JP6153243B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
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Description
このような形態では、薄膜を形成する材料以外の異物が落下して、基材の表面に付着することにより、均一な薄膜形成ができないという課題があった。
減圧チャンバー内で帯状基材の両面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の前記帯状基材を巻き出す巻出ロールと、
前記帯状基材を搬送する搬送部と、
前記帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の前記帯状基材を巻き取る巻取ロールと、
前記薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
前記巻出ロールを収容する第1サブチャンバと、
前記巻取ロールを収容する第2サブチャンバとを備え、
前記搬送部は、第1メインロールと第2メインロールとを備え、
前記第1メインロールと前記第2メインロールとは、異なる高さで配置されており、
前記薄膜形成部は、第1薄膜形成部と第2薄膜形成部とを備え、
前記第1薄膜形成部は、前記第1ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第2薄膜形成部は、前記第2ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記搬送部には、前記第1メインロールと前記第2メインロールとの間に揺動ロールを備え、
前記揺動ロールは、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面より外側であって、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面に共通する外接平面よりも内側に配置されている
ことを特徴とする、薄膜形成装置である。
減圧チャンバー内で帯状基材の両面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の前記帯状基材を巻き出す巻出ロールと、
前記帯状基材を搬送する搬送部と、
前記帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の前記帯状基材を巻き取る巻取ロールと、
前記薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
前記巻出ロールを収容する第1サブチャンバと、
前記巻取ロールを収容する第2サブチャンバとを備え、
前記搬送部は、第1メインロールと第2メインロールとを備え、
前記第1メインロールと前記第2メインロールとは、異なる高さで配置されており、
前記薄膜形成部は、第1薄膜形成部と第2薄膜形成部とを備え、
前記第1薄膜形成部は、前記第1ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第2薄膜形成部は、前記第2ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第1薄膜形成部及び前記第2薄膜形成部は、
成膜チャンバーと、前記成膜チャンバーをプラズマ発生室と成膜室とに区分けする導電性のメッシュ材とを備え、
前記プラズマ発生室には、高周波発生部と、原料ガスを導入する原料ガス導入部を備え、
前記成膜室には、成膜用の反応ガスを導入する反応ガス導入部を備えた
ことを特徴とする、薄膜形成装置である。
減圧チャンバー内で帯状基材の両面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の前記帯状基材を巻き出す巻出ロールと、
前記帯状基材を搬送する搬送部と、
前記帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の前記帯状基材を巻き取る巻取ロールと、
前記薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
前記巻出ロールを収容する第1サブチャンバと、
前記巻取ロールを収容する第2サブチャンバとを備え、
前記搬送部は、第1メインロールと第2メインロールとを備え、
前記第1メインロールと前記第2メインロールとは、異なる高さで配置されており、
前記薄膜形成部は、第1薄膜形成部と第2薄膜形成部とを備え、
前記第1薄膜形成部は、前記第1ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第2薄膜形成部は、前記第2ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記搬送部には、前記第1メインロールと前記第2メインロールとの間に揺動ロールを備え、
前記揺動ロールは、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面より外側であって、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面に共通する外接平面よりも内側に配置されており、
前記第1薄膜形成部及び前記第2薄膜形成部は、
成膜チャンバーと、前記成膜チャンバーをプラズマ発生室と成膜室とに区分けする導電性のメッシュ材とを備え、
