JP6127595B2 - 音響トランスデューサ - Google Patents
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Description
以下、図4−6を参照して本発明の実施形態1による音響トランスデューサ、すなわち音響センサ21の構造を説明する。図4Aは、本発明の実施形態1による音響センサ21の平面図である。図4Bは、音響センサ21の一部を拡大して示す平面図であって、アコースティックホール31と、ダイアフラム23の通孔27と、ストッパ32の位置関係を示す。図5は、音響センサ21の断面図である。図6は、ダイアフラム23の平面図である。
図9は、実施形態1の音響センサ21を内蔵したボトムポート型のマイクロフォン41の概略断面図である。このマイクロフォン41は、回路基板42とカバー43からなるパッケージ内に音響センサ21と回路部である信号処理回路44(ASIC)とを内蔵したものである。音響センサ21と信号処理回路44は、回路基板42の上面に実装されている。回路基板42には、音響センサ21内に音響振動を導き入れるための音導入孔45が開口されている。音響センサ21は、チャンバ25の下面開口を音導入孔45に合わせ、音導入孔45を覆うようにして回路基板42の上面に実装されている。したがって、音響センサ21のチャンバ25がフロントチャンバとなっており、パッケージ内の空間がバックチャンバとなっている。
22 シリコン基板
23 ダイアフラム(固定電極板)
25 チャンバ(空洞)
26 アンカー
27 通孔
28 バックプレート
29 固定電極板
31 アコースティックホール
41 マイクロフォン
44 信号処理回路(回路部)
45 音導入孔
Claims (8)
- 少なくとも上面で開口した空洞を有する基板と、
前記空洞の上面を覆うようにして前記基板の上方に形成された振動電極板と、
前記振動電極板を覆うようにして前記基板の上方に形成されたバックプレートと、
前記バックプレートに設けた固定電極板とを備え、
前記バックプレート及び前記固定電極板が、上下に貫通した複数の音響孔を有する音響トランスデューサにおいて、
前記振動電極板の変位の大きな領域に、前記音響孔よりも開口面積の小さな複数個の通孔が形成されていることを特徴とする音響トランスデューサ。 - 複数個の前記通孔は、前記振動電極板の中央部に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の音響トランスデューサ。
- 前記振動電極板は、前記基板の上面に垂直な方向から見て、前記音響孔と重なり合わない位置に前記通孔を設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の音響トランスデューサ。
- 前記通孔は、前記基板の上面に垂直な方向から見て、隣合った2個の前記音響孔に挟まれた領域、あるいは3個以上の前記音響孔に囲まれた領域に配置されていることを特徴とする、請求項3に記載の音響トランスデューサ。
- 前記通孔は、規則的に配列されていることを特徴とする、請求項1に記載の音響トランスデューサ。
- 前記通孔のピッチが、前記音響孔のピッチの整数倍であることを特徴とする、請求項5に記載の音響トランスデューサ。
- 請求項1に記載の音響トランスデューサをパッケージの内部に実装したマイクロフォンであって、
前記基板は、上面から下面に貫通した前記空洞を有し、
前記パッケージは、音響振動をパッケージ内に導入するための音導入孔を開口され、
前記音導入孔と前記空洞の下面とが連結されていることを特徴とするマイクロフォン。 - 請求項1に記載の音響トランスデューサと、前記音響トランスデューサからの信号を増幅して外部に出力する回路部とを、パッケージに実装したことを特徴とするマイクロフォン。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013048529A JP6127595B2 (ja) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | 音響トランスデューサ |
CN201380074450.9A CN105144750B (zh) | 2013-03-11 | 2013-09-09 | 声音变换器 |
US14/772,084 US9560454B2 (en) | 2013-03-11 | 2013-09-09 | Acoustic transducer |
PCT/JP2013/074207 WO2014141506A1 (ja) | 2013-03-11 | 2013-09-09 | 音響トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013048529A JP6127595B2 (ja) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | 音響トランスデューサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014175962A JP2014175962A (ja) | 2014-09-22 |
JP6127595B2 true JP6127595B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=51536195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013048529A Active JP6127595B2 (ja) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | 音響トランスデューサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9560454B2 (ja) |
JP (1) | JP6127595B2 (ja) |
CN (1) | CN105144750B (ja) |
WO (1) | WO2014141506A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9706294B2 (en) | 2015-03-18 | 2017-07-11 | Infineon Technologies Ag | System and method for an acoustic transducer and environmental sensor package |
GB2557717A (en) * | 2016-10-12 | 2018-06-27 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | Transducer packaging |
WO2019226958A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-28 | The Research Foundation For The State University Of New York | Capacitive sensor |
CN109660927B (zh) * | 2018-12-29 | 2024-04-12 | 华景科技无锡有限公司 | 一种麦克风芯片及麦克风 |
US11119532B2 (en) * | 2019-06-28 | 2021-09-14 | Intel Corporation | Methods and apparatus to implement microphones in thin form factor electronic devices |
US11509980B2 (en) * | 2019-10-18 | 2022-11-22 | Knowles Electronics, Llc | Sub-miniature microphone |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5034692B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2012-09-26 | オムロン株式会社 | 音響センサ |
US9078068B2 (en) * | 2007-06-06 | 2015-07-07 | Invensense, Inc. | Microphone with aligned apertures |
JP2009038732A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Panasonic Corp | 電子部品とその製造方法及び該電子部品を備える電子装置 |
JP5332373B2 (ja) | 2008-07-25 | 2013-11-06 | オムロン株式会社 | 静電容量型振動センサ |
US8363860B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-01-29 | Analog Devices, Inc. | MEMS microphone with spring suspended backplate |
EP2242288A1 (en) | 2009-04-15 | 2010-10-20 | Nxp B.V. | Microphone with adjustable characteristics |
JP4947220B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2012-06-06 | オムロン株式会社 | 音響センサ及びマイクロフォン |
US8461655B2 (en) * | 2011-03-31 | 2013-06-11 | Infineon Technologies Ag | Micromechanical sound transducer having a membrane support with tapered surface |
US20120328132A1 (en) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Yunlong Wang | Perforated Miniature Silicon Microphone |
US8983097B2 (en) * | 2012-02-29 | 2015-03-17 | Infineon Technologies Ag | Adjustable ventilation openings in MEMS structures |
-
2013
- 2013-03-11 JP JP2013048529A patent/JP6127595B2/ja active Active
- 2013-09-09 CN CN201380074450.9A patent/CN105144750B/zh active Active
- 2013-09-09 US US14/772,084 patent/US9560454B2/en active Active
- 2013-09-09 WO PCT/JP2013/074207 patent/WO2014141506A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014175962A (ja) | 2014-09-22 |
CN105144750A (zh) | 2015-12-09 |
US9560454B2 (en) | 2017-01-31 |
CN105144750B (zh) | 2018-05-29 |
US20160014528A1 (en) | 2016-01-14 |
WO2014141506A1 (ja) | 2014-09-18 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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