JP6171280B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6171280B2 JP6171280B2 JP2012170397A JP2012170397A JP6171280B2 JP 6171280 B2 JP6171280 B2 JP 6171280B2 JP 2012170397 A JP2012170397 A JP 2012170397A JP 2012170397 A JP2012170397 A JP 2012170397A JP 6171280 B2 JP6171280 B2 JP 6171280B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- semiconductor device
- semiconductor chip
- composition layer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 333
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 190
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 117
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 103
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 99
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 86
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 74
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 73
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 55
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 41
- -1 naphthylene ether Chemical compound 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 26
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 26
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 20
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 15
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 15
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 259
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 37
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 25
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 16
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 15
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 10
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 10
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 10
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 10
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 10
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 8
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 7
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 5
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 4
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 3
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)propan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 2
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N (3-cyanato-5-methylidenecyclohexa-1,3-dien-1-yl) cyanate Chemical compound C=C1CC(OC#N)=CC(OC#N)=C1 SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylcyclohexane Chemical group CC1CCCCC1(C)C MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010054404 Adenylyl-sulfate kinase Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100410148 Pinus taeda PT30 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100039024 Sphingosine kinase 1 Human genes 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNCRKOQSRHDNIO-UHFFFAOYSA-N [4-[(4-cyanato-3,5-dimethylphenyl)methyl]-2,6-dimethylphenyl] cyanate Chemical compound CC1=C(OC#N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(OC#N)=C(C)C=2)=C1 JNCRKOQSRHDNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(OC#N)C=C1 INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 125000001477 organic nitrogen group Chemical group 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1041—Special adaptations for top connections of the lowermost container, e.g. redistribution layer, integral interposer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
