JP6114009B2 - 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明の構成1は、マスクブランク基板の主表面上に反射用薄膜を有する反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射用薄膜が、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた多層反射膜を少なくとも含み、
前記反射型マスクブランクの製造方法が、
前記反射用薄膜を有する前記マスクブランク基板を用意する工程と、
前記反射用薄膜の上面に、レジスト層を形成し、前記レジスト層を用いたリソグラフィープロセスによって、前記多層反射膜の少なくとも一部を除去することにより、前記反射型マスクブランクの欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と
を含み、
前記基準マーク形成工程が、
前記反射用薄膜の上面にレジスト液を滴下して供給する滴下工程と、
滴下した前記レジスト液を均一に広げる均一化工程と、
を含み、
前記滴下工程の間、前記マスクブランク基板が、静止しているか、又は、滴下された前記レジスト液が前記マスクブランク基板の回転による作用で実質的に移動しない回転速度で回転しており、
前記均一化工程が、前記マスクブランク基板の回転速度を、前記均一化工程の最高回転速度に至るまで加速する回転加速段階を含み、
前記回転加速段階において、前記マスクブランク基板の回転速度の加速開始から前記均一化工程の最高回転速度に至るまでの時間が、少なくとも1秒以上あることを特徴とする、反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成2の反射型マスクブランクの製造方法は、前記反射用薄膜の上面が、前記多層反射膜の上面である、構成1に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成3の反射型マスクブランクの製造方法は、前記反射用薄膜が、前記多層反射膜の上面に形成された保護膜を含み、前記反射用薄膜の上面が、前記保護膜の上面である、構成1に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成4の反射型マスクブランクの製造方法は、前記回転加速段階において、前記均一化工程の最高回転速度の10%以上50%未満の回転速度まで第一の回転加速度で前記マスクブランク基板の回転速度を上昇させる第一の回転加速段階と、前記第一の回転加速段階の後に、前記第一の回転加速度よりも高い第二の回転加速度で前記マスクブランク基板の回転速度を上昇させる第二の回転加速段階とを含むことを特徴とする、構成1〜3のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成5の反射型マスクブランクの製造方法は、前記反射用薄膜の上面が、スパッタリングにより成膜されたMo、Nb、Ru又はSiから選択される少なくとも1以上の元素が含まれる層の表面であることを特徴とする、構成1〜4のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成6の反射型マスクブランクの製造方法は、前記均一化工程の最高回転速度が、500rpm以上であることを特徴とする、構成1〜5のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成7の反射型マスクブランクの製造方法は、前記マスクブランク基板の主表面上に、前記主表面の周縁部において前記マスクブランク基板の内側から外側に向かって膜厚が小さくなる膜厚傾斜領域が設けられるように前記多層反射膜が形成されていることを特徴とする、構成1〜6のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成8の反射型マスクブランクの製造方法は、前記反射用薄膜の上面に吸収体膜を形成する吸収体膜形成工程を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。吸収体膜をパターニングすることにより、吸収体膜パターンを有する反射型マスクを得ることができる。
本発明は、構成8の反射型マスクブランクの製造方法によって製造された反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングするパターニング形成工程を有することを特徴とする、反射型マスクの製造方法である。本発明の構成9の反射型マスクの製造方法により、パターン形成領域における欠陥の発生が抑制され、かつ直線的な輪郭の基準マークを有する反射型マスクを得ることができる。
実施例1に使用した基板11は、SiO2−TiO2系のガラス基板11(6インチ角[152.4mm×152.4mm]、厚さが6.3mm)である。このガラス基板11を機械研磨することにより、表面粗さRms(二乗平均平方根粗さ)が0.15nm(測定領域:1μm×1μm、原子間力顕微鏡で測定)の平滑な表面と、0.05μm以下の平坦度とを有するガラス基板11を得た。
レジスト:ポジ型化学増幅型レジストFEP171(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)
溶剤:PGMEA(プロピレングリコールモノメチルアセテート)とPGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)の混合溶剤
保護膜形成工程(S3)の後に基準マーク形成工程(S2)を実施した以外は、実施例1と同一の条件で、実施例2の反射型マスクブランク1を製造した。
基準マーク形成工程(S2)のうち、均一化工程(S22)が異なる他は、実施例1と同一の条件で、比較例1の反射型マスクブランク1を製造した。表2に、比較例1の基準マーク形成工程(S2)中の滴下工程(S21)及び均一化工程(S22)の際の、基板の回転速度の時間変化を示す。比較例1の場合には、均一化工程(S22)において、低回転加速段階(S22−1)及び高回転加速段階(S22−2)は行わなかった。比較例1の場合には、その代わりに、滴下工程(S21)の直後、300rpmの低速回転を3秒間実施し、低速回転の直後、1500rpmの高速回転段階(S22−3)を3.5秒間実施した。
