JP6160788B1 - フラックス - Google Patents

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Abstract

【課題】はんだボールに転写されるフラックスを前提として、有機系洗浄剤による洗浄を不要としたフラックスを提供する。【解決手段】フラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満及び有機酸を1質量%以上15質量%以下含有し、ロジンが非含有であり、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計が83質量%以上99質量%以下で含有することを特徴とする。【選択図】なし

Description

本発明は、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを含有するフラックスに関する。
近年、電子部品の小型化により、電子部品のはんだ付け部位である電極ピッチの狭小化が進行している。電極ピッチの狭小化により、電極に搭載するはんだボールの径も、小型化が進んでいる。
従来、はんだバンプを作る方法として、フラックスを塗布した電極に、はんだボールを搭載して加熱する方法が採られていた。近年のはんだボールの小型化に伴って、はんだボールにロジンを含有するフラックスを転写し、フラックスの付いたはんだボールを電極上に搭載する方法も採られるようになった。
この方法で使用されるフラックスとして、特許文献1には、粘性比が2以上5以下であり、かつ粘度が2Pa・s以上100Pa・s以下のフラックスが開示されている。
特開2001−284787号公報
しかし、はんだボールにロジンを含有する従来のフラックスを転写して電極に搭載すると、有機系洗浄剤を用いて、リフロー後に残ったフラックス残渣を洗浄する必要があった。フラックス残渣の洗浄に使用される有機系洗浄剤は、環境への影響を増大させる原因となっていた。上述した特許文献1も、このような問題について何等考慮していなかった。
そこで、環境への配慮から、ロジンを含有しないフラックスを、はんだボールに転写して電極に搭載する方法もある。しかし、ロジンを含有しないフラックスをはんだボールに転写して電極に搭載すると、はんだボールが電極パッドから外れた状態(ボールミッシング)が発生することがあった。ボールミッシングは、接合不良や導電不良の原因となっていた。
そこで、本発明はこのような課題を解決したものであって、はんだボールに転写されるフラックスを前提として、有機系洗浄剤による洗浄を不要としたフラックスを提供することを目的とする。
上述の課題を解決するために採った本発明の技術手段は、次の通りである。
2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満及び有機酸を1質量%以上15質量%以下含有し、ロジンが非含有であり、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計が83質量%以上99質量%以下で含有することを特徴とするフラックス。
(2)更に、アミンを0質量%以上5質量%以下、ハロゲン化合物を0質量%以上5質量%以下含むことを特徴とする前記(1)に記載のフラックス。
(3)更に、チキソ剤を0質量%以上5質量%以下、ベース剤を0質量%以上5質量%以下、界面活性剤を0質量%以上15質量%以下含むことを特徴とする前記(1)または(2)に記載のフラックス。
(4)アルミパンにフラックスを10mg詰めて、250℃ピーク、昇温速度1℃/secにて加熱し、加熱前の重量と比較し、加熱後の重量が15%以下となることを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれかに記載のフラックス。
本発明のフラックスは、有機系洗浄剤によるフラックス残渣の洗浄が不要である。また、本発明のフラックスは、所望の位置にはんだボールを載置することができる。
以下、本発明に係る実施の形態としてのフラックスについて説明する。但し、本発明は以下の具体例に限定されるものではない。
[フラックスの組成例]
本実施の形態のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満及び有機酸を1質量%以上15質量%以下含有する。2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計は、83質量%以上99質量%以下である。本実施の形態のフラックスは、更に、アミン、チキソ剤、ベース剤、界面活性剤、ハロゲン化合物のいずれか又はこれらの組み合わせを含有してもよい。
2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールは、下記の化学式で表される。
Figure 0006160788
溶剤は、一般的に知られているグリコールエーテル系の化合物から選択される。溶剤は、活性剤の作用を効率よくもたらすために、120℃〜150℃の低温域において揮発しないことが好ましい。溶剤が揮発してしまうとフラックスの流動性が悪くなり、フラックスが接合箇所に濡れ広がることが難しくなる。そのため、溶剤の沸点は200℃以上であることが好ましい。リフロー温度で揮発する溶剤を使用することが好ましく、溶剤としては、ヘキシレングリコール、ヘキシルジグリコール、1,3−ブタンジオール、オクタンジオール、アルキレンオキサイド・レゾルシン共重合物、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、2−エチルヘキシルジグリコール、フェニルグリコール、ターピネオール等が使用される。
有機酸は、フラックスにおける活性剤成分として添加される。有機酸としては、グルタル酸、フェニルコハク酸、コハク酸、メタクリル酸メチル、マロン酸、アジピン酸、アゼライン酸、グリコール酸、ジグリコール酸、チオグリコール酸、チオジグリコール酸、プロピオン酸、リンゴ酸、酒石酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、トリマー酸等が使用される。
本実施の形態のフラックスには、フラックスにおける活性剤成分として、アミンを添加してもよい。アミンとしては、例えば、イミダゾール、ポリオキシアルキレンアミン、アミノアルコールが挙げられ、具体的には、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、ポリオキシエチレンアミン、ポリオキシプロピレンアミン、2−エチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等を添加してもよい。アミンの添加割合は、フラックス100質量%に対して、0質量%以上5質量%以下であることが好ましい。
