を別々に制御することができるようになっている。
制御部１６は、制御弁１５ｂ、制御弁１５ｂ１および排気ポンプ１５ａを制御して、領域５２ｇと領域５２ｈにおける基板Ｗ１の吸着と吸着の解除とを制御する。
That is, in the
And the adsorption | suction on the outer edge side of the board | substrate W1 and the adsorption | suction on the center part side can be controlled separately.
The
また、平面視における領域５２ｇの面積と、領域５２ｈの面積とが同じとなっている。 平面視における領域５２ｇの面積と、領域５２ｈの面積を同じにすれば、それぞれの領域において発生する単位面積当たりの吸着力を同じにすることができる。
または、領域５２ｇにおける孔部５２ｂ３を介した吸引量と、領域５２ｈにおける孔部１２ｂ３を介した吸引量を同じにすれば、それぞれの領域において発生する単位面積あたりの吸着力を同じにすることができる。すなわち、領域５２ｇと領域５２ｈにおけるそれぞれの吸引量を同じにすればよい。その結果、それぞれの領域において歪みのない吸着を行うことができる。
なお、壁部１２ａ２の内側に壁部５２ａ２を設け、壁部１２ａ３の内側に壁部５２ａ３を設ける場合を例示したが、壁部５２ａ２および壁部５２ａ３のそれぞれの内側にさらに壁部を設けることもできる。
Further, the area of the
Alternatively, if the suction amount through the hole 52b3 in the
In addition, although the case where the wall portion 52a2 is provided inside the wall portion 12a2 and the wall portion 52a3 is provided inside the wall portion 12a3 is illustrated, a wall portion may be further provided inside each of the wall portion 52a2 and the wall portion 52a3. it can.
ここで、基板Ｗ１には反りなどの変形がある。そのため、単に、基板Ｗ１を吸着させても基板Ｗ１全体を第１の載置部５２ａに密着させるのは困難である。例えば、反りなどの変形がある基板Ｗ１を１回の吸着動作で吸着させると、局所的に第１の載置部５２ａと密着していない部分、すなわち変形している部分が残るおそれがある。変形している部分が残ると、基板Ｗ１と基板Ｗ２の貼り合わせの位置精度が悪くなるおそれがある。
Here, the substrate W1 has deformation such as warpage. For this reason, even if the substrate W1 is simply adsorbed, it is difficult to bring the entire substrate W1 into close contact with the
本実施の形態に係る吸着ステージ５２とすれば、以下のようにして第１の載置部５２ａに基板Ｗ１を吸着させることができる。
まず、領域５２ｇおよび領域５２ｈのいずれか一方における基板Ｗ１の吸着を行い、領域５２ｇおよび領域５２ｈのいずれか他方における基板Ｗ１の吸着を解除する。
例えば、領域５２ｇおける基板Ｗ１の吸着を行い、領域５２ｈにおける基板Ｗ１の吸着を解除する。
あるいは、領域５２ｈおける基板Ｗ１の吸着を行い、領域５２ｇにおける基板Ｗ１の吸着を解除する。
続いて、前述のものとは逆の動作を行う。
すなわち、吸着を行っていた領域の吸着を解除し、吸着を解除していた領域の吸着を行う。
With the
First, the adsorption of the substrate W1 in one of the
For example, the adsorption of the substrate W1 in the
Alternatively, the adsorption of the substrate W1 in the
Subsequently, the reverse operation to that described above is performed.
That is, the suction of the area where the suction was performed is released, and the suction of the area where the suction was released is performed.
