JP6146460B2 - Light emitting element - Google Patents
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Description
本発明は、発光素子に関する。 The present invention relates to a light emitting element.
従来から発光素子は、均一な発光を可能とするために様々な開発が行なわれている。例えば、平面形状が四角形である発光素子の電極構造としては、第１電極および第２電極の一方が発光素子の上面に配置され、一方の電極の周囲を囲む形態で他方の電極が配置されている発光素子が提案されている（特許文献１〜３）。これらの電極構造は、それぞれ、発光素子の上面全体に渡って均一な光が出射されるように、電流密度の均一な分布が図られている。 Conventionally, various developments have been made on light emitting elements in order to enable uniform light emission. For example, as the electrode structure of a light emitting element having a quadrangular planar shape, one of the first electrode and the second electrode is disposed on the upper surface of the light emitting element, and the other electrode is disposed in a form surrounding the periphery of the one electrode. A light emitting element has been proposed (Patent Documents 1 to 3). These electrode structures each have a uniform distribution of current density so that uniform light is emitted over the entire top surface of the light emitting element.
これら種々の電極構造による電流密度の分布よりも、さらに電流密度の均一な分布を図り、発光素子の上面全体に渡ってより均一な光が出射される発光素子が求められている。 There is a need for a light-emitting element that has a more uniform current density than that of these various electrode structures and emits more uniform light over the entire top surface of the light-emitting element.
そこで本発明の実施形態は、電流密度分布の偏りをより一層低減した発光素子を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the embodiment of the present invention is to provide a light emitting device in which the bias of the current density distribution is further reduced.
本発明の実施形態に係る発光素子は、
（１）平面形状が五角形以上の多角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第１電極及び第２電極とを備える発光素子であって、
前記第１電極は、第１パッド部と、前記多角形の重心と同じ位置に中心をもち、かつ前記第１パッド部が内側で接する仮想円に沿って前記第１パッド部から延伸する第１延伸部と、前記第１延伸部とは反対側に前記第１パッド部から前記仮想円に沿って延伸する第２延伸部と、を有することを特徴とする。
（２）平面形状が五角形以上の多角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第１電極及び第２電極とを備える発光素子であって、
前記第１電極は、第１パッド部と、前記第１パッド部から前記多角形の重心と同じ位置に中心を持つ仮想円に重なるように延伸する第１延伸部と、前記第１延伸部とは反対側に前記第１パッド部から前記仮想円に重なるように延伸する第２延伸部と、を有し、
前記第１パッド部は、前記仮想円に対して内側に偏在することを特徴とする。
（３）平面形状が六角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第１電極及び第２電極とを備える発光素子であって、
前記第１電極は、前記六角形を構成する一辺の近傍に配置される第１パッド部と、前記第１パッド部から前記六角形の重心と同じ位置に中心を持つ仮想円に沿って延伸する第１延伸部と、前記第１延伸部とは反対側に前記第１パッド部から前記仮想円に沿って延伸する第２延伸部と、を有し、
前記第２電極は、前記仮想円よりも内側に配置されており、前記六角形を構成する一辺に対向する他辺の近傍に配置される第２パッド部を有することを特徴とする。
The light emitting device according to the embodiment of the present invention,
(1) A light-emitting element including a semiconductor layer whose planar shape is a pentagon or more polygon, and a first electrode and a second electrode provided on the semiconductor layer,
The first electrode has a first pad portion and a first center extending from the first pad portion along a virtual circle having a center at the same position as the center of gravity of the polygon and contacting the first pad portion on the inside. It has an extending part and a second extending part extending along the virtual circle from the first pad part on the opposite side to the first extending part.
(2) A light emitting device comprising a semiconductor layer whose planar shape is a pentagon or more polygon, and a first electrode and a second electrode provided on the semiconductor layer,
The first electrode includes a first pad portion, a first extending portion extending from the first pad portion so as to overlap a virtual circle centered at the same position as the center of gravity of the polygon, and the first extending portion. Has a second extending portion extending on the opposite side so as to overlap the virtual circle from the first pad portion,
The first pad part is unevenly distributed inward with respect to the virtual circle.
(3) A light-emitting element comprising a semiconductor layer having a hexagonal planar shape, and a first electrode and a second electrode provided on the semiconductor layer,
The first electrode extends along a virtual circle centered at the same position as the center of gravity of the hexagon from the first pad portion, and a first pad portion disposed in the vicinity of one side constituting the hexagon. A first extending portion, and a second extending portion extending along the virtual circle from the first pad portion on the opposite side of the first extending portion,
The second electrode is disposed on the inner side of the virtual circle, and has a second pad portion disposed in the vicinity of the other side facing one side constituting the hexagon.
本発明の実施形態に係る発光素子によれば、電流密度分布の偏りをより一層低減させることができる。 According to the light emitting device according to the embodiment of the present invention, the bias of the current density distribution can be further reduced.
本発明の実施形態及び実施例を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する様態としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。一部の実施形態及び実施例において説明された内容は、他の実施形態及び実施例等に利用可能なものもある。 Each element constituting the embodiment and the example of the present invention may be configured such that a plurality of elements are constituted by the same member and the plurality of elements are shared by one member, and conversely, the function of one member is provided. It can also be realized by sharing a plurality of members. The contents described in some embodiments and examples may be used in other embodiments and examples.
本発明の実施形態に係る発光素子は、半導体層と、半導体層上に設けられた第１電極及び第２電極とを備える。
（半導体層）
半導体層は、発光素子における発光部である。その材料は、特に限定されず、例えば、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物半導体材料が挙げられる。
半導体層は、通常、複数層から構成されている。例えば、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、これら第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層の間に配置された活性層によって構成されているものが挙げられる。第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、互いに異なる導電型を有する。
A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor layer, and a first electrode and a second electrode provided on the semiconductor layer.
(Semiconductor layer)
The semiconductor layer is a light emitting portion in the light emitting element. The material is not particularly limited, and examples thereof include nitride semiconductor materials such as In X Al Y Ga 1-XY N (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1).
The semiconductor layer is usually composed of a plurality of layers. For example, the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer may be used. The first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer have different conductivity types.
第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。積層構造の場合は、第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層を構成する全ての層が第１導電型又は第２導電型を示すものでなくてもよい。活性層は、量子効果が生ずる薄膜に形成された単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造のいずれでもよい。 The first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer may have a single layer structure or a stacked structure. In the case of a stacked structure, all the layers constituting the first conductivity type semiconductor layer or the second conductivity type semiconductor layer may not show the first conductivity type or the second conductivity type. The active layer may be either a single quantum well structure or a multiple quantum well structure formed in a thin film in which a quantum effect occurs.
半導体層は、通常、基板上に積層されている。基板の材料としては、特に限定されず、例えばサファイア（Ａｌ2Ｏ3）等が挙げられる。ただし、発光素子では、必ずしもこのような基板が存在しなくてもよい。 The semiconductor layer is usually laminated on a substrate. The material for the substrate is not particularly limited, and examples thereof include sapphire (Al 2 O 3 ). However, such a substrate does not necessarily exist in a light emitting element.
半導体層は、後述する第１電極及び第２電極をこれら半導体層の同一面側に配置させるために、例えば、第１導電型半導体層の一部が露出するように、第２導電型半導体層が第１導電型半導体層の上に積層されているか、第２導電型半導体層の一部が露出するように、第１導電型半導体層が第２導電型半導体層の上に積層されている。 In order to arrange the first electrode and the second electrode, which will be described later, on the same surface side of these semiconductor layers, the semiconductor layer is, for example, a second conductivity type semiconductor layer so that a part of the first conductivity type semiconductor layer is exposed. Is stacked on the first conductive semiconductor layer, or the first conductive semiconductor layer is stacked on the second conductive semiconductor layer so that a part of the second conductive semiconductor layer is exposed. .
発光素子及び／又は半導体層の平面形状は、特に限定されず、円形又は五角形以上の多角形であることが好ましい。多角形の場合は、正多角形であることが好ましい。多角形としては、例えば、五角形、六角形、八角形、十角形、十二角形等が好ましく、特に、生産性の観点から基板上に最密に配置可能な六角形がより好ましい。ただし、多角形は、その角が丸みを帯びていてもよい。発光素子及び半導体層の平面形状は同じであるか、相似形であることが好ましいが、いずれか一方、特に半導体層が上述した平面形状であればよい。
また、半導体層の上面の対角線（つまり、最大長さ又は直径）は、例えば、数百〜数千μｍ程度が挙げられ、４５０〜１７００μｍ程度が好ましい。
The planar shape of the light emitting element and / or the semiconductor layer is not particularly limited, and is preferably a circular shape or a polygon having a pentagon or more. In the case of a polygon, it is preferably a regular polygon. As the polygon, for example, a pentagon, a hexagon, an octagon, a decagon, a dodecagon, and the like are preferable, and in particular, a hexagon that can be arranged on the substrate closest to the productivity is more preferable. However, the polygon may have rounded corners. The planar shapes of the light emitting element and the semiconductor layer are preferably the same or similar, but any one of them may be the planar shape described above, in particular, the semiconductor layer.
Moreover, the diagonal (namely, maximum length or diameter) of the upper surface of a semiconductor layer is about several hundreds-several thousand micrometers, for example, About 450-1700 micrometers is preferable.
（第１電極及び第２電極）
半導体層上に設けられた第１電極及び第２電極は、半導体層の同一面側に配置されることが好ましい。特に、第１電極は、直接又は間接的に第１導電型半導体層に電気的に接続され、第２電極は、直接又は間接的に第２導電型半導体層に電気的に接続されて、これら半導体層の同一面側に配置されていることが好ましい。
(First electrode and second electrode)
The first electrode and the second electrode provided on the semiconductor layer are preferably arranged on the same surface side of the semiconductor layer. In particular, the first electrode is directly or indirectly electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer, and the second electrode is directly or indirectly electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer. It is preferable to arrange on the same side of the semiconductor layer.