本実施の形態のフラックスには、チキソ剤として、ステアリン酸アミドを添加してもよい。チキソ剤の添加割合は、フラックス100質量%に対して、0質量%以上10質量%未満であることが好ましく、0質量%以上5質量%以下であることがより好ましい。
本実施の形態のフラックスには、ベース剤として、ポリエチレングリコール等を添加してもよい。ベース剤の添加割合は、フラックス100質量%に対して、0質量%以上5質量%以下であることが好ましい。
本実施の形態のフラックスには、界面活性剤として、ヒドロキシプロピル化エチレンジアミン、ポリオキシプロピレンエチレンジアミン、エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミド等を添加してもよい。界面活性剤の添加割合は、フラックス100質量%に対して、0質量%以上15質量%以下であることが好ましい。
本実施の形態のフラックスには、ハロゲン化合物として、アミンハロゲン化水素酸塩または有機ハロゲン化合物を添加してもよい。アミンハロゲン化水素酸塩としては、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、エチルアミンヨウ化水素酸塩、2−エチルヘキシルアミン塩酸塩、2−エチルヘキシルアミン臭化水素酸塩、2−エチルヘキシルアミンヨウ化水素酸塩、シクロヘキシルアミン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミンヨウ化水素酸塩等を添加してもよい。有機ハロゲン化合物としては、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオール、トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール等を添加してもよい。ハロゲン化合物の割合は、フラックス100質量%に対して、0質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0質量%以上1質量%以下であることがより好ましい。
上述したフラックスに対するその他の添加剤として、例えば、着色剤、界面活性剤等をフラックスの性能を損なわない範囲で適宜添加してもよい。
以下、実施例にて本発明に係るフラックスの具体例を示すが、本発明は、以下の具体例に限定されるものではない。また、以下の表中で単位のない数値は、質量%を示す。
[表1について]
フラックスに含まれる組成を見極めるため、表1に示す組成で実施例1、比較例1〜3のフラックスを用意して、次のようにボールミッシングの検証及び後で詳述するTG法(サーマルグラビメトリ法)による試験(JIS K 0129)を行った。
(I)ボールミッシングの検証について
(A)評価方法
Sn−3Ag−0.5Cuの組成で、直径600μmのはんだボールを用意した。用意したはんだボールに、実施例1、比較例1〜3のフラックスをそれぞれ転写させた後、フラックスが転写された各はんだボールを基板の電極に搭載した。そして、基板を250℃ピーク、昇温速度1℃/secで加熱し、その後室温まで冷却した。冷却後の電極の様子を目視で確認した。
(B)判定基準
○:はんだが、電極から外れずに残った。
×:はんだが電極から外れた状態(ボールミッシング)が発生した。
ボールミッシングは、接合不良や導電不良の原因となる。加熱後に電極上にはんだが残ると、接合不良や導電不良を抑制できる。
(II)TG法による試験について
(A)評価方法
アルミパンに、表中の実施例及び比較例に示す割合で調合したフラックスを10mg詰めて、ULVAC社製 TGD9600を用いて250℃ピーク、昇温速度1℃/secにて加熱した。加熱後の各フラックスの重量が、加熱前の15%以下になったかどうかを測定した。
(B)判定基準
○:重量が加熱前の15%以下になった
×:重量が加熱前の15%より大きかった
重量が加熱前の15%以下になったフラックスは、加熱によってフラックス中の成分が十分に揮発し、リフロー後に洗浄不要なフラックスであると言える。重量が加熱前の15%より大きかったフラックスは、フラックス中の成分の揮発が不十分であったと言える。フラックス中の成分の揮発が不十分で残渣が多く残ると、接合不良や導電不良等の原因となる。フラックス中の成分が十分に揮発すると、接合不良や導電不良等の抑制されたはんだバンプであるといえる。また、フラックス中の成分が十分に揮発すると、実装後の樹脂封止(アンダーフィル)工程における、アンダーフィルボイドの形成を抑制できる。アンダーフィルボイドは、残渣がアンダーフィル硬化時に揮発してガス化した際に発生しやすい。
Figure 0006160788
実施例1のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを70質量%、溶剤の一例としてヘキシレングリコールを22質量%、有機酸の一例としてグルタル酸を8質量%含有する。実施例1のフラックスでは、ボールミッシングが発生しなかった上に、TG法による試験でも良好な結果を得られた。そのため、実施例1のフラックスは、ボールミッシングを抑制する上に、リフロー後にフラックス中の成分が十分に揮発するフラックスと言える。
比較例1のフラックスは、溶剤の一例としてヘキシレングリコールを92質量%、有機酸の一例としてグルタル酸を8質量%含有する。比較例1のフラックスでは、TG法による試験で良好な結果を得られたが、ボールミッシングが発生した。
比較例2フラックスは、ヘキシレングリコールを12質量%、イソボルニルシクロヘキサノールを72質量%、グルタル酸を8質量%、活性補助剤の一例として2−エチル−4−メチルイミダゾールを8質量%含有する。比較例2のフラックスでは、ボールミッシングを抑制できたが、TG法による試験で良好な結果を得られなかった。比較例2のフラックスは、TG法による試験で良好な結果を得られなかったため、リフロー後に洗浄不要なフラックスとは言えない。
比較例3のフラックスは、ヘキシレングリコールを52質量%、グルタル酸を8質量%、ロジンとして重合ロジンを40質量%含有する。比較例3のフラックスでは、ボールミッシングを抑制できたが、TG法による試験で良好な結果を得られなかった。比較例3のフラックスは、TG法による試験で良好な結果を得られなかったため、リフロー後に洗浄不要なフラックスとは言えない。
