JP6154248B2 - 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 - Google Patents

流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6154248B2
JP6154248B2 JP2013174642A JP2013174642A JP6154248B2 JP 6154248 B2 JP6154248 B2 JP 6154248B2 JP 2013174642 A JP2013174642 A JP 2013174642A JP 2013174642 A JP2013174642 A JP 2013174642A JP 6154248 B2 JP6154248 B2 JP 6154248B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow path
side wall
path member
bottom plate
lid body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013174642A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014060393A (ja
Inventor
和彦 藤尾
和彦 藤尾
敬一 関口
敬一 関口
石峯 裕作
裕作 石峯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2013174642A priority Critical patent/JP6154248B2/ja
Publication of JP2014060393A publication Critical patent/JP2014060393A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6154248B2 publication Critical patent/JP6154248B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置に関する。
内部に流路を有する流路部材は、流路に流体を流すことによって、流路部材と流路部材に接する他の部材とで熱交換を行なうことができ、それにより、流路部材に接する他の部材の温度を調節することができる。
例えば、特許文献1には、少なくとも1つの半導体素子と、該半導体素子を挟む一対のリードフレームとを有し、該リードフレームの外側表面を露出して、樹脂によりモールドされた半導体コンポーネントと、一対のリードフレームの外側表面にそれぞれ接合用金属で接合された、冷媒通路を有するセラミックチューブとを備え、セラミックチューブのリードフレームに接合される側の冷媒通路の第1の壁の肉厚は、第1の壁に対向する冷媒通路の第2の壁の肉厚より小さい半導体装置が開示されている。
特開2008−103623号公報
しかしながら、特許文献1の半導体装置は、第1の壁の肉厚が、この第1の壁に対向する冷媒通路の第2の壁の肉厚より小さいことによって、熱交換効率を向上できたものの、熱交換効率を上げるために、流路を流れる流体の圧力を高めに設定した場合、特に第1の壁が流体からの圧力によって破損しやすいという課題があった。
それゆえ本発明は、信頼性の向上した流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置を提供することを目的とするものである。
本発明の流路部材は、被処理物が載置される蓋体部と、底板部と、前記蓋体部と前記底板部とに接続された複数の側壁部とを備え、内部に流体が流れる流路を有する流路部材であって、前記流体が流れる方向に直交する断面視において、前記複数の側壁部のうち少なくとも1つが、前記底板部から前記蓋体部にかけて幅が段階的に広くなっている第1の側壁部とされていることを特徴とするものである。
また、被処理物が載置される蓋体部と、底板部と、前記蓋体部と前記底板部とに接続された複数の側壁部とを備え、内部に流体が流れる流路を有する流路部材であって、前記流体が流れる方向に直交する断面視において複数の流路口を有し、該流路口に挟まれた前記側壁部のうち、少なくとも供給口側に位置する側壁部が、前記底板部から前記蓋体部にかけて幅が広くなっている第1の側壁部とされており、該第1の側壁部は、排出口側に位置する側壁部よりも前記蓋体部と接する部位の幅が広いことを特徴とするものである。
また、本発明の熱交換器は、上記構成の流路部材の蓋体部の表面または内部に金属部材が設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の半導体製造装置は、上記構成の流路部材の蓋体部の内部に金属部材が設けられている熱交換器を備えていることを特徴とするものである。
本発明の流路部材によれば、蓋体部が破損しにくいことから、信頼性の向上した流路部材とすることができる。