さらに、封止フィルムを用いる真空熱プレス法による封止工程では、封止フィルムの積層と熱硬化との実施に長時間を要し、かつ圧力、温度等の条件の制御が困難であるため、形成されるモールドの性状が不均一となってしまい、特に搭載された半導体チップの直下の空隙にボイドが発生し、パッケージの電気的特性が劣化してしまう場合があった。しかも厚さが薄い半導体チップを封止する場合には真空熱プレス法における圧力を比較的低めに設定する必要があるが、この場合の圧力の制御は技術的に困難であるため半導体チップに過大な圧力が加わることにより、半導体チップが破損してしまう場合があった。
すなわち、本発明は、下記[1]〜[18]を提供する。
[1] 半導体チップ搭載面を有し、該半導体チップ搭載面に、複数個の半導体チップがフリップチップ接続及び/又はワイヤボンディング接続により搭載された実装基板を用意する工程と、
支持体、及び該支持体上に設けられた樹脂組成物層を有する封止フィルムであって、該樹脂組成物層上に設けられたカバーフィルムをさらに備える封止フィルムを用意する工程と、
前記半導体チップ搭載面側に、前記カバーフィルムを剥離しながら、前記樹脂組成物層を接合させて前記封止フィルムを仮付けする工程と、
減圧条件下で、前記支持体側から加温及び加圧することにより、前記半導体チップを覆うように前記半導体チップを前記樹脂組成物層に埋め込む工程と、
加熱することにより、前記半導体チップが埋め込まれた前記樹脂組成物層を硬化して、前記半導体チップを封止する硬化体とする工程と
を含む、半導体装置の製造方法。
[2] 前記樹脂組成物層の最低溶融粘度が、50ポイズ〜10000ポイズである、[1]に記載の半導体装置の製造方法。
[3] 前記樹脂組成物層が、無機充填材、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む、[1]又は[2]に記載の半導体装置の製造方法。
[4] 前記樹脂組成物層の厚さが、30μm〜300μmである、[1]〜[3]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
[5] 前記支持体が、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型処理層付きポリエチレンテレフタレートフィルム、又は金属箔である、[1]〜[4]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
[6] 前記半導体チップを前記樹脂組成物層に埋め込む工程の後であって、前記半導体チップを封止する硬化体とする工程の前に、前記支持体を剥離する工程をさらに含む、[1]〜[5]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
[7] 前記半導体チップを前記樹脂組成物層に埋め込む工程が、金属板又は金属ロールにより、減圧条件下又は常圧下、支持体側から加熱及び加圧することにより樹脂組成物層の支持体側の表面を平滑化する工程をさらに含む、[1]〜[6]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
[8] 前記半導体チップを前記樹脂組成物層に埋め込む工程が、圧力26.7hPa以下の減圧条件下、90℃〜180℃で加温し、1kgf/cm2〜18kgf/cm2の圧力を20秒間〜400秒間加えることにより行われる、[1]〜[7]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
[9] 前記樹脂組成物層を硬化して、前記半導体チップを封止する硬化体とする工程が、100℃〜240℃で、15分間〜300分間加熱することにより行われる、[1]〜[8]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
[10] 前記硬化体上に、導体層を形成する工程をさらに含む、[1]〜[9]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
[11] 前記導体層を形成する工程が、メッキ工程を含む、[10]に記載の半導体装置の製造方法。
[12] [1]〜[11]のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法によって得ることができる半導体装置であって、
半導体チップ搭載面を有し、該半導体チップ搭載面に、複数個の半導体チップがフリップチップ接続及び/又はワイヤボンディング接続により搭載された実装基板と、
複数個の前記半導体チップを覆うように前記半導体チップを埋め込んで封止する硬化体とを備える、半導体装置。
[13] 複数個の前記半導体チップが前記実装基板にフリップチップ接続されており、前記硬化体が、前記半導体チップ及び前記実装基板の間隙を埋め込んでいる、[12]に記載の半導体装置。
[14] 前記硬化体上に設けられた導体層をさらに備える、[12]又は[13]に記載の半導体装置。
[15] 前記導体層に電気的に接続されるように搭載される電子部品をさらに含む、[14]に記載の半導体装置。
[16] 前記電子部品が半導体チップを含むパッケージである、[15]に記載の半導体装置。
[17] 前記電子部品が2個以上の半導体チップを含むマルチチップパッケージである、[16]に記載の半導体装置。
[18] 前記電子部品が積層型半導体装置である、[15]に記載の半導体装置。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、上記のような構成及び効果を有する半導体装置を簡易な工程で効率よく、高い歩留まりで製造することができる。
図1、図2及び図3を参照して、本発明の実施形態にかかる半導体装置の構成例について説明する。図1は、半導体装置の概略的な平面図である。図2は、図1に示されるII−II一点鎖線の位置で切断した断面を示す概略的な断面図である。図3は、個片化された個片化半導体装置の概略的な断面図である。
図1及び2に示される半導体装置10及び図3に示される個片化半導体装置12は、図4に示される積層型半導体装置14の製造、すなわち、さらなる電子部品100を搭載するための構成を備えている。
以下、半導体装置10及び個片化半導体装置12の具体的な構成例について説明する。