実施例1でボールミッシングが発生しなかったが、比較例1でボールミッシングが発生したのは、実施例1のフラックスが2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを含有し、比較例1のフラックスが2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを含有しないからであるといえる。
実施例1、比較例1〜3の結果から、ボールミッシングの検証及びTG法による試験で良好な結果を得るためには、フラックスが2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを含有する必要があり、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールとヘキシレングリコールとグルタル酸を含有するフラックスは、有機系洗浄剤によるフラックス残渣の洗浄が不要である上に、所望の位置にはんだボールを載置することができるといえる。
表1には示さないが、実施例1の他にも、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満及び有機酸を1質量%以上15質量%以下含有し、ロジンが非含有であるフラックスは、実施例1と同じく、ボールミッシングが発生しなかった上に、TG法による試験でも良好な結果を得られた。
[表2について]
続いて、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを含有するフラックスについて、各組成の配合量を見極めるため、表2に示す組成で実施例と比較例のフラックスを調合して、次のようにはんだの濡れ広がり試験及び、TG法による試験を行った。なお、TG法による試験については、表1で検証したのと同じ評価方法及び判定基準を採用した。
(I)はんだの濡れ広がり試験について
(A)評価方法
厚さ0.3mm、大きさ30mm×30mmのCu板、表中の各実施例及び比較例に示す割合で調合したフラックス、及びSn−3Ag−0.5Cuの組成で直径600μmのはんだボールを用意した。用意したはんだボールにフラックスを転写させた後、フラックスが付着したはんだボールをCu板に搭載した。各Cu板を250℃ピーク、昇温速度1℃/secで加熱し、その後室温まで冷却した。各Cu板を冷却後に、はんだの濡れ広がり径を測定した。
(B)判定基準
○:濡れ広がり径が1000μm以上
×:濡れ広がり径が1000μm未満
濡れ性の劣るフラックスをはんだに用いると、接合不良等のはんだ付け不良を引き起こし易くなり、濡れ性の良いフラックスをはんだに用いると、はんだ付け不良を起こしにくくなる。
Figure 0006160788
表2に示すように、実施例1〜3のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下含有し、溶剤の一例としてヘキシレングリコールを0質量%超50質量%未満含有し、有機酸の一例としてグルタル酸を1質量%以上15質量%以下含有する。実施例1〜3のフラックスは、いずれもはんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。
比較例4のフラックスは、実施例1〜3のフラックスと比べて2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールの含有割合が少なく、ヘキシレングリコールの含有割合が多い。比較例4のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを40質量%含有する。比較例4のフラックスは、溶剤の一例としてヘキシレングリコールを50質量%含有する。比較例4のフラックスは、TG法による試験で良好な結果を得られたものの、濡れ広がりが不十分であった。
実施例1〜3及び比較例4の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールの含有割合は、50質量%以上90質量%以下であることが好ましいといえる。ヘキシレングリコールの含有割合は、0質量%超50質量%未満であることが好ましいといえる。グルタル酸の含有割合は、1質量%以上15質量%以下であることが好ましいといえる。
すなわち、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下と、ヘキシレングリコールを0質量%超50質量%未満と、グルタル酸を1質量%以上15質量%以下とを含有するフラックスは、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られることがわかる。
実施例4、5のフラックスは、実施例1のフラックスから溶剤の種類を変えたものである。実施例4のフラックスは、溶剤の一例としてヘキシルジグリコールを49質量%含有し、実施例5は、溶剤の一例として1,3−ブタンジオールを1質量%含有する。
実施例4、5のフラックスでも、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られたことから、溶剤の種類は、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験の結果を左右するものではなく、あらゆる溶剤を採用して好ましいことがわかる。溶剤として、オクタンジオール、アルキレンオキサイド・レゾルシン共重合物、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、2−エチルヘキシルジグリコール、フェニルグリコール、ターピネオール等を使用したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。
また、実施例4、5のフラックスは、いずれも溶剤を0質量%超50質量%未満の範囲内で含有しており、溶剤の含有割合は、0質量%超50質量%未満であることが好ましいといえる。
実施例1〜5、比較例4の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満及びグルタル酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られるといえる。