また、本発明の熱交換器によれば、信頼性の向上した熱交換器とすることができる。
また、本発明の半導体製造装置によれば、信頼性の向上した半導体製造装置とすることができる。
本実施形態の流路部材の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。 本実施形態の流路部材の他の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。 本実施形態の流路部材のさらに他の一例を示す、(a)は供給口側における断面図であり、(b)は排出口側における断面図である。 本実施形態の流路部材のさらに他の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。 本実施形態の流路部材のさらに他の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。 本実施形態の流路部材のさらに他の例として、流体が流れる方向に対して水平な断面を示す断面図であり、(a)は蛇行状の流路、(b)はスパイラル状の流路である。 本実施形態の熱交換器を備える半導体製造装置の一例を示す概略図である。
以下、本発明の流路部材の実施の形態の例を説明する。
図1は、本実施形態の流路部材の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。なお、以降の図において同一の構成は、同一の符号を用いて説明する。
図1に示すように、本実施形態の流路部材10は、被処理物が載置される蓋体部1と、底板部3と、蓋体部1と底板部3とに接続された複数の側壁部2を備え、内部に流体が流れる流路4(図1(b)における断面図では、流路4の断面を示す流路口4aとして示す。)を有しており、流体が流れる方向に直交する断面視において、複数の側壁部2のうち少なくとも1つが、底板部3から蓋体部1にかけて幅が広くなっている第1の側壁部2aとされている。なお、図1を含め、図2〜図5においては、5本の側壁部2のうち、外壁を除く3本が第1の側壁部2aとされている例を示している。
ここで、底板部3から蓋体部1にかけて幅が広くなっている第1の側壁部2aとは、図1(b)に示すように、第1の側壁部2aの底板部3と接する部位の幅を2b、第1の側壁部2aの蓋体部1と接する部位の幅を2cとしたとき、底板部3に接する部位の幅2bに対して蓋体部1に接する部位の幅2cが広いものである。このような構成を満たしていることにより、第1の側壁部2aにおける蓋体部1と接する部位の幅が広く、蓋体部1と第1の側壁部2aとの接続面積が大きいことから、蓋体部1は破損しにくいため、信頼性の向上した流路部材10とすることができる。特に熱交換効率を向上すべく、蓋体部1の厚みを薄くした流路部材にこの構成を用いると有用てせある。
また、流体と接触する部分の表面積が、底板部3よりも蓋体部1の方が相対的に小さくなるものの、蓋体部1は破損しにくくなっているため、高い圧力の流体を流すことができることから、熱交換効率を維持することができる。それゆえ、熱交換効率を維持しつつ信頼性の向上した流路部材10とすることができる。なお、熱交換効率を維持しつつ信頼性の高い流路部材10とするには、外壁を除く側壁部2が複数あるときには、図1(b)に示す
ように、外壁を除く全ての側壁部2が第1の側壁部2aとされていることが好適である。なお、外壁が第1の側壁部2aとされているものであってもよいことはいうまでもない。
また、図1(b)に示すように、流路口4aの高さの寸法4bが、底板部3側の流路口4aの幅の寸法よりも長く形成されている流路部材10では、被処理物が載置されることとなる蓋体部1に近い第1の側壁部2aの流体との接触面積を比較的大きくすることができることから、熱交換効率を高く維持できるため好適である。
さらに、流路口4aの高さの寸法4bに対し、第1の側壁部2aの底板部3と接する部位の幅2bの寸法が0.2倍以上の範囲とし、第1の側壁部2aの底板部3と接する部位の
幅2bに対し、第1の側壁部2aの蓋体部1と接する部位の幅を2cの寸法が1.3倍以上3.0倍以下の範囲であれば、熱交換効率を高く維持することができるとともに、蓋体部1が外部からの物理的衝撃にも耐え得る優れた機械的強度をも有する流路部材10とすることができる。
また、被処理物における熱分布に違いがあるときなどは、側壁部2間の間隔を適宜調整するほか、第1の側壁部2aの幅の広がり具合を適宜調整することで、被処理物の均熱化を図ることができる、例えば、被処理物の中央部の温度が高く、外側が低いときには、流路部材10における中央部の側壁部2の間隔を広くし、外側の間隔を狭くすればよい。
ここで、流路部材10を構成する蓋体部1、側壁部2および底板部3は、金属や樹脂またはセラミックス等で作製することができる。また、蓋体部1、側壁部2および底板部3は、同じ材質で作製されてもよく、他の材質で作製されるものであってもよい。そして、腐食性の高いガスや液体を流路4に流すときには、各部材をセラミックスで作製することが好適であり、セラミックスとしては、アルミナ、ジルコニア、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、コージェライト、ムライト、炭化硼素、またはこれらの複合物を用いることができる。
