JP6119335B2 - 発光素子保持構造体 - Google Patents
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新たな実装技術では、まず、成長基板上に形成した複数のLEDを支持基板に転写する。転写によって、支持基板上に複数のLEDが保持された発光素子保持構造体が形成される。次いで、発光素子保持構造体から目的のLEDのみを、別の支持基板に転写する。
なお、本明細書において「転写」とは、LED等の発光素子が、元の基板から別の基板に移動することである。
特許文献1の発光素子支持構造体では、発光素子が、光硬化性の樹脂層と接着剤層とから成る保持層によって支持基板上に保持されている。発光素子を転写する際は、まず、表面に離型材層を設けた別の支持基板を準備し、その別の支持基板を発光素子保持構造体に対向配置して、発光素子保持構造体の発光素子を、別の支持基板の離型材層に接触させる。そして、目的の発光素子を支持している保持層の樹脂層に対して支持基板側から光を照射して、その樹脂層を硬化させる。その結果、樹脂層と接着層との間の接着強度が低下し、目的の発光素子だけが別の支持基板に転写される(特許文献1の段落[0018]〜[0023]、図8)。
ところが、特許文献1〜3の発光素子保持構造体では、発光素子を緻密に配列すると、転写しようとしている目的の発光素子と、目的の発光素子に隣接する別の発光素子との距離が近くなるため、目的の発光素子を保持する保持層だけにレーザ光を照射するつもりが、別の発光素子を保持する保持層にまでレーザ光が照射(誤照射)されるおそれがある。よって、目的の発光素子が転写されるだけでなく、別の発光素子まで転写されるおそれがある。
レーザ光に対して透明な材料から成る支持基板上に複数の樹脂層が形成され、前記複数の樹脂層の各々に下面が固定された複数の発光素子を含んで成る発光素子保持構造体であって、前記樹脂層は、前記レーザ光を吸収する材料を含み、前記支持基板と接触する前記樹脂層の下面の幅が、各々の前記発光素子の下面の幅より狭いことを特徴とする。
図1〜5に示す発光素子保持構造体2は、発光素子1を別の支持基板に転写するまでの間、発光素子1を支持基板50上に一時的に保持するための構造体である。図2に示すように、発光素子保持構造体2は、支持基板50の上面51に形成された複数の樹脂層60と、その樹脂層60の各々に下面3が固定された複数の発光素子1とを含んでいる。
なお、本明細書において「アブレーション」とは、材料の表面が蒸発によって分解する現象を指す。
図4に示すように、II−II’線における断面(支持基板50に垂直でかつ発光素子1の長手方向に平行な断面:xz断面)では、樹脂層60の下面65の幅WP1が、発光素子1の下面3の幅WL1より狭くされている。また、図5(a)〜(b)に示すように、III−III’線およびIV−IV’線における断面(発光素子1の長手方向と直交する断面:yz断面)でも、樹脂層60の下面65の幅WP2が、発光素子1の下面3の幅WL2より狭くされている。
図6は、本発明の発光素子保持構造体2を示しており、図7は、特許文献1〜2に開示された発光素子保持構造体200、図8は、特許文献3に開示された発光素子保持構造体201を示している。なお、図6〜図8に図示されているマスク80は、レーザ光Lを遮光するものである。マスク80に形成した開口81を通過したレーザ光L1のみが、発光素子保持構造体2、200、201に到達する。また、光素子保持構造体2、200、201の下側に配置された別の支持基板500は、光素子保持構造体2、200、201の発光素子1を転写するためのものである。
図6に示す本発明の発光素子保持構造体2では、樹脂層60の下面65の幅WPが発光素子1の下面3の幅WLより狭くされているので、離間距離DよりマージンMのほうが長くなる。
これに対して、図7〜図8に示すような従来の発光素子保持構造体200、201では、樹脂層60の下面65の幅WX、WYは発光素子1の下面3の幅WL以上であるので、マージンMは離間距離Dと同等またはそれ以下であった。
つまり、同じ離間距離Dで発光素子1を配列したときに、本発明の発光素子保持構造体2は、従来の発光素子保持構造体200、201に比べて、マージンMを長くすることができる。
