JP6130774B2 - 半導体素子とその作製方法 - Google Patents
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Description
102 GaSsSbからなる緩和層
103 GaSb層
Claims (1)
- 半絶縁InP基板を所定の温度まで加熱するステップと、
トリエチルガリウム又はトリメチルガリウム、トリメチルアンチモン又はトリエチルアンチモン、アルシン又はターシャリブチルアルシンを前記半絶縁InP基板上に供給することにより、前記半絶縁InP基板上に前記半絶縁InP基板に格子整合するGaAsSbからGaSbまで組成が単調に変化した緩和層を形成するステップであって、前記トリエチルガリウム又はトリメチルガリウムを第1の流量で供給し、前記トリメチルアンチモン又はトリエチルアンチモンを第2の流量から第3の流量に増加させながら供給し、前記アルシン又はターシャリブチルアルシンを第4の流量から流量をゼロに減少させながら供給する、ステップと、
前記トリエチルガリウム又はトリメチルガリウム、前記トリメチルアンチモン又はトリエチルアンチモンを前記半絶縁InP基板上に供給することにより、前記緩和層上にGaSb半導体結晶層を形成するステップであって、前記トリエチルガリウム又はトリメチルガリウムを前記第1の流量で供給し、前記トリメチルアンチモン又はトリエチルアンチモンを前記第3の流量で供給する、ステップと、
を有したことを特徴とする半導体素子の作製方法。
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