特に、本実施形態の流路部材10は、炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体からなることが好ましい。ここで、主成分とは、焼結体を構成する全成分100質量%のうち80質量
%以上の割合で占める成分のことをいう。そして、本実施形態の流路部材10が、炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体からなるときには、優れた耐久性や耐食性に加えて、熱伝導率が高いことから熱交換効率が向上した流路部材10とすることができる。また、炭化珪素質焼結体は、主成分である炭化珪素が、他のセラミックス、例えばアルミナと比べて比重が小さく流路部材10の軽量化が図れるものであることから、大型の流路部材10が必要な場合に有用である。
なお、本実施形態の流路部材10がセラミックスからなるとき、熱交換効率を高く維持若しくはさらに向上させるには、第1の側壁部2aを含む側壁部2を構成するセラミックスとして熱伝導率の高いセラミックスを用いることが好適である。これは、蓋体部1に伝搬した熱が、効率よく側壁部2に伝搬し、それにより側壁部2と流体とで効率よく熱交換を行なうことができるからである。また、蓋体部1の厚みを薄くして熱交換効率の向上を図っている構成であるときには、蓋体部1よりも熱伝導率の高いセラミックスを用いて側壁部2を作製することが好適である。
例えば、第1の側壁部2aを含む側壁部2を、炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体とし、蓋体部1および底板部3をアルミナを主成分とするアルミナ質焼結体とすれば、熱交換効率に優れた流路部材10とすることができるうえに、蓋体部1と底板部3とを炭化珪素よりも原料価格が低いアルミナで作製することで、流路部材10の製造コストを下げることができる。
なお、流路部材10がセラミックスからなるとき、主成分を含め成分の結晶構造は、流路部材10から所定の大きさの試料を切り出してX線回折装置(XRD)で測定し、同定することによって確認することができる。また、各成分の元素の含有量については、走査型電子顕微鏡(SEM)に付設のエネルギー分散型X線分析装置(EDS)で測定することによって確認することができる。また、ICP発光分光分析装置または蛍光X線分析装置を用いて各元素の含有量を求め、結晶構造に基づいて、炭化物、酸化物、窒化物等に換算することによって含有量を確認することができる。
図2は、本実施形態の流路部材の他の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。
図2に示す本実施形態の流路部材20は、第1の側壁部2aの幅が、底板部3から蓋体部1にかけて段階的に広くなって配置されている。
このような構成とすれば、流路に流れる流体が乱流を生じやすくなるとともに、蓋体部1側の流路の幅が狭くなることから、流体が流れの早くなり易い蓋体部1側の方に流れるため、上記図1の構成にて得られる効果に加えて、さらに流路部材10の蓋体部1に載置される被処理物と流体との熱交換効率を高くすることができる。あわせて第1の側壁部2aの表面積を大きくできることからも熱交換効率を向上することができる。
また、図2(b)に示すように、本実施形態の流路部材20は、流路口4aの高さの寸法4bに対して、第1の側壁部2aの底板部3と接する部位の幅を2bの寸法が0.2倍以上
であるとき、第1の側壁部2aにおける底板部3側の幅が最も狭い部位の高さ2dが、30%以上45%以下であることが好ましい。この範囲であれば、流路部材として必要とされる熱交換効率と機械的強度とを備える信頼性の高い流路部材20とすることができる。
図3は、本実施形態の流路部材のその他の一例を示す、(a)は供給口側における断面図であり、(b)は排出口側における断面図である。
図3に示す本実施形態の流路部材30は、断面視において複数の流路口4aを有し、流路口4aに挟まれた側壁部2のうち、供給口側に位置する側壁部2が第1の側壁部2aとされておりとともに、第1の側壁部2aは、排出口側に位置する側壁部2よりも蓋体部1と接する部位の幅が広くなっている。なお、図3のように、流路4を複数有する場合には、蓋体部1と接する部位の幅の比較は、同一の第1の側壁部2aにおいて行なえばよく、蛇行状やスパイラル状の1つの流路を有する流路部材では、供給口側および排出口側の断面視において流路口4aに挟まれたそれぞれの側壁部2で比較すればよい。
このような構成とすれば、流路口4aに挟まれた側壁部2が第1の側壁部2aとされているとともに、排出口側に位置する側壁部2よりも蓋体部1と接する部位の幅が広いことから、流体が供給されるときに最も大きな圧力がかかり、特に破損しやすい供給口側において、流体の圧力による破損を抑制でき、さらに信頼性を向上することができる。