発光素子1を確実に転写するためには、樹脂層60の下面65の全面にレーザ光L1を照射できるように、レーザ光L1の照射面積は、少なくとも樹脂層60の下面65の面積以上にされる。もし、レーザ光L1の照射面積が樹脂層60の下面65の面積と等しい場合には、レーザ光L1は、所定の照射位置(つまり、樹脂層60の下面65)と完全に一致しなくてはならない。しかしながら、そのような高精度のレーザ光L1の照射は困難である。
そこで、レーザ光L1の照射面積を樹脂層60の下面65の面積よりも広くすれば、レーザ光L1の実際の照射位置が多少ずれた場合でも、樹脂層60の下面65の全面にレーザ光L1を照射することができる。
しかしながら、図8に示す発光素子保持構造体201のようにマージンMYが狭い場合、レーザ光L1の照射面積を樹脂層60の下面65の面積よりも広くすると、レーザ光L1を別の発光素子1’に誤照射される、という別の問題が発生する。
このように、本発明によれば、レーザ光L1の誤照射の問題を抑制しつつ、レーザ光L1の照射位置の精度を緩和することができる。
樹脂層60の下面65の全面をアブレーションする場合、必要とされるレーザ光L1の総エネルギー量は、下面65の面積に依存する。図6に示す本発明の発光素子保持構造体2では、図7〜8に示す従来の発光素子保持構造体200、201に比べると、樹脂層60の下面65の面積が狭いので、必要とされるレーザ光L1の総エネルギー量が少ない。つまり、図6に示す本発明の発光素子保持構造体2では、レーザ光L1を絞ることによりエネルギー密度が上がるため、転写に必要なレーザ光L1の照射時間が短くなる。よって、1つの発光素子1を転写するのに必要なコストを抑制する効果が期待される。
図3〜図5に示すように、発光素子1は、第1の半導体層(例えばn型半導体層)10aと第2の半導体層(例えばp型半導体層)10bとを積層した半導体積層体10を含んでいる。本実施の形態では、半導体積層体10の上面11側に第1の半導体層10aが、下面12側に第2の半導体層10bが配置されている。なお、これらの半導体層10a、10bの間に、1つ又は複数の半導体層を追加することもできる。
半導体積層体10の下面12側には、半導体積層体10の一部を除去して形成された除去部13が設けられている。除去部13は、第1の半導体層10aに達している。除去部13で露出した第1の半導体層10aの表面には、第1コンタクト電極(例えばn側コンタクト電極)311が設けられている。また、除去部13を除く下面12で露出した第2の半導体層10bの表面には、第2コンタクト電極(例えばp側コンタクト電極)321が設けられている。
同様の理由から、絶縁膜17および遮光膜20の第2の開口172、202の内面は保護膜18によって覆われて、保護膜18の第2の開口182内に絶縁膜17および遮光膜20は露出しない。
第1パッド電極(例えばn側パッド電極)312は、保護膜18の第1の開口181の内部およびその周囲に延在している。第1パッド電極312は、保護膜18の第1の開口181を通って第1コンタクト電極311と接続している。上述のように、保護膜18の第1の開口181内に遮光膜20は露出しないので、例えば遮光膜20を金属材料から形成したとしても、遮光膜20と第1パッド電極312とが短絡するおそれがない。
同様に、第2パッド電極(例えばp側パッド電極)322は、保護膜18の第2の開口182の内部およびその周囲に延在している。第2パッド電極322は、保護膜18の第2の開口182を通って第2コンタクト電極321と接続している。上述のように、保護膜18の第2の開口182内に遮光膜20は露出しないので、例えば遮光膜20を金属材料から形成したとしても、遮光膜20と第2パッド電極322とが短絡するおそれがない。
第1凹部3aは、絶縁膜17、遮光膜20、および保護膜18の第1の開口171、201、181によって生じる。同様に、第2凹部3bは、絶縁膜17、遮光膜20、および保護膜18の第2の開口172、202、182によって生じる。図4、図5からわかるように、第1凹部3a、第2凹部3bは2ヶ所に段差がある。外側の段差の高さは絶縁膜17の厚さと遮光膜20の厚さの和に相当し、内側の段差の高さは保護膜18の厚さに相当する。
第1凹部3a、第2凹部3bは樹脂層60によって満たされている。
パッド電極312、322は、さまざまな導電性材料(例えば金属材料等)から形成することができる。パッド電極312、322に、遮光材料を使用することができるので、パッド電極312、322は発光素子1の上面4(発光面)に設けるのは好ましくない。