半導体装置10は、実装基板20を有している。実装基板20はこの構成例では対向する2つの主面を有しており、片面若しくは両面にパターン加工された(回路形成された)導体層を有する、板状のいわゆる配線板であって、基板本体としては、例えば、シリコン基板、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、及び熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。実装基板20のより具体的な例としては、多層プリント配線板、フレキシブルプリント配線板等が挙げられる。
図3に示されるように、個片化半導体装置12の実装基板20の半導体チップ搭載面20aとは反対側の主面には、図示しないスルーホール内に設けられる配線により、半導体チップ搭載面20aに設けられている接続配線24に電気的に接続される複数個のバンプ28が設けられている。バンプ28は、個片化半導体装置12を基板(例えばマザーボード)などに搭載するために用いられる外部端子である。バンプ28は例えば半田ボールとするのがよい(以下、「バンプ」といった場合、同様である。)。
半導体装置10は、複数個の半導体チップ30を有している。複数個の半導体チップ30は、本実施形態では、平面視での平面形状が正方形状である板状体であって、一方の主面に複数個のバンプ32がマトリクス状に配置されている。これら複数個の半導体チップ30は同一サイズ、同一の構成を有している。これら複数個の半導体チップ30の機能は互いに同一であっても異なっていてもよい。
半導体装置10は、複数個の半導体チップ30を覆うように半導体チップ30を埋込んで封止する硬化体44を備えている。硬化体44の厚さは、半導体チップ30の厚さよりも大きくされており、半導体チップ30の全面及び露出している実装基板20を覆って封止している。すなわち、硬化体44は、半導体チップ30、第1電極パッド22a、第2電極パッド22b及び接続配線24を覆うように設けられている。
半導体チップ30が実装基板20にフリップチップ接続されている場合には、硬化体44は、半導体チップ30と実装基板20との間隙を埋め込んで、半導体チップ30の全面を封止している。硬化体44上には、導体層50が設けられるため、その上面が平坦面とされる。硬化体44には、第1電極パッド22aの少なくとも一部分を露出させる複数のビアホール48が設けられている。
硬化体44上には導体層50が設けられている。導体層50は、複数の配線52を含む配線層である。導体層50に含まれる配線52は、その一端側がビアホール48を経て、その実装基板20の第1電極パッド22aに電気的に接続されており、他端側が硬化体44上に存在するように延在している。配線52の他端側の末端部は、半導体装置10にさらに搭載される電子部品100のバンプ132(詳細は後述する。図4参照。)が接続できるように、例えば電極パッド52aとされる。
個片化半導体装置12は、図1及び図2に示されるダイシングラインDLに沿って、硬化体44、実装基板20を研削して、半導体装置10から切り出されて個片化された半導体装置である。個片化半導体装置12の構成要素については既に説明した半導体装置10と何ら変わるところがないのでその詳細な説明は省略する。
図4を参照して、本発明の実施形態にかかる積層型半導体装置の構成例について説明する。図4は、積層型半導体装置の概略的な断面図である。この構成例では、個片化半導体装置12に、電子部品100が搭載されたパッケージオンパッケージ構造を有する半導体装置の構成例について説明する。
個片化半導体装置12は、半導体チップ搭載面20aを有し、半導体チップ搭載面20aに、この例では1個の半導体チップ30がフリップチップ接続により搭載された実装基板20と、半導体チップ30を覆うように半導体チップ30を埋め込んで封止する硬化体44とを備える。
また電子部品100自体が積層型半導体装置であってもよい。すなわち既に説明した半導体装置10、個片化半導体装置12を用いて、2段以上の多段に積層された積層型半導体装置を構成してもよい。
図5〜図11を参照して、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図5〜図11は、図2と同様に示す、半導体装置の製造方法を説明するための概略的な断面図(1)〜(7)である。
図5に示されるように、実装基板20を用意する。実装基板20には、複数の半導体チップ搭載面20aが設定されている。複数の半導体チップ搭載面20aそれぞれには、複数個の半導体チップ30がフリップチップ接続及び/又はワイヤボンディング接続により搭載されている。
次に、封止フィルム40を用意する。封止フィルム40は、この構成例では3つのフィルム(層)が積層された積層構造を有している。図6を参照して、封止フィルム40の構成例について説明する。図6は、半導体装置の製造方法を説明するための封止フィルム40の概略的な断面図である。
封止フィルム40は、熱流動性を有し、かつ常温で固形の性状を有する樹脂組成物層44Xを有している。
最低溶融粘度をこのような範囲内とすれば、樹脂組成物層44Xを構成している樹脂組成物の流動性を良好にすることができる。よって、半導体チップ30を特にフリップチップ接続により実装する態様の場合に、実装基板20と半導体チップ30との間隙を隙間なく充填することができる。
樹脂組成物層44Xは、樹脂組成物層44Xを熱硬化することにより得られる硬化体44の熱膨張率を低く抑えるために、高い含有量にて無機充填材を含むことが好ましい。詳細には、樹脂組成物層44X中の無機充填材の含有量は、樹脂組成物層44X中の不揮発成分を100質量%としたとき、60質量%以上であることが好ましい。硬化体44の熱膨張率を十分に低下させることができるので、樹脂組成物層44X中の無機充填材の含有量は、樹脂組成物層44X中の不揮発成分を100質量%としたとき、65質量%以上であることがより好ましく、70質量%以上であることが更に好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤等が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
支持体42としては、プラスチック材料からなるフィルムが好適に用いられる。プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下、「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下、「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。支持体42としては、さらには離型紙、銅箔、アルミニウム箔のような金属箔などを用いることができる。支持体42としては、中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートからなるフィルム、金属箔が好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルム、金属箔が特に好ましい。