実施例6、7のフラックスは、実施例1のフラックスと2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを同じ割合で含有するが、有機酸の種類を変えたものである。実施例6のフラックスは、有機酸の一例としてフェニルコハク酸を含有し、実施例7のフラックスは、有機酸の一例としてメタクリル酸メチルを含有する。
実施例6、7のフラックスでも、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られたことから、有機酸の種類は、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験の結果を左右するものではなく、あらゆる有機酸を採用して好ましいことがわかる。有機酸として、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、ジグリコール酸、プロピオン酸、リンゴ酸、酒石酸、マロン酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、トリマー酸等を使用したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。また、有機酸の含有割合は、1質量%以上15質量%以下であることが好ましいといえる。
実施例1〜7、比較例4の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られるといえる。
実施例8〜10のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと、溶剤と、有機酸に加え、アミンを含有する。実施例8のフラックスは、アミンの一例として2−ウンデシルイミダゾールを1質量%含有する。実施例9のフラックスは、アミンの一例として、2−エチルアミノエタノールを1質量%含有する。実施例10のフラックスは、2−ウンデシルイミダゾールを5質量%含有する。実施例8〜10のフラックスは、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。
実施例8、9のフラックスは異なる種類のアミンを含有しており、共にはんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。そのため、アミンの種類は、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験の結果を左右するものではなく、あらゆるアミンを採用して好ましいことがわかる。アミンとして、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、ジエタノールアミン、ポリオキシエチレンアミン、ポリオキシプロピレンアミン、トリエタノールアミン等を使用したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。
実施例8〜10の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下、アミンを0質量%以上5質量%以下含有するフラックスは、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られるといえる。
実施例11のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと、溶剤と、有機酸に加え、チキソ剤の一例として、ステアリン酸アミドを5質量%含有する。実施例11の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、チキソ剤を添加しても、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られるといえる。
比較例5のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと、溶剤と、有機酸に加え、ステアリン酸アミドを10質量%含有し、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計が80質量%である。比較例5のフラックスは、はんだの濡れ広がり試験で良好な結果を得られたものの、TG法による試験で良好な結果を得られなかった。
実施例11と比較例5の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、有機酸を1質量%以上15質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満含有するフラックスに、チキソ剤を添加しても、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られるといえ、フラックスが含有するチキソ剤の割合は、0質量%以上10質量%未満であることが好ましく、0質量%以上5質量%以下であることがより好ましいといえる。更に、実施例1〜11のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計が83質量%以上99質量%以下であり、比較例5のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計が80質量%であることから、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計は83質量%以上99質量%以下であることが好ましいといえる。
実施例12のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと、溶剤と、有機酸に加え、ハロゲン化合物の一例として、エチルアミン臭化水素酸塩を1質量%含有する。実施例13のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと、溶剤と、有機酸に加え、ハロゲン化合物の一例として、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオールを1質量%含有する。実施例14のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと、溶剤と、有機酸に加え、ハロゲン化合物の一例として、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオールを5質量%含有する。実施例12〜14のフラックスは、いずれもはんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。