図4は、本実施形態の流路部材のその他の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。
図4に示す本実施形態の流路部材40は、断面視において、第1の側壁部2aが少なくとも底板部3側の1段目と、この1段目の蓋体部1側に接合される2段目とを有し、2段目における1段目側の少なくとも一部が、1段目に向けて突出する凸部2eを有している。なお、図4では、段を3段有しており、2段目および3段目のそれぞれの1段目側に凸部
2eを有する形状となっている。
流路部材40は、第1の側壁部2aの2段目おける1段目側の少なくとも一部に、1段目に向けて突出する凸部2eを有していることによって、高い圧力の流体を流したときや蓋体部1が物理的衝撃を受けたとき等に、第1の側壁部2aの1段目と2段目との接合部において、1段目がずれることによる破壊を抑制でき、信頼性が向上した流路部材40とすることができる。なお、2段目と3段目とにおいても同様の効果を得ることができる。さらに、図4(b)に示すように2段目および3段目のそれぞれの1段目側に凸部2eを有する形状とすることによって、第1の側壁部2aの表面積を広くすることができるとともに、流路4を流れる流体が乱流を発生し易くなることから、第1の側壁部2aと流体との熱交換効率を向上することもできる。
図5は、本実施形態の流路部材のその他の一例を示す、(a)は外観斜視図であり、(b)は(a)に示すA−A’線の断面図である。
図5に示す本実施形態の流路部材50は、断面視において、第1の側壁部2aの少なくとも一部が蓋体部1との接合部2fにおいて、蓋体部1側に向けて内側に湾曲している。このような構成とすれば、流路の表面積を広くすることができる。それにより、第1の側壁部2aおよび蓋体部1と流体との熱交換効率を向上することができる。さらに、例えば、図5において、流路における第1の側壁部2aと蓋体部1とで構成されるコーナー部の角度を鋭角とすることができる。蓋体部1と側壁部2との接合部において、蓋体部1側へクラックを生じる場合があるものの、流路4を構成する第1の側壁部2の少なくとも一部が蓋体部1との接合部において蓋体部1に向けて内側に湾曲していることで、コーナー部に生じる応力の向きを傾けることができ、クラックの進展距離を長くすることができる。それにより、流路部材50の破損を抑制できることから信頼性を向上させることができる。
なお、ここまでに説明してきた第1の側壁部2aの形状等は、各流路部材の切断面を公知の光学顕微鏡やマイクロスコープなどを用いて確認することができる。
図6は、本実施形態の流路部材のさらに他の例として、蓋体部および底板部に対して水平な断面を示す断面図であり、(a)は蛇行状の流路、(b)はスパイラル状の流路である。
図6に示す本実施形態の流路部材60は、流路が流路部材60中で連結されて一本の流路4として形成されている例を示している。
例えば、供給口が1箇所であり複数の流路4に分配されるときには、流体が、流体にかかる圧力が低い流路に流れやすく、熱交換にバラツキが生じる傾向があるが、図6に示すように、流路部材60中で連結された一本の流路4として形成されていれば、流体を流路の全体に効率よく流すことができる。それゆえ、熱交換の対象となる部材と流体との熱交換効率を向上することができる。また、図6(a)に示す蛇行状の流路4を有する流路部材60aや、図6(b)に示すスパイラル状の流路4を有する流路部材60bとすることによって、流路部材60の内部に流体を長く留まらせることができるので、熱交換を効率よく行なうことがきる。
また、本実施形態の流路部材10,20,30,40,50,60の蓋体部の表面1aまたは内部に金属部材を設けることにより、熱交換器とすることができる。
このような熱交換器において、例えば、蓋体部1の表面1aに金属部材を設け、さらに金属部材の表面に発熱部材を配置したときには、発熱部材により生じた熱が、金属部材に
効率良く伝達され、その伝達された熱が蓋体部1を介してさらに各側壁部2に伝達される。それにより、流路を流れる流体と効率よく熱交換することができる。さらに、本実施形態の流路部材10,20,30,40,50,60が、信頼性の高いものであることから、熱交換器についても信頼性の高いものとなる。なお、本実施形態の熱交換器においては、発熱部材としてLED素子やパワー半導体などの発熱を生じる電子部品を配置する場合に、特に有効である。
図7は、本実施形態の熱交換器を備える半導体製造装置の一例を示す概略図である。
この半導体製造装置70は、ウェハ72のプラズマ処理装置であり、ウェハ72が、本実施形態の流路部材10,20,30,40,50,60の蓋体部1の内部に金属部材11が設けられてなる熱交換器71に載置されている例を示している。そして、流路部材10,20,30,40,50,60は、供給口5に供給チューブ7が、排出口6に排出チューブ8が接続され、高温もしくは低温の気体または液体等の流体を、流路部材10,20,30,40,50,60の内部に有する流路4に流すことによってウェハ72の加熱または冷却を行なうものである。