カバーフィルム46には、オートカッター装置に封止フィルム40をセットする際に樹脂組成物層44Xの表面が傷付いたりするなどの不具合を防止し、また接着剤、ゴミ等の異物の付着を防止するなどの機能がある。カバーフィルム46の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、PET、PEN等のポリエステル、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド等、さらには離型紙、アルミニウム箔、銅箔のような金属箔などが挙げられる。
図7に示されるように、次に、実装基板20の半導体チップ30が搭載されている半導体チップ搭載面20a側に、カバーフィルム46を剥離しながら露出した樹脂組成物層44Xを接合させて仮付けする。
図8に示されるように、次いで、減圧条件下、支持体42側から加温及び加圧することにより、半導体チップ30を覆うように半導体チップ30を樹脂組成物層44Xに埋め込む。
この工程は、例えば1)減圧条件下、半導体チップ30が設けられた実装基板20の表面積よりも大きい面積を有する耐熱ゴムを材料とする板状体を用いる真空積層工程として実施することが好ましい。すなわち、減圧条件下、封止フィルム40の支持体42に耐熱ゴムを材料とする板状体を押し当てて、封止フィルム40の樹脂組成物層44Xを加熱及び加圧して、支持体42及び樹脂組成物層44Xを、半導体チップ30が樹脂組成物層44Xに埋め込まれるように、かつフリップチップ接続の場合には実装基板20と半導体チップ30との間隙に充填されるように樹脂組成物層44Xを成型する工程(成型工程)と、所望によりさらに2)支持体42に、さらにプレス用金属板又はラミネート用金属ロールを押し当てて、加熱及び加圧することにより樹脂組成物層44Xの支持体42側の表面を平滑化する工程(平滑化工程)とにより行うことができる。
図9に示されるように、次いで、支持体42及び樹脂組成物層44Xが真空積層された実装基板20を加熱処理することにより、半導体チップ30が埋め込まれた樹脂組成物層44Xを硬化して、半導体チップ30を封止する硬化体44とする。
樹脂組成物層44Xを硬化して、半導体チップ30を封止する硬化体44の形成工程は、樹脂組成物層44Xを構成する材料に応じた任意好適な条件で加熱処理を実施することにより行うことができる。
この加熱処理はいわゆるステップキュアにより実施してもよい。すなわち、加熱処理を(1)所定の条件でプレキュアするステップと、(2)所定の条件でポストキュアするステップとを含む、多段階の加熱処理とすることができる。プレキュア条件は、100℃〜130℃で、15分間〜45分間であることが好ましく、ポストキュア条件は、150℃〜220℃で、30分間〜90分間であることが好ましい。
次に、形成された硬化体44上に、導体層(配線層)50を形成する。導体層50は、セミアディティブ法等の従来公知の任意好適な形成工程により所望の配線パターンを含む配線層とすることができる。この実施形態では、導体層50をめっき工程を含むセミアディティブ法により形成する例を説明する。
図3に示されるように、導体層50を備える個片化半導体装置12には、電子部品100が導体層50と電気的に接続されて搭載されることにより積層型半導体装置14とされる。
電子部品100のバンプ132が、例えば半田ボールである場合には、フラックス(半田ペースト)を用いる、いわゆるリフロー工程により、半導体装置10又は個片化半導体装置12が備える導体層50と、電子部品100のバンプ132とを接合して、これらを電気的に接続し、積層型半導体装置14とすることができる。このリフロー工程は、従来公知の任意好適な条件で行うことができる。
まず、実施例及び比較例において用いられたパッケージ及び半導体チップの形態、各種測定方法並びに評価方法について説明する。
パッケージサイズ:10mm×10mm
実装基板の厚さ:0.3mm
コア材:Panasonic社製 R1515A
ソルダーレジスト:日立化成社製 SR7200G
電極パッドのサイズ:100μm×100μm 金めっき仕上げ
基板サイズ:170mm×255mm
パッケージのレイアウト:9pcs(3×3pcs)×12Blocks
ダイサイズ:5mm×5mm
ダイ厚さ:0.15mm
バンプ:半田バンプ φ80μm
バンプピッチ:150μm
バンプ数:784(28×28)
後述する実施例及び比較例で製造されたロール状のカバーフィルム付き封止フィルムにおける樹脂組成物層の最低溶融粘度温度は、動的粘弾性測定装置((株)ユー・ビー・エム社製、「Rheosol−G3000」)を使用して測定した。試料である樹脂組成物の量1gについて、直径18mmのパラレルプレートを使用して、開始温度60℃から200℃まで昇温速度5℃/分にて昇温し、測定温度間隔2.5℃、振動数1Hz、ひずみ1degの条件にて最低溶融粘度時の温度を測定した。
製造された半導体装置について、超音波映像装置((株)日立エンジニアリング・アンド・サービス製FINESAT)を使用して、実装基板に搭載された半導体チップの直下、すなわち実装基板及び半導体チップ間における硬化体(樹脂組成物)の埋め込み性を50MHz/7mmのプローブを使用して、評価した。ボイドが発見できなかったケースを「良」と評価し、ボイドが発見されたケースを「不可」と評価した。
導体層の硬化体に対するピール強度を測定した。形成された導体層に、幅10mm、長さ100mmの切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具(株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機 AC−50C−SL)で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で硬化体の表面に対して垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定した。
なお、詳細は後述するが、比較例1では供給された樹脂組成物の量が足りず、めっきにより導体層が形成できなかったため評価を行わなかった。比較例2及び3では半田バンプが樹脂組成物に埋め込まれなかったため、評価を行わなかった。
(樹脂ワニス1の調製)
ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型のエポキシ樹脂とビスフェノールF型のエポキシ樹脂との1:1(質量比)混合品)5部、2官能脂肪族エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7410」)5部、結晶性2官能エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)5部を、ソルベントナフサ40部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性基当量約223の不揮発分65質量%のトルエン溶液)15部、トリアジン含有クレゾール系硬化剤(水酸基当量151、DIC(株)製「LA−3018−50P」)の固形分50%のメトキシプロパノール溶液15部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)6部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)200部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を調製した。