基準マーク形成工程(S2)のうち、均一化工程(S22)が異なる他は、実施例1と同一の条件で、比較例2の反射型マスクブランク1を製造した。表3に、比較例2の基準マーク形成工程(S2)中の滴下工程(S21)及び均一化工程(S22)の際の、基板の回転速度の時間変化を示す。比較例2の場合には、均一化工程(S22)において、低回転加速段階(S22−1)及び高回転加速段階(S22−2)は行わなかった。比較例2の場合には、その代わりに、滴下工程(S21)の直前に滴下前回転(1000rpmで1秒間)を実施し、その回転速度を維持したまま、滴下工程(S21)を実施した。滴下工程(S21)の直後、高速回転段階(S22−3)の前に、低速回転(500rpmで3秒間)を実施した。
実施例1、2及び比較例1、2について、基準マーク形成工程(S2)の乾燥工程(S23)終了時点の欠陥数を、レーザー干渉コンフォーカル光学系による60nm感度の欠陥検査装置(レーザーテック社製 M6640)を用いて、欠陥の大きさごとにカウントした。欠陥数の測定結果を表4に示す。
2 反射型マスク
11 基板(ガラス基板)
12 多層反射膜
13 保護膜
14 露光光吸収体層
15 低反射層
16 吸収体膜
18 導電膜
19 電子線描画用レジスト膜
21 レジストパターン
22 吸収体膜パターン
31 EUV光
32 レーザープラズマX線源
33 縮小光学系
34 半導体基板
50 パターン転写装置
60 イオンビームスパッタリング装置
61 集束イオンビーム発生装置
62 ターゲット
63 回転ステージ
64 集束イオンビーム
66 スパッタ粒子
68 遮蔽部材
71 主表面
72 側面
73 面取面
80 基準マーク
82 ファインマーク
84 補助マーク
90 膜厚傾斜領域
115 多層反射膜付き基板
120 回転塗布装置
121 スピンナーチャック
122 ノズル
123 カップ
124 インナーリング
126 レジスト液
130 排気手段
132 開口部
134 気流
Dslope 膜厚傾斜領域の幅
α スパッタ粒子の入射角
Claims (9)
- マスクブランク基板の主表面上に反射用薄膜を有する反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射用薄膜が、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた多層反射膜を少なくとも含み、
前記反射型マスクブランクの製造方法が、
前記反射用薄膜を有する前記マスクブランク基板を用意する工程と、
前記マスクブランク基板の基板周縁部の前記反射用薄膜の上面に、レジスト層を形成し、前記レジスト層を用いたリソグラフィープロセスによって、前記多層反射膜の少なくとも一部を除去することにより、前記反射型マスクブランクの欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と
を含み、
前記基準マーク形成工程が、
前記反射用薄膜の上面にレジスト液を滴下して供給する滴下工程と、
滴下した前記レジスト液を均一に広げる均一化工程と、
を含み、
前記滴下工程の間、前記マスクブランク基板が、静止しているか、又は、滴下された前記レジスト液が前記マスクブランク基板の回転による作用で実質的に移動しない回転速度で回転しており、
前記均一化工程が、前記マスクブランク基板の回転速度を、前記均一化工程の最高回転速度に至るまで連続して加速する回転加速段階を含み、
前記回転加速段階において、前記マスクブランク基板の回転速度の加速開始から前記均一化工程の最高回転速度に至るまでの時間が、少なくとも1秒以上あることを特徴とする、反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記反射用薄膜の上面が、前記多層反射膜の上面である、請求項1に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記反射用薄膜が、前記多層反射膜の上面に形成された保護膜を含み、前記反射用薄膜の上面が、前記保護膜の上面である、請求項1に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記回転加速段階において、前記均一化工程の最高回転速度の10%以上50%未満の回転速度まで第一の回転加速度で前記マスクブランク基板の回転速度を上昇させる第一の回転加速段階と、前記第一の回転加速段階の後に、前記第一の回転加速度よりも高い第二の回転加速度で前記マスクブランク基板の回転速度を上昇させる第二の回転加速段階とを含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記反射用薄膜の上面が、スパッタリングにより成膜されたMo、Nb、Ru又はSiから選択される少なくとも1以上の元素が含まれる層の表面であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記均一化工程の最高回転速度が、500rpm以上であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記マスクブランク基板の主表面上に、前記主表面の周縁部において前記マスクブランク基板の内側から外側に向かって膜厚が小さくなる膜厚傾斜領域が設けられるように前記多層反射膜が形成されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記反射用薄膜の上面に吸収体膜を形成する吸収体膜形成工程を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項8の反射型マスクブランクの製造方法によって製造された反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングするパターニング形成工程を有することを特徴とする、反射型マスクの製造方法。
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