そこで、本実施の形態では、発光素子1の下面3側に電極30を設けるのが好ましい(図4、図5、図9および図10)。発光素子1の上面4(発光面)に電極30を設ける場合に比べて、発光面を広く確保することができる。
なお、第1パッド電極312および第2パッド電極322を発光素子1の側面5まで延在させてもよい。側面5に設けたパッド電極312、322が上面4(発光面)を覆うことがないので、発光面を広く確保できるという同様の効果が得られる。
反射層は、絶縁膜17、遮光膜20、および保護膜18とは別に、新たに追加することもできるが、それらの膜の1つに反射機能を付与して反射層とすることもできる。例えば、絶縁膜17として誘電体多層膜を用いれば、絶縁膜17は反射膜としても機能しうる。また、例えば、遮光膜20として反射率の高い金属材料を用いれば、遮光膜20は反射層としても機能しうる。
しかしながら、図12のように、各発光素子1R、1G、1Bの高さが異なる場合(例えば、発光ピクセルPx2’)や、発光素子1R、1G、1Bを支持している導電部材75の厚さが異なる場合(例えば、発光ピクセルPx1’)など、各発光ピクセルPx1〜Px3において、3つの発光素子1R、1G、1Bの上面4が面一にならない可能性がある。さらに、各発光ピクセルPx1〜Px3内では全ての発光素子1R、1G、1Bの上面4が面一であっても(例えば、発光ピクセルPx3’)、LEDディスプレイ70に組み上げたときに、他の発光ピクセルPx1〜Px2の発光素子1R、1G、1Bの上面4とは面一にならない可能性もある。
LEDディスプレイ70内で発光素子1R、1G、1Bが面一にならない場合、一部の発光素子1(例えば発光ピクセルPx2の青色発光素子1B)からの発光は、他の発光素子1(例えば発光ピクセルPx3の赤色発光素子1R)の側面に照射される可能性がある。
図8に示すような従来の発光素子保持構造体201では、発光素子1、1’の側面5を覆う樹脂層60が、LEDディスプレイ70内の発光素子1R、1G、1Bの側面被覆として残る。よって、従来の発光素子保持構造体201を用いてLEDディスプレイ70を製造すると、LEDディスプレイ70の寿命が短くなるおそれがある。
ディスプレイを正面から観察した画像と、斜め方向から観察した画像との色調が異なる場合がある。これは、三原色光(赤色光、緑色光、青色光)の強度比が、正面方向と斜め方向とで異なるためである。このような画像の色調変化は、3原色光の光源にランバート光源を使用することにより、抑制することができる。
よって、本実施の形態の発光素子保持構造体2を用いてLEDディスプレイ70を製造すると、観察方向による色調変化の少ないディスプレイを得ることができる。
図13(a)に示すように、成長基板90の上に、第1の半導体層10a(例えばn型半導体層)と第2の半導体層10b(例えばp型半導体層)とを順次積層して半導体積層体10を形成する。半導体積層体10に溝19を設けて、島状の半導体積層体10を複数形成する(なお、図面を簡略化するために、他の図面では、島状の半導体積層体10を1つだけ図示する)。
半導体積層体10の第2の半導体層10b側の表面(半導体積層体10の下面12)において、半導体積層体10の一部をエッチング等により除去して、除去部13を形成する。除去部13は、第1の半導体層10aに達するように形成される。
除去部13で露出した第1の半導体層10aの表面に、第1コンタクト電極(例えばn側コンタクト電極)311を形成する。また、除去部13以外の下面12に、第2コンタクト電極(例えばp側コンタクト電極)321を形成する。
なお、第1の開口171および第2の開口172は円形、四角形および多角形等の任意の形状にできる。また第1の開口171と第2の開口172との寸法および形状は、同じでも、異なっていてもよい。
なお、保護膜18の第1の開口181の寸法は、絶縁膜17および遮光膜20の第1の開口171、201の内面を保護膜18で覆うことができるように、絶縁膜17および遮光膜20の第1の開口171、201の寸法よりも小さくする。同様に、保護膜18の第2の開口182の寸法についても、絶縁膜17および遮光膜20の第2の開口172、202の内面を保護膜18で覆うことができるように、絶縁膜17および遮光膜20の第2の開口172、202の寸法よりも小さくする。
保護膜18の第1および第2の開口181、182の形状は円形、四角形および多角形等の任意の形状にできる。第1および第2の開口181、182は、同じ寸法形状でも、異なる寸法形状でもよい。