支持体としてアルキド樹脂系離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)(厚さ38μm、リンテック(株)製、「AL5」)を用意した。上記実施例1で得た樹脂ワニス1を、アルキド樹脂系離型層側の該支持体の表面に、ダイコーターにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で8分間乾燥させることにより樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層は、厚さが200μmであって、残留溶剤量が2.9質量%であり、最低溶融粘度は、780ポイズであって、その温度133℃であった。
次いで、樹脂組成物層の表面に厚さ15μmのポリプロピレンフィルム(王子特殊紙(株)製「アルファンMA−411」の平滑面側)を60℃で貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状のカバーフィルム付き封止フィルムを、幅250mmにスリットし、50m巻きのロール状体を2本得た。
まず、上述の半導体チップが半導体チップ搭載面に搭載された実装基板(サイズ255mm×170mm、厚さ0.3mm)を用意した。
封止フィルムを、2ステージ真空ラミネータ装置CVP−700(商品名、ニチゴーモートン(株)製)を用いて、仮付けされた実装基板にラミネートした。ラミネートは、チャンバ内を45秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、その後90秒間、120℃、圧力0.74MPaで耐熱ゴムを用いてプレスし、次いで120℃、圧力0.9MPaで135秒間、金属板を用いてプレスすることにより行った。
ラミネートされた封止フィルムから、支持体であるPETフィルムを剥離し、180℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物を硬化して、搭載された半導体チップを封止する硬化体(モールド)を作成した。
(1)ビアホールの形成工程
日立ビアメカニクス(株)製CO2レーザー加工機(LC−2E21B/1C)を使用して、硬化体に穴あけすることにより、硬化体の表面におけるビアホールのトップ径(直径)が200μmのビアホールを形成して実装基板に設けられた電極を露出させた。
ビアホールが形成された実装基板の裏面(半導体チップ搭載面の反対側の面)を保護テープで全面カバーした後、膨潤液である、アトテックジャパン(株)のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガントP(グリコールエーテル類、水酸化ナトリウムの水溶液)に60℃で4分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン(株)のコンセントレート・コンパクトP(KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で8分間浸漬、最後に中和液として、アトテックジャパン(株)のリダクションショリューシン・セキュリガントP(硫酸の水溶液)に40℃で5分間浸漬し、その後80℃で30分間乾燥した。
ビアホールが形成された実装基板を、PdCl2を含む無電解メッキ用溶液に40℃で5分間浸漬し、次に無電解銅メッキ液に25℃で20分間浸漬した。120℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後、めっき用レジスト層を貼りあわせ、露光、現像によりパターン形成を行った後、硫酸銅電解めっきを行って30μmの厚さの導体層(配線パターンを含む配線層)を形成した。次に、めっき用レジストを剥離し、フラッシュエッチングにより不要な無電解銅めっき部分を除去して配線パターンを形成した。最後に、保護テープを剥離し、アニール処理を190℃にて60分間行った。
(樹脂ワニス2の調製)
ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1(質量比)混合品)5部、2官能脂肪族エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7410」)5部、結晶性2官能エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)10部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「jER1007」、エポキシ当量約2000)3部、ゴム粒子(ガンツ化成(株)製、スタフィロイドAC3816N)2部を、ソルベントナフサ48部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、トリアジン含有フェノール系硬化剤(水酸基当量125、DIC(株)製「LA−7054」)の固形分60%のMEK溶液12部、ナフトール系硬化剤(水酸基当量215、新日鐵化学(株)製「SN−485」)の固形分60%のMEK溶液12部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)3部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド、平均粒径2μm)2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径1.2μm、(株)アドマテックス製「SOC4」、単位面積当たりのカーボン量0.47mg/m2)250部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス2を作製した。
支持体として18μmキャリア銅箔/3μm銅箔(三井金属鉱業(株)製、商品名:三井マイクロシン)を用意した。上記の通り得られた樹脂ワニス2を、該支持体の離型層側表面に、ダイコーターにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で8分間乾燥させることにより樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層は、厚さが200μmであり、残留溶剤量が2.1質量%であり、最低溶融粘度は、4500ポイズであって、その温度は98℃であった。
銅箔(マイクロシン3μm/キャリア銅箔18μmが付いた状態で、まず100℃で30分間のプレキュア工程を行い、さらに180℃で、60分間のポストキュア工程を行うことにより、樹脂組成物を硬化して硬化体とした後、キャリア銅箔のみを剥離した。