第１電極又は第２電極は、平面視において、半導体層の周縁よりも内側に配置されていることが好ましい。言い換えると、第１電極が第２導電型半導体層に囲まれている及び／又は第２電極が第１導電型半導体層に囲まれていることが好ましい。これにより、第１電極又は第２電極の全周で電流を拡散させることができる。第１電極は、その一部又は全部が、第２電極に囲まれた形態であってもよいし、その逆でもよい。つまり、ｎ側電極の一部又は全部がｐ側電極に囲まれた形態であってもよいし、ｐ側電極の一部又は全部がｎ側電極に囲まれた形態であってもよい。なかでも、活性層の面積確保を考慮すると、前者が好ましい。 The first electrode or the second electrode is preferably arranged on the inner side of the periphery of the semiconductor layer in plan view. In other words, it is preferable that the first electrode is surrounded by the second conductive semiconductor layer and / or the second electrode is surrounded by the first conductive semiconductor layer. Thereby, an electric current can be spread | diffused in the perimeter of a 1st electrode or a 2nd electrode. The first electrode may be partially or entirely surrounded by the second electrode, or vice versa. That is, a part or all of the n-side electrode may be surrounded by the p-side electrode, or a part or all of the p-side electrode may be surrounded by the n-side electrode. Of these, the former is preferable in view of securing the area of the active layer.
第１電極は、第１パッド部を有する。第１電極は、第１パッド部に加えて、第１パッド部から延伸する第１延伸部及び第２延伸部を有することが好ましい。また、第1電極は、第１延伸部及び第２延伸部に加えて又は代えて、後述する第２パッド部に向かって延伸する第５延伸部を有していてもよい。
第２電極は、第２パッド部を有する。第２電極は、第２パッド部から延伸する第３延伸部及び第４延伸部を有することが好ましい。また、第２電極は、第３延伸部及び第４延伸部に加えて又は代えて、第１パッド部に向かって延伸する第６延伸部を有していてもよい。
The first electrode has a first pad portion. In addition to the first pad portion, the first electrode preferably has a first extending portion and a second extending portion extending from the first pad portion. Moreover, the 1st electrode may have the 5th extending | stretching part extended | stretched toward the 2nd pad part mentioned later in addition to or instead of the 1st extending | stretching part and the 2nd extending | stretching part.
The second electrode has a second pad portion. The second electrode preferably has a third extending portion and a fourth extending portion that extend from the second pad portion. Moreover, the 2nd electrode may have the 6th extending | stretching part extended | stretched toward a 1st pad part in addition to or instead of a 3rd extending | stretching part and a 4th extending | stretching part.
（第１パッド部及び第２パッド部）
第１パッド部及び第２パッド部は、発光素子に電流を供給するために外部接続部材が接続されるため、例えば、バンプが形成されたり、ワイヤがボンディングされたりするための部位である。
第１パッド部及び第２パッド部は、平面視において、半導体層の対向する部位（例えば、対向する辺又は頂点）側にそれぞれ偏在していることが好ましい。例えば、第１パッド部及び第２パッド部は、半導体層の中線（半導体層の形状によっては、多角形の「重心を通る線」ということもある）上に配置されていることが好ましく、互いに、半導体層の中心（半導体層の形状によっては、「重心」ということもある）よりも周縁に近い位置に配置されていることがより好ましい。ここでの半導体層の中線とは、半導体層の中心を通る線を意味する。ただし、本明細書では、中線、重心を通る線、中心、重心等は、半導体層の加工精度等によって、数μｍから数十μｍ程度の変動が許容される。
(First pad part and second pad part)
The first pad portion and the second pad portion are parts for forming bumps or bonding wires, for example, because an external connection member is connected to supply current to the light emitting element.
It is preferable that the first pad portion and the second pad portion are unevenly distributed on the facing portions (for example, facing sides or vertices) side of the semiconductor layer in plan view. For example, the first pad portion and the second pad portion are preferably disposed on the middle line of the semiconductor layer (sometimes referred to as a polygonal “line passing through the center of gravity” depending on the shape of the semiconductor layer), It is more preferable that the semiconductor layers are disposed closer to the periphery than the center of the semiconductor layer (sometimes referred to as “center of gravity” depending on the shape of the semiconductor layer). Here, the middle line of the semiconductor layer means a line passing through the center of the semiconductor layer. However, in the present specification, the center line, the line passing through the center of gravity, the center, the center of gravity, and the like are allowed to vary from several μm to several tens of μm depending on the processing accuracy of the semiconductor layer.
半導体層の平面形状が多角形である場合、第１パッド部及び第２パッド部は、いずれも多角形の頂点に対向して配置されていてもよいが、電流密度分布の偏りを低減させる観点から、多角形の辺に対面して配置されていることが好ましく、特に多角形の辺の中央に対面して、言い換えると、多角形を構成する一辺の垂直二等分線上に配置されていることがより好ましい。なかでも、第１パッド部は、後述する第１仮想円に対して内側に偏在していることが好ましい。つまり、第１パッド部は、第１仮想円の内側に占める割合が多いことを意味する。第２パッド部は、多角形、特に六角形を構成する一辺の垂直二等分線上に配置されていることが好ましい。 When the planar shape of the semiconductor layer is a polygon, the first pad portion and the second pad portion may be arranged so as to face the vertex of the polygon, but the viewpoint of reducing the bias of the current density distribution From the side of the polygon, preferably facing the center of the polygon, in other words, on the vertical bisector of one side of the polygon It is more preferable. Especially, it is preferable that the 1st pad part is unevenly distributed inside with respect to the 1st virtual circle mentioned later. That is, the first pad portion has a large proportion of the inside of the first virtual circle. It is preferable that the 2nd pad part is arrange | positioned on the perpendicular bisector of one side which comprises a polygon, especially a hexagon.
第１パッド部及び第２パッド部の平面形状は、発光素子の大きさ、電極の配置等によって適宜調整することができる。例えば、円形、正多角形などの形状とすることができる。なかでも、ワイヤボンディングのしやすさ等を考慮すると、円形状又はこれに近似する形状が好ましい。また、第１パッド部及び第２パッド部の大きさは、発光素子の大きさ、電極の配置等によって適宜調整することができる。例えば、直径７０μｍ〜１５０μｍ程度の略円形とすることができる。 The planar shapes of the first pad portion and the second pad portion can be appropriately adjusted depending on the size of the light emitting element, the arrangement of the electrodes, and the like. For example, it can be a shape such as a circle or a regular polygon. Among these, considering the ease of wire bonding and the like, a circular shape or a shape similar to this is preferable. Further, the size of the first pad portion and the second pad portion can be appropriately adjusted depending on the size of the light emitting element, the arrangement of the electrodes, and the like. For example, it can be a substantially circular shape with a diameter of about 70 μm to 150 μm.
（第１延伸部及び第２延伸部）
第１パッド部から延伸する第１延伸部及び第２延伸部は、第１パッド部が内側で接する第１仮想円に沿って延伸することが好ましい。特に、第１延伸部及び第２延伸部は、第１パッド部両側から延伸するか、あるいは、第２延伸部は第１延伸部と反対側に第１パッド部から延伸することが好ましい。ここで、反対側とは、例えば、半導体層の平面形状である多角形の重心と第１パッド部の重心とを通る線に対して異なる側を意味する。これにより、第１電極において、配置された周囲の電流密度が高くなる傾向にある第１パッド部が、局所的に半導体層の周縁に近づかないようにすることができるため、第１パッド部と半導体層の周縁との間で生じる電流の偏りを緩和することができる。その結果、電流密度分布の偏りをより一層低減させることができる。
第１仮想円は、第１パッド部が内側で接する限り、その大きさ及び位置は、適宜設定することができる。なかでも、平面視において、半導体層の周縁よりも内側に収まっていることが好ましい。第１仮想円の中心は、第１電極から半導体層の周縁（例えば、半導体層の平面形状が多角形の場合は、各辺又は各頂点）までの距離を均等にすることができるため、半導体層の中心と同じ、つまり、半導体層の平面形状である多角形の重心と同じであることが好ましい。ただし、ここでいう第１仮想円の中心と半導体層の中心又は重心とが同じとは、上述したように第１仮想円と半導体層の中心又は重心が完全に一致していることが好ましいが、電流密度分布に偏りが生じない程度であれば、第１パッド部の直径（所謂、最長長さ）程度以内、好ましくは半径程度以内で、中心がシフトしていてもよい（図６Ｅ参照）。第１仮想円は、半導体層の全面積の５５〜８０％程度を取り囲む円であることが好ましく、６５〜７０％程度を取り囲む円であることがより好ましい。言い換えると、第１仮想円の直径は、半導体層の対角線又は直径、つまり、中心を通る最長の線に対して６５％以上が好ましく、８０％以下が好ましい。
(1st extending part and 2nd extending part)
It is preferable that the 1st extending | stretching part and 2nd extending | stretching part extended | stretched from a 1st pad part are extended | stretched along the 1st virtual circle which a 1st pad part touches inside. In particular, it is preferable that the first extending portion and the second extending portion extend from both sides of the first pad portion, or the second extending portion extends from the first pad portion on the opposite side to the first extending portion. Here, the opposite side means, for example, a different side with respect to a line passing through the center of gravity of a polygon that is a planar shape of the semiconductor layer and the center of gravity of the first pad portion. Thereby, in the first electrode, the first pad portion that tends to have a high current density around the disposed area can be prevented from locally approaching the periphery of the semiconductor layer. It is possible to alleviate the current bias that occurs between the periphery of the semiconductor layer. As a result, the bias of the current density distribution can be further reduced.