また、ウェハ72の上方にはプラズマを発生させるための上部電極12を備えるとともに、熱交換器71を構成する流路部材10,20,30,40,50,60の蓋体部1の内部にある金属部材11を、プラズマを発生させるための下部電極として利用し、この下部電極である金属部材11と上部電極12との間に電圧を印加することにより、下部電極である金属部材11と上部電極12と間に生じさせたプラズマをウェハ72に当てることができるようになっている。そして、熱交換器71が本実施形態の流路部材10,20,30,40,50,60を備えていることから、プラズマ処理する際に高温となる下部電極としての金属部材11を安定した温度に維持することができる。また、ウェハ72の温度も制御されることから、寸法精度の高い加工ができる。
また、図7では金属部材11をプラズマ発生用の下部電極として用いた例を示したが、金属部材11に電流を流すことによって加熱すれば、流体の温度調整を行なうこともできる。さらに、蓋体部1を誘電体材料により形成し、金属部材11を静電吸着用の電極として用い、金属部材11に電圧を印加すれば、ウェハ72と誘電体層との間に生じるクローン力やジョンソン・ラーベック力などの静電吸着力によってウェハ72を吸着・保持することもできる。
このように、本実施形態の熱交換器71は、信頼性の高い本実施形態の流路部材10,20,30,40,50,60の蓋体部1の内部に金属部材11が設けられていることから、熱交換効率が高く、長期間の使用に耐え得る信頼性の高い熱交換器71とすることができる。
そして、本実施形態の熱交換器71を備える本実施形態の半導体製造装置70は、半導体素子の製造や検査に支障をきたすことの少ない信頼性の高い半導体製造装置とすることができる。また、本実施形態の半導体製造装置70としては、その一例を示す図7のプラズマ処理装置の他にスパッタ装置、レジスト塗布装置、CVD装置やエッチング処理装置等があり、これらの装置においても本実施形態の熱交換器71を備えることにより、上述した効果を得ることができる。
以下、本実施形態の流路部材の製造方法の一例について示す(以降の説明においては、図1〜図6に示す形状に特化した場合を除き、以降の流路部材には符号を付さずに説明する。)。
まず、流路部材10,20,30,40および60の作製にあたって、底板部3と、それ以外となる蓋体部1と側壁部2とが一体に形成された凹部を有する基体(以下、単に基体とも記載
する。)との成形体を得た後、接合剤を用いて底板部3と基体とを接合することによって流路部材10,20,30,40および60となる成形体を得た後焼結体を得る工程について説明する。
純度が90%以上であり平均粒径が1μm程度のセラミック原料を用意し、これに焼結助剤、バインダ、溶媒および分散剤等を所定量添加して混合したスラリーを噴霧造粒法(スプレードライ法)により噴霧乾燥して造粒し、1次原料とする。次に、噴霧乾燥して造粒した1次原料を所定形状のゴム型内へ投入し、静水圧プレス成形法(ラバープレス法)により成形し、その後、成形体をゴム型から取り外し、切削加工を施す。
なお、この切削加工において、基体となる成形体については、外形や流路を構成する凹部を所望の形状に加工するとともに、流体の供給口および排出口を形成する。
次に、流路部材10,20,30,40および60の底板部は、静水圧プレス法やスラリーを用いてセラミックスの一般的な成形法であるドクターブレード法やスラリーを造粒した後にロールコンパクション成形法によって作製したグリーンシートによって得られた成形体を形成する。
次に、基体となる成形体および底板部3となる成形体を接合する。接合に用いる接合剤としては、基体となる成形体および底板部3となる成形体の作製に用いたセラミック原料、焼結助剤、バインダ、分散剤および溶媒を所定量秤量して混合したスラリーからなる接合剤を用いる。そして、蓋体部1と側壁部2とを構成する基体となる成形体および底板部3となる成形体の少なくとも一方の接合部にこの接合剤を塗布し、基体となる成形体および底板部3となる成形体とが一体化した接合成形体を得る。そして、この接合成形体をセラミック原料に応じた雰囲気中において焼成することにより、本実施形態の流路部材10,20,30,40および60を得ることができる。
また、製造方法の他の例としては、上記と同様の方法で蓋体部1と側壁部2とを構成する基体となる成形体および底板部3となる成形体を作製した後、セラミック原料に応じた雰囲気中において焼成して、基体および底板部3の焼結体を得る。その後、ガラスからなる接合剤を用いて、基体および底板部3の焼結体の少なくとも一方の接合部にこの接合剤を塗布して一体化させ、熱処理することにより本実施形態の流路部材を得ることができる。
次に、押出し成形法を用いた流路部材10,20,40および50を作製する方法について説明する。