残存した銅箔(マイクロシン3μm)をシード層として、いわゆるM−SAP(モディファイド−セミアディティブプロセス)にて、実施例1と同様にして硬化体上に30μm(シード層を含む)の厚さの導体層を形成した。
(封止フィルムの調製)
支持体としてアルキド樹脂系離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)(厚さ38μm、リンテック(株)製、「AL5」)を用意した。上記実施例1で得た樹脂ワニス1を、該支持体のアルキド樹脂系離型層側の表面に、ダイコーターにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で4.5分間乾燥させて樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層は、厚み100μm、残留溶剤量2.6質量%、最低溶融粘度は、840ポイズであって、その温度135℃であった。
(封止フィルムの調製及びロール状のカバーフィルム付き封止フィルムの製造)
既に説明した実施例2と同様にして、封止フィルムを調製し、ロール状のカバーフィルム付き封止フィルムを製造し、オートカッター装置による仮付け工程を行った。
(封止フィルムのラミネート工程)
封止フィルムを、2ステージ真空ラミネータ装置CVP−700(商品名、ニチゴーモートン(株)製)を用いて、仮付けされた実装基板にラミネートした。ラミネートは、チャンバ内を45秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、その後90秒間、80℃、圧力0.74MPaでプレスし、次いで80℃、圧力0.9MPaで135秒間、熱プレスすることにより行った。
(樹脂ワニス3の調製)
ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)20部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ40部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、トリアジン含有フェノール系硬化剤(水酸基当量125、DIC(株)製「LA−7054」)の固形分60%のMEK溶液15部、ナフトール系硬化剤(水酸基当量215、新日鐵化学(株)製「SN−485」)の固形分60%のMEK溶液10部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)5部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)200部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス3を作製した。
支持体としてアルキド樹脂系離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)(厚さ38μm、リンテック(株)製、「AL5」)を用意した。上記で得た樹脂ワニス3を、該支持体の離型層側表面に、ダイコーターにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で8分間乾燥させて樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層は、厚さ200μm、残留溶剤量2.8質量%であり、最低溶融粘度は、11000ポイズであって、その温度は90℃であった。
12 個片化半導体装置
14 積層型半導体装置
20、120 実装基板
20a、120a 半導体チップ搭載面
20aa、120aa 半導体チップ搭載領域
22a、122a 第1電極パッド
22b、122b 第2電極パッド
24 接続配線
28、32、132 バンプ
30 半導体チップ
40 封止フィルム
42 支持体
44、144 硬化体
44X 樹脂組成物層
46 カバーフィルム
48 ビアホール
50 導体層(配線層)
52 配線
52a 電極パッド
100 電子部品
122 電極パッド
132a 第1電極パッド
132b 第2電極パッド
124A 第1ボンディングワイヤ
124B 第2ボンディングワイヤ
130A 第1半導体チップ
130B 第2半導体チップ
DL ダイシングライン
Claims (18)
- 半導体チップ搭載面を有し、該半導体チップ搭載面に、複数個の半導体チップがフリップチップ接続及び/又はワイヤボンディング接続により搭載された実装基板を用意する工程と、
支持体、及び該支持体上に設けられた樹脂組成物層を有する封止フィルムであって、該樹脂組成物層上に設けられたカバーフィルムをさらに備える封止フィルムを用意する工程と、
前記半導体チップ搭載面側に、前記カバーフィルムを剥離しながら、前記樹脂組成物層を接合させて前記封止フィルムを仮付けする工程と、
減圧条件下で、前記支持体側から加温及び加圧することにより、前記半導体チップを覆うように前記半導体チップを前記樹脂組成物層に埋め込む成型工程と、
加熱することにより、前記半導体チップが埋め込まれた前記樹脂組成物層を硬化して、前記半導体チップを封止する硬化体とする工程と、
前記硬化体上に、めっき工程を含む方法により、導体層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂組成物層が、(i)無機充填材、(ii)柔軟性の脂肪鎖を主鎖中に有するエポキシ樹脂及び(iii)活性エステル系硬化剤、ナフタレン型硬化剤、ナフチレンエーテル型硬化剤、及び含窒素フェノール系硬化剤から選ばれる1種以上の硬化剤を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂組成物層の最低溶融粘度が、50ポイズ〜10000ポイズである、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂組成物層の厚さが、30μm〜300μmである、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記支持体が、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型処理層付きポリエチレンテレフタレートフィルム、又は金属箔である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記成型工程の後であって、前記半導体チップを封止する硬化体とする工程の前に、前記支持体を剥離する工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記成型工程の直後に、金属板又は金属ロールにより、減圧条件下又は常圧下、支持体側から加熱及び加圧することにより樹脂組成物層の支持体側の表面を平滑化する工程をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記成型工程が、圧力26.