As long as the first pad portion is in contact with the inside of the first virtual circle, the size and position of the first virtual circle can be set as appropriate. Especially, it is preferable that it is located inside the periphery of the semiconductor layer in a plan view. Since the center of the first virtual circle can equalize the distance from the first electrode to the periphery of the semiconductor layer (for example, each side or each vertex when the planar shape of the semiconductor layer is a polygon) The center of the layer is preferably the same as the center of the polygon, that is, the center of gravity of the polygon which is the planar shape of the semiconductor layer. However, it is preferable that the center of the first virtual circle and the center or the center of gravity of the semiconductor layer are the same, as described above, that the center of the first virtual circle and the center or the center of gravity of the semiconductor layer completely coincide with each other. As long as there is no bias in the current density distribution, the center may be shifted within the diameter (so-called longest length) of the first pad portion, preferably within the radius (see FIG. 6E). . The first virtual circle is preferably a circle surrounding about 55 to 80% of the total area of the semiconductor layer, and more preferably a circle surrounding about 65 to 70%. In other words, the diameter of the first virtual circle is preferably 65% or more and more preferably 80% or less with respect to the diagonal line or diameter of the semiconductor layer, that is, the longest line passing through the center.
また、第１仮想円に沿うとは、第１仮想円の上に配置すること、第１仮想円の内側又は外側に接しながら延伸すること、第１仮想円から離間するとしても並行して延伸すること等を意味する。このような第１仮想円に沿う部分は、第１延伸部及び第２延伸部の全部であることが好ましいが、一部のみでもよい。なかでも、第１仮想円の上に配置するか、第１仮想円の外側に接して又は第１仮想円の外側に離間して延伸することが好ましく、第１パッド部と半導体層の周縁との間に生じる電流の偏りを軽減することができる。ただし、第１延伸部及び第２延伸部が第１仮想円から離間するとしても、その距離は、第１延伸部及び第２延伸部の幅の２倍以下であることが好ましく、１．５倍以下又は１倍以下であることがより好ましい。 Further, along the first imaginary circle means to arrange on the first imaginary circle, to extend while touching the inside or outside of the first imaginary circle, and to extend in parallel even if separated from the first imaginary circle It means to do. Such a portion along the first virtual circle is preferably all of the first extending portion and the second extending portion, but may be only a part. Among them, it is preferable that the first pad is arranged on the first virtual circle, or is extended in contact with the outer side of the first virtual circle or separated from the outer side of the first virtual circle. Current bias generated during the period can be reduced. However, even if the first extending portion and the second extending portion are separated from the first virtual circle, the distance is preferably not more than twice the width of the first extending portion and the second extending portion, and 1.5 It is more preferable that it is less than 1 time or less than 1 time.
第１延伸部及び第２延伸部は、例えば、第２電極の第２パッド部の近傍まで延伸していることが好ましい。第１延伸部及び第２延伸部は、第１仮想円に沿って、それらの先端が互いに連結していてもよいが、半導体層の上面側から取り出される光を考慮して、第１延伸部及び第２延伸部の面積の増加が最小限となるように、第２パッド部の近傍でそれらの先端が互いに離間していてもよい。なお、ここでの離間する第１延伸部及び第２延伸部の距離は、例えば、第１仮想円の円周において、第１パッド部及び／又は第２パッド部の直径（所謂、最長長さ）の２〜６倍程度が挙げられる。 The first extending portion and the second extending portion are preferably extended to the vicinity of the second pad portion of the second electrode, for example. The first extending portion and the second extending portion may be connected to each other along the first imaginary circle, but in consideration of light extracted from the upper surface side of the semiconductor layer, the first extending portion And the front-end | tips may be mutually spaced apart in the vicinity of the 2nd pad part so that the increase in the area of a 2nd extending | stretching part may become the minimum. Here, the distance between the first extending portion and the second extending portion that are separated from each other is, for example, the diameter (the so-called longest length) of the first pad portion and / or the second pad portion on the circumference of the first virtual circle. About 2 to 6 times.
第１延伸部及び第２延伸部は、第１パッド部と半導体層の中心を通る線、詳しくは、第１パッドの重心と、多角形の重心とを通る線に対して対称に配置されていることが好ましい。つまり、第１延伸部及び第２延伸部は、円弧形状であることが好ましい。また、第１延伸部及び第２延伸部は、同じ長さで、同じ幅であることが好ましい。例えば、全長が、それぞれ、半導体層の外周の３０〜４０％程度が好ましく、３５％程度がより好ましい。幅は、それぞれ、０．５μｍ〜十数μｍ程度が好ましい。 The first extending portion and the second extending portion are arranged symmetrically with respect to a line passing through the center of the first pad portion and the semiconductor layer, specifically, a line passing through the center of gravity of the first pad and the center of gravity of the polygon. Preferably it is. That is, it is preferable that the first extending portion and the second extending portion have an arc shape. Moreover, it is preferable that a 1st extending | stretching part and a 2nd extending | stretching part are the same length and the same width | variety. For example, the total length is preferably about 30 to 40% of the outer circumference of the semiconductor layer, and more preferably about 35%. Each width is preferably about 0.5 μm to about several tens of μm.
（第５延伸部）
第１電極が有していてもよい第５延伸部は、例えば、後述する第２電極の第３延伸部及び第４延伸部の内側、つまり、第３延伸部及び第４延伸部に囲まれた領域内に延伸していることが好ましい。また、第５延伸部の端部は、後述する第３延伸部及び第４延伸部にそれぞれ沿って２つに分岐して又は３つに分岐して延伸していてもよい。言い換えると、第５延伸部の先端は、第１仮想円よりも内側、つまり、第１延伸部及び第２延伸部よりも内側において、第１仮想円、いわゆる第１延伸部及び／又は第２延伸部に沿って延伸していることが好ましい。このとき、第１パッド部に近い第５延伸部の方が、第１延伸部及び第２延伸部に比べて電流密度が高くなる傾向にあるため、第５延伸部と、第３延伸部及び第４延伸部との距離は、第１延伸部及び第２延伸部と、第３延伸部及び第４延伸部との距離よりも長いのが好ましい。ここで、沿ってとは、第１仮想円、第１延伸部及び第２延伸部から離間して、並行して延伸することを意味する。
(5th stretched part)
The fifth extending portion that the first electrode may have is, for example, surrounded by the third extending portion and the fourth extending portion of the second electrode, which will be described later, that is, surrounded by the third extending portion and the fourth extending portion. It is preferable to extend in the region. Moreover, the edge part of the 5th extending | stretching part may be branched into two or extended into 3 along the 3rd extending part and the 4th extending part which are mentioned later, respectively. In other words, the tip of the fifth extending portion is located inside the first imaginary circle, that is, inside the first extending portion and the second extending portion, the first imaginary circle, so-called first extending portion and / or second. It is preferable that the film is stretched along the stretched portion. At this time, since the fifth extending portion closer to the first pad portion tends to have a higher current density than the first extending portion and the second extending portion, the fifth extending portion, the third extending portion, and The distance from the fourth stretched portion is preferably longer than the distance between the first stretched portion and the second stretched portion and the third stretched portion and the fourth stretched portion. Here, along means that the first imaginary circle, the first extending portion, and the second extending portion are separated from each other and are extended in parallel.
第５延伸部の２つに分岐した先端は、第１仮想円に沿って延伸し、互いに連結していてもよいし、第２電極の第２パッド部側で離間していてもよい。ここでの離間する第５延伸部の先端間の距離は、例えば、第１パッド部及び／又は第２パッド部の直径（所謂、最長長さ）の１．５〜５倍程度が挙げられる。 The two branched ends of the fifth extending portion may extend along the first virtual circle and may be connected to each other, or may be separated on the second pad portion side of the second electrode. The distance between the tips of the fifth extending portions that are separated here is, for example, about 1.5 to 5 times the diameter (so-called longest length) of the first pad portion and / or the second pad portion.
第５延伸部は、２つに分岐する部位が内側に湾曲して分岐していることが好ましい。このような形状とすることにより、分岐する部位における急激な電極の形状変化を防止することができる。さらに、第５延伸部の２つに分岐する部位は、内側に湾曲して分離することで、第３延伸部及び第４延伸部に沿って湾曲することになるため、第５延伸部と第３延伸部、及び第５延伸部と第４延伸部との間において、電流の拡散をより均一化することができる。
第５延伸部の２つに分岐した部位は、第１パッド部と半導体層の中心を通る線に対して対称に配置されていることが好ましい。つまり、第５延伸部の２つに分岐した部位は、同じ長さで、同じ幅であることが好ましい。例えば、それらの全長が、それぞれ半導体層の外周の１０〜２０％程度が好ましく、１５％程度がより好ましい。幅は、それぞれ、０．５μｍ〜十数μｍ程度が好ましい。
The fifth extending portion preferably has a bifurcated portion that is bent inwardly. By adopting such a shape, it is possible to prevent an abrupt change in the shape of the electrode at the branched portion. Furthermore, since the site | part which branches into two of a 5th extending | stretching part curves and isolate | separates inside, it will curve along a 3rd extending | stretching part and a 4th extending | stretching part. The current diffusion can be made more uniform between the three stretched portions and between the fifth stretched portion and the fourth stretched portion.
The two branched portions of the fifth extending portion are preferably disposed symmetrically with respect to a line passing through the first pad portion and the center of the semiconductor layer. That is, it is preferable that the site | part branched into two of the 5th extending | stretching part is the same length and the same width. For example, the total length thereof is preferably about 10 to 20% of the outer circumference of the semiconductor layer, and more preferably about 15%. Each width is preferably about 0.5 μm to about several tens of μm.