また、保護膜18の第2の開口182の内部およびその周囲に、第2パッド電極(例えばp側パッド電極)322を形成する。第2パッド電極322は、保護膜18の第2の開口を介して第2コンタクト電極321と接続する。つまり、第2パッド電極322は第2コンタクト電極321を介して第2の半導体層10bと導通する。
樹脂層60のアブレーションに使用されるレーザ光に対して透明な材料から成る支持基板50を準備する。支持基板50の上面51の全体に、樹脂層60を形成するための樹脂ペーストを塗布して、樹脂ペースト層60aを形成する。また、成長基板90に固定されている発光素子1の下面3にも同じ樹脂ペーストを塗布して、樹脂ペースト層60bを形成する。そして、支持基板50の上面51に塗布された樹脂ペースト層60aと、発光素子1の下面3に塗布された第2樹脂ペースト層60bとを密着させる。これにより、同じ樹脂ペーストから形成された2つの樹脂ペースト層60a、60bは一体となり、1層の樹脂ペースト層60’が得られる(図14(b))。
樹脂ペースト層60’を硬化して樹脂層60を形成する。この樹脂層60により、発光素子1は支持基板50に固定される。
図15(a)に示すように、発光素子1から成長基板90を除去する。成長基板90の除去には、レーザ光を用いることができる。その後、半導体積層体10の第1の半導体層10aを化学機械研磨(CMP)により研磨して、半導体積層体10の厚さを減らす。
図15(b)に示すように、半導体積層体10の第1の半導体層10aの上面11(研磨面)をエッチングにより粗面化した後、保護膜4aで被覆する。発光素子1の上面4は発光面であるので、光取出し効率を向上するために、保護膜4aは、発光素子1の発光に対して透過率の高い材料から形成される。
図15(c)に示すように、隣接する発光素子1の間にある樹脂層60を除去して、樹脂層60を発光素子1ごとに分割する。つまり、隣接する発光素子1の間から樹脂層60の一部を除去し、発光素子1と支持基板50との間にある樹脂層60を残す。このとき、樹脂層60の下面65の幅が、発光素子1の下面3の幅より狭くなるように、樹脂層60を除去する。
樹脂層60を除去するときには、既知のドライエッチング又はウェットエッチングを用いる。特に、酸素ガス又はフッ素ガスを用いたドライエッチング(RIE)は、エッチング液による発光素子保持構造体2へのダメージ(例えば、発光素子1と樹脂層60との間にエッチング液が侵入して、発光素子1が樹脂層60から剥離する等)が起こりにくいので好ましい。
本発明では、樹脂層60の下面65の幅が、発光素子1の下面3の幅より狭くなるようにエッチング速度およびエッチング時間を調節する。
「2.樹脂層60の形成」工程において、図14(b)に示すように、発光素子1の第1凹部3aと第2凹部3bは樹脂ペースト層60’によって満たされている。これにより、樹脂ペースト層60’と発光素子1の下面3との接触面積が増加し、樹脂ペースト層60’の硬化後に発光素子1と樹脂層60との接着強度が向上する。
その一方、LEDディスプレイ70に組み込む前には、第1および第2凹部3a、3b内の樹脂層60を、エッチング等により完全に除去する必要がある。これは、第1および第2パッド電極312、322と導電部材75との導通(図11参照)を確保するためである。第1および第2凹部3a、3b内の樹脂層60は除去しにくいので、エッチング時間が長くなる。
「2.樹脂層60の形成」工程において、樹脂ペーストを、支持基板50の上面51の全体に塗布する代わりに、発光素子1の位置に合わせて塗布することもできる。これにより、隣接する発光素子1の間に存在する樹脂層60が一部又は全部なくなる。よって、「5.樹脂層60のエッチング」工程においては、樹脂層60の下面65の幅が、発光素子1の下面3の幅より狭くなるように、樹脂層60の側面66をエッチングするだけでよいので、エッチング時間を短縮することができる。
しかしながら、「3.発光素子1の固定」工程の際に、樹脂ペースト層と発光素子1とを位置合わせする必要がある。
上記の変形例2における位置合わせの問題を解消しつつ、エッチング時間を短縮するために、「2.樹脂層60の形成」工程において、樹脂ペーストを多数のドット状に塗布してもよい。ドット状に塗布する際に、発光素子1がいずれかの樹脂ペーストトッドに必ず接触するように樹脂ペーストドット間の間隔を狭くする。これにより、「3.発光素子1の固定」工程において、樹脂ペースト層と発光素子1とを位置合わせする必要がなくなる。