前記プラズマ発生室には、高周波発生部と、原料ガスを導入する原料ガス導入部を備え、
前記成膜室には、成膜用の反応ガスを導入する反応ガス導入部を備えた
ことを特徴とする、薄膜形成装置である。
前記第1メインロールは、前記第2メインロールより高い位置で平行に配置されており、
前記巻出ロールは、前記第1メインロールの側方であって、前記第2メインロールよりも上方に配置されており、
前記巻取ロールは、前記第2メインロールの側方であって、前記第1メインロールよりも下方に配置されている
ことを特徴とする、第1の発明〜第3の発明のいずれかに係る薄膜形成装置である。
前記第2メインロールは、前記第1メインロールより高い位置で平行に配置されており、
前記巻出ロールは、前記第1メインロールの側方であって、前記第2メインロールよりも下方に配置されており、
前記巻取ロールは、前記第2メインロールの側方であって、前記第1メインロールよりも上方に配置されている
ことを特徴とする、第1の発明〜第3の発明のいずれかに係る薄膜形成装置である。
図1は、本発明を具現化する形態の一例を示す断面図である。
薄膜形成装置1は、薄膜形成部2と、搬送部3と、巻出ロール4と、巻取ロール5と、第1サブチャンバ6と、第2サブチャンバ7と、メインチャンバ10とを備えている。メインチャンバ10は、薄膜形成部2と搬送部3とを収容しており、減圧調節弁を介して真空ポンプと接続されている。
図2は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す断面図であり、薄膜形成装置1bの概略を示している。
本発明に係る薄膜形成装置1bは、上述した薄膜形成装置1と基本構成を共通にしつつ、、搬送部3は、第1メインロール31と第2メインロール36との間に、揺動ロールR3を備えた構成としている。このとき、シートSは、符号S’で示す位置に架け渡される。そして、揺動ロールR3は、シートSの厚み方向(図2のレイアウトであればY方向やZ方向)に揺動できるような構成をしている。
本発明は、図3に示すような、薄膜形成部2がプラズマCVD方式の薄膜形成装置1bに適用することが好ましい。
図3は、本発明を具現化する形態のさらに別の一例を示す断面図であり、プラズマCVD方式の薄膜形成装置1cの概略を示している。
以下、プラズマCVD方式による薄膜形成部2について、詳細を述べる。
本発明に係る薄膜形成装置1cは、図3に示すように、以下の形態とすることが好ましい。つまり、第1メインロール31は、第2メインロール36より高い位置で平行に配置されており、巻出ロール4は、第1メインロール31の側方であって、第2メインロール36よりも上方に配置されており、巻取ロール5は、第2メインロール36の側方であって、第1メインロール31よりも下方に配置されている。
本発明に係る薄膜形成装置1dは、上述した薄膜形成装置1cと基本構成を共通にしつつ、細部が相違する構成としても良い。
図4は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す断面図である。
薄膜形成装置1dは、薄膜形成部2と、搬送部3と、巻出ロール4と、巻取ロール5と、第1サブチャンバ6と、第2サブチャンバ7と、メインチャンバ10とを備えている。メインチャンバ10は、薄膜形成部2と搬送部3とを収容しており、減圧調節弁を介して真空ポンプと接続されている。つまり、薄膜形成装置1cの各部2〜7,10の基本構成は、薄膜形成装置1cと同様である。
1b 薄膜形成装置
1c 薄膜形成装置
1d 薄膜形成装置
2 薄膜形成部
2A 第1薄膜形成部
2B 第2薄膜形成部
3 搬送部
4 巻出ロール
5 巻取ロール
6 第1サブチャンバ(巻出側)
7 第2サブチャンバ(巻取側)
10 メインチャンバ
20 成膜チャンバ
21 原料ガス導入部
22 高周波発生部
23 メッシュ材
24 反応ガス導入部
201 プラズマ発生室
202 成膜室
25 成膜チャンバ
26 原料ガス導入部
27 高周波発生部
28 メッシュ材
29 反応ガス導入部
251 プラズマ発生室
252 成膜室
31 第1メインロール
31f 外周面
31v 矢印(回転方向)
32 回転軸
33 駆動モータ
34 冷却区間
36 第2メインロール
36f 外周面
36v 矢印(回転方向)
37 回転軸
38 駆動モータ
39 冷却区間
41 回転軸
42 回転モータ
43 矢印
51 回転軸
52 回転モータ
53 矢印
61 開口部
62 ゲート開閉部
71 開口部
72 ゲート開閉部
S シート(帯状基材,長尺のフィルムシート)
s1 シートSの表面
s2 シートSの裏面
Sv 矢印(シート搬送方向)
R1 サブロール
R2 サブロール
R3 揺動ロール
TF1 外接平面
TF2 外接平面
RE 領域
Claims (5)
- 減圧チャンバー内で帯状基材の両面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の前記帯状基材を巻き出す巻出ロールと、
前記帯状基材を搬送する搬送部と、
前記帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の前記帯状基材を巻き取る巻取ロールと、
前記薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
前記巻出ロールを収容する第1サブチャンバと、
前記巻取ロールを収容する第2サブチャンバとを備え、
前記搬送部は、第1メインロールと第2メインロールとを備え、