なお、第５延伸部の一部又は３つに分岐したうちの１つは、直線状に延伸していてもよい。 In addition, one of the fifth extending portions or one of them branched into three may extend linearly.
（第３延伸部及び第４延伸部）
第２パッド部から延伸する第３延伸部及び第４延伸部は、その全部、つまり、第２電極の全部が、第１仮想円よりも内側に配置されていることが好ましい。第３延伸部は、第１電極の第１延伸部に沿って延伸し、第４延伸部は、第１電極の第２延伸部に沿って延伸することが好ましい。ここで、沿ってとは、第１仮想円、第１延伸部及び第２延伸部から離間して、並行して延伸することを意味する。特に、第３延伸部及び第４延伸部は、第１仮想円と同心であり、第２パッド部が外側で接する第２仮想円に沿って延伸することが好ましい。
(3rd extending part and 4th extending part)
It is preferable that the third extending portion and the fourth extending portion extending from the second pad portion, that is, all of the second electrode are arranged inside the first virtual circle. It is preferable that the third extending portion extends along the first extending portion of the first electrode, and the fourth extending portion extends along the second extending portion of the first electrode. Here, along means that the first imaginary circle, the first extending portion, and the second extending portion are separated from each other and are extended in parallel. In particular, it is preferable that the third extending portion and the fourth extending portion are concentric with the first virtual circle and extend along the second virtual circle that the second pad portion contacts on the outside.
第２仮想円は、第２パッド部の位置に応じて、その大きさ及び位置を適宜設定することができる。なかでも、第２仮想円は、第１仮想円の７０〜９０％程度、さらに８０％程度の直径を有することが好ましい。 The size and position of the second virtual circle can be appropriately set according to the position of the second pad portion. Especially, it is preferable that a 2nd virtual circle has a diameter of about 70 to 90% of a 1st virtual circle, and also about 80%.
第２仮想円に沿うとは、第２仮想円の上に配置すること、第２仮想円の内側又は外側に接しながら延伸すること、第２仮想円から離間するとしても並行して延伸すること等を意味する。このような第２仮想円に沿う部分は、第３延伸部及び第４延伸部の一部であってもよいが、全部であることが好ましい。なかでも、第２パッド部、第３延伸部及び第４延伸部は、第２仮想円の上に配置することが好ましく、特に、第３延伸部及び第４延伸部は、円弧状に形成されていることが好ましい。ここでの第３延伸部及び第４延伸部と第２仮想円との離間の距離は、第３延伸部及び第４延伸部の幅の２倍以下であることが好ましく、１．５倍以下又は１倍以下であることがより好ましい。 To be along the second imaginary circle means to be arranged on the second imaginary circle, to extend while touching the inside or outside of the second imaginary circle, and to extend in parallel even if separated from the second imaginary circle. Etc. Such a portion along the second imaginary circle may be a part of the third extending portion and the fourth extending portion, but is preferably all. Especially, it is preferable to arrange | position a 2nd pad part, a 3rd extending | stretching part, and a 4th extending | stretching part on a 2nd virtual circle, and especially a 3rd extending | stretching part and a 4th extending | stretching part are formed in circular arc shape. It is preferable. Here, the distance between the third extending portion and the fourth extending portion and the second imaginary circle is preferably not more than twice the width of the third extending portion and the fourth extending portion, and is not more than 1.5 times. Or it is more preferable that it is 1 time or less.
第３延伸部及び第４延伸部は、第２パッド部が対向する位置まで、例えば、第１電極の第１パッド部の近傍まで延伸していることが好ましい。第３延伸部及び第４延伸部は、第２仮想円に沿って、それらの先端は、第１電極の第１パッド部側で離間していることが好ましい。ここでの離間する第３延伸部及び第４延伸部の距離は、例えば、第２仮想円の円周において、第１パッド部及び／又は第２パッド部の直径（所謂、最長長さ）の１．５〜５倍程度が挙げられる。 It is preferable that the third extending portion and the fourth extending portion extend to a position where the second pad portion faces, for example, to the vicinity of the first pad portion of the first electrode. It is preferable that the third extending portion and the fourth extending portion are separated from each other on the first pad portion side of the first electrode along the second virtual circle. Here, the distance between the third extending portion and the fourth extending portion that are separated from each other is, for example, the diameter (so-called longest length) of the first pad portion and / or the second pad portion on the circumference of the second virtual circle. About 1.5 to 5 times.
第３延伸部及び第４延伸部は、第２パッド部と半導体層の中心又は重心を通る線に対して対称に配置されていることが好ましい。つまり、第３延伸部及び第４延伸部は、同じ長さで、同じ幅であることが好ましい。例えば、全長が、それぞれ、半導体層の外周の２０〜３０％程度が好ましく、２５％程度がより好ましい。第３延伸部及び第４延伸部の幅は、それぞれ、１μｍ〜十数μｍ程度が好ましい。 The third extending portion and the fourth extending portion are preferably arranged symmetrically with respect to a line passing through the center or the center of gravity of the second pad portion and the semiconductor layer. That is, it is preferable that the third extending portion and the fourth extending portion have the same length and the same width. For example, the total length is preferably about 20 to 30% of the outer circumference of the semiconductor layer, and more preferably about 25%. As for the width | variety of a 3rd extending | stretching part and a 4th extending | stretching part, about 1 micrometer-about dozen micrometer are respectively preferable.
（第６延伸部）
第２電極が有していてもよい第６延伸部は、第３延伸部及び第４延伸部の間に配置されていることが好ましく、第１電極の第５延伸部の分岐した部位間に配置されていることがより好ましい。言い換えると、第６延伸部は、第１パッド部に向かって分岐して又は分岐せずに延伸していることが好ましい。第６延伸部は、半導体層の中心、つまり、第１仮想円及び第２仮想円の中心を通ることがより好ましい。なかでも、第６延伸部は、第１パッド部に向かって直線状に延伸し、その先端が半導体層の中心付近に配置されているか、その先端が半導体層の中心を取り囲むように分岐して配置されていてもよい。
(6th stretched part)
The sixth extending portion that the second electrode may have is preferably arranged between the third extending portion and the fourth extending portion, and between the branched portions of the fifth extending portion of the first electrode. More preferably, they are arranged. In other words, it is preferable that the sixth extending portion extends toward or away from the first pad portion. More preferably, the sixth extending portion passes through the center of the semiconductor layer, that is, the center of the first virtual circle and the second virtual circle. Among these, the sixth extending portion extends linearly toward the first pad portion, and its tip is arranged near the center of the semiconductor layer or branched so that the tip surrounds the center of the semiconductor layer. It may be arranged.
第６延伸部の全長は、例えば、半導体層の最長の長さ又は直径の２０〜４０％程度が好ましく、２５〜３５％程度がより好ましい。第６延伸部の幅は、１μｍ〜十数μｍ程度が好ましい。 The total length of the sixth stretched portion is, for example, preferably about 20 to 40% of the longest length or diameter of the semiconductor layer, and more preferably about 25 to 35%. The width of the sixth stretched portion is preferably about 1 μm to about several tens of μm.
（各延伸部の位置関係）
一実施形態では、半導体層上面の形状が六角形等の多角形である場合、第１延伸部〜第６延伸部の位置を、以下の表１に示される関係とすることが好ましい（図１Ｂ参照）。なお、表１の各値は、半導体層上面の対角線の長さを１００％、具体的には９５０μｍとした場合の値である。
(Positional relationship of each stretched part)
In one embodiment, when the shape of the upper surface of the semiconductor layer is a polygon such as a hexagon, it is preferable that the positions of the first extending portion to the sixth extending portion have the relationship shown in Table 1 below (FIG. 1B). reference). Each value in Table 1 is a value when the length of the diagonal line on the upper surface of the semiconductor layer is 100%, specifically, 950 μm.
特に、第１パッド部又は第２パッド部から近い延伸部ほど、その周囲の電流密度が高くなる傾向にあるため、延伸電極間の距離がｎ＜ｑ＜ｒ＜ｓの関係を満たすように、各延伸部を配置することが好ましい。 In particular, the extension part closer to the first pad part or the second pad part tends to have a higher current density around the extension part, so that the distance between the extension electrodes satisfies the relationship of n <q <r <s. It is preferable to arrange each extending portion.
第１電極及び第２電極は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、及びＡｌ等の金属、又はこれら金属による合金を用いることができ、その中でも、Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕやＣｒＲｈ／Ｐｔ／Ａｕ等の順番に積層した多層構造を用いることが好ましい。 For the first electrode and the second electrode, for example, metals such as Ni, Rh, Ru, Cr, Au, W, Pt, Ti, and Al, or alloys of these metals can be used, and among these, Ti / Pt It is preferable to use a multilayer structure in which / Au, CrRh / Pt / Au, or the like is laminated in this order.
第１電極又は第２電極と半導体層との間には、導電層が配置されていることが好ましい。導電層は第１電極又は第２電極から供給される電流を、第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層の面内全体に均一に流すための部材である。このような導電層としては、金属薄膜を用いることもできるが、発光素子の光取り出し面側に配置されるため、金属薄膜よりもさらに吸収される光の少ない導電性酸化物層を用いるのが好ましい。導電性酸化物としては、例えば、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇから選択される少なくとも１種を含む酸化物、具体的にはＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ-ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等が挙げられる。 A conductive layer is preferably disposed between the first electrode or the second electrode and the semiconductor layer. The conductive layer is a member for allowing a current supplied from the first electrode or the second electrode to flow uniformly over the entire surface of the first conductive type semiconductor layer or the second conductive type semiconductor layer. As such a conductive layer, a metal thin film can be used, but since it is disposed on the light extraction surface side of the light emitting element, a conductive oxide layer that absorbs less light than the metal thin film is used. preferable. Examples of the conductive oxide include an oxide containing at least one selected from Zn, In, Sn, and Mg, specifically, ZnO, In 2 O 3 , SnO 2 , ITO (Indium Tin Oxide; ITO). , IZO (Indium Zinc Oxide), GZO (Gallium-doped Zinc Oxide), and the like.