なお、1つの発光素子1が複数の樹脂ペーストドットで固定されてもよい。
本実施の形態では、発光素子保持構造体2の樹脂層60を複数の樹脂層から形成する点で、実施の形態1と相違する。その他の点は、実施の形態1と同様である。なお、本実施形態においては、複数の樹脂層が積層された樹脂積層体67、68が、樹脂層60に相当する。
第1樹脂層61は支持基板50に接触しており、アブレーションの際にレーザ光を吸収する。第2樹脂層62は発光素子1と第1樹脂層61とを接着している。
第1樹脂層61は支持基板50に接触しており、アブレーションの際にレーザ光を吸収する。第3樹脂層63は発光素子1に直接接触している。第2樹脂層62は、第1樹脂層61と第3樹脂層63とを接着することにより、間接的に、発光素子1と第3樹脂層63とを接着している。
例えば、図4に示すように1層から成る樹脂層60の場合、樹脂層60用の材料として、接着力が高く且つレーザ光の吸収率の高い樹脂材料を使用する必要がある。そのような特性を示す樹脂材料は限られている。
第3樹脂層63は任意に選択することができる。例えばクッション性に優れた樹脂材料を使用すれば、発光素子保持構造体2を運搬する際などに、発光素子1に与えるダメージをより軽減しうる。
そして、支持基板50の上面51に塗布された第1樹脂ペースト層61’と、発光素子1の下面3に塗布された第2樹脂ペースト層62’とを密着させる。これにより、第1樹脂ペースト層61’及び第2樹脂ペースト層62の2層を含む樹脂ペースト積層体67’が得られる。
次の「3.発光素子1の固定」工程では、樹脂ペースト積層体67’を硬化して、第1樹脂層61及び第2樹脂層62の2層を含む樹脂積層体67を形成する。この樹脂積層体67により、発光素子1は支持基板50に固定される。
そして、支持基板50の上面51に塗布された第1樹脂ペースト層61’と、発光素子1の下面3に(第2樹脂ペースト層62’を介して)塗布された第3樹脂ペースト層63’とを密着させる。これにより、第1樹脂ペースト層61’、第2樹脂ペースト層62’及び第3樹脂ペースト層63’の3層を含む樹脂ペースト積層体68’が得られる。
支持基板50は、アブレーションに使用するレーザ光(例えば波長266nm〜532nmのレーザ光)に対して透明な材料から形成されている。好適な材料としては、例えば、サファイア、石英ガラス等が挙げられる。
1層から成る樹脂層60では、樹脂層60は、レーザ光(例えば波長266nm〜532nmのレーザ光)を吸収し、且つ接着力の強い材料から形成される。好適な材料としては、例えばポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミドなどが挙げられる。
第1樹脂層61は、後の工程においてレーザ光を当てて素子を支持基板と分離するために、レーザ光(例えば波長266nm〜532nmのレーザ光)を吸収する材料から形成される。好適な材料としては、例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド等が挙げられる。
これらの材料は、硬化前のペースト状態(第2樹脂ペースト層62’)のときに、比較的粘度が高いので、第2樹脂ペースト層62’を硬化させる前であっても、素子と支持基板側との間を仮保持するのに適している。
これらの材料から形成された第3樹脂層63はクッション性を有するので、発光素子保持構造体2を運搬する際などに、発光素子1に与えるダメージをより軽減しうる。
図4に示すように、発光素子1の下面3には第1凹部3a、第2凹部3bが設けられており、それらの表面は、第1パッド電極312及び第2パッド電極322によって覆われている。そのため、第1パッド電極312及び第2パッド電極322に対する濡れ性の高い第3樹脂ペースト層63’を発光素子1の下面3に塗布すると、第1凹部3a、第2凹部3bを第3樹脂ペースト層63’で満たすことができる。これにより、硬化後の第3樹脂層と発光素子1の下面3との間のボイド発生を抑制して、それらの接触面積を増加させることができる。したがって、第3樹脂層63と発光素子1との間で剥離が起こりにくくなる。
そこで、第2樹脂ペースト層62’を塗布する前に、発光素子1の下面3に上述のような濡れ性の良好な第3樹脂層63を塗布することにより、下面3の第1凹部3a、第2凹部3bを平坦化することができる。このように、第3樹脂層63は、下面3の凹凸を平坦化する、いわゆる下地層として機能させることもできる。