実施例12、13のフラックスは、異なる種類のハロゲン化合物を含有しており、共にはんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。そのため、ハロゲン化合物の種類は、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験の結果を左右するものではなく、あらゆるハロゲン化合物を採用して好ましいことがわかる。フラックスに添加するハロゲン化合物として、アミンハロゲン化水素酸塩または有機ハロゲン化合物を使用したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。より詳しくは、アミンハロゲン化水素酸塩として、エチルアミン塩酸塩、エチルアミンヨウ化水素酸塩、2−エチルヘキシルアミン塩酸塩、2−エチルヘキシルアミン臭化水素酸塩、2−エチルヘキシルアミンヨウ化水素酸塩、シクロヘキシルアミン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミンヨウ化水素酸塩を使用し、有機ハロゲン化合物として、トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン1,4−ジオール等を添加したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験及びTG法による試験で良好な結果を得られた。
実施例12〜14の結果から、フラックスに添加するハロゲン化合物の割合は、0質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0質量%以上1質量%以下であることがより好ましいといえる。
なお、実施例1〜14、比較例4、5は、いずれも加熱後にボールミッシングが発生せず、電極上にはんだバンプを形成した。
[表3について]
続いて、フラックスに含まれる各組成の配合量を見極めるため、表3に示す組成で実施例と比較例のフラックスを調合して、次のようにはんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び後で詳述する水洗浄性試験を行った。なお、TG法による試験については、表1で検証したのと同じ評価方法及び判定基準を採用し、はんだの濡れ広がり試験については、表2で検証したのと同じ評価方法及び判定基準を採用した。
(I)水洗浄性試験について
(A)評価方法
厚さ0.3mm、大きさ30mm×30mmのCu板、表中の各実施例及び比較例に示す割合で調合したフラックス、及びSn−3Ag−0.5Cuの組成で直径600μmのはんだボールを用意した。用意したはんだボールにフラックスを転写させた後、フラックスが付着したはんだボールをCu板に搭載した。各Cu板を250℃ピーク、昇温速度1℃/secで加熱した。各Cu板を室温まで冷却後に水洗浄し、拡大顕微鏡ではんだ付け箇所周辺にフラックス残渣がないか、外観を検査した。
(B)判定基準
○:Cu板にフラックス残渣が残らなかった。
×:Cu板にフラックス残渣が残った。
上述した実施例1〜14は、いずれもリフロー後に洗浄不要な低残渣のフラックスであったため、有機系洗浄剤による洗浄を不要とするフラックスであるといえる。なお、フラックス残渣が基板に残留するフラックスであっても、水洗浄によりフラックス残渣を除去することができれば、接合不良や導電不良を抑制できる。すなわち、この水洗浄試験で良好な洗浄性を示したフラックスは、有機系洗浄剤を用いることなく、水洗浄によってフラックス残渣を適切に除去できたと判断できる。
Figure 0006160788
表3に示すように、実施例15〜24のフラックスは、いずれも、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールの含有割合が50質量%以上90質量%以下であり、溶剤の含有割合が0質量%超50質量%未満であり、有機酸の含有割合が1質量%以上15質量%以下であり、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計が83質量%以上99質量%以下である。実施例15〜24のフラックスは、いずれもはんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。
一方、比較例6のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールの含有割合が40質量%であり、溶剤の一例のヘキシレングリコールの含有割合が50質量%である。比較例6のフラックスは、水溶性試験及びTG法による試験で良好な結果を得られたものの、濡れ広がり試験では良好な結果を得られなかった。
実施例15〜24と、比較例6の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有し、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと溶剤の合計が83質量%以上99質量%以下で含有するフラックスは、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られるといえる。
実施例16のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、溶剤の一例としてのヘキシレングリコール、有機酸の一例としての酒石酸に加え、アミンの一例としてのポリオキシアルキレンアミンを含有する。実施例16の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、アミンを添加しても、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られるといえる。フラックスに添加するアミンの割合は、0質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0質量%以上1質量%以下であることがより好ましい。
実施例17のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、酒石酸、ポリオキシアルキレンアミンに加え、ベース剤の一例としてポリエチレングリコールを5質量%含有する。実施例16の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、ベース剤を添加しても、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られるといえる。フラックスに添加するベース剤の割合は0質量%以上5質量%以下であることが好ましい。