この様にすれば、反りなどの変形がある基板Ｗ１であっても、第１の載置部５２ａの載置面の形状に倣わすことができる。すなわち、反りなどの変形がある基板Ｗ１を意図した形状（第１の載置部５２ａの載置面の形状）に矯正することができる。そのため、基板Ｗ１と基板Ｗ２の貼り合わせの位置精度を向上させることができる。
なお、第１の載置部５２ａの載置面は、壁部１２ａ２、壁部５２ａ２、および複数の支持部１２ｂ２のそれぞれの頂面を含む面である。
また、この吸着と吸着の解除を複数回繰り返すこともできる。
この様にすれば、反りなどの変形が大きい基板Ｗ１や厚みの厚い基板Ｗ１であっても、第１の載置部５２ａの載置面の形状に倣わすことができる。
また、吸着と吸着の解除の繰り返し回数は適宜変更することができる。
なお、吸着と解除をそれぞれ１回ずつ交互に行うのではなく、吸着と解除をそれぞれ複数回ずつ交互に行うようにしてもよい。
In this way, even the substrate W1 having deformation such as warpage can be copied to the shape of the placement surface of the
Note that the placement surface of the
Further, this adsorption and desorption can be repeated a plurality of times.
In this way, even the substrate W1 having a large deformation such as a warp or the thick substrate W1 can follow the shape of the mounting surface of the first mounting
Further, the number of repetitions of adsorption and desorption can be changed as appropriate.
Instead of alternately performing suction and release once each, suction and release may be alternately performed multiple times.
図１０は、他の実施形態に係る吸着ステージ６２を例示するための模式図である。
図１０に示すように、吸着ステージ６２の構成要素は、前述した吸着ステージ５２の構成要素と同様とすることができる。
ただし、前述した吸着ステージ５２の場合には、孔部１２ａ４の数と支持部１２ｂ２の数が同じとなっていた。つまり、すべての孔部１２ａ４に支持部１２ｂ２が挿入されていた。
これに対して、本実施の形態に係る吸着ステージ６２の場合には、孔部１２ａ４の数が支持部１２ｂ２の数より多くなっている。つまり、支持部１２ｂ２が挿入されていない孔部１２ａ４がある。
FIG. 10 is a schematic view for illustrating an
As shown in FIG. 10, the components of the
However, in the case of the
On the other hand, in the case of the
この様に、基板Ｗ１の厚み寸法や形状などによっては、支持部１２ｂ２の数を間引くこともできる。
支持部１２ｂ２の数を間引くことができれば、コストダウンを図ることができる。また、支持部１２ｂ２が挿入されていない孔部１２ａ４を通気孔として用いることができる。
なお、間引かれる支持部１２ｂ２の数や位置などは、基板Ｗ１の厚み寸法や形状などに応じて適宜変更することができる。
Thus, depending on the thickness dimension and shape of the substrate W1, the number of support portions 12b2 can be thinned out.
If the number of support portions 12b2 can be thinned out, the cost can be reduced. Further, the hole 12a4 into which the support 12b2 is not inserted can be used as a vent hole.
Note that the number and position of the thinned support portions 12b2 can be changed as appropriate according to the thickness dimension and shape of the substrate W1.
次に、貼合装置１００の作用とともに、吸着ステージ１２、２２、３２、４２、５２、６２の作用および本実施の形態に係る貼合方法について例示をする。
まず、図示しない搬送装置により、基板Ｗ１を開口部１１ａから処理容器１１の内部に搬入する。なお、開閉扉１１ｂは図示しない駆動部により開かれている。
処理容器１１の内部に搬入された基板Ｗ１は、第１の載置部１２ａ、５２ａの上に載置される。
Next, together with the operation of the
First, the substrate W1 is carried into the
The substrate W1 carried into the
次に、排気部１５を動作させて、基板Ｗ１を吸着ステージ１２、２２、３２、４２、５２、６２に吸着させる。
なお、吸着ステージ３２の場合には、変形部１８を動作させて、基板Ｗ１の形状が所望の形状となるようにする。
吸着ステージ４２の場合には、変形部２８を動作させて、基板Ｗ１の形状が所望の形状となるようにする。
例えば、基板Ｗ１を支持する複数の支持部１２ｂ２の頂面の位置を変化させて、基板Ｗ１の形状を変化させる。
なお、吸着ステージ４２の場合には、エアバッグ２８ａを膨らませることで基板Ｗ１を支持する複数の支持部１２ｂ２の頂面の位置を変化させる。
Next, the
In the case of the
In the case of the
For example, the shape of the substrate W1 is changed by changing the positions of the top surfaces of the plurality of support portions 12b2 that support the substrate W1.