以下に、本発明の実施例に係る発光素子を図面に基づいて詳細に説明する。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一、同質又は同機能の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
＜実施例１＞
実施例１に係る発光素子１は、図１Ａに示すように、基板２と、基板２上に設けられた第２導電型半導体層であるｎ型半導体層３、活性層、第１導電型半導体層であるｐ型半導体層４を順に有する半導体層５と、ｎ型半導体層３上に形成された第２電極６であるｎ側電極と、ｐ型半導体層４上であって、ｎ側電極を取り囲んで配置された第１電極７であるｐ側電極とを備える。
Below, the light emitting element which concerns on the Example of this invention is demonstrated in detail based on drawing. The size, positional relationship, and the like of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. Moreover, in the following description, the same name and reference sign indicate the same, the same or the same members in principle, and the detailed description will be omitted as appropriate.
<Example 1>
As illustrated in FIG. 1A, the light-emitting element 1 according to Example 1 includes a substrate 2, an n-type semiconductor layer 3 that is a second conductivity type semiconductor layer provided on the substrate 2, an active layer, and a first conductivity type semiconductor. A semiconductor layer 5 having a p-type semiconductor layer 4 as a layer, an n-side electrode as a second electrode 6 formed on the n-type semiconductor layer 3, and an n-side electrode on the p-type semiconductor layer 4 The p-side electrode which is the 1st electrode 7 arrange | positioned surrounding is included.
基板２及び半導体層５（特に、ｐ型半導体層４）は、平面視で略正六角形であり、半導体層５の一辺の長さは、約４８０μｍであり、対角線の長さは、約９６０μｍである。 The substrate 2 and the semiconductor layer 5 (in particular, the p-type semiconductor layer 4) are substantially regular hexagons in plan view, the length of one side of the semiconductor layer 5 is about 480 μm, and the length of the diagonal line is about 960 μm. is there.
第１電極７は、ｐ型半導体層４の上に形成されている。第２電極６とｐ型半導体層４との間には、ｐ型半導体層４上の略全面に形成された透光性の導電層８が配置されている。第１電極７は、導電層８を介して、ｐ型半導体層４と電気的に接続されている。
第２電極６は、半導体層５のうち、ｐ型半導体層４及び活性層の一部が除去されて露出したｎ型半導体層３上に形成され、ｎ型半導体層３と電気的に接続されている。第２電極６は、これらｐ型半導体層４及び活性層に取り囲まれている。
これら半導体層５、第２電極６及び第１電極７は、後述する第２パッド部６ａ及び第１パッド部７ａの一部以外は、保護膜によって被覆されている。
The first electrode 7 is formed on the p-type semiconductor layer 4. Between the second electrode 6 and the p-type semiconductor layer 4, a translucent conductive layer 8 formed on substantially the entire surface of the p-type semiconductor layer 4 is disposed. The first electrode 7 is electrically connected to the p-type semiconductor layer 4 through the conductive layer 8.
The second electrode 6 is formed on the n-type semiconductor layer 3 exposed by removing a part of the p-type semiconductor layer 4 and the active layer in the semiconductor layer 5, and is electrically connected to the n-type semiconductor layer 3. ing. The second electrode 6 is surrounded by the p-type semiconductor layer 4 and the active layer.
The semiconductor layer 5, the second electrode 6, and the first electrode 7 are covered with a protective film except for a part of a second pad portion 6a and a first pad portion 7a described later.
第２電極６及び第１電極７は、外部回路と電気的に接続される第２パッド部６ａ及び第１パッド部７ａをそれぞれ備える。第２パッド部６ａ及び第１パッド部７ａは、半導体層５の中心線の上の一端側及び他端側にそれぞれ配置されている。この中心線は、半導体層５の一辺に平行な線であって、半導体層５の中心、つまり、多角形（例えば、正六角形）の重心を通る線である。第２パッド部６ａ及び第１パッド部７ａは、直径が約１００μｍ程度の大きさの略円形を有する。第２パッド部６ａと第１パッド部７ａとの距離は、約６００μｍである。
第２パッド部６ａと第１パッド部７ａとは、それぞれ六角形の一つの辺５ａの中点を通り、その辺５ａに対して垂直な線（所謂、垂直二等分線）上であって、辺５ａ近傍に配置されている。
The second electrode 6 and the first electrode 7 include a second pad portion 6a and a first pad portion 7a that are electrically connected to an external circuit, respectively. The second pad portion 6 a and the first pad portion 7 a are disposed on one end side and the other end side on the center line of the semiconductor layer 5, respectively. This center line is a line parallel to one side of the semiconductor layer 5 and passes through the center of the semiconductor layer 5, that is, the center of gravity of a polygon (for example, a regular hexagon). The second pad portion 6a and the first pad portion 7a have a substantially circular shape with a diameter of about 100 μm. The distance between the second pad portion 6a and the first pad portion 7a is about 600 μm.
Each of the second pad portion 6a and the first pad portion 7a is on a line (so-called vertical bisector) that passes through the midpoint of one side 5a of the hexagon and is perpendicular to the side 5a. In the vicinity of the side 5a.
第１パッド部７ａの両側から延伸する第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃは、第１パッド部７ａが内側で接する第１仮想円Ａ（図１Ｂ参照）に沿って、つまり、略全体が、第１仮想円Ａ上に配置し、円弧状に延伸している。第１パッド部７ａは、第１仮想円Ａに対して内側に偏在している。第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃは、第１パッド部７ａと半導体層５の中心を通る線に対して対称に配置されている。なお、図１Ｂに示される点線（例えば、第１仮想円Ａ及び第２仮想円Ｂ）は、第１電極及び第２電極を配置するときの仮想的な基準線であり、実際の発光素子に形成されることはない。
第１仮想円Ａは、平面視で半導体層５内に収容され、半導体層５の中心つまり、多角形の重心と同心であり、半径が約３６０μｍである。
第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃは、第１パッド部７ａが対向する位置まで、つまり、第２電極６の第２パッド部６ａの近傍まで延伸している。第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃは、第２電極６の第２パッド６ａ部近傍で離間している。第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃの距離は、第１仮想円Ａの円周において、約２９０μｍ程度である。
The first extending portion 7b and the second extending portion 7c extending from both sides of the first pad portion 7a are along the first virtual circle A (see FIG. 1B) with which the first pad portion 7a is in contact, that is, substantially the whole. However, it arrange | positions on the 1st virtual circle A, and is extended | stretched in circular arc shape. The first pad portion 7a is unevenly distributed inward with respect to the first virtual circle A. The first extending portion 7 b and the second extending portion 7 c are arranged symmetrically with respect to a line passing through the first pad portion 7 a and the center of the semiconductor layer 5. Note that the dotted lines (for example, the first virtual circle A and the second virtual circle B) shown in FIG. 1B are virtual reference lines when the first electrode and the second electrode are disposed, Never formed.
The first virtual circle A is accommodated in the semiconductor layer 5 in a plan view, is concentric with the center of the semiconductor layer 5, that is, the center of gravity of the polygon, and has a radius of about 360 μm.
The first extending portion 7b and the second extending portion 7c extend to a position where the first pad portion 7a faces, that is, to the vicinity of the second pad portion 6a of the second electrode 6. The first extending portion 7 b and the second extending portion 7 c are separated in the vicinity of the second pad 6 a portion of the second electrode 6. The distance between the first extending portion 7b and the second extending portion 7c is about 290 μm in the circumference of the first virtual circle A.
第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃは、それぞれ、全長が約９４０μｍ程度であり、幅は、それぞれ、約５μｍ程度である。 The first extending portion 7b and the second extending portion 7c each have a total length of about 940 μm and a width of about 5 μm.
第１電極７は、さらに、第１パッド部７ａから第２パッド部６ａに向かって延伸する第５延伸部７ｄを有している。第５延伸部７ｄは、後述する第２電極６の第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃの内側に延伸している。また、第５延伸部７ｄの端部は、後述する第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃにそれぞれ沿って２つに分岐して延伸している。つまり、第５延伸部７ｄの先端７ｄ１、７ｄ２は、第１仮想円Ａよりも内側、つまり、第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃに囲まれた領域内において、第１仮想円Ａ、第１延伸部７ｂ及び第２延伸部７ｃに沿って延伸している。 The first electrode 7 further includes a fifth extending portion 7d extending from the first pad portion 7a toward the second pad portion 6a. The fifth extending portion 7d extends to the inside of the third extending portion 6b and the fourth extending portion 6c of the second electrode 6 described later. Further, the end of the fifth extending portion 7d is branched and extended in two along a third extending portion 6b and a fourth extending portion 6c described later. That is, the front ends 7d1 and 7d2 of the fifth extending portion 7d are located inside the first virtual circle A, that is, in the region surrounded by the first extending portion 7b and the second extending portion 7c, the first virtual circle A, It has extended | stretched along the 1st extending | stretching part 7b and the 2nd extending | stretching part 7c.