実施例18のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、酒石酸に加え、界面活性剤の一例として、ポリオキシプロピレンエチレンジアミンを10質量%含有する。実施例19のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、酒石酸、ポリオキシアルキレンアミン、ポリエチレングリコールに加えて、ポリオキシプロピレンエチレンジアミンを5質量%含有する。
実施例20のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、有機酸の一例としてのグルタル酸、ポリオキシアルキレンアミン、ポリエチレングリコールに加えて、界面活性剤の一例として、ポリオキシエチレンセチルエーテルを5質量%含有する。
実施例18、19の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、界面活性剤を添加しても、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られるといえる。
表には示さないが、実施例18のフラックスのポリオキシプロピレンエチレンジアミンの含有割合を15質量%に変えたフラックスも、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。この結果と、実施例18〜20の結果から、界面活性剤の種類は、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水溶性試験の結果を左右するものではなく、あらゆる界面活性剤を採用して好ましいことがわかる。また、フラックスに添加する界面活性剤の割合は、0質量%以上15質量%以下であることが好ましく、0質量%以上10質量%以下であることがより好ましいといえる。
実施例21のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、酒石酸、ポリオキシアルキレンアミン、ポリエチレングリコールに加えて、ハロゲン化合物の一例として、エチルアミン臭化水素酸塩を1質量%含有する。実施例22のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、酒石酸、ポリオキシアルキレンアミン、ポリエチレングリコール、ポリオキシプロピレンエチレンジアミンに加えて、エチルアミン臭化水素酸塩を1質量%含有する。実施例23のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、酒石酸に加えて、エチルアミン臭化水素酸塩を5質量%含有する。実施例24のフラックスは、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、酒石酸、ポリオキシアルキレンアミン、ポリエチレングリコール、ポリオキシプロピレンエチレンジアミンに加えて、ハロゲン化合物の一例として、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオールを1質量%含有する。
実施例21〜23の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、ハロゲン化合物を添加しても、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られるといえる。フラックスに添加するハロゲン化合物の割合は、0質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0質量%以上1質量%以下であることがより好ましいといえる。更に、実施例21〜24の結果から、ハロゲン化合物の種類は、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水溶性試験の結果を左右するものではなく、あらゆるハロゲン化合物を採用して好ましいことがわかる。
比較例7のフラックスは、実施例20のフラックスに添加された界面活性剤を、同じ割合のロジンに代えたものである。実施例20のフラックスでは、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られたものの、比較例7のフラックスでは水溶性試験で良好な結果を得られなかった。このことから、ロジンを添加したフラックスは、水溶性試験で良好な結果を得られないといえる。
実施例16〜24の結果から、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満、有機酸を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスは、アミン、ベース剤、界面活性剤、ハロゲン化合物の1つ以上を添加しても、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水溶性試験で良好な結果を得られることがいえる。
なお、実施例15〜24、比較例6、7は、いずれも加熱後にボールミッシングが発生せず、電極上にはんだバンプを形成した。
なお、本例において、溶剤の一例としてヘキシレングリコールを使用したが、他の溶剤を添加してもよく、例えば、ヘキシルジグリコール、1,3−ブタンジオール、オクタンジオール、アルキレンオキサイド・レゾルシン共重合物、2−エチルヘキシルジグリコール、フェニルグリコール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ターピネオール等を0質量%超50質量%未満含有するフラックスも、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。
なお、本例において、有機酸の例として酒石酸又はグルタル酸を使用したが、他の有機酸を添加してもよく、例えば、フェニルコハク酸、コハク酸、メタクリル酸メチル、マロン酸、アジピン酸、アゼライン酸、グリコール酸、ジグリコール酸、チオグリコール酸、チオジグリコール酸、プロピオン酸、リンゴ酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、トリマー酸等を1質量%以上15質量%以下含有するフラックスも、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。