所望の形状になるような金型を準備し、公知の押出し成形法によって基体の成形体を得た後、焼成することによって、流路部材10,20,40および50とすることができる。なお、押出し成型法によって得られた蓋体部1と側壁部2と底板部3とが一体に形成されて基体となる成形体は、金型内において坏土が接合されてなるものであり、本実施形態の流路部材の製造方法に該当する。
さらに、複数の流路が流路部材の中で連結されて、一つの流路として形成するためには、例えば、押出し成形法で得られた成形体の側壁部2を切削によって加工した後、開放部を密閉するための成形体をスラリーからなる接合剤を用いて接合し、焼成することによって得ることができる。
また、他の例として、スラリーを用いてセラミックスの一般的な成形法であるドクターブレード法やスラリーを造粒した後にロールコンパクション成形法によってグリーンシー
トを形成し、金型により所望形状に打ち抜いた成形体を用いて積層するものであってもよい。
例えばその一例として、スラリーの作製方法としては、まず平均粒径が0.5μm以上2
μm以下である炭化珪素粉末と、焼結助剤として、炭化硼素およびカルボン酸塩の粉末とを準備する。そして、各粉末を、例えば、炭化珪素粉末100質量%に対して、炭化硼素に
粉末を0.12質量%以上1.4質量%以下、カルボン酸塩の粉末を1質量%以上3.4質量%以下となるように秤量して混合して混合粉末を得る。
次に、この混合粉末とともに、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、アクリル樹脂またはブチラール樹脂等のバインダと、水と、分散剤とを、ボールミル、回転ミル、振動ミルまたはビーズミル等に入れて混合する。ここで、バインダの添加量としては、成形体の強度や可撓性が良好で、また、焼成時に成形用バインダの脱脂が不十分とならないようにすればよく、このようにして作製されたスラリーを用いればよい。
このようにして作製した複数のグリーンシートを所望の流路4となるように積層するが、流路部材の第1の側壁部2aを形成するようにして積層するのが良く、必要に応じて、各グリーンシートの厚みを変更したり、積層するグリーンシートの枚数を変更してもよい。なお、流路部材40および50を得る場合には、積層する前のグリーンシートの状態で、グリーンシートに研削加工やレーザー加工を施して、第1の側壁部2aに有する凸部2eや、側壁部の少なくとも一部が、蓋体部との接合部において、蓋体部に向けて内側に湾曲している形状となるように加工したものを用いればよい。
また、それぞれのグリーンシートの接合面には、グリーンシートを作製するときに用いたものと同様のスラリーを接合剤として塗布し、グリーンシートを積層したあとに、平板状の加圧具を介して約0.5MPa程度の加圧を加え、そのあとに、約50〜70℃の室温で約10〜15時間乾燥させる。
次に、流路部材となる積層したグリーンシートを、例えば公知のプッシャー方式やローラー方式の連続トンネル炉で焼成する。それぞれの材質により焼成温度は異なるが、例えば、炭化珪素が主成分の材料であれば、不活性ガスの雰囲気中または真空雰囲気中、1800〜2200℃の温度範囲で10分〜10時間保持した後、2200〜2350℃の温度範囲で10分〜20時間にて焼成すればよい。
次に、流路部材において、側壁部2(第1の側壁部2aを含む)を構成するセラミックスを、熱伝導率の高いセラミックスを用いる場合の製造方法について説明する。なお、ここでの説明においては、蓋体部1と底板部3とをセラミックスにて作製する場合について説明する。
蓋体部1,第1の側壁部2a、第1の側壁部2aを除く側壁部2、底板部3を構成する部位を、公知のプレス法やグリーンシートを必要に応じて研削加工やレーザー加工を施した後に積層することによって成形体を作製し、それぞれのセラミック原料に応じた雰囲気中において焼成することによってセラミック焼結体を作製する。例えば、側壁部2(第1の側壁部2aを含む)を炭化珪素を主成分とする原料を用いて成形体を作製後に、不活性ガスの雰囲気中または真空雰囲気中で焼成し、また、蓋体部1および底板部3はアルミナを主成分とする原料を用いて成形体を作製後に大気雰囲気中で焼成することによって焼結体を得ることができる。その後、ガラスからなる接合剤を用いて、蓋体部1,第1の側壁部2a、第1の側壁部2aを除く側壁部2、底板部3のそれぞれの焼結体の少なくとも一方の接合部にこの接合剤を塗布して一体化させ、熱処理することにより本実施形態の流路部材を得ることができる。
ここで、例えば、本実施形態の流路部材の蓋体部1の表面1aに金属部材11を設けるためには、タングステン、モリブデン、銀、銅やアルミニウムを公知の印刷法で形成するか、活性金属法やロウ付け法を用いて接合すればよい。さらに、蓋体部1の内部に金属部材11を設けるには、蓋体部1の内部に孔等を形成し、形成された孔等に、タングステン、モリブデン、銀、銅やアルミニウムを充填すればよい。このように形成することによって熱交換器71を得ることができる。