第５延伸部７ｄの分岐した先端７ｄ１、７ｄ２は、第２電極６の第２パッド部６ａ側で離間している。第５延伸部７ｄの分岐した先端７ｄ１、７ｄ２間の距離は、約２００μｍ程度である。
第５延伸部７ｄは、分岐する部位において、内側に湾曲して分岐している（図１中、円Ｃ参照）。
第５延伸部７ｄの２つに分岐した部位は、第１パッド部７ａと半導体層５の中心を通る線に対して対称に配置されている。つまり、第５延伸部７ｄは、２つに分岐した部位を含んで、全長が、約４５０μｍ程度であり、その幅は、約５μｍ程度である。
The branched ends 7d1 and 7d2 of the fifth extending portion 7d are separated from each other on the second pad portion 6a side of the second electrode 6. The distance between the branched ends 7d1 and 7d2 of the fifth extending portion 7d is about 200 μm.
The fifth extending portion 7d is branched inwardly at the branching portion (see circle C in FIG. 1).
The two branched portions of the fifth extending portion 7 d are arranged symmetrically with respect to a line passing through the first pad portion 7 a and the center of the semiconductor layer 5. In other words, the fifth extending portion 7d includes a portion branched into two, has a total length of about 450 μm, and a width of about 5 μm.
第２電極６は、その全部、つまり、第２パッド部６ａ、第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃが、第１仮想円Ａよりも内側に配置されている。
第３延伸部６ｂは、第１電極７の第１延伸部７ｂに沿って延伸し、第４延伸部６ｃは、第１電極７の第２延伸部７ｃに沿って延伸している。より具体的には、第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃは、第１仮想円Ａと同心であり、かつ第１パッド部７ａが外側で接する第２仮想円Ｂ（図１Ｂ参照）上を延伸することにより、それぞれ円弧状に形成されている。第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃは、第２仮想円Ｂ上に配置された第２パッド部６ａと半導体層５の中心を通る線に対して対称に配置されている。
なお、第２仮想円Ｂは、直径が、約５６０μｍ程度である。
As for the 2nd electrode 6, the 2nd pad part 6a, the 3rd extending | stretching part 6b, and the 4th extending | stretching part 6c are all arrange | positioned inside the 1st virtual circle A.
The third extending portion 6 b extends along the first extending portion 7 b of the first electrode 7, and the fourth extending portion 6 c extends along the second extending portion 7 c of the first electrode 7. More specifically, the third extending portion 6b and the fourth extending portion 6c are concentric with the first virtual circle A and on the second virtual circle B (see FIG. 1B) with which the first pad portion 7a contacts the outside. Each is formed in a circular arc shape. The third extending portion 6 b and the fourth extending portion 6 c are disposed symmetrically with respect to a line passing through the center of the second pad portion 6 a disposed on the second virtual circle B and the semiconductor layer 5.
The second virtual circle B has a diameter of about 560 μm.
第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃは、第２パッド部６ａが対向する位置まで、例えば、第１電極７の第１パッド部７ａの近傍まで延伸している。第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃは、第２仮想円Ｂ上において、それらの先端は、第１電極７の第１パッド部７ａ側で離間している。離間した第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃの距離は、例えば、第２仮想円Ｂの円周において約２９０μｍ程度である。 The third extending portion 6b and the fourth extending portion 6c extend to the position where the second pad portion 6a faces, for example, to the vicinity of the first pad portion 7a of the first electrode 7. The third extending portion 6 b and the fourth extending portion 6 c are spaced apart from each other on the first pad portion 7 a side of the first electrode 7 on the second virtual circle B. The distance between the third extending portion 6b and the fourth extending portion 6c that are separated is, for example, about 290 μm in the circumference of the second virtual circle B.
第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃは、全長が、それぞれ、約７００μｍ程度であり、幅が、約５μｍ程度である。
第２電極６は、さらに、第２パッド部６ａから直線状に、第１パッド部７ａに向かって延伸する第６延伸部６ｄを有している。第６延伸部６ｄは、第３延伸部６ｂ及び第４延伸部６ｃの間に配置されている。第６延伸部６ｄは、半導体層５の中心を通る直線上に配置されており、その先端が半導体層５の中心に配置されている。
なお、第６延伸部６ｄの全長は、例えば、約２５０μｍであり、その幅は、約５μｍ程度である。
The third extending portion 6b and the fourth extending portion 6c each have a total length of about 700 μm and a width of about 5 μm.
The second electrode 6 further includes a sixth extending portion 6d extending linearly from the second pad portion 6a toward the first pad portion 7a. The sixth extending portion 6d is disposed between the third extending portion 6b and the fourth extending portion 6c. The sixth extending portion 6 d is disposed on a straight line passing through the center of the semiconductor layer 5, and the tip thereof is disposed at the center of the semiconductor layer 5.
The total length of the sixth extending portion 6d is, for example, about 250 μm, and the width is about 5 μm.
また、各延伸部の位置は、以下の表２に示される位置関係を有する（図１Ｂ参照）。
＜実施例１の変形例１＞
図２に示すように、実施例１の変形例１に係る発光素子１０は、第１電極７及び第２電極６が、半導体層５の中心に対して、３０度回転して配置されており、第１パッド部７ａ及び第２パッド部６ａが半導体層５の六角形の頂点５ｂに対向している以外、発光素子１と同様の構成を有する。
<Modification 1 of Example 1>
As shown in FIG. 2, in the light emitting element 10 according to the first modification of the first embodiment, the first electrode 7 and the second electrode 6 are arranged by being rotated 30 degrees with respect to the center of the semiconductor layer 5. The first pad portion 7a and the second pad portion 6a have the same configuration as that of the light emitting element 1 except that the hexagonal apex 5b of the semiconductor layer 5 is opposed to the first pad portion 7a and the second pad portion 6a.
＜実施例１の変形例２＞
図３に示すように、実施例１の変形例２に係る発光素子２０は、第２電極１６が第６延伸部を有していない以外、発光素子１と同様の構成を有する。
<Modification 2 of Example 1>
As shown in FIG. 3, the light-emitting element 20 according to Modification 2 of Example 1 has the same configuration as that of the light-emitting element 1 except that the second electrode 16 does not have the sixth extending portion.
＜実施例１の変形例３＞
図４に示すように、実施例１の変形例３に係る発光素子３０は、第１電極７及び第２電極１６が、半導体層５の中心に対して、３０度回転して配置されており、第１パッド部７ａ及び第２パッド部６ａが半導体層５の六角形の頂点５ｂに対向している以外、発光素子２０と同様の構成を有する。
<Modification 3 of Example 1>
As illustrated in FIG. 4, in the light emitting element 30 according to the third modification of the first embodiment, the first electrode 7 and the second electrode 16 are arranged by being rotated 30 degrees with respect to the center of the semiconductor layer 5. The first pad portion 7 a and the second pad portion 6 a have the same configuration as that of the light emitting element 20 except that the first pad portion 7 a and the second pad portion 6 a are opposed to the hexagonal apex 5 b of the semiconductor layer 5.
＜実施例２＞
実施例２に係る発光素子の電極形状を、図５Ａから５Ｄに模式的に示す。
図５Ａ及び５Ｂに示す発光素子では、半導体層５の対角線の長さが約１．４ｍｍであり、第１電極５７が、第５延伸部５７ｄの分岐した部位から半導体層５の中心まで、直線状に延伸する第７延伸部５７ｅを有し、さらに第２電極５６の第６延伸部５６ｄが、第７延伸部５７ｅを取り囲むように、円弧状に２つに分岐している以外、実質的に、発光素子１等と同様の構成を有する。図５Ａの発光素子は、第１パッド部５７ａ及び第２パッド部５６ａが、半導体層５の辺５ａに対面しており、図５Ｂの発光素子は、第１パッド部５７ａ及び第２パッド部５６ａが、半導体層５の頂点５ｂに対面している。
<Example 2>
The electrode shape of the light emitting device according to Example 2 is schematically shown in FIGS. 5A to 5D.
5A and 5B, the diagonal length of the semiconductor layer 5 is about 1.4 mm, and the first electrode 57 is a straight line from the branched portion of the fifth extending portion 57d to the center of the semiconductor layer 5. Substantially, except that the sixth extending portion 57d of the second electrode 56 is branched into two arcs so as to surround the seventh extending portion 57e. Further, it has the same configuration as that of the light emitting element 1 and the like. 5A, the first pad portion 57a and the second pad portion 56a face the side 5a of the semiconductor layer 5, and the light emitting device of FIG. 5B has the first pad portion 57a and the second pad portion 56a. However, it faces the apex 5b of the semiconductor layer 5.
図５Ｃ及び５Ｄに示す発光素子では、第１電極５７の第１延伸部５７ｂと第２延伸部５７ｃとが連結している以外、それぞれ、実質的に、図５Ａ及び５Ｂに示す発光素子と同様の構成を有する。図５Ｃの発光素子は、第１パッド部５７ａ及び第２パッド部５６ａが、半導体層５の辺５ａに対面しており、図５Ｄの発光素子は、第１パッド部５７ａ及び第２パッド部５６ａが、半導体層５の頂点５ｂに対面している。
5C and 5D are substantially the same as the light emitting elements shown in FIGS. 5A and 5B, respectively, except that the first extending portion 57b and the second extending portion 57c of the first electrode 57 are connected. It has the composition of. Light emitting device of FIG. 5 C, the first pad portion 57a and the second pad portion 56a is, and facing the sides 5a of the semiconductor layer 5, the light emitting device of FIG. 5 D, the first pad portion 57a and the second pad The part 56 a faces the vertex 5 b of the semiconductor layer 5.
＜実施例３＞
実施例３に係る発光素子の電極形状を、図６Ａから６Ｄに模式的に示す。
図６Ａ及び６Ｂに示す発光素子では、半導体層５の対角線の長さが約６５０μｍであり、第１電極６７の第５延伸部６７ｄが、分岐せず、第２パッド部６６ａに向かって、半導体層５の中心まで延伸しており、第２電極６６が第６延伸部を有していない以外、実質的に、発光素子１等と同様の構成を有する。図６Ａの発光素子は、第１パッド部６７ａ及び第２パッド部６６ａが、半導体層５の辺５ａに対面しており、図６Ｂの発光素子は、第１パッド部６７ａ及び第２パッド部６６ａが、半導体層５の頂点５ｂに対面している。
<Example 3>
The electrode shape of the light emitting device according to Example 3 is schematically shown in FIGS. 6A to 6D.
6A and 6B, the diagonal length of the semiconductor layer 5 is about 650 μm, and the fifth extending portion 67d of the first electrode 67 is not branched, and is directed toward the second pad portion 66a. The layer 5 extends to the center of the layer 5 and has substantially the same configuration as that of the light-emitting element 1 and the like except that the second electrode 66 does not have the sixth extending portion. 6A, the first pad portion 67a and the second pad portion 66a face the side 5a of the semiconductor layer 5, and the light emitting device of FIG. 6B has the first pad portion 67a and the second pad portion 66a. However, it faces the apex 5b of the semiconductor layer 5.
図６Ｃ及び６Ｄに示す発光素子では、第１電極６７の第１延伸部６７ｂと第２延伸部６７ｃとが連結している以外、図６Ａ及び６Ｂに示すと同様の構成を有する。図６Ｃの発光素子は、第１パッド部６７ａ及び第２パッド部６６ａが、半導体層５の辺５ａに対面しており、図６Ｄの発光素子は、第１パッド部６７ａ及び第２パッド部６６ａが、半導体層５の頂点５ｂに対面している。 6C and 6D has the same configuration as shown in FIGS. 6A and 6B, except that the first extending portion 67b and the second extending portion 67c of the first electrode 67 are connected. 6C, the first pad portion 67a and the second pad portion 66a face the side 5a of the semiconductor layer 5, and the light emitting device of FIG. 6D has the first pad portion 67a and the second pad portion 66a. However, it faces the apex 5b of the semiconductor layer 5.
図６Ｅの発光素子は、第１電極６７及び第２電極６６が、第１パッド部６７ａの半径に相当する距離、半導体層５の中心からシフトしている以外、実質的に、図６Ａの発光素子と同様の構成を有する。 The light emitting device of FIG. 6E is substantially the same as that of FIG. 6A except that the first electrode 67 and the second electrode 66 are shifted from the center of the semiconductor layer 5 by a distance corresponding to the radius of the first pad portion 67a. It has the same configuration as the element.
＜実施例４＞
実施例４に係る発光素子の電極形状を、図７Ａから７Ｆに模式的に示す。
図７Ａ及び７Ｂに示す発光素子では、半導体層５の対角線の長さが約６５０μｍであり、第１電極７７の第１延伸部７７ｂと第２延伸部７７ｃとが連結し、第５延伸部が形成されておらず、第２電極７６において第３延伸部及び第４延伸部が形成されておらず、第６延伸部７６ｄが短く形成されている以外、実質的に、発光素子１等と同様の構成を有する。図７Ａの発光素子は、第１パッド部７７ａ及び第２パッド部７６ａが、半導体層５の辺５ａに対面しており、図７Ｂの発光素子は、第１パッド部７７ａ及び第２パッド部７６ａが、半導体層５の頂点５ｂに対面している。
<Example 4>
The electrode shape of the light emitting device according to Example 4 is schematically shown in FIGS. 7A to 7F.
7A and 7B, the diagonal length of the semiconductor layer 5 is about 650 μm, the first extending portion 77b and the second extending portion 77c of the first electrode 77 are connected, and the fifth extending portion is It is not formed, the third extending portion and the fourth extending portion are not formed in the second electrode 76, and substantially the same as the light emitting element 1 and the like except that the sixth extending portion 76d is formed short. It has the composition of. 7A, the first pad portion 77a and the second pad portion 76a face the side 5a of the semiconductor layer 5, and the light emitting device of FIG. 7B has the first pad portion 77a and the second pad portion 76a. However, it faces the apex 5b of the semiconductor layer 5.
図７Ｃ及び７Ｄに示す発光素子では、第２電極が第２パッド部７６ａのみで形成されており、延伸部が形成されていない以外、図７Ａ及び７Ｂに示す発光素子と同様の構成を有する。図７Ｃの発光素子は、第１パッド部７７ａ及び第２パッド部７６ａが、半導体層５の辺５ａに対面しており、図７Ｄの発光素子は、第１パッド部７７ａ及び第２パッド部７６ａが、半導体層５の頂点５ｂに対面している。 7C and 7D has the same configuration as that of the light emitting element shown in FIGS. 7A and 7B, except that the second electrode is formed only by the second pad portion 76a and no extending portion is formed. 7C, the first pad portion 77a and the second pad portion 76a face the side 5a of the semiconductor layer 5, and the light emitting device of FIG. 7D has the first pad portion 77a and the second pad portion 76a. However, it faces the apex 5b of the semiconductor layer 5.
図７Ｅ及び７Ｆの発光素子は、図７Ａ及び７Ｂの発光素子において、第１電極７７の第１延伸部７７ｂと第２延伸部７７ｃとの先端が離間しており、第２パッド部７６ａが半導体層５の端部にまでシフトしている以外、図７Ａ及び７Ｂに示す発光素子と同様の構成を有する。図７Ｅの発光素子は、第１パッド部７７ａ及び第２パッド部７６ａが、半導体層５の辺５ａに対面しており、図７Ｆの発光素子は、第１パッド部７７ａ及び第２パッド部７６ａが、半導体層５の頂点５ｂに対面している。 7E and 7F are the same as the light emitting elements of FIGS. 7A and 7B, in which the first extending portion 77b and the second extending portion 77c of the first electrode 77 are separated from each other, and the second pad portion 76a is a semiconductor. The structure is the same as that of the light-emitting element shown in FIGS. 7A and 7B except that it is shifted to the end of the layer 5. 7E, the first pad portion 77a and the second pad portion 76a face the side 5a of the semiconductor layer 5, and the light emitting device of FIG. 7F has the first pad portion 77a and the second pad portion 76a. However, it faces the apex 5b of the semiconductor layer 5.
＜発光素子の評価＞
比較例として、図８に示すように、平面形状で略正方形の半導体層８５上に、第１電極８７及び第２電極８６がそれぞれ略正方形状に配置された発光素子を作製する。なお、第１電極８７の第１パッド部８７ａは、第1パッド部８７ａの両側から延伸する第１延伸部８７ｂ及び第２延伸部８７ｃよりも、半導体層８５の辺８５ａ側に突出するように配置されている。
<Evaluation of light emitting element>
As a comparative example, as shown in FIG. 8, a light emitting element in which a first electrode 87 and a second electrode 86 are arranged in a substantially square shape on a substantially square semiconductor layer 85 in a planar shape is manufactured. The first pad portion 87a of the first electrode 87 protrudes toward the side 85a of the semiconductor layer 85 from the first extending portion 87b and the second extending portion 87c extending from both sides of the first pad portion 87a. Has been placed.
上述した実施例の発光素子１、１０、２０、３０及び比較例の発光素子８０について、電流密度の分布を、有限要素法を用いたシミュレーションソフトにより解析を行う。なお、シミュレーション結果では、色が白いほど電流が疎であり、黒いほど電流が密な状態を表す。また、電流に偏りが無い場合は、全て同一色で表される。
図９Ａ〜９Ｃに示すように、比較例の発光素子８０では、第１パッド部８７ａ側にある半導体層の２つの角部において、電流密度の低い部分（他の部分に比べて暗い部分）が現れているのが分かる。これは、第１パッド部８７ａと半導体層の辺８５ａとの間で電流が集中しないように、第１電極８７を半導体層の辺８５ａと対向する辺側に偏在させているためだと考えられる。これに対し、実施例の発光素子１、１０、２０、３０では、電流密度の低い部分が減少し、特に、第１パッド部及び第２パッド部が半導体層の辺に対面する発光素子１、２０では、電流密度の低い部分は殆ど現れておらず、全体として均一な光分布が認められる。
For the light-emitting elements 1, 10, 20, and 30 of the above-described embodiments and the light-emitting element 80 of the comparative example, the current density distribution is analyzed by simulation software using a finite element method. In the simulation result, the whiter the color is, the smaller the current is, and the darker the current is denser. Further, when there is no bias in the current, they are all represented by the same color.
As shown in FIGS. 9A to 9C, in the light emitting element 80 of the comparative example, in the two corners of the semiconductor layer on the first pad portion 87a side, the portions with low current density (dark portions compared to other portions) are present. You can see it appearing. This is considered to be because the first electrode 87 is unevenly distributed on the side facing the side 85a of the semiconductor layer so that current does not concentrate between the first pad portion 87a and the side 85a of the semiconductor layer. . On the other hand, in the light-emitting elements 1, 10, 20, and 30 of the embodiments, the portion with low current density is reduced, and in particular, the light-emitting element 1 in which the first pad portion and the second pad portion face the side of the semiconductor layer, In 20, almost no low current density portion appears, and a uniform light distribution is recognized as a whole.
また、発光素子１、１０、２０、３０及び比較例の発光素子８０に電流６５ｍＡを印加し、順方向電圧（Ｖｆ）を比較した。その結果を表３に示す。
実施例の発光素子は、いずれも、比較例の発光素子よりもＶｆが低減されている。特に、第１パッド部及び第２パッド部が半導体層の辺に対面する発光素子１、２０では、それぞれ第１パッド部及び第２パッド部が半導体層の頂点に対面する発光素子１０、３０と比較して、さらにＶｆ値が低くなるのが認められる。 In each of the light emitting elements of the examples, Vf is reduced as compared with the light emitting element of the comparative example. In particular, in the light emitting devices 1 and 20 in which the first pad portion and the second pad portion face the side of the semiconductor layer, the light emitting devices 10 and 30 in which the first pad portion and the second pad portion face the apex of the semiconductor layer, respectively. In comparison, it is recognized that the Vf value is further lowered.
さらに、発光素子１、２０及び比較例の発光素子８０に電流６５ｍＡを印加し、光出力（Ｐｏ）を測定した。なお、光出力の単位はｍＷである。また、電力効率（ＷＰＥ）は、式（１）により求めた。なお、電流の単位はｍＡ、電圧の単位はＶである。
これらの結果を表４に示す。
光出力及び電力効率に関して、比較例である発光素子８０に対して、第１パッド部及び第２パッド部が半導体層の辺に対面する発光素子１、２０では、いずれも増加が認められた。 Regarding the light output and the power efficiency, the light emitting elements 1 and 20 in which the first pad portion and the second pad portion face the sides of the semiconductor layer are increased with respect to the light emitting element 80 as a comparative example.
＜実施例５＞
実施例５に係る発光素子の電極形状を、図９に示す。
図１０に示す発光素子では、基板９２及び半導体層９５が、平面視で略正五角形であること以外、実質的に実施例１の発光素子と同様の構成を有する。
<Example 5>
The electrode shape of the light emitting device according to Example 5 is shown in FIG.
The light emitting element shown in FIG. 10 has substantially the same configuration as the light emitting element of Example 1 except that the substrate 92 and the semiconductor layer 95 are substantially regular pentagons in plan view.
第２電極９６及び第１電極９７は、外部回路と電気的に接続される第２パッド部９６ａ及び第１パッド部９７ａをそれぞれ備える。第２パッド部９６ａ及び第１パッド部９７ａは、半導体層９５の正五角形の重心を通る線上に配置されている。第１パッド部９７ａは、辺９５ａの垂直二等分線上に配置されており、第２パッド部９６ａは、五角形の頂点に対向して配置されている。
第１パッド部９７ａから延伸する第１延伸部９７ｂ及び第２延伸部９７ｃは、第１パッド部９７ａが内側で接する第１仮想円Ａ（図１Ｂ参照）に沿って円弧状に延伸している。第１パッド部９７ａは、第１仮想円Ａに対して内側に偏在している。
第１電極９７は、さらに、第１パッド部９７ａから第２パッド部９６ａに向かって延伸する第５延伸部９７ｄを有している。第５延伸部９７ｄは、後述する第２電極９６の第３延伸部９６ｂ及び第４延伸部９６ｃの内側に延伸している。第５延伸部９７ｄは、その先端部９７ｄ１、９７ｄ２が、後述する第３延伸部９６ｂ及び第４延伸部９６ｃにそれぞれ沿って２つに分岐して延伸している。
The second electrode 96 and the first electrode 97 include a second pad portion 96a and a first pad portion 97a that are electrically connected to an external circuit, respectively. The second pad portion 96 a and the first pad portion 97 a are disposed on a line passing through the center of the regular pentagon of the semiconductor layer 95. The first pad portion 97a is disposed on the perpendicular bisector of the side 95a, and the second pad portion 96a is disposed to face the apex of the pentagon.
The first extending portion 97b and the second extending portion 97c extending from the first pad portion 97a extend in an arc shape along a first virtual circle A (see FIG. 1B) with which the first pad portion 97a contacts on the inside. . The first pad portion 97a is unevenly distributed inward with respect to the first virtual circle A.
The first electrode 97 further includes a fifth extending portion 97d extending from the first pad portion 97a toward the second pad portion 96a. The fifth extending portion 97d extends to the inside of a third extending portion 96b and a fourth extending portion 96c of the second electrode 96 described later. The fifth extending portion 97d has its distal end portions 97d1 and 97d2 branched and extended in two along a third extending portion 96b and a fourth extending portion 96c, which will be described later.
第２電極９６は、第２パッド部９６ａ、第３延伸部９６ｂ及び第４延伸部９６ｃが、第１仮想円Ａよりも内側に配置されている。第３延伸部９６ｂは、第１電極９７の第１延伸部９７ｂに沿って延伸し、第４延伸部９６ｃは、第１電極９７の第２延伸部９７ｃに沿って延伸している。
第２電極９６は、さらに、第２パッド部９６ａから直線状に、第１パッド部９７ａに向かって延伸する第６延伸部９６ｄを有している。 このような構成の発光素子においても、実施例１等と同様に、良好な光出力及び電力効率が得られる。
In the second electrode 96, the second pad portion 96a, the third extending portion 96b, and the fourth extending portion 96c are disposed on the inner side of the first virtual circle A. The third extending portion 96 b extends along the first extending portion 97 b of the first electrode 97, and the fourth extending portion 96 c extends along the second extending portion 97 c of the first electrode 97.
The second electrode 96 further includes a sixth extending portion 96d extending linearly from the second pad portion 96a toward the first pad portion 97a. Also in the light emitting element having such a configuration, good light output and power efficiency can be obtained as in the first embodiment.
本発明の実施形態に係る発光素子は、各種発光装置、特に、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、液晶表示装置などのバックライト光源、信号機、照明式スイッチ、各種センサ及び各種インジケータ、動画照明補助光源、その他の一般的な民生品用光源等に好適に利用することができる。 The light emitting device according to the embodiment of the present invention includes various light emitting devices, in particular, a light source for illumination, a backlight light source such as an LED display, a liquid crystal display device, a traffic light, an illumination switch, various sensors and various indicators, a moving image illumination auxiliary light source, It can be suitably used for other general consumer light sources.
１、１０、２０、３０、８０、９０ 発光素子
２、９２ 基板
３ ｎ型半導体層（第１導電型半導体層）
４、９４ ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）
５、９５、８５ 半導体層
５ａ、８５ａ、９５ａ 辺
５ｂ 頂点
６、１６、６６、７６、８６、９６ 第２電極
６ａ、５６ａ、６６ａ、７６ａ、８６ａ、９６ａ 第２パッド部
６ｂ、８６ｂ、９６ｂ 第３延伸部
６ｃ、８６ｃ、９６ｃ 第４延伸部
６ｄ、５６ｄ、７６ｄ、８６ｄ、９６ｄ 第６延伸部
７、６７、７７、８７、９７ 第１電極
７ａ、５７ａ、６７ａ、７７ａ、８７ａ、９７ａ 第１パッド部
７ｂ、７７ｂ、７７ｃ、８７ｂ、９７ｂ 第１延伸部
７ｃ、８７ｃ、９７ｃ 第２延伸部
７ｄ、５７ｄ、６７ｄ、８７ｄ、９７ｄ 第５延伸部
５７ｅ 第７延伸部
７ｄ１、７ｄ２、９７ｄ１、９７ｄ２ 先端部
８ 導電層
1, 10, 20, 30, 80, 90 Light-emitting element 2, 92 Substrate 3 N-type semiconductor layer (first conductivity type semiconductor layer)
4, 94 p-type semiconductor layer (second conductivity type semiconductor layer)
5, 95, 85 Semiconductor layer 5a, 85a, 95a Side 5b Vertex 6, 16, 66, 76, 86, 96 Second electrode 6a, 56a, 66a, 76a, 86a, 96a Second pad portion 6b, 86b, 96b First 3 extension part 6c, 86c, 96c 4th extension part 6d, 56d, 76d, 86d, 96d 6th extension part 7, 67, 77, 87, 97 1st electrode 7a, 57a, 67a, 77a, 87a, 97a 1st Pad part 7b, 77b, 77c, 87b, 97b First extending part 7c, 87c, 97c Second extending part 7d, 57d, 67d, 87d, 97d Fifth extending part 57e Seventh extending part 7d1, 7d2, 97d1, 97d2 Tip Part 8 Conductive layer
Claims (12)
前記ｐ側電極は、第１パッド部と、前記正多角形の重心と同じ位置に中心を有する仮想円に重なるように前記第１パッド部から延伸する第１延伸部と、前記第１延伸部とは反対側に前記第１パッド部から前記仮想円に重なるように延伸する第２延伸部と、を有し、
前記仮想円は、前記正多角形の重心を通る線に対して８０％以下の直径を有し、
前記第１パッド部は、前記仮想円よりも内側に配置され、
前記第１延伸部及び前記第２延伸部は、前記第１パッド部の近傍において、前記仮想円には重ならず、前記仮想円よりも内側で前記第１パッド部と接続していることを特徴とする発光素子。 a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, a semiconductor layer having a regular polygonal shape of a pentagon or more, a p-side electrode provided on the p-type semiconductor layer, and the n-type semiconductor layer A light emitting device comprising an n-side electrode provided,
The p-side electrode includes a first pad portion, a first extending portion extending from the first pad portion so as to overlap a virtual circle having a center at the same position as the center of gravity of the regular polygon, and the first extending portion And a second extending portion extending from the first pad portion so as to overlap the virtual circle on the opposite side, and
The virtual circle has a diameter of 80% or less with respect to a line passing through the center of gravity of the regular polygon;
The first pad portion is disposed inside the virtual circle,
The first extending portion and the second extending portion do not overlap the virtual circle in the vicinity of the first pad portion, and are connected to the first pad portion inside the virtual circle. A light emitting device characterized.
前記第２パッド部は、前記正多角形を構成する一辺に対面して配置されている請求項１から３のいずれか１つに記載の発光素子。 The n-side electrode has a second pad portion,
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the second pad portion is disposed so as to face one side constituting the regular polygon. 5.
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