発光素子1としては、様々な種類の半導体発光素子が利用できる。例えばLEDディスプレイ70を形成する場合には、赤色発光素子1R、緑色発光素子1Gおよび青色発光素子1Bを利用する。
好適な赤色発光素子1Rとしては、例えばAlInGaP系半導体発光素子等が挙げられる。
好適な緑色および青色発光素子1G、1Bとしては、例えば窒化物半導体発光素子等が挙げられる。窒化物半導体発光素子は、純粋な緑色光、純粋な青色光を発光することができる。
LEDディスプレイ70に使用する場合、解像度を改善するためには、発光ピクセルPxの寸法を小さくする必要があるので、発光ピクセルPxに内蔵される発光素子も極めて小さくする必要がある。例えば、一辺100μm以下の矩形の発光素子1などが好適である。なお、本明細書において矩形とは、正方形であってもよいし長方形であってもよい。長方形の場合には、短辺及び長辺が、いずれも100μm以下の発光素子1が好適である。
絶縁膜17は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。好適な材料としては、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)やZr酸化膜(ZrO2)等が挙げられる。
絶縁膜17を誘電体多層膜から形成して反射層として機能させることもできる。その場合には、SiO2とその他の酸化物とを繰り返し積層した膜、例えば、ZrO2やTiO2と、SiO2とを繰り返し積層した膜から形成することができる。
遮光層20は、発光素子1の側面5から漏れる光を遮断するためのものであり、好適な材料としては、例えば、Ag、Ti、Al、Cr、Niなどの金属材料等が挙げられる。特に、Agは反射率が高いので、遮光膜20を反射層として機能させることができる。
保護膜18は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。好適な材料としては、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)やZr酸化膜(ZrO2)等が挙げられる。
透光性保護膜4aは、発光素子1の上面4を保護する膜であるので、透光性の絶縁材料から形成するのが好ましい。好適な材料としては、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)、SiON、SiN、Al2O3等が挙げられる。
第1電極31は、第1の半導体層10a(例えばn型半導体層)に導通するための電極である。
第1コンタクト電極311は、第1の半導体層10aとオーミックコンタクトする材料から形成される。好適な材料としては、例えば、Ti、Al、Cr等が挙げられる。
第1パッド電極312および第1外側パッド電極313は、例えばCu、Au等の導電率の高い材料から形成される。
第2電極32は、第2の半導体層10b(例えばp型半導体層)に導通するための電極である。
第2コンタクト電極321は、第2の半導体層10bとオーミックコンタクトする材料から形成される。好適な材料としては、例えば、ITO、Ag等が挙げられる。
第2パッド電極322および第2外側パッド電極323は、例えばCu、Au等の導電率の高い材料から形成される。
実施形態1の変形例1において、発光素子1’の第1および第2凹部3a、3b内を満たすための充填部材35は、例えばSiO2などの絶縁性材料、例えばCu、Ni、Auなどの導電性材料から形成することができる。
レーザ光Lとしては、波長266nm(紫外)〜532nm(緑)のものが利用できる。具体的には、Ng:YAGパルスレーザの第2高調波(波長532nm)、第3高調波(波長355nm)、第4高調波(波長266nm)等が好適である。
3 発光素子の下面
50 支持基板
60 樹脂層
65 樹脂層の下面
61 第1樹脂層
62 第2樹脂層
63 第3樹脂層
67、68 樹脂積層体
Claims (14)
- レーザ光に対して透明な材料から成る支持基板上に複数の樹脂層が形成され、前記複数の樹脂層の各々に下面が固定された複数の発光素子を含んで成る発光素子保持構造体であって、
各発光素子は、下面側に、第1パッド電極で覆われた第1凹部と、第2パッド電極で覆われた第2凹部とを有し、
前記樹脂層は、前記第1凹部及び前記第2凹部を満たすとともに、前記第1パッド電極及び前記第2パッド電極の下面の全てを覆い、且つ、前記レーザ光を吸収する材料を含み、