以上のようにして得られた本実施形態の流路部材は、複数の側壁部2のうち少なくとも1つが、底板部3から蓋体部1にかけて幅が広くなっている第1の側壁部2aとされていることにより、第1の側壁部2aにおける蓋体部1と接する部位の幅が広いことによって蓋体部1が破損しにくいことから、信頼性の向上した流路部材とすることができる。また本実施形態の熱交換器71が本実施形態の流路部材の蓋体部1の表面または内部に金属部材が設けられていることにより、信頼性の向上した熱交換器71とすることができる。特に半導体製造装置70が本実施形態の熱交換器71を備えることにより、信頼性の高い半導体素子の製造や検査を行なうことができる。
10,20,30,40,50,60:流路部材
1:蓋体部
2:側壁部
2a:第1の側壁部
2e:凸部
2f:接合部
3:底板部
4:流路
4a:流路口
5:供給口
6:排出口
7:供給チューブ
8:排出チューブ
11:金属部材
12:電極
70:半導体製造装置
71:熱交換器
72:ウェハ

Claims (7)

  1. 被処理物が載置される蓋体部と、底板部と、前記蓋体部と前記底板部とに接続された複数の側壁部とを備え、内部に流体が流れる流路を有する流路部材であって、前記流体が流れる方向に直交する断面視において、
    前記複数の側壁部のうち少なくとも1つが、前記底板部から前記蓋体部にかけて幅が段階的に広くなっている第1の側壁部とされていることを特徴とする流路部材。
  2. 被処理物が載置される蓋体部と、底板部と、前記蓋体部と前記底板部とに接続された複数の側壁部とを備え、内部に流体が流れる流路を有する流路部材であって、前記流体が流れる方向に直交する断面視において複数の流路口を有し、
    該流路口に挟まれた前記側壁部のうち、少なくとも供給口側に位置する側壁部が、前記底板部から前記蓋体部にかけて幅が広くなっている第1の側壁部とされており、該第1の側壁部は、排出口側に位置する側壁部よりも前記蓋体部と接する部位の幅が広いことを特徴とする流路部材。
  3. 前記断面視において複数の流路口を有し、該流路口に挟まれた前記側壁部のうち、供給口側に位置する側壁部が前記第1の側壁部とされているとともに、該第1の側壁部は、排出口側に位置する側壁部よりも前記蓋体部と接する部位の幅が広いことを特徴とする請求項1に記載の流路部材。
  4. 前記断面視において、前記第1の側壁部が、少なくとも前記底板部側の1段目と、該1段目の前記蓋体部側に接合される2段目とを有し、該2段目における前記1段目側の少なくとも一部が、前記1段目に向けて突出する凸部を有していることを特徴とする請求項1または3に記載の流路部材。
  5. 前記断面視において、前記第1の側壁部の少なくとも一部が、前記蓋体部との接合部において、前記蓋体部に向けて内側に湾曲していることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の流路部材。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の流路部材の前記蓋体部の表面または内部に金属部材が設けられていることを特徴とする熱交換器。
  7. 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の流路部材の前記蓋体部の内部に金属部材が設けられている熱交換器を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
JP2013174642A 2012-08-24 2013-08-26 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 Active JP6154248B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013174642A JP6154248B2 (ja) 2012-08-24 2013-08-26 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012185445 2012-08-24
JP2012185445 2012-08-24
JP2013174642A JP6154248B2 (ja) 2012-08-24 2013-08-26 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014060393A JP2014060393A (ja) 2014-04-03
JP6154248B2 true JP6154248B2 (ja) 2017-06-28

Family

ID=50616564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013174642A Active JP6154248B2 (ja) 2012-08-24 2013-08-26 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6154248B2 (ja)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251601A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Toshiba Corp 半導体基板の製造方法