In the case of the
また、吸着ステージ５２、６２の場合には、前述したようにして基板Ｗ１の吸着と吸着の解除を所定の領域毎に交互に行う。
例えば、吸着ステージ５２に設けられた領域５２ｇにおけるＷ１基板の吸着を行う際には、領域５２ｇに隣接する領域５２ｈにおける基板Ｗ１の吸着を解除する。
また、領域５２ｇおよび領域５２ｈにおける、基板Ｗ１の吸着と基板Ｗ１の吸着の解除とをそれぞれ交互に行う。
また、領域５２ｇおよび領域５２ｈにおける基板Ｗ１の吸着と基板Ｗ１の吸着の解除とをそれぞれ交互に複数回行い、その後、領域５２ｇおよび領域５２ｈにおいて基板Ｗ１を吸着保持する。
In the case of the suction stages 52 and 62, the suction of the substrate W1 and the release of the suction are alternately performed for each predetermined area as described above.
For example, when the W1 substrate is suctioned in the
Further, the suction of the substrate W1 and the release of the suction of the substrate W1 are alternately performed in the
Further, the adsorption of the substrate W1 and the release of the adsorption of the substrate W1 in the
次に、図示しない搬送装置により、基板Ｗ２を開口部１１ａから処理容器１１の内部に搬入する。
そして、基板Ｗ２を支持爪１３ａの上に載置する。
次に、基板Ｗ１と基板Ｗ２とを貼り合わせる。
まず、開閉扉１１ｂが閉じられ処理容器１１が密閉される。
次に、支持爪１３ａに支持された基板Ｗ２の略中央部をパッド１４ｃで押圧することにより基板Ｗ２を撓ませて、基板Ｗ１の貼り合わせ面の一部と基板Ｗ２の貼り合わせ面の一部とを接触させる。
Next, the substrate W2 is carried into the
Then, the substrate W2 is placed on the
Next, the substrate W1 and the substrate W2 are bonded together.
First, the opening /
Next, the substrate W2 is bent by pressing the substantially central portion of the substrate W2 supported by the
この際、貼り合わせの進行とともに支持爪１３ａを退避方向に徐々に移動させる。
基板Ｗ１の貼り合わせ面と基板Ｗ２の貼り合わせ面とが接触する部分（貼り合わされた部分）が中央部から周縁部に向けて拡大して行く。
そして、基板Ｗ２の周縁部が支持爪１３ａから外れると基板Ｗ１の貼り合わせ面と基板Ｗ２の貼り合わせ面とが全面において接触することになる。すなわち、基板Ｗ１と基板Ｗ２とが貼り合わされて貼合基板が形成される。
また、貼り合わせ進行時において、基板Ｗ１と基板Ｗ２の全面が貼り合わされるまで基板Ｗ１を吸着ステージ１２、２２、３２、４２、５２、６２に全面吸着してもよい。また、貼り合わせの進行にしたがって、基板Ｗ１の一部（例えば基板Ｗ１の周縁部）の吸着を解除してもよい。
At this time, the
The part (bonded part) where the bonding surface of the substrate W1 and the bonding surface of the substrate W2 come into contact expands from the central part toward the peripheral part.
And if the peripheral part of the board | substrate W2 remove | deviates from the support nail |
Further, during the bonding, the entire surface of the substrate W1 and the substrate W2 may be adsorbed on the adsorption stages 12, 22, 32, 42, 52, 62 until the entire surfaces of the substrate W1 and the substrate W2 are bonded. Further, as part of the bonding, the adsorption of a part of the substrate W1 (for example, the peripheral portion of the substrate W1) may be released.
次に、パッド１４ｃを上昇させる。
形成された貼合基板は、図示しない搬送装置により処理容器１１の外部に搬出される。 以後、必要に応じて前述の手順を繰り返すことで基板Ｗ１と基板Ｗ２の貼り合わせを連続的に行うことができる。
Next, the
The formed bonded substrate is carried out of the
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、貼合装置１００や吸着ステージ１２〜６２が備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
The embodiment has been illustrated above. However, the present invention is not limited to these descriptions.