7hPa以下の減圧条件下、90℃〜180℃で加温し、1kgf/cm2〜18kgf/cm2の圧力を20秒間〜400秒間加えることにより行われる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂組成物層を硬化して、前記半導体チップを封止する硬化体とする工程が、100℃〜240℃で、15分間〜300分間加熱することにより行われる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導体層を形成する工程が、前記めっき工程を含むセミアディティブ法により行われる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導体層の前記硬化体に対するピール強度が、0.5kgf/cm以上である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体チップ搭載面を有し、該半導体チップ搭載面に、複数個の半導体チップがフリップチップ接続及び/又はワイヤボンディング接続により搭載された実装基板と、
複数個の前記半導体チップを覆う硬化体と、
前記硬化体上に設けられた導体層とを備え、
前記硬化体が、(i)無機充填材、(ii)柔軟性の脂肪鎖を主鎖中に有するエポキシ樹脂及び(iii)活性エステル系硬化剤、ナフタレン型硬化剤、ナフチレンエーテル型硬化剤、及び含窒素フェノール系硬化剤から選ばれる1種以上の硬化剤を含む樹脂組成物を硬化した硬化体である、半導体装置。 - 前記導体層の前記硬化体に対するピール強度が、0.5kgf/cm以上である、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記樹脂組成物の最低溶融粘度が、50ポイズ〜10000ポイズである、請求項12に記載の半導体装置。
- 複数個の前記半導体チップが前記実装基板にフリップチップ接続されており、前記硬化体が、前記半導体チップ及び前記実装基板の間隙を埋め込んでいる、請求項11〜13のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記導体層に電気的に接続されるように搭載される電子部品をさらに含む、請求項11〜14のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記電子部品が半導体チップを含むパッケージである、請求項15に記載の半導体装置。
- 前記電子部品が2個以上の半導体チップを含むマルチチップパッケージである、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記電子部品が積層型半導体装置である、請求項15に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012170397A JP6171280B2 (ja) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012170397A JP6171280B2 (ja) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014029958A JP2014029958A (ja) | 2014-02-13 |
JP6171280B2 true JP6171280B2 (ja) | 2017-08-02 |
Family
ID=50202340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012170397A Active JP6171280B2 (ja) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6171280B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015146936A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、ワークまたは加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、および良品と判断された加工物 |
JP2016001685A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス装置の製造方法 |
JP6388202B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2018-09-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ |
KR20160047423A (ko) * | 2014-09-26 | 2016-05-02 | 인텔 코포레이션 | 플렉시블 패키징 아키텍처 |
JP5976073B2 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-08-23 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2016125350A1 (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | 日立化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物、フィルム状エポキシ樹脂組成物、硬化物及び電子装置 |
KR20170121171A (ko) * | 2015-02-26 | 2017-11-01 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 봉지용 필름 및 이것을 사용한 전자 부품 장치 |
JP6735071B2 (ja) * | 2015-05-13 | 2020-08-05 | 日東電工株式会社 | 封止樹脂シート |
JP6763391B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2020-09-30 | 日立化成株式会社 | 樹脂組成物、硬化物、封止用フィルム及び封止構造体 |
JP6713289B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2020-06-24 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6848187B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2021-03-24 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置製造用樹脂シート、半導体装置、半導体装置の製造方法、有機樹脂基板および有機樹脂基板の製造方法 |