前記第1メインロールと前記第2メインロールとは、異なる高さで配置されており、
前記薄膜形成部は、第1薄膜形成部と第2薄膜形成部とを備え、
前記第1薄膜形成部は、前記第1ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第2薄膜形成部は、前記第2ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記搬送部には、前記第1メインロールと前記第2メインロールとの間に揺動ロールを備え、
前記揺動ロールは、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面より外側であって、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面に共通する外接平面よりも内側に配置されている
ことを特徴とする、薄膜形成装置。 - 減圧チャンバー内で帯状基材の両面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の前記帯状基材を巻き出す巻出ロールと、
前記帯状基材を搬送する搬送部と、
前記帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の前記帯状基材を巻き取る巻取ロールと、
前記薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
前記巻出ロールを収容する第1サブチャンバと、
前記巻取ロールを収容する第2サブチャンバとを備え、
前記搬送部は、第1メインロールと第2メインロールとを備え、
前記第1メインロールと前記第2メインロールとは、異なる高さで配置されており、
前記薄膜形成部は、第1薄膜形成部と第2薄膜形成部とを備え、
前記第1薄膜形成部は、前記第1ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第2薄膜形成部は、前記第2ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第1薄膜形成部及び前記第2薄膜形成部は、
成膜チャンバーと、前記成膜チャンバーをプラズマ発生室と成膜室とに区分けする導電性のメッシュ材とを備え、
前記プラズマ発生室には、高周波発生部と、原料ガスを導入する原料ガス導入部を備え、
前記成膜室には、成膜用の反応ガスを導入する反応ガス導入部を備えた
ことを特徴とする、薄膜形成装置。 - 減圧チャンバー内で帯状基材の両面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の前記帯状基材を巻き出す巻出ロールと、
前記帯状基材を搬送する搬送部と、
前記帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の前記帯状基材を巻き取る巻取ロールと、
前記薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
前記巻出ロールを収容する第1サブチャンバと、
前記巻取ロールを収容する第2サブチャンバとを備え、
前記搬送部は、第1メインロールと第2メインロールとを備え、
前記第1メインロールと前記第2メインロールとは、異なる高さで配置されており、
前記薄膜形成部は、第1薄膜形成部と第2薄膜形成部とを備え、
前記第1薄膜形成部は、前記第1ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記第2薄膜形成部は、前記第2ロールの外周面の重力下方若しくは側方に配置されており、
前記搬送部には、前記第1メインロールと前記第2メインロールとの間に揺動ロールを備え、
前記揺動ロールは、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面より外側であって、
前記第1メインロールの外周面と前記第2メインロールの外周面に共通する外接平面よりも内側に配置されており、
前記第1薄膜形成部及び前記第2薄膜形成部は、
成膜チャンバーと、前記成膜チャンバーをプラズマ発生室と成膜室とに区分けする導電性のメッシュ材とを備え、
前記プラズマ発生室には、高周波発生部と、原料ガスを導入する原料ガス導入部を備え、
前記成膜室には、成膜用の反応ガスを導入する反応ガス導入部を備えた
ことを特徴とする、薄膜形成装置。 - 前記第1メインロールは、前記第2メインロールより高い位置で平行に配置されており、
前記巻出ロールは、前記第1メインロールの側方であって、前記第2メインロールよりも上方に配置されており、
前記巻取ロールは、前記第2メインロールの側方であって、前記第1メインロールよりも下方に配置されている
ことを特徴とする、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の薄膜形成装置。 - 前記第2メインロールは、前記第1メインロールより高い位置で平行に配置されており、
前記巻出ロールは、前記第1メインロールの側方であって、前記第2メインロールよりも下方に配置されており、
前記巻取ロールは、前記第2メインロールの側方であって、前記第1メインロールよりも上方に配置されている
ことを特徴とする、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の薄膜形成装置。
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