前記支持基板と接触する前記樹脂層の下面の幅が、各々の前記発光素子の下面の幅より狭いことを特徴とする発光素子保持構造体。 - レーザ光に対して透明な材料から成る支持基板上に複数の樹脂層が形成され、前記複数の樹脂層の各々に下面が固定された複数の発光素子を含んで成る発光素子保持構造体であって、
前記樹脂層は、前記支持基板から前記発光素子に向かって順に、
前記支持基板に接触し前記レーザ光を吸収する第1樹脂層と、
前記発光素子と第1樹脂層とを接着する第2樹脂層と、
第3樹脂層と、を少なくとも含む積層体から成り、
前記支持基板と接触する前記樹脂層の下面の幅が、各々の前記発光素子の下面の幅より狭いことを特徴とする発光素子保持構造体。 - レーザ光に対して透明な材料から成る支持基板上に複数の樹脂層が形成され、前記複数の樹脂層の各々に下面が固定された複数の発光素子を含んで成る発光素子保持構造体であって、
前記樹脂層は、側面が凹んでいるとともに、前記レーザ光を吸収する材料を含み、
前記支持基板と接触する前記樹脂層の下面の幅が、各々の前記発光素子の下面の幅より狭いことを特徴とする発光素子保持構造体。 - 前記発光素子は、前記下面側に電極が設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の発光素子保持構造体。
- 前記樹脂層が、
前記支持基板に接触し前記レーザ光を吸収する第1樹脂層と、
前記発光素子と第1樹脂層とを接着する第2樹脂層と、を少なくとも含む積層体から成ることを特徴とする請求項1、3または請求項3を引用する請求項4に記載の発光素子保持構造体。 - 前記発光素子と前記第2樹脂層との間に第3樹脂層をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の発光素子保持構造体。
- 前記樹脂層の側面が凹んでいることを特徴とする請求項1に記載の発光素子保持構造体。
- 前記発光素子の側面から樹脂層が除去されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光素子保持構造体。
- 前記発光素子の上面が粗面化されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発光素子保持構造体。
- 前記発光素子の側面に反射層が設けられていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発光素子保持構造体。
- 前記発光素子が窒化物半導体発光素子であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の発光素子保持構造体。
- 前記発光素子が、各辺が100μm以下の矩形であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の発光素子保持構造体。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光素子保持構造体の製造方法であって、
レーザ光に対して透明な材料から成る支持基板上に、レーザ光を吸収する材料を含む樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上に複数の発光素子を固定する工程と、
エッチングにより、隣接する発光素子の間から前記樹脂層の一部を除去するエッチング工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 - レーザ光に対して透明な材料から成る支持基板上に複数の樹脂層が形成され、前記複数の樹脂層の各々に下面が固定された複数の発光素子を含み、前記樹脂層は、前記レーザ光を吸収する材料を含み、前記支持基板と接触する前記樹脂層の下面の幅が、各々の前記発光素子の下面の幅より狭い発光素子保持構造体の製造方法であって、
レーザ光に対して透明な材料から成る支持基板上に、レーザ光を吸収する材料を含む樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上に複数の発光素子を固定する工程と、
エッチングにより、隣接する発光素子の間から前記樹脂層の一部を除去するエッチング工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
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