なお、本例において、アミンの一例としてポリオキシアルキレンアミンを使用したが、他のアミンとして例えば、イミダゾール、アミノアルコールを添加してもよく、具体的には、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、ポリオキシエチレンアミン、ポリオキシプロピレンアミン、2−エチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等を0質量%以上5質量%以下添加したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。
なお、本例において、界面活性剤の一例としてポリオキシプロピレンエチレンジアミン又はポリオキシエチレンアルキルエーテルを使用したが、他の界面活性剤を添加してもよい。例えば、界面活性剤としてヒドロキシプロピル化エチレンジアミン、エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミド等を0質量%以上15質量%以下添加したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。
なお、本例において、ハロゲン化合物の一例としてエチルアミン臭化水素酸塩または2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオールを使用したが、他のハロゲン化合物を添加してもよく、アミンハロゲン化水素酸塩または有機ハロゲン化合物を0質量%以上5質量%以下添加したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。アミンハロゲン化水素酸塩としては、例えば、エチルアミン塩酸塩、エチルアミンヨウ化水素酸塩、2−エチルヘキシルアミン塩酸塩、2−エチルヘキシルアミン臭化水素酸塩、2−エチルヘキシルアミンヨウ化水素酸塩、シクロヘキシルアミン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミンヨウ化水素酸塩を添加したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。有機ハロゲン化合物としては、トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン1,4−ジオールを添加したフラックスも、はんだの濡れ広がり試験、TG法による試験及び水洗浄性試験で良好な結果を得られた。
なお、本実施例において、各組成の含有割合は、上に記載した割合に限られない。また、本実施例において、はんだボールを用いたが、これに限られず、Cu等の金属を核にした核ボールを用いてもよい。
本発明は、はんだボール又は金属を核とする核ボールを電極に搭載するために用いられるフラックスに適用される。

Claims (4)

  1. 2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールを50質量%以上90質量%以下、溶剤を0質量%超50質量%未満及び有機酸を1質量%以上15質量%以下含有し、ロジンが非含有であり、
    前記2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオールと前記溶剤の合計が83質量%以上99質量%以下で含有する
    ことを特徴とするフラックス。
  2. 更に、アミンを0質量%以上5質量%以下、ハロゲン化合物を0質量%以上5質量%以下含む
    ことを特徴とする請求項1に記載のフラックス。
  3. 更に、チキソ剤を0質量%以上5質量%以下、ベース剤を0質量%以上5質量%以下、界面活性剤を0質量%以上15質量%以下含む
    ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフラックス。
  4. アルミパンに当該フラックスを10mg詰めて、250℃ピーク、昇温速度1℃/secにて加熱し、加熱前の重量と比較し、加熱後の重量が15%以下となる
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフラックス。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108526758A (zh) * 2018-04-16 2018-09-14 东莞市华粤焊锡制品有限公司 焊锡膏助焊剂及其制备方法
WO2019132003A1 (ja) * 2017-12-29 2019-07-04 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト
WO2019172410A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 株式会社オリジン フラックス、ソルダペースト、はんだ付けプロセス、はんだ付け製品の製造方法、bgaパッケージの製造方法
CN111344107A (zh) * 2017-11-14 2020-06-26 千住金属工业株式会社 助焊剂、包芯软钎料和覆助焊剂粒料
US11117224B2 (en) 2018-04-26 2021-09-14 Senju Metal Industry Co., Ltd. Flux and solder paste

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6684373B2 (ja) * 2018-03-29 2020-04-22 株式会社タムラ製作所 はんだ付け用フラックス組成物
JP6617793B2 (ja) * 2018-06-01 2019-12-11 千住金属工業株式会社 ソルダペースト用フラックス及びソルダペースト
CN110328466B (zh) * 2019-07-06 2021-09-21 苏州龙腾万里化工科技有限公司 一种无卤免清洗助焊剂
TWI733301B (zh) * 2020-01-09 2021-07-11 廣化科技股份有限公司 焊料膏組成物及包含其之焊接方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016012407A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 保護素子およびその製造方法、ならびに保護素子用消散性フラックス