JP6651228B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-02-19 | エルジー・ケム・リミテッド | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR20190121750A (ko) * | 2017-03-03 | 2019-10-28 | 린텍 가부시키가이샤 | 봉지 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20200062217A (ko) * | 2017-10-06 | 2020-06-03 | 도레이 필름 카코우 가부시키가이샤 | 몰드 성형용 이형 필름 및 몰드 성형법 |
WO2019106953A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 京セラ株式会社 | 樹脂シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2018139326A (ja) * | 2018-05-31 | 2018-09-06 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス装置の製造方法 |
JP7486068B2 (ja) * | 2019-05-24 | 2024-05-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 樹脂シート積層体の製造方法、樹脂シート積層体、成形品の製造方法 |
JP7200961B2 (ja) | 2020-03-06 | 2023-01-10 | 味の素株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、樹脂シート |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3740469B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2006-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US7768795B2 (en) * | 2004-09-08 | 2010-08-03 | Panasonic Corporation | Electronic circuit device, electronic device using the same, and method for manufacturing the same |
JP4519762B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2010-08-04 | リンテック株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP5435685B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2014-03-05 | ナミックス株式会社 | 封止用樹脂フィルム |
US7829389B2 (en) * | 2007-10-05 | 2010-11-09 | Texas Instruments Incorporated | Roll-on encapsulation method for semiconductor packages |
TW201213441A (en) * | 2010-05-10 | 2012-04-01 | Ajinomoto Kk | Resin composition |
KR20120078390A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 삼성전자주식회사 | 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
-
2012
- 2012-07-31 JP JP2012170397A patent/JP6171280B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014029958A (ja) | 2014-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6171280B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI835277B (zh) | 樹脂組成物 | |
KR102413780B1 (ko) | 수지 조성물 | |
JP7067140B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP7119290B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 | |
TWI618096B (zh) | Insulating resin material | |
TWI811223B (zh) | 樹脂組成物、樹脂薄片、電路基板、及半導體晶片封裝體 | |
TW201610067A (zh) | 接著薄膜 | |
CN106995585B (zh) | 树脂片 | |
JP2015106698A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR102400207B1 (ko) | 수지 조성물 | |
JP6176294B2 (ja) | 支持体付き樹脂シート | |
JP6947251B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP7192674B2 (ja) | 樹脂シート | |
JP7131593B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
TW202200375A (zh) | 半導體裝置之製造方法及樹脂薄片 | |
JP7416118B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP7067594B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6610612B2 (ja) | 支持体付き樹脂シート | |
JP2007266394A (ja) | 半導体用接着剤シート、これを用いた半導体接続用基板および半導体装置 | |
JP2023095864A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2003229458A (ja) | 半導体回路用基板の製造方法及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140509 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6171280 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |