JP6136164B2 - 光ファイバおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
純シリカからなるコア領域と、
前記コア領域の周囲に設けられ、前記コア領域よりも低い屈折率を有するクラッド領域と、を有し、
前記クラッド領域は、前記コア領域と隣接するディプレスト層と、前記ディプレスト層の外周に設けられたジャケット層と、を備え、
前記ディプレスト層は、前記ジャケット層よりも屈折率が低く、
前記ディプレスト層の最内周部の比屈折率差をΔn3a、前記ディプレスト層の最外周部の比屈折率差をΔn3bとしたとき、
A=Δn3a−Δn3b
で表される前記ディプレスト層における前記比屈折率差の差分A[%]が、−0.02≦A<0を満たすことを特徴とする。
なお、「純シリカ」とは、ゲルマニウムを含まない石英ガラス(その他の元素(K,Cl,Fなど)が微量含まれていても良い)を指す。
前記コア領域となるコア材を、前記ディプレスト層となるガラスパイプ内に挿入してコラプスし、その外側に前記ジャケット層をスス付けて焼結し、その後線引することによって請求項1に記載の光ファイバを製造する方法であって、
前記ガラスパイプとなるガラス体を焼結する工程において、フッ素を含む雰囲気下で、前記ガラス体の軸方向の一部分を加熱可能なヒータを、前記ガラス体の軸方向に相対移動させながら焼結させる際、前記ヒータの前記ガラス体に対する相対移動速度を3.0mm/min以下とすることを特徴とする
図1の(a)は、本発明の一実施形態に係る光ファイバ1の断面図である。図1の(a)に示すように、光ファイバ1は、中心にコア領域2を有し、その外周にクラッド領域5を有する。クラッド領域5は、コア領域2の外周に位置するディプレスト層3と、ディプレスト層3の外周に位置するジャケット層4を有する。
A=Δn3a−Δn3b
と表したとき、−0.02≦A<0を満たすように、ディプレスト層の最内周の屈折率n3aとディプレスト層3の最外周の屈折率n3bが設定されている。
まず、光ファイバ1のコア領域2となるコア材を用意する。コア材を作製するには、例えばVAD法により純シリカのガラス微粒子堆積体を作製し、これを塩素雰囲気下で脱水および焼結し、透明化した後、所望の外径となるように延伸する。なお、コア材は、純シリカからなるが、ごく微量の塩素などの不純物を含んでいてもよい。
Claims (1)
- 純シリカからなるコア領域と、
前記コア領域の周囲に設けられ、前記コア領域よりも低い屈折率を有するクラッド領域と、を有し、
前記クラッド領域は、前記コア領域と隣接するディプレスト層と、前記ディプレスト層の外周に設けられたジャケット層と、を備え、
前記ディプレスト層は、前記ジャケット層よりも屈折率が低く、
前記ディプレスト層の屈折率は、前記ディプレスト層の最内周における屈折率から、前記ディプレスト層の最外周における屈折率にかけて、略一様に低下するように傾斜しており、
前記ディプレスト層の最内周部の比屈折率差をΔn3a、前記ディプレスト層の最外周部の比屈折率差をΔn3bとしたとき、A=Δn3a−Δn3bで表される前記ディプレスト層における前記比屈折率差の差分A[%]が、−0.02≦A<0を満たすことを特徴とする光ファイバを製造する方法であって、
前記コア領域となるコア材を、前記ディプレスト層となるガラスパイプ内に挿入してコラプスし、その外側に前記ジャケット層をスス付けて焼結し、その後線引することによって前記光ファイバを製造する方法であって、
前記ガラスパイプとなるガラス体を焼結する工程において、フッ素を含む雰囲気下で、前記ガラス体の軸方向の一部分を加熱可能なヒータを、前記ガラス体の軸方向に相対移動させながら焼結させる際、前記ヒータの前記ガラス体に対する相対移動速度を3.0mm/min以下とすることを特徴とする光ファイバの製造方法。
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