JP6161258B2 - 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ - Google Patents
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Description
Claims (20)
- 第1面および第2面を有する半導体層と、前記第1面の側に配置された構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第2面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記構造は、
前記複数の光電変換部の少なくとも一部のそれぞれに対して配置されていて、それぞれが反射領域を有する複数の反射部と、
前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域の周囲に配置された複数の光吸収部と、
前記複数の光吸収部のそれぞれを取り囲むように配置された絶縁部と、
前記複数の反射部、前記複数の光吸収部および前記絶縁部と前記第1面との間に配置された層間絶縁膜と、
を含み、
前記複数の光吸収部の反射率は、前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域の反射率よりも小さく、前記複数の光吸収部の光透過率は、前記絶縁部の光透過率よりも小さく、
前記反射部の前記半導体層側の表面は前記反射領域と前記反射領域の周辺の周辺領域とを有し、前記反射領域と前記周辺領域とが前記表面に段差形状を成しており、前記光吸収部は前記周辺領域と前記層間絶縁膜との間に配置されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光吸収部は、導電材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記光吸収部は、前記層間絶縁膜を介して前記第1面に対向する光入射面と、前記光入射面の反対側の面とを有し、前記反射部は、前記反対側の面を覆う部分を有する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 前記光吸収部の外縁と前記反射部の外縁とが一致している、
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の反射部は、電気信号を伝達する配線パターンの一部として構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の光電変換部は、第1波長帯域の光が入射する第1光電変換部と、前記第1波長帯域よりも波長が短い第2波長帯域の光が入射する第2光電変換部と、前記第2波長帯域よりも波長が短い第3波長帯域の光が入射する第3光電変換部とを含み、
前記複数の反射部および前記複数の光吸収部は、前記第1光電変換部のみ、または、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のみに対して設けられている、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部の位置に応じて、当該光電変換部に対応する前記反射領域および前記光吸収部の形状が決定されている、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の光吸収部のそれぞれが、前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域を取り囲むように配置されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 第1面および第2面を有する半導体層と、前記第1面の側に配置された構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第2面を通して前記複数の光電変換部に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記構造は、導電部と、前記導電部と前記半導体層との間に配置されたバリアメタルとを含み、
前記バリアメタルは開口を有し、前記導電部の前記半導体層側の表面は前記開口を通して前記半導体層に対向する第1領域と前記第1領域の周辺の第2領域とを有し、
前記第1領域と前記第2領域とが前記表面に段差形状を成しており、前記バリアメタルは前記第2領域と層間絶縁膜との間に配置されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記導電部は、主成分として、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンまたはタンタルを含む、
ことを特徴とする請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記バリアメタルは、窒化チタンを含む、
ことを特徴とする請求項9または10に記載の固体撮像装置。 - 前記導電部の前記第1領域は、前記導電部と前記半導体層との間に配置された絶縁膜に接している、
ことを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記バリアメタルは、前記導電部の前記第1領域を取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記バリアメタルを構成する材料の反射率は、前記導電部を構成する材料の反射率より小さい、
ことを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記導電部は、電気信号を伝達する配線パターンの一部として構成されている、
ことを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の光電変換部は、第1波長帯域の光が入射する第1光電変換部と、前記第1波長帯域よりも波長が短い第2波長帯域の光が入射する第2光電変換部と、前記第2波長帯域よりも波長が短い第3波長帯域の光が入射する第3光電変換部とを含み、
前記開口は、前記第1光電変換部、前記第2光電変換部および前記第3光電変換部のうちで、前記第1光電変換部のみ、または、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のみに対して設けられている、
ことを特徴とする請求項9乃至15のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 第1面および第2面を有する半導体層と、前記第1面の側に配置された構造と、前記第2面の側に配置されたレンズとを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置された固体撮像装置であって、
前記構造は、導電部と、前記導電部と前記半導体層との間に配置されたバリアメタルとを含み、
前記バリアメタルは開口を有し、前記導電部の前記半導体層側の表面は前記開口を通して前記半導体層に対向する第1領域と前記第1領域の周辺の第2領域とを有し、
前記第1領域と前記第2領域とが前記表面に段差形状を成しており、前記バリアメタルは前記第2領域と層間絶縁膜との間に配置されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 第1面および第2面を有する半導体層と、前記第1面の側に配置された構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第2面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置の製造方法であって、
前記製造方法は、
前記複数の光電変換部を覆うように第1膜を形成する工程と、
前記複数の光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口が形成されるように前記第1膜をパターニングして第1パターンを形成する工程と、
前記複数の開口を覆うように前記第1パターンの上に第2膜を形成する工程と、
前記複数の開口および前記第1パターンの上に前記第2膜が残るように前記第2膜をパターニングして第2パターンを形成する工程と、を含み、
前記第1膜は、窒化チタンおよびシリコンカーバイドの少なくとも1つを含み、
前記第2膜は、主成分として、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンまたはタンタルを含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1パターンのうち前記第2パターンのエッチングによって露出した部分をエッチングする工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項18に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1乃至17のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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KR20150118638A (ko) * | 2014-04-14 | 2015-10-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US9825073B2 (en) * | 2014-05-23 | 2017-11-21 | Omnivision Technologies, Inc. | Enhanced back side illuminated near infrared image sensor |
US9685576B2 (en) * | 2014-10-03 | 2017-06-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Back side illuminated image sensor with guard ring region reflecting structure |
JP2016082133A (ja) | 2014-10-20 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
JP6541361B2 (ja) | 2015-02-05 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2016201397A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
