JP6135386B2 - 高周波モジュール - Google Patents
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Description
図1は、この発明に係る実施の形態1による高周波モジュールの構成を示す図であって、(a)は側断面図、(b)は上面図である。図1(a)側断面図は、図1(b)上面図のAA断面である。図1において、実施の形態1による高周波モジュールは、高周波回路1と、多層基板3と、金属キャリア4と、磁石5と、フェライト基板8を備えている。高周波回路1は、送信回路1aまたは受信回路1bを構成する。多層基板3の裏面は、グランドパターンが形成されて、接着またははんだ等の接合材29により、金属キャリア4の上に接合されている。多層基板3は、樹脂、セラミックス等を基材として構成される。多層基板3は、金属キャリア4との接合面側が刳り貫かれており、空洞10が形成されている。この空洞10は、金属キャリア4の上面に接している。
図2は、この発明に係る実施の形態2による高周波モジュールの構成を示す側断面図であって、(a)は側断面図、(b)は上面図である。図2(a)側断面図は、図2(b)上面図のBB断面である。図2における図1との同様の構成については、詳細な説明を省略する。図2においてフェライト基板8は、接着剤40により、多層基板3の空洞10に面した上部底面11のビア22a、22bの下端に配線された配線パターン34を介して、それぞれ結合されている。このように、フェライト基板8は、実施の形態1のようにはんだボールまたは金バンプ21で接着される以外に、接着剤40により接着されるようにしても良い。
図3は、この発明に係る実施の形態3による高周波モジュールの構成を示す側断面図であって、(a)は側断面図、(b)は上面図である。図3(a)側断面図は、図3(b)上面図のCC断面である。図3において、実施の形態3による高周波モジュールは、高周波回路1と、多層基板70と、金属キャリア4と、磁石5と、フェライト基板51およびフェライト基板52を備えている。高周波回路1は、送信回路1aまたは受信回路1bを構成する。多層基板70の裏面は、グランドパターンが形成されて、接着またははんだ等の接合材29により金属キャリア4の上に接合されている。多層基板70は、樹脂、セラミックス等を基材として構成される。多層基板70は、金属キャリア4との接合面側となる下部の基材70bに空洞10aが形成されている。この空洞10aは、金属キャリア4の上面に接している。多層基板70は上部の基材70aに空洞10bが形成されており、この空洞10bは多層基板70の上面層の下層に配置される。また、空洞10aと空洞10bの間を挟んで、多層基板70の中間層をなす中底70cが基材70bに設けられている。
図4は、この発明に係る実施の形態4による高周波モジュールの構成を示す側断面図であって、(a)は側断面図、(b)は上面図である。図4(a)側断面図は、図4(b)上面図のDD断面である。図4における図3と同様の構成については、詳細な説明を省略する。図4において、フェライト基板51は、接着剤80により、多層基板70の空洞10aに面した中底70cの下端に配線された配線パターン58に結合されている。フェライト基板52は、接着剤80により、多層基板70の空洞10bに面した上部底面11の下端に結合されている。このように、フェライト基板8は、実施の形態1のようにはんだボールまたは金バンプ21で接着される以外に、接着剤80により接着されるようにしても良い。
Claims (1)
- 送信回路と、
上記送信回路から離れて配置された受信回路と、
磁石と、
上記磁石が表面に搭載されるとともに、上記送信回路および受信回路が表面に接合され、内層に空洞が設けられた多層基板と、
上記多層基板の空洞内に側面方向に隙間を有して収容され、上記多層基板の伝送線路により、上記送信回路および受信回路にそれぞれ接続された、サーキュレータもしくはアイソレータを構成するフェライト基板と、
を備え、
上記多層基板の伝送線路は、上記多層基板の上下に形成されたグランドパターンにより挟まれたトリプレート線路を構成し、
上記多層基板内の空洞および上記フェライト基板は、上記多層基板の上面および上記トリプレート線路の間と上記多層基板の下面および上記トリプレート線路の間で分割され、それぞれの空洞内にそれぞれフェライト基板が収容された
ことを特徴とする高周波モジュール。
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