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5004509A (en) * 1990-05-04 1991-04-02 Delco Electronics Corporation Low residue soldering flux
US6059894A (en) * 1998-04-08 2000-05-09 Hewlett-Packard Company High temperature flip chip joining flux that obviates the cleaning process
JP2000306477A (ja) * 1999-04-16 2000-11-02 Sony Chem Corp 保護素子
JP3791403B2 (ja) * 2000-12-04 2006-06-28 富士電機ホールディングス株式会社 鉛フリーハンダ対応無洗浄用フラックスおよびこれを含有するハンダ組成物
JP3518512B2 (ja) 2001-01-25 2004-04-12 松下電器産業株式会社 半田ボールの搭載用フラックス
JP2003025089A (ja) * 2001-07-13 2003-01-28 Showa Denko Kk ハンダペースト
JP3866591B2 (ja) * 2001-10-29 2007-01-10 富士通株式会社 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体
US6887319B2 (en) * 2002-04-16 2005-05-03 Senju Metal Industry Co., Ltd. Residue-free solder paste
US7767032B2 (en) 2006-06-30 2010-08-03 W.C. Heraeus Holding GmbH No-clean low-residue solder paste for semiconductor device applications
JP4686638B2 (ja) * 2008-11-12 2011-05-25 積水化学工業株式会社 金属酸化物微粒子分散スラリー
WO2011027659A1 (ja) * 2009-09-03 2011-03-10 株式会社村田製作所 ソルダペースト、それを用いた接合方法、および接合構造
JP5807221B2 (ja) * 2010-06-28 2015-11-10 アユミ工業株式会社 接合構造体製造方法および加熱溶融処理方法ならびにこれらのシステム
JP2012089750A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
US20140130940A1 (en) 2011-06-08 2014-05-15 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder Paste
JP5896412B2 (ja) 2012-05-17 2016-03-30 エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 保護素子用ヒューズ素子およびそれを利用した回路保護素子
WO2015115483A1 (ja) 2014-02-03 2015-08-06 富士電機株式会社 半田付け用フラックス及び半田組成物
JP2017217694A (ja) * 2016-06-10 2017-12-14 京セラ株式会社 銀ロウペースト組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016012407A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 保護素子およびその製造方法、ならびに保護素子用消散性フラックス

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111344107A (zh) * 2017-11-14 2020-06-26 千住金属工业株式会社 助焊剂、包芯软钎料和覆助焊剂粒料
US11413711B2 (en) 2017-11-14 2022-08-16 Senju Metal Industry Co., Ltd. Flux, resin flux cored solder, and flux coated pellet
WO2019132003A1 (ja) * 2017-12-29 2019-07-04 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト
US11203087B2 (en) 2017-12-29 2021-12-21 Senju Metal Industry Co., Ltd. Flux and solder paste
WO2019172410A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 株式会社オリジン フラックス、ソルダペースト、はんだ付けプロセス、はんだ付け製品の製造方法、bgaパッケージの製造方法
JPWO2019172410A1 (ja) * 2018-03-09 2021-03-25 株式会社オリジン フラックス、ソルダペースト、はんだ付けプロセス、はんだ付け製品の製造方法、bgaパッケージの製造方法
EP3763477A4 (en) * 2018-03-09 2021-11-17 Origin Company, Limited FLUX, BRAZING PULP, BRAZING PROCESS, PROCESS FOR PRODUCING A BRAZING PRODUCT AND PROCESS FOR PRODUCING A BGA BOX
JP7356112B2 (ja) 2018-03-09 2023-10-04 株式会社オリジン フラックス、ソルダペースト、はんだ付けプロセス、はんだ付け製品の製造方法、bgaパッケージの製造方法
CN108526758A (zh) * 2018-04-16 2018-09-14 东莞市华粤焊锡制品有限公司 焊锡膏助焊剂及其制备方法
US11117224B2 (en) 2018-04-26 2021-09-14 Senju Metal Industry Co., Ltd. Flux and solder paste

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