US9768213B2 (en) | 2015-06-03 | 2017-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and camera |
TWI701819B (zh) * | 2015-06-09 | 2020-08-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件、驅動方法及電子機器 |
US10341592B2 (en) | 2015-06-09 | 2019-07-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element, driving method, and electronic device |
KR102462912B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2022-11-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직 전송 게이트를 갖는 이미지 센서 |
US10686004B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-06-16 | Nikon Corporation | Image capturing element and image capturing device image sensor and image-capturing device |
JP6738200B2 (ja) | 2016-05-26 | 2020-08-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
WO2018034092A1 (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JP2018056518A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 撮像素子および焦点調節装置 |
JP2018056517A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 撮像素子および焦点調節装置 |
JP2018056522A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 撮像素子および焦点調節装置 |
KR20180071802A (ko) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN110476252A (zh) * | 2017-03-28 | 2019-11-19 | 株式会社尼康 | 摄像元件及摄像装置 |
JP2018186211A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10522580B2 (en) * | 2017-08-23 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structure and formation method of light-sensing device |
CN107634046B (zh) * | 2017-09-25 | 2020-05-05 | 德淮半导体有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2020027937A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | ブリルニクス インク | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
WO2020045278A1 (en) | 2018-08-31 | 2020-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device with motion dependent pixel binning |
JP2020068289A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体チップ |
JP7381223B2 (ja) | 2019-05-27 | 2023-11-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
WO2020246133A1 (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
US11088196B2 (en) * | 2019-11-15 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal reflector grounding for noise reduction in light detector |
WO2021215299A1 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
KR20220005888A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US20220320173A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reduced cross-talk in color and infrared image sensor |
EP4254501A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-04 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | A pixel unit with infrared absorber, a pixel array, and a camera implementing such a pixel array |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4867152B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2012-02-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2006237315A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US7830412B2 (en) | 2005-08-22 | 2010-11-09 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for shielding correction pixels from spurious charges in an imager |
TW200913238A (en) | 2007-06-04 | 2009-03-16 | Sony Corp | Optical member, solid state imaging apparatus, and manufacturing method |
JP2009021379A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ、固体撮像装置の製造方法 |
JP2009169044A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Seiko Epson Corp | スクリーン及び投射システム |
JP2009224980A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2010056167A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2010118412A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR101545638B1 (ko) | 2008-12-17 | 2015-08-19 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법 |
JP5538811B2 (ja) * | 2009-10-21 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子 |
EP2363887A1 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-07 | SensoNor Technologies AS | Focal plane array and method for manufacturing the same |
US8629523B2 (en) * | 2010-04-16 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Inserted reflective shield to improve quantum efficiency of image sensors |
US8278690B2 (en) * | 2010-04-27 | 2012-10-02 | Omnivision Technologies, Inc. | Laser anneal for image sensors |
US8389921B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-03-05 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor having array of pixels and metal reflectors with widths scaled based on distance from center of the array |
JP5682437B2 (ja) | 2010-09-07 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置、撮像機器、及び、偏光素子の製造方法 |
JP5282797B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法及び画像撮影装置 |
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