Regarding the above-described embodiment, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design, or added the process, omitted, or changed the conditions also have the features of the present invention. As long as it is within the scope of the present invention.
For example, the shape, dimensions, material, arrangement, number, and the like of each element included in the
Moreover, each element with which each embodiment mentioned above is combined can be combined as much as possible, and what combined these is also included in the scope of the present invention as long as the characteristics of the present invention are included.
１１ 処理容器、１２ 吸着ステージ、１２ａ 第１の載置部、１２ａ１ 本体部、１２ａ２ 壁部、１２ａ３ 壁部、１２ａ４ 孔部、１２ｂ 第２の載置部、１２ｂ１ 本体部、１２ｂ２ 支持部、１２ｂ３ 孔部、１３ 基板支持部、１３ａ 支持爪、１３ｂ 移動部、１３ｃ 基部、１４ 押圧部、１４ａ 移動部、１４ｂ 移動軸、１４ｃ パッド、１５ 排気部、１５ａ 排気ポンプ、１５ｂ 制御弁、１５ｃ 配管、１６ 制御部、１８ 変形部、１８ａ 駆動部、１８ｂ 押圧部、２２ 吸着ステージ、２８ 変形部、２８ａ エアバッグ、２８ｂ ガス供給部、２８ｃ ガス制御部、２８ｄ 配管、３２ 吸着ステージ、４２ 吸着ステージ、５２ 吸着ステージ、５２ａ 第１の載置部、５２ｂ 第２の載置部、５２ａ２ 壁部、５２ａ３ 壁部、６２ 吸着ステージ、１００ 貼合装置、Ｗ１ 基板、Ｗ２ 基板
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記第１の載置部は、
第１の本体部の一方の端面の外縁側に設けられ、環状を呈する第１の壁部と、
前記第１の本体部の前記第１の壁部が設けられる側とは反対側の端面の外縁側に設けられ、環状を呈する第２の壁部と、
前記第１の本体部を厚み方向に貫通する孔部と、
を有し、
前記第２の載置部は、
前記第１の本体部に対峙する第２の本体部と、
前記第２の本体部から突出し、前記孔部に挿入された支持部と、
を有した吸着ステージ。 A suction stage comprising a first placement part and a second placement part,
The first placement unit is:
A first wall portion provided on the outer edge side of one end surface of the first main body portion and having an annular shape;
A second wall portion provided on the outer edge side of the end surface opposite to the side on which the first wall portion of the first main body portion is provided, and having an annular shape;
A hole passing through the first main body in the thickness direction;
Have
The second placement portion is
A second body portion facing the first body portion;
A support part protruding from the second main body part and inserted into the hole part;
Adsorption stage with.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017195411A (en) * | 2017-07-14 | 2017-10-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Suction stage, bonding device, and bonding method |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6244188B2 (en) * | 2013-11-27 | 2017-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Joining apparatus, joining method and joining system |
| TWI559410B (en) | 2016-05-09 | 2016-11-21 | Method for suppressing warpage of materials by differential pressure method | |
| CN116403929A (en) * | 2021-12-28 | 2023-07-07 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | System and device for adjusting deformation of chuck |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE444526B (en) * | 1978-01-23 | 1986-04-21 | Western Electric Co | PUT IN PLACE AND PLAN TO PLACE A SUBSTRATE DISH |
| JPS61102735A (en) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Hitachi Ltd | Flattening chuck for thin board |
| JP3940823B2 (en) * | 1994-12-26 | 2007-07-04 | 株式会社ニコン | Stage device and control method thereof |
| JP2007123560A (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | Wafer chuck and semiconductor manufacturing method |
| JP2010182866A (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nikon Corp | Electrostatic attraction holding device, aligner, exposure method, and method of manufacturing device |
| CN106887399B (en) * | 2010-12-20 | 2020-02-21 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | Accommodating device for holding wafers |
| JP2013187393A (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Tokyo Electron Ltd | Bonding device and bonding method |
-
2013
- 2013-09-25 JP JP2013198343A patent/JP6178683B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017195411A (en) * | 2017-07-14 | 2017-10-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Suction stage, bonding device, and bonding method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015065298A (en) | 2015-04-09 |
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