JP4015060B2 (ja) * 2003-05-20 2007-11-28 株式会社日立製作所 直接水冷型パワー半導体モジュール構造
JP4832419B2 (ja) * 2007-12-25 2011-12-07 トヨタ自動車株式会社 半導体モジュール
EP2582213B1 (en) * 2010-06-09 2021-01-20 Kyocera Corporation Flow channel member, heat exchanger using same, and electronic component device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014060393A (ja) 2014-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6018196B2 (ja) 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
JP6175437B2 (ja) 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
US9448014B2 (en) Channel member, and heat exchanger, semiconductor unit, and semiconductor manufacturing apparatus including the same
JP6162558B2 (ja) 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
WO2006001425A1 (ja) 静電チャック
WO2001097264A1 (fr) Plaque chauffante
KR20130036244A (ko) 유로 부재, 이것을 사용한 열교환기, 및 전자 부품 장치
WO2002042241A1 (fr) Corps fritte de nitrure d'aluminium, procede de production d'un corps fritte de nitrure d'aluminium, substrat ceramique et procede de production d'un substrat ceramique
JP2016171343A (ja) 流路部材、これを用いた熱交換器および電子部品装置ならびに半導体製造装置
US20190390912A1 (en) Heat exchanger
JP6154248B2 (ja) 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
JP6215668B2 (ja) セラミック焼結体、これを用いた流路部材ならびに半導体検査装置および半導体製造装置
JP6290635B2 (ja) 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
JP6401012B2 (ja) セラミック基体
JP6050505B2 (ja) 試料保持具
JP2001217060A (ja) セラミックヒータ
JP6437844B2 (ja) 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
JP6419030B2 (ja) 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
US20170317223A1 (en) Ceramic carrier body having solar cells
JP6122323B2 (ja) 試料保持具
JP2003146770A (ja) セラミック接合体
JP2017212328A (ja) セラミック流路部材
JP2015111032A (ja) 熱交換用部材および熱交換器
JP2008238085A (ja) 反応器、反応器収納用容器および反応装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161227

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170502

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